專利名稱：帶有浸液回收裝置和激光干涉儀的硅片臺雙臺交換系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻機(jī)硅片臺雙臺交換系統(tǒng)，該系統(tǒng)應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻機(jī)中，屬于浸沒式光刻技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
浸沒式光刻技術(shù)的(immersion lithography)概念最早在上世紀(jì)80年代提出，即在光刻機(jī)的投影鏡頭和基片之間填充浸沒液體，代替原來的空氣空間，以提高分辨率。其依據(jù)的Rayleigh計算公式如下
權(quán)利要求
1.帶有浸液回收裝置和激光干涉儀的硅片臺雙臺交換系統(tǒng)，該系統(tǒng)含有基座(7)，兩個硅片臺，兩個線纜臺，光學(xué)透鏡系統(tǒng)(2)和光刻浸液噴射循環(huán)裝置(3)，所述的光刻浸液噴射循環(huán)裝置包括浸沒液體(6)、浸液流出機(jī)構(gòu)(4)和浸液吸收機(jī)構(gòu)(5);所述的基座(7)上設(shè)有對準(zhǔn)エ位和曝光エ位，所述的硅片臺上部的四個側(cè)面均為平面反射鏡，其中兩個相對反射鏡面下半部分還分別安裝有一條45°反射鏡，所述的每個硅片臺的一個側(cè)面下部安裝一個線纜臺，所述的線纜臺沿X軸方向放置在基座(7)上，其特征在于所述的每個硅片臺均安裝ー個浸液回收裝置，所述的浸液回收裝置包括一個浸液過渡板(15)、導(dǎo)液管、浸液回收容器(14)和抽吸泵(13);在沒有安裝45°反射鏡的硅片臺的兩個側(cè)面的其中一個側(cè)面上設(shè)置浸液過渡板(15);兩個硅片臺在基座(7)上放置的方向均為浸液過渡板(15)指向Y軸正向，浸液過渡板(15)的上表面與硅片臺上表面共面，浸液過渡板上表面平滑并噴涂有不浸潤涂層；所述的浸液過渡板的側(cè)面設(shè)有ー排小孔，小孔與導(dǎo)液管連通，導(dǎo)液管經(jīng)過線纜臺與外部的抽吸泵和浸液回收容器相連通； 所述光刻機(jī)硅片臺雙臺交換系統(tǒng)還包含用于硅片臺運(yùn)動位置反饋的激光干涉儀測量系統(tǒng)，所述的激光干涉儀測量系統(tǒng)包括四個激光干涉儀、四個激光干涉儀Z向反射鏡和光源；所述的四個激光干渉儀成對布置在基臺的對準(zhǔn)エ位和曝光エ位正上方，且兩兩關(guān)于Y軸對稱布置，分別以第一硅片臺(8)和第二硅片臺(9)上部側(cè)面的鏡面為反射面進(jìn)行測量；所述的四個激光干涉儀Z向反射鏡在硅片臺的上方沿X軸成對布置，反射面水平向下，每個激光干渉儀對應(yīng)一個激光干涉儀Z向反射鏡，將激光干涉儀射出的其中一束激光經(jīng)過硅片臺側(cè)面安裝的45°鏡面反射后，再射向激光干涉儀Z向反射鏡的反射面，然后沿原路返回激光干涉儀內(nèi)部，進(jìn)行Z軸方向位移測量。
2.按照權(quán)利要求1所述的帶有浸液回收裝置和激光干涉儀的硅片臺雙臺交換系統(tǒng)，其特征在于所述光刻機(jī)硅片臺雙臺交換還包括一套硅片臺防撞氣囊結(jié)構(gòu)，該硅片臺防撞氣囊結(jié)構(gòu)含有三個氣囊(20)、四個阻尼緩沖元件(21)和氣源(23)，所述的三個氣囊串聯(lián)布置，并分別通過氣囊支架(22)固定在硅片臺下部的另外三個側(cè)面上；相鄰兩個氣囊之間通過ー個阻尼緩沖元件(21)和氣體管路相連通，所述的氣體管路與氣源(23)相連通，氣體管路固定在線纜臺上。
3.按照權(quán)利要求1所述的帶有浸液回收裝置和激光干涉儀的硅片臺雙臺交換系統(tǒng)，其特征在干所述的第一硅片臺(8)和第二硅片臺(9)分別與基座(7)之間通過磁懸浮進(jìn)行驅(qū)動和尋■向。
全文摘要
帶有浸液回收裝置和激光干涉儀的硅片臺雙臺交換系統(tǒng)，該系統(tǒng)含有基臺，兩個硅片臺，光學(xué)透鏡系統(tǒng)、多軸激光干涉儀和激光干涉儀反射鏡。硅片臺帶有浸液回收裝置，硅片臺上表面的一側(cè)設(shè)有一塊浸液回收板，浸液回收板的上表面與硅片臺上表面共面，浸液回收板的側(cè)面有一排小孔，小孔與硅片臺外部的浸液回收容器相連接，用于浸沒液體的回收，硅片臺外圍四邊設(shè)置一套防撞氣囊裝置。當(dāng)兩硅片臺完成交換時，硅片臺上的浸液回收板設(shè)計保證了交換時浸液循環(huán)不用中斷，提高了生產(chǎn)效率；氣囊式防撞結(jié)構(gòu)具有可伸縮性，與機(jī)械式防撞相比剛度低，且結(jié)構(gòu)簡單緊湊，可應(yīng)用于光刻機(jī)雙臺交換系統(tǒng)。
文檔編號G03F7/20GK103034073SQ201210576830
公開日2013年4月10日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者朱煜, 張鳴, 劉召, 成榮, 田麗, 徐登峰, 楊開明, 胡金春, 尹文生, 穆海華, 劉昊, 胡楚雄 申請人:清華大學(xué)