兩次圖形化工藝方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種兩次圖形化工藝方法，在制作掩膜版過程中在版圖分拆后通過將溝槽圖形部分所對應的版圖進行布爾運算變換為線條圖形，之后再采用線條圖形的OPC模型對溝槽圖形進行OPC修正。本發(fā)明不必對溝槽圖形重新建立OPC模型，能簡化版圖的OPC模型，從而能降低分拆后的版圖的OPC修正的復雜性，能大大降低掩膜版制作的難度、提高掩膜版制作的成功率，能提高LELE方法的實用性，使LELE方法能真正實用。
【專利說明】兩次圖形化工藝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種兩次圖形化工藝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著超大規(guī)模半導體集成電路制造工藝的發(fā)展，單位面積的晶體管個數(shù)不斷增力口，相對應的單個晶體管的尺寸在不斷縮小。而主流的圖形化技術(shù)主要通過光刻實現(xiàn)。而隨著設計尺寸的不斷縮小，晶體管尺寸越來越接近于光學分辨的極限。當設計圖形的最小分辨率低于光刻工藝的物理分辨極限時，一次光刻已經(jīng)無法實現(xiàn)圖形化，如對應現(xiàn)有193nm的ArF光刻技術(shù)，通過調(diào)整數(shù)值孔徑(NA)，所能達到的光刻工藝的物理分辨極限為28納米；而13.5nm的EUV光刻技術(shù)現(xiàn)在還未成熟，所以現(xiàn)有技術(shù)中采用193nm的ArF光刻技術(shù)和13.5nm的EUV光刻技術(shù)都無法實現(xiàn)節(jié)點28nm以下的單次光刻工藝(Single Exposure/Single Patterning)。所以,現(xiàn)有技術(shù)中當設計圖形的最小分辨率低于光刻工藝的物理分辨極限時需要使用兩次圖形化技術(shù)(DPT-Double Patterning Technology)。
[0003]現(xiàn)有兩次圖形化工藝包括多種，其中采用LELE (Litho-Etch-Litho-Etch，光刻-刻蝕-光刻-刻蝕)工藝的兩次圖形化工藝方法是現(xiàn)有多種兩次圖形化工藝方法中比較常見和容易實現(xiàn)的一種。LELE工藝方法需要將將版圖拆分為兩部分，然后分別通過兩個分離的光刻刻蝕步驟各產(chǎn)生其中的一部分圖形。
[0004]對于LELE技術(shù)，最難的在于版圖的分拆方法和對分拆之后的版圖進行光學臨近效應修正(Optical Proximity Correction, 0PC),以及之后的全芯片的OPC驗證(OPCverify/Layout Rule Check)。
[0005]根據(jù)版圖的拆分方法不同，現(xiàn)有LELE工藝方法通常有兩種實現(xiàn)方法，分別為線條-線條(Line/Line，LL)方法和線條-溝槽(Line/Space，LS)方法。其中LL方法較為常見，如圖1A至圖1C所示，是現(xiàn)有采用LELE工藝的兩次圖形化工藝方法中的LL工藝中的版圖分拆示意圖；如圖1A所示，柵極102A和102B跨越于有源區(qū)101上方，進行版圖拆分時要分別將柵極102A和柵極102B的圖形拆開。如圖1B所示，在拆分后的版圖1中只含有柵極102A的線條圖形；如圖1C所示，在拆分后的版圖2中只含有柵極102B的線條圖形。采用LL工藝方法的好處是分拆以后的版圖1和2均為線條圖形即柵極102A和102B對應的版圖都為線條圖形，這樣版圖1和版圖2的模型相似度較高，通?？梢酝ㄓ肙PC模型即版圖1和版圖2的OPC模型能夠相同，這樣在進行版圖1和版圖2的OPC修正時算法復雜度較低。但采用LL工藝方法的缺點在于光刻刻蝕工藝較難，因為在第一次刻蝕后存在較大的高度差，再次形成線條圖形時，很容易發(fā)生線條傾倒(Collapse)，且該問題在柵極線條的關(guān)鍵尺寸(CD)尺寸很小時基本無法克服。
[0006]如圖2A至圖2C所示，是現(xiàn)有采用LELE工藝的兩次圖形化工藝方法中的LS工藝中的版圖分拆示意圖；如圖2A所示，柵極202A和202B跨越于有源區(qū)201上方，進行版圖拆分時要分別將柵極202A和柵極202B的圖形拆開。如圖2B所示，在拆分后的版圖1中只含有線條圖形203，線條圖形203的線寬尺寸大于柵極202A和柵極202B的線寬尺寸；如圖1C所示，在拆分后的版圖2中只含有溝槽圖形204，溝槽圖形204能夠?qū)€條圖形203進行分害I]，由分割后的線條圖形203來形成柵極202A和柵極202B的圖形。這種方法的光刻刻蝕的工藝難度較低，不用形成很小尺寸的線條圖形。但缺點在于版圖1所定義的第一次圖形為線條，版圖1所定義的第二次圖形為溝槽，兩者的光學臨近效應修正模型不同，即版圖1和版圖2要分別采用不同的OPC模型進行OPC修正，這會大大增加OPC修正的難度，所以圖形分拆后的OPC修正以及正確性驗證(OPC-Verify)非常困難。
[0007]LELE的LS方法中OPC算法復雜的原因在于，傳統(tǒng)的OPC修正和光學模擬方法均基于光刻膠的光酸等效高斯擴散模型，即認為曝光后在光刻膠中的光酸產(chǎn)生后的擴散行為在明場和暗場下是相同的，但事實上很多文獻都已經(jīng)報道了該理論是不準確的。這就導致了目前絕大多數(shù)主流OPC工具和光學模擬方法無法同時適用于LS情形，因為現(xiàn)有的OPC模型的建立和光酸等效擴散長度的測量通常都是針對線條圖形的，當需要對溝槽圖形進行OPC修正時會面臨兩個技術(shù)問題，問題一必須基于溝槽圖形(space)重新建模即需重新單獨建立溝槽圖形的OPC模型，這會導致LELE的LS方法中兩個模型不一致。問題二,現(xiàn)有的OPC模型對space部分的理論模型因為不符合實際，因此對線條的CD控制比較粗糙，因此現(xiàn)有LS方法通常用來切斷場區(qū)上方的柵極圖形，而非有源區(qū)的柵極圖形。
[0008]基于LS的LELE技術(shù)引入的圖形分離算法和其對應的OPC修正算法會變得非常復雜，之后的出光刻版前的OPCV和LRC因為算法復雜度太高，數(shù)據(jù)量太大導致很難進行，因此使用LS的LELE技術(shù)的產(chǎn)品，其前期設計和OPC修正，及出板即制作分離后的版圖所對應的掩膜版的技術(shù)難度大和成功率很低。這大大制約了 LS的LELE技術(shù)的使用和推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種兩次圖形化工藝方法，能簡化制作掩膜版過程中OPC模型 、降低分拆后的版圖的OPC修正的復雜性，以及能降低掩膜版制作的難度、提高掩膜版制作的成功率，能提高LELE方法的實用性。
[0010]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的兩次圖形化工藝方法采用如下方法制作掩膜版:
[0011]步驟一、將設計版圖分拆成第一部分版圖和第二部分版圖，所述第一部分版圖對應于一次成形圖形，所述第二部分版圖對應于兩次成形圖形。分拆方法為:
[0012]首先計算光刻設備的分辨率:pl=kl*X /NA，其中pi為光刻設備所能分辨的空間周期的一半，kl為工藝參數(shù)且kl=0.25~0.28，λ為曝光波長，NA為光刻設備透鏡組的數(shù)值孔徑。
[0013]其次進行如下比較，所述第一部分版圖的空間周期的一半Ρ2 ^ pl，所述第二部分版圖的空間周期的一半P3 < pi。
[0014]步驟二、將所述第二部分版圖分拆成第一子部分版圖和第二子部分版圖，所述第一子部分版圖對應所述第二部分版圖的第一次圖形化時的第一線條圖形，所述第二子部分版圖對應所述第二部分版圖的第二次圖形化時的第一溝槽圖形，所述第一溝槽圖形用于對所述第一線條圖形進行分割。
[0015]步驟三、將所述第一部分版圖和所述第一子部分版圖合并為版圖一，使用OPC模型對所述版圖一進行OPC修正。
[0016]步驟四、將除去了所述版圖一后的所述設計版圖和所述第二子部分版圖合并為版圖二。
[0017]步驟五、對所述版圖二設置阻擋層，該阻擋層對所述版圖二中所述第二子部分版圖以外的圖形部分進行阻擋，使后續(xù)對所述版圖二所做的運算僅作用于所述第二子部分版圖，阻擋的圖形部分不進行后續(xù)運算。
[0018]步驟六、對所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第一次布爾運算，將所述第二子部分版圖的第一溝槽圖形轉(zhuǎn)換為第二線條圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換。
[0019]步驟七、使用和步驟三中相同的所述OPC模型對進行了第一次布爾運算的所述版圖二進行OPC修正。
[0020]步驟八、對OPC修改后的所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第二次布爾運算，將所述第二子部分版圖的所述第二線條圖形轉(zhuǎn)換回所述第一溝槽圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換。
[0021]步驟九、將所述版圖一制作成掩膜版一，將所述版圖二制作成掩膜版二。
[0022]進一步的改進是，兩次圖形化工藝為采用LELE工藝的兩次圖形化工藝，所述LELE工藝包括依次進行的光刻、刻蝕、光刻和刻蝕。
[0023]進一步的改進是，所述LELE工藝的工藝流程包括:
[0024]第一步、在半導體襯底上形成第一光刻膠層，利用所述掩膜版一對所述第一光刻膠層進行曝光并形成第一光刻膠圖形；
[0025]第二步、利用所述第一光刻膠圖形為掩模對所述半導體襯底進行刻蝕形成第一次圖形，所述第一次圖形包括所述第一部分版圖所定義圖形、以及所述第一子部分版圖所定義的第一線條圖形；
[0026]第三步、去除所述第一光刻膠層并在所述半導體襯底上形成填充材料將所述第一次圖形進行全面保護；
[0027]第四步、在所述填充材料上形成第二光刻膠層，利用所述掩膜版二對所述第二光刻膠層進行曝光并形成第二光刻膠圖形；
[0028]第五步、利用所述第二光刻膠圖形為掩模依次對所述填充材料和所述半導體襯底進行刻蝕形成第二次圖形，所述第二次圖形包括所述第二子部分版圖的所述第一溝槽圖形，所述第二次圖形的所述第一溝槽圖形對所述第一次圖形的所述第一線條圖形進行分害I]，分割后，在所述第一部分版圖所定義圖形之外形成由所述第一次圖形和所述第二次圖形疊加而成的所述第二部分版圖所定義圖形。
[0029]進一步的改進是，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層的材料相同。
[0030]進一步的改進是，所述第一光刻膠層的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米；所述第二光刻膠層的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米。
[0031]進一步的改進是，所述版圖二的所述第一溝槽圖形跨過有源區(qū)、且所述第一溝槽圖形為半導體器件的溝道的組成部分。[0032]進一步的改進是，在步驟六的所述第一次布爾運算之后、步驟七的對所述版圖二進行OPC修正之前，還包括采用基于規(guī)則的OPC修正方法(rule base OPC)對所述第一次布爾運算后得到的所述第二線條圖形的關(guān)鍵尺寸進行校準。
[0033]本發(fā)明在制作掩膜版過程中在版圖分拆后通過將溝槽圖形部分所對應的版圖進行布爾運算變換為線條圖形后再進行OPC修正，能使溝槽圖形的版圖的OPC修正也采用和線條圖形相同的OPC模型，從而能簡化版圖的OPC模型，不必對溝槽圖形重新建立OPC模型，也能降低分拆后的版圖的OPC修正的復雜性；還能避免溝槽圖形重新建立OPC模型所帶來的理論模型和實際有較大偏差、以及由此帶來的對線條圖形的CD控制比較粗糙的缺點，從而能提高溝槽圖形的精度，使LS工藝方法還能應用于有源區(qū)的柵極圖形。本發(fā)明通過簡化第二次的溝槽圖形的OPC模型、降低第二次的溝槽圖形的OPC修正的復雜性，能大大降低掩膜版制作的難度、提高掩膜版制作的成功率，也能提高LELE方法的實用性，使LELE方法能真正實用。
[0034]同時，本發(fā)明通過使用在明場和暗場光酸擴散長度基本一致的光刻膠，能克服現(xiàn)有OPC技術(shù)中對于光酸等效擴散長度的不當處理，從而能使模型精確度更高。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明:
[0036]圖1A-圖1C是現(xiàn)有采用LELE工藝的兩次圖形化工藝方法中的LL工藝中的版圖分拆示意圖；
[0037]圖2A-圖2C是現(xiàn)有采用LELE工藝的兩次圖形化工藝方法中的LS工藝中的版圖分拆示意圖；
[0038]圖3是本發(fā)明實施例兩次圖形`化工藝方法中制作掩膜版的流程圖；
[0039]圖4A-圖4D是本發(fā)明實施例兩次圖形化工藝方法的LELE工藝過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0040]如圖3所示，是本發(fā)明實施例兩次圖形化工藝方法中制作掩膜版的流程圖；本發(fā)明實施例兩次圖形化工藝方法采用如下方法制作掩膜版:
[0041]步驟一、將設計版圖分拆成第一部分版圖和第二部分版圖，所述第一部分版圖對應于一次成形圖形，所述第二部分版圖對應于兩次成形圖形。分拆方法為:
[0042]首先計算光刻設備的分辨率:pl=kl* λ /NA，其中pl為光刻設備所能分辨的空間周期的一半，kl為工藝參數(shù)且kl=0.25~0.28，λ為曝光波長，NA為光刻設備透鏡組的數(shù)值孔徑。
[0043]其次進行如下比較，所述第一部分版圖的空間周期的一半Ρ2 ^ pl，所述第二部分版圖的空間周期的一半P3 < pl。
[0044]步驟二、將所述第二部分版圖分拆成第一子部分版圖和第二子部分版圖，所述第一子部分版圖對應所述第二部分版圖的第一次圖形化時的第一線條圖形，所述第二子部分版圖對應所述第二部分版圖的第二次圖形化時的第一溝槽圖形，所述第一溝槽圖形用于對所述第一線條圖形進行分割。[0045]所述第二子部分版圖的所述第一溝槽圖形跨過有源區(qū)、且所述第一溝槽圖形為半導體器件的溝道的組成部分。
[0046]步驟三、將所述第一部分版圖和所述第一子部分版圖合并為版圖一，使用OPC模型對所述版圖一進行OPC修正。
[0047]步驟四、將除去了所述版圖一后的所述設計版圖和所述第二子部分版圖合并為版圖二。
[0048]步驟五、對所述版圖二設置阻擋層，該阻擋層對所述版圖二中所述第二子部分版圖以外的圖形部分進行阻擋，使后續(xù)對所述版圖二所做的運算僅作用于所述第二子部分版圖，阻擋的圖形部分不進行后續(xù)運算。
[0049]步驟六、對所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第一次布爾運算，將所述第二子部分版圖的第一溝槽圖形轉(zhuǎn)換為第二線條圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換。
[0050]在其它實施例中，也能包括采用基于規(guī)則的OPC修正方法對所述第一次布爾運算后得到的所述第二線條圖形的關(guān)鍵尺寸進行校準。
[0051]步驟七、使用和步驟三中相同的所述OPC模型對進行了第一次布爾運算的所述版圖二進行OPC修正。
[0052]步驟八、對OPC修改后的所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第二次布爾運算，將所述第二子部分版圖的所述第二線條圖形轉(zhuǎn)換回所述第一溝槽圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換。
[0053]步驟九、將所述版圖一制作成掩膜版一，將所述版圖二制作成掩膜版二。
[0054]本發(fā)明實施例兩次圖形化工藝為采用LELE工藝的兩次圖形化工藝，所述LELE工藝包括依次進行的光刻、刻蝕、光刻和刻蝕。具體為，如圖4A至圖4D所示，是本發(fā)明實施例兩次圖形化工藝方法的LELE工藝過程中的器件結(jié)構(gòu)示意圖，所述LELE工藝的工藝流程包括:
[0055]第一步、如圖4A所示，在半導體襯底I上形成柵極多晶硅，并在所述柵極多晶硅上形成第一光刻膠層3,利用所述掩膜版一對所述第一光刻膠層3進行曝光并形成第一光刻膠圖形。所述第一光刻膠層3的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米。
[0056]第二步、如圖4A所示，利用所述第一光刻膠圖形為掩模對所述半導體襯底I進行刻蝕形成第一次圖形，所述第一次圖形包括所述第一部分版圖所定義圖形、以及所述第一子部分版圖所定義的第一線條圖形。所述第一部分版圖所定義圖形形成于所述半導體襯底I的區(qū)域IA中，包括柵極2A。所述第一子部分版圖所定義的第一線條圖形形成于所述半導體襯底I的區(qū)域IB中，包括柵極2B。
[0057]第三步、如圖4B所示，去除所述第一光刻膠層3并在所述半導體襯底I上形成填充材料4將所述第一次圖形進行全面保護。
[0058]第四步、如圖4C所示，在所述填充材料4上形成第二光刻膠層5，利用所述掩膜版二對所述第二光刻膠層5進行曝光并形成第二光刻膠圖形。所述第一光刻膠層3和所述第二光刻膠層4的材料相同。所述第二光刻膠層4的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米。本發(fā)明實施例通過使用在明場和暗場光酸擴散長度基本一致的光刻膠，能克服現(xiàn)有OPC技術(shù)中對于光酸等效擴散長度的不當處理，從而能使模型精確度更高。對于不滿足條件的光刻膠，則不適合用本發(fā)明方法進行處理。
[0059]第五步、如圖4D所示，利用所述第二光刻膠圖形為掩模依次對所述填充材料4和所述半導體襯底I進行刻蝕形成第二次圖形，所述第二次圖形包括所述第二子部分版圖的所述第一溝槽圖形2C。所述第二次圖形的所述第一溝槽圖形2C對所述第一次圖形的所述第一線條圖形即所述柵極2B進行分割，分割后，在所述第一部分版圖所定義圖形之外形成由所述第一次圖形和所述第二次圖形疊加而成的所述第二部分版圖所定義圖形。
[0060]以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種兩次圖形化工藝方法，其特征在于，采用如下方法制作掩膜版: 步驟一、將設計版圖分拆成第一部分版圖和第二部分版圖，所述第一部分版圖對應于一次成形圖形，所述第二部分版圖對應于兩次成形圖形；分拆方法為: 首先計算光刻設備的分辨率:pl=kl*X/NA，其中Pl為光刻設備所能分辨的空間周期的一半，kl為工藝參數(shù)，λ為曝光波長，NA為光刻設備透鏡組的數(shù)值孔徑； 其次進行如下比較，所述第一部分版圖的空間周期的一半Ρ2 >pl，所述第二部分版圖的空間周期的一半Ρ3 < pi ； 步驟二、將所述第二部分版圖分拆成第一子部分版圖和第二子部分版圖，所述第一子部分版圖對應所述第二部分版圖的第一次圖形化時的第一線條圖形，所述第二子部分版圖對應所述第二部分版圖的第二次圖形化時的第一溝槽圖形，所述第一溝槽圖形用于對所述第一線條圖形進行分割； 步驟三、將所述第一部分版圖和所述第一子部分版圖合并為版圖一，使用OPC模型對所述版圖一進行OPC修正； 步驟四、將除去了所述版圖一后的所述設計版圖和所述第二子部分版圖合并為版圖-* ; 步驟五、對所述版圖二設置阻擋層，該阻擋層對所述版圖二中所述第二子部分版圖以外的圖形部分進行阻擋，使后續(xù)對所述版圖二所做的運算僅作用于所述第二子部分版圖，阻擋的圖形部 分不進行后續(xù)運算； 步驟六、對所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第一次布爾運算，將所述第二子部分版圖的第一溝槽圖形轉(zhuǎn)換為第二線條圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換； 步驟七、使用和步驟三中相同的所述OPC模型對進行了第一次布爾運算的所述版圖二進行OPC修正； 步驟八、對OPC修改后的所述版圖二的未被阻擋的圖形部分進行第二次布爾運算，將所述第二子部分版圖的所述第二線條圖形轉(zhuǎn)換回所述第一溝槽圖形，轉(zhuǎn)換時僅對圖形的不透明和透明的屬性進行變換，圖形的關(guān)鍵尺寸不做變換； 步驟九、將所述版圖一制作成掩膜版一，將所述版圖二制作成掩膜版二。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:兩次圖形化工藝為采用LELE工藝的兩次圖形化工藝，所述LELE工藝包括依次進行的光刻、刻蝕、光刻和刻蝕。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于:所述LELE工藝的工藝流程包括: 第一步、在半導體襯底上形成第一光刻膠層，利用所述掩膜版一對所述第一光刻膠層進行曝光并形成第一光刻膠圖形； 第二步、利用所述第一光刻膠圖形為掩模對所述半導體襯底進行刻蝕形成第一次圖形，所述第一次圖形包括所述第一部分版圖所定義圖形、以及所述第一子部分版圖所定義的第一線條圖形； 第三步、去除所述第一光刻膠層并在所述半導體襯底上形成填充材料將所述第一次圖形進行全面保護； 第四步、在所述填充材料上形成第二光刻膠層，利用所述掩膜版二對所述第二光刻膠層進行曝光并形成第二光刻膠圖形；第五步、利用所述第二光刻膠圖形為掩模依次對所述填充材料和所述半導體襯底進行刻蝕形成第二次圖形，所述第二次圖形包括所述第二子部分版圖的所述第一溝槽圖形，所述第二次圖形的所述第一溝槽圖形對所述第一次圖形的所述第一線條圖形進行分割，分割后，在所述第一部分版圖所定義圖形之外形成由所述第一次圖形和所述第二次圖形疊加而成的所述第二部分版圖所定義圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于:所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層的材料相同。
5.如權(quán)利要求2或3所述的方法,其特征在于:所述第一光刻膠層的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米； 所述第二光刻膠層的光刻膠材料在透光率大于60%時的等效光酸擴散長度和透光率小于40%時的等效光酸擴散長度的差值小于10納米。
6.如權(quán)利要求1或2或3所述的方法，其特征在于:所述版圖二的所述第一溝槽圖形跨過有源區(qū)、且所述第一溝槽圖形為半導體器件的溝道的組成部分。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:在步驟六的所述第一次布爾運算之后、步驟七的對所述版圖二進行OPC修正之前，還包括采用基于規(guī)則的OPC修正方法對所述第一次布爾運算后得到的所述第二線條圖形的關(guān)鍵尺寸進行校準。
8.如權(quán)利要求1所述的·方法，其特征在于:kl的值為0.25~0.28。
【文檔編號】G03F1/36GK103852970SQ201210506248
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月30日
【發(fā)明者】王雷, 袁春雨 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司