專利名稱：一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的新技術(shù)不斷地被提出和應用?；贏DS (ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS,簡稱 ADS,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點，得到了越來越多人們的關(guān)注。ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術(shù)的TFT-1XD產(chǎn)品不僅在畫面品質(zhì)上有所提高，且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、 低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。對于ADS型TFT-1XD而言，公共電極需要制作在陣列基板上，這就在ADS型TFT-LCD的陣列基板制作過程中需要額外增加一次形成公共電極的構(gòu)圖工藝。因此在現(xiàn)有技術(shù)中通常需要通過7次構(gòu)圖工藝制造ADS型TFT-1XD陣列基板，而每一次構(gòu)圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構(gòu)圖工藝的次數(shù)過多將直接導致顯示裝置產(chǎn)品的成本上升，因此如何能夠進一步減少構(gòu)圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P(guān)注的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以減少在陣列基板的制造過程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)，有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板制造方法，包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟，形成所述第一透明電極的步驟包括形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜；通過一次構(gòu)圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形；在所述金屬氧化物薄膜圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種陣列基板，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，還包括依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜；所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成；
通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域包括所述第一透明電極。本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明實施例提供的陣列基板以及制造方法、顯示裝置，采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到4次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本?！?br>

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；圖2為本發(fā)明實施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；圖3為透明基板上形成柵金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3所示的陣列基板上形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖4所示的陣列基板形成有光刻膠的示意圖；圖6為圖5所示的陣列基板進行刻蝕后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6所示的陣列基板進行灰化后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7所示的陣列基板進行金屬化處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為圖8所不的陣列基板進行灰化后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖10圖9所不的陣列基板進行刻蝕后的結(jié)構(gòu)不意圖；圖11為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12本發(fā)明實施例提供的又一陣列基板制造方法的流程示意圖；圖13為本發(fā)明實施例提供的另一陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟，如圖1所示，形成第一透明電極的步驟包括S101、形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜。其中，金屬氧化物薄膜可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制作而成，例如，金屬氧化物薄膜可以包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。S102、通過一次構(gòu)圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層的圖形以及源漏金屬層薄膜的圖形。具體的，可以在依次形成有金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成該金屬氧化物薄膜的圖形和該刻蝕阻擋層薄膜的圖形，以及位于該刻蝕阻擋層薄膜表面的源漏金屬層薄膜，該刻蝕阻擋層薄膜覆蓋所述TFT的溝道區(qū)域。S103、在該金屬氧化物薄膜圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。具體的，可以對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導體特性的金屬氧化物薄膜，刻蝕阻擋層下未進行金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導體有源 層，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極和第一透明電極。進一步地，在對金屬氧化物薄膜圖形區(qū)域進行金屬化處理之后，將源漏金屬層薄膜通過構(gòu)圖工藝處理形成TFT的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線。可以看到，在形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形的過程中，僅需要進行一次掩膜曝光工序，這樣一種結(jié)構(gòu)只需要采用一次完整的構(gòu)圖工藝即可加工得到。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到4次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。進一步地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，如圖2所示，具體包括S201、在透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線。在陣列基板的實際生產(chǎn)過程當中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構(gòu)圖工藝以形成柵線、柵電極以及公共電極線等結(jié)構(gòu)的圖形。例如，可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在透明基板上形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，如圖3所示，最終在透明基板10的表面形成柵線(圖3中未示出)、柵電極111以及公共電極線112的圖案。S202、在透明基板、柵線、柵電極以及公共電極線上形成柵絕緣層。如圖4所示，圖4為TFT區(qū)域的層級結(jié)構(gòu)示意圖，可見，在該區(qū)域內(nèi)，在形成有柵電極111的透明基板10上形成有厚度均一的柵絕緣層12。S203、在依次形成有金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，以及位于該刻蝕阻擋層薄膜表面的源漏金屬層薄膜，該刻蝕阻擋層薄膜覆蓋TFT的溝道區(qū)域。
具體的，同樣如圖4所示，在形成有柵絕緣層12的基板上還依次形成有金屬氧化物薄膜13、刻蝕阻擋層薄膜14以及源漏金屬層薄膜15。其中，金屬氧化物薄膜13可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制作而成，例如，金屬氧化物薄膜可以包括InGaZnO、InGaO、ΙΤΖ0、Α1Ζη0中的至少一種。刻蝕阻擋層薄膜14可以是致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。源漏金屬層薄膜15可以采用現(xiàn)有的成膜方法如磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法在基板上形成金屬薄膜，其中，源漏金屬層薄膜15可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。對這樣一種結(jié)構(gòu)的基板采用構(gòu)圖工藝進行處理，首先，如圖5所示，在源漏金屬層15的表面形成光刻膠50，通過曝光顯影得到如圖5所示的光刻膠形狀。其中，該光刻膠50的厚度包括三組不同厚度的區(qū)域，其中對應TFT源漏極部分的光刻膠厚度為11，對應TFT溝道區(qū)域部分的光刻膠厚度為t2，對應第一透明電極部分的光刻膠厚度為t3，三 個厚度值滿足tl > t2 > t3。這樣一來，只需要進行一次掩膜曝光，通過逐次刻蝕之后即可以分別形成外露部分對應第一透明電極的金屬氧化物薄膜13、覆蓋TFT的溝道區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜14以及由源漏金屬層15形成的TFT的源漏極。對形成有光刻膠50的基板進行刻蝕，如圖6所示，通過刻蝕工藝可以刻蝕掉金屬氧化物薄膜13、刻蝕阻擋層薄膜14以及源漏金屬層15，直至暴露出柵絕緣層12，僅保留光刻膠50覆蓋區(qū)域的部分金屬氧化物薄膜13、刻蝕阻擋層薄膜14以及源漏金屬層15。進一步地，采用灰化工藝處理上述基板。通過灰化工藝的處理，光刻膠50的厚度將整體降低，將外露的刻蝕阻擋層薄膜14以及源漏金屬層15刻蝕掉，露出金屬氧化物薄膜13，最終形成如圖7所示的基板，由于tl > t2 > t3，通過灰化處理掉了厚度為t3大部分光刻膠，保留了厚度分別為tl和t2部分的光刻膠，即覆蓋TFT區(qū)域的光刻膠。S204、對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導體特性的金屬氧化物薄膜，刻蝕阻擋層下未進行金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導體有源層，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極和第一透明電極。具體的，如圖8所示，可以通過等離子工藝或退火工藝等對外露的金屬氧化物薄膜13進行金屬化處理。該步驟可以通過以下三種方式實現(xiàn)。方式一將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中加熱到一定溫度，并保持一定時間后在空氣中冷卻。優(yōu)選的，該一定溫度值可以為200 300°C，保持的一定時間可以為20 40分鐘。方式二 將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于還原性氣氛中在200 400°C進行熱處理。方式三將具有圖7所示結(jié)構(gòu)的基板置于真空腔室中，采用等離子體處理的方法，一般功率為1500 2500W，壓力為1000 2000mtorr，有氫氣(H2)等離子體和氧氣(O2)等離子體處理兩種方法，使用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理時，氫氣或氧氣的氣體流量一般為 5000 15000sccm。通過上述三種方式，可以使被金屬化處理的金屬氧化物薄膜13的載流子濃度提高，呈現(xiàn)導體特性，從而可以取代現(xiàn)有的像素電極材料。而刻蝕阻擋層14下未進行金屬化處理的金屬氧化物薄膜的載流子濃度較低，呈現(xiàn)半導體特性，即為半導體有源層133。
其中，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜13具體可以包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極131以及第一透明電極132。S205、將源漏金屬層薄膜通過構(gòu)圖工藝處理形成TFT的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線。具體的，如圖9所示，在形成有上述結(jié)構(gòu)的基板上進一步進行第二次灰化處理，光刻膠50的厚度將整體降低，形成開口，露出源漏金屬層15，由于tl > t2，對應TFT源漏極處的光刻膠50仍然予以保留。對基板進一步進行第二次刻蝕，如圖10所示，將光刻膠50開口處的源漏金屬層15刻蝕掉，形成TFT的源極151、TFT的漏極152以及數(shù)據(jù)線(圖10中未示出)。S206、在形成有數(shù)據(jù)線、TFT的源極以及TFT的漏極的基板上形成具有第一過孔的鈍化層，該第一過孔貫穿鈍化層和所述柵絕緣層，露出公共電極線。
S207、在鈍化層上形成用于連接TFT的源極與源連接電極、TFT的漏極與第一透明電極的連接電極以及第二透明電極，該第二透明電極通過第一過孔與公共電極線電連接。需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，是以第一透明電極為像素電極、第二透明電極為公共電極為例進行的說明。具體的，上述鈍化層、連接電極以及第二透明電極結(jié)構(gòu)分別可以通過兩次構(gòu)圖工藝形成。具體的，可以在形成有數(shù)據(jù)線、TFT的源極151以及TFT的漏極152的基板上通過化學氣相沉積或熱蒸發(fā)等方法制備絕緣薄膜形成鈍化層16，該鈍化層上通過構(gòu)圖工藝形成有第一過孔A，第二透明電極172可以通過第一過孔A與公共電極線112電連接。其中，該絕緣薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層薄膜，也可以采用上述材料的多層形成的多層薄膜。接著，可以通過磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法形成透明導電薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成用于連接TFT的源極151與源連接電極131、TFT的漏極152與第一透明電極132的連接電極171，以及條狀的第二透明電極172，最終形成如圖11所示的陣列基板。其中，第一透明電極132與第二透明電極172之間可以形成多維電場。第二透明電極172的材料可以是ITO、ZnO, InGaZnO, InZnO, InGaO 等透明導電材料。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到4次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本?；蛘?，本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法可以如圖12所示，與前述實施例不同的是，在本發(fā)明實施例中，是以第一透明電極為公共電極，第二透明電極為像素電極進行的說明。S1201、在透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線。該步驟可以參考前述實施例，此處不做贅述。S1202、在形成有柵線、柵電極以及公共電極線的透明基板上形成柵絕緣層，該柵絕緣層上形成有第二過孔，該第二過孔用于連接第一透明電極與公共電極線。
具體的，如圖13所示，可以在形成有柵線(圖13中未示出)、柵電極111以及公共電極線112的透明基板10上通過化學氣相沉積或熱蒸發(fā)等方法制備絕緣薄膜形成柵絕緣層12，該柵絕緣層12上通過構(gòu)圖工藝形成有第二過孔B，第一透明電極132可以通過第二過孔B與公共電極線112電連接。其中，該絕緣薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層薄膜，也可以采用上述材料的多層形成的多層薄膜。S1203、在依次形成有金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形，以及位于該刻蝕阻擋層薄膜表面的源漏金屬層薄膜，該刻蝕阻擋層薄膜覆蓋TFT的溝道區(qū)域。S1204、對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導體特性的金屬氧化物薄膜，刻蝕阻擋層下未進行金屬化處理的部分金屬氧化物薄膜形成半導體有源層，經(jīng)過金屬化處理的金屬氧化物薄膜包括用于與TFT的源極電連接的源連接電極和第一透明電極。S1205、將源漏金屬層薄膜通過構(gòu)圖工藝處理形成TFT的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線。 以上步驟可以參考前述實施例，此處不做贅述。S1206、在形成有數(shù)據(jù)線、TFT的源極以及TFT的漏極的基板上形成具有第三過孔的鈍化層，第三過孔貫穿該鈍化層，露出TFT的漏極。S1207、在鈍化層上形成用于連接TFT的源極與源連接電極的連接電極以及第二透明電極，該第二透明電極通過第三過孔與TFT的漏極電連接。與前述實施例類似的，上述鈍化層、連接電極以及第二透明電極結(jié)構(gòu)同樣可以分別通過兩次構(gòu)圖工藝形成。具體的，如圖13所示，可以在形成有數(shù)據(jù)線、TFT的源極151以及TFT的漏極152的基板上通過化學氣相沉積或熱蒸發(fā)等方法制備絕緣薄膜形成鈍化層16，該鈍化層上通過構(gòu)圖工藝形成有第三過孔C，第一透明電極132可以通過第二過孔B與公共電極線112電連接。其中，該絕緣薄膜可以采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的單層薄膜，也可以采用上述材料的多層形成的多層薄膜。接著，可以通過磁控濺射或熱蒸發(fā)等方法形成透明導電薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成用于連接TFT的源極151與源連接電極131的連接電極171，以及條狀的第二透明電極172，該第二透明電極172通過第三過孔C與TFT的漏極152電連接。其中，第一透明電極132與第二透明電極172之間同樣可以形成多維電場。第二透明電極172的材料可以是ITO、ZnO, InGaZnO, InZnO, InGaO 等透明導電材料。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，與前述實施例類似的，采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相比，減少了陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝的使用次數(shù)，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。本發(fā)明實施例提供的陣列基板，如圖11所示，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極132,還包括依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜13、刻蝕阻擋層薄膜14和源漏金屬層薄膜15。其中，金屬氧化物薄膜13的圖形、刻蝕阻擋層薄膜14的圖形以及源漏金屬層薄膜15的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成。通過金屬化處理的金屬氧化物薄膜13的圖形區(qū)域包括第一透明電極132。該陣列基板具體包括TFT、第一透明電極和第二透明電極。其中，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極通過一次構(gòu)圖工藝形成的，第一透明電極由金屬氧化物薄膜通過金屬化處理得到，半導體有源層由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。·
需要說明的是，上述各個實施例中是以像素電極和公共電極異層設置的陣列基板為例進行的說明?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤├邢袼仉姌O和公共電極同層設置在陣列基板上時，也可以通過構(gòu)圖工藝、金屬化處理等在一層金屬氧化物薄膜上形成有源層、像素電極和公共電極的圖案。因此，本發(fā)明實施例提供的陣列基板通過適當?shù)淖冃我部梢赃m用于IPSdn-Plane Switching，平面內(nèi)開關(guān))型和AD-SDS型的TFT陣列基板。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相比，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到4次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。進一步地，如圖11所示，刻蝕阻擋層14的圖形可以位于金屬氧化物薄膜13圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。通過金屬化處理的金屬氧化物薄膜13的圖形區(qū)域還可以包括半導體有源層133，該半導體有源層133可以位于刻蝕阻擋層14下。以及用于與TFT的源極151電連接的源連接電極131以及第一透明電極132。通過構(gòu)圖工藝處理的源漏金屬層薄膜15可以包括TFT的源極151和漏極152以及數(shù)據(jù)線(圖11中未示出)。進一步地，如圖11所示，陣列基板還可以包括位于透明基板10和金屬氧化物薄膜13之間的柵線(圖11中未示出)、柵電極111以及公共電極線112。位于柵線、柵電極111以及公共電極線112和金屬氧化物薄膜13之間的柵絕緣層12。其中，陣列基板還可以包括位于數(shù)據(jù)線(圖11中未示出)、TFT的源極151以及TFT的漏極152的表面的含有第一過孔A的鈍化層16，第一過孔A貫穿鈍化層16和柵絕緣層12，露出公共電極線112。位于鈍化層16表面的用于連接TFT的源極151與源連接電極131、TFT的漏極152與第一透明電極132的連接電極171以及第二透明電極172，該第二透明電極172通過第一過孔A與公共電極線112電連接?；蛘?，如圖13所示，陣列基板還可以包括位于透明基板10和金屬氧化物薄膜13之間的柵線(圖13中未示出)、柵電極111以及公共電極線112。位于柵線、柵電極111以及公共電極線112和金屬氧化物薄膜13之間的柵絕緣層12，該柵絕緣層12上形成有第二過孔B，該第二過孔B用于連接第一透明電極132與公共電極線112。其中，陣列基板還可以包括位于數(shù)據(jù)線(圖13中未示出)、TFT的源極151以及TFT的漏極152的表面的具有第三過孔C的鈍化層16，第三過孔C貫穿鈍化層16，露出TFT的漏極152。位于鈍化層16表面的用于連接TFT的源極151與源連接電極131的連接電極171以及第二透明電極172，該第二透明電極172可以通過第三過孔C與TFT的漏極152電連接。
在本發(fā)明實施例中，第一透明電極為像素電極，第二透明電極為公共電極，或者第一透明電極為公共電極，第二透明電極為像素電極。其中，金屬氧化物薄膜可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料，例如，可以包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO 中的至少一種。本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。該陣列基板具體包括TFT、第一透明電極和第二透明電極。其中，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極通過一次構(gòu)圖工藝形成的，第一透明電極由金屬氧化物薄膜通過金屬化處理得到，半導體有源層由未被金屬化處理的金屬氧化物薄膜形成。需要說明的是本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，包括陣列基板，該陣列基板采用一次構(gòu)圖工藝分別形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜的圖形，并在金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來，刻蝕阻擋層、半導體有源層、第一透明電極以及TFT的源漏極可以通過一次構(gòu)圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術(shù)相t匕，可以將陣列基板制作過程中的構(gòu)圖工藝使用次數(shù)減少到4次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板制造方法，包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟，其特征在于，形成所述第一透明電極的步驟包括 形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜； 通過一次構(gòu)圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形； 在所述金屬氧化物薄膜圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法具體包括 在依次形成有所述金屬氧化物薄膜、所述刻蝕阻擋層薄膜和所述源漏金屬層薄膜的基板上通過構(gòu)圖工藝處理形成所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形，以及位于所述刻蝕阻擋層薄膜表面的所述源漏金屬層薄膜，所述刻蝕阻擋層薄膜覆蓋所述TFT的溝道區(qū)域； 對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理，形成具有導體特性的金屬氧化物薄膜，所述刻蝕阻擋層下未進行所述金屬化處理的部分所述金屬氧化物薄膜形成半導體有源層，經(jīng)過所述金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜包括用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極和第一透明電極； 將所述源漏金屬層薄膜通過構(gòu)圖工藝處理形成TFT的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理包括 將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于真空腔室中加熱到預設溫度，并保持預設時間后在空氣中冷卻，其中，所述預設溫度為200 300°C，所述預設時間為20 40分鐘；或， 將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于還原性氣氛中在200 400°C進行熱處理；或， 將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于真空腔室中，采用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理，功率為1500 2500W，壓力為1000 2000mtorr，氣體流量為5000 15000sccmo
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明電極的步驟之前，所述方法還包括 在所述透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線； 在形成有所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線的所述透明基板上形成柵絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明電極的步驟之后，所述方法還包括 在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的基板上形成具有第一過孔的鈍化層，所述第一過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出所述公共電極線； 在所述鈍化層上形成用于連接所述TFT的源極與所述源連接電極、所述TFT的漏極與所述第一透明電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第一過孔與所述公共電極線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明電極的步驟之前，所述方法還包括 在所述透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線； 在形成有所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線的所述透明基板上形成柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成有第二過孔，所述第二過孔用于連接所述第一透明電極與所述公共電極線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述第一透明電極的步驟之后，所述方法還包括 在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的基板上形成具有第三過孔的鈍化層，所述第三過孔貫穿所述鈍化層，露出所述TFT的漏極； 在所述鈍化層上形成用于連接所述TFT的源極與所述源連接電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第三過孔與所述TFT的漏極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的方法，其特征在于， 所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；或， 所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述在所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極包括 在所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域通過等離子工藝或退火工藝處理以形成第一透明電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料，包括InGaZnO、InGaO, ITZO, AlZnO中的至少一種。
11.一種陣列基板，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，其特征在于，還包括 依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜； 所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形通過一次構(gòu)圖工藝形成； 通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域包括所述第一透明電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于， 所述刻蝕阻擋層的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區(qū)域還包括 半導體有源層，所述半導體有源層位于所述刻蝕阻擋層下； 用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極以及第一透明電極； 所述通過構(gòu)圖工藝處理的所述源漏金屬層薄膜包括TFT的源極和漏極以及數(shù)據(jù)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括 位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線； 位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括 位于所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有第一過孔的鈍化層，所述第一過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出公共電極線；位于所述鈍化層表面的用于連接所述TFT的源極與所述源連接電極、所述TFT的漏極與所述第一透明電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第一過孔與所述公共電極線電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括 位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線； 位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成有第二過孔，所述第二過孔用于連接所述第一透明電極與所述公共電極線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括 位于所述數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的具有第三過孔的鈍化層，所述第三過孔貫穿所述鈍化層，露出所述TFT的漏極； 位于所述鈍化層表面的用于連接所述TFT的源極與所述源連接電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第三過孔與所述TFT的漏極電連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求11至17任一所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；或， 所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。
19.根據(jù)權(quán)利要求11至17任一所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物薄膜采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料，包括InGaZnO、InGaO, ITZO, AlZnO中的至少一種。
20.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求11至19任一所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可以減少在陣列基板的制造過程中構(gòu)圖工藝的次數(shù)，有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。方法包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟，形成所述第一透明電極的步驟包括形成金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜；通過一次構(gòu)圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形；在所述金屬氧化物薄膜圖形區(qū)域進行金屬化處理以形成第一透明電極。本發(fā)明實施例用于制造顯示裝置。
文檔編號G02F1/1362GK103021959SQ20121050684
公開日2013年4月3日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈 申請人:京東方科技集團股份有限公司