液晶顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液晶顯示(LCD)器件，該液晶顯示器件包括：彼此面對的第一和第二基板，第一和第二基板均具有顯示區(qū)(DR)、非顯示區(qū)(NDR)和設置在非顯示區(qū)中的密封圖案區(qū)域；位于第一基板上并且在密封圖案區(qū)域具有第一密封圖案槽的保護層；位于第二基板上并且分別設置在第一密封圖案槽兩端的第一和第二擋板，第一和第二擋板被配置為形成與第一密封圖案槽的位置相對應的第二密封圖案槽；位于第一基板上的像素電極；位于第一和第二基板之一上的公共電極；位于第一和第二基板之間的液晶層；以及一端插入到第一密封圖案槽中而另一端插入到第二密封圖案槽中的密封圖案。
【專利說明】液晶顯示器件
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器件，更具體地涉及一種IXD器件，其中形成有用于密封圖案的引導圖案，以在形成該密封圖案的過程中減少設計余量，從而可以實現(xiàn)窄邊框(bezel)。
【背景技術(shù)】
[0002]近些年，隨著信息社會的到來，被設置為處理和顯示大量信息的顯示器件已被快速開發(fā)出來。在這些顯示器件中，LCD器件作為高效的平板顯示(FPD)器件最近得到了發(fā)展，其制作得纖薄并且功耗低從而取代了傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)。
[0003]在LCD器件中，包括陣列基板的有源矩陣型LCD吸引了大量的注意，因為有源矩陣型LCD具有高分辨率并能很好地表現(xiàn)動態(tài)圖像，在陣列基板中，薄膜晶體管(TFT)用作能控制每個像素中電壓的開/關狀態(tài)的開關裝置。
[0004]圖1是傳統(tǒng)液晶顯示(LCD)器件的平面示意圖，圖2是圖1的A部分的示意性截面圖。
[0005]如圖1中所示，IXD器件可以包括第一基板10，其上形成有用作開關裝置的薄膜晶體管(TFT)Tr和像素電極50 ;第二基板60,其上形成有公共電極66 ;插入在第一基板10和第二基板60之間的LC層70 ;以及配置為接合第一基板10和第二基板10以防止液晶從LC層70泄漏的密封圖案80。第一基板10和第二基板60可以彼此相對設置。
[0006]可以在第一基板10上限定出顯示區(qū)DR和非顯示區(qū)NDR。顯示區(qū)DR可被配置為顯示圖像，而非顯示區(qū)NDR可相鄰于顯示區(qū)DR設置。密封圖案80可以設置在非顯示區(qū)NDR中。
[0007]選通線(沒有示出)和數(shù)據(jù)線(沒有示出)可以形成在第一基板10上以使TFTTr能進行開關操作。配置為施加信號到選通線和數(shù)據(jù)線的驅(qū)動器可以形成在第一基板10的至少一邊。在這種情況下，為了連接驅(qū)動器和外部驅(qū)動電路，第二基板60可以具有比第一基板10更小的尺寸并且露出第一基板10的至少一邊。
[0008]TFT Tr可以包括連接到選通線的柵極14、覆蓋柵極14的柵極絕緣層20、設置在柵極絕緣層20上并包括由純凈非晶硅(a-Si)形成的有源層22a和由摻雜a-Si形成的歐姆接觸層22b的半導體層22、設置在半導體層22上并且連接到數(shù)據(jù)線的源極32，和設置在半導體層22上并且與源極32分隔開的漏極34。
[0009]可以形成具有漏極接觸孔42 (其露出漏極34)的保護層40以覆蓋TFT Tr。像素電極50可以形成在保護層40上并且通過漏極接觸孔42連接到漏極34。像素電極50可以設置在由選通線和數(shù)據(jù)線的交叉所限定的每個像素區(qū)P中。
[0010]另外，黑底62、濾色器層64和公共電極66可以形成在與第一基板10相對設置的第二基板60上。黑底62可以覆蓋選通線和數(shù)據(jù)線，濾色器層64可以與像素區(qū)P相對應，并且公共電極66可以被配置成與像素電極50 —起形成電場。
[0011]LC層70可以設置在第一基板10和第二基板60之間，也就是說，像素電極50和公共電極66之間，并且LC層70的LC分子由于形成在像素電極50和公共電極66之間的電場會被驅(qū)動。
[0012]如上所述，密封圖案80可以形成在非顯示區(qū)NDR中以防止LC從LC層70泄漏并且將第一基板10和第二基板60彼此接合。密封圖案80的一端可以與保護層40接觸，其另一端可以與第二基板60接觸。
[0013]密封圖案80可以通過用滴涂器(dispenser)在第一基板10或第二基板60上涂覆密封劑而形成。
[0014]然而，密封圖案80在其形成期間可能會偏離期望的位置。
[0015]密封圖案80的位置偏差將稍后參照圖3A和3B進一步詳細描述。
[0016]首先，如圖3A中所示，當用位于第一位置POl的滴涂器(沒有示出)涂覆密封劑時，密封圖案80可以形成在期望位置。然而,如圖3B和3C中所示，當用偏離第一位置POl并位于第二位置P02或第三位置P03的滴涂器來涂覆密封劑時，在接合工藝期間可能發(fā)生由于密封劑散開而引起的偏差DV，從而密封劑80可能偏離期望位置。
[0017]考慮到這種偏差DV，要形成密封劑80的區(qū)域會增大與偏差DV—樣的面積，這樣就造成非顯示區(qū)NDR可能擴大。也就是說，會阻礙IXD所要求的窄邊框的實現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0018]因此，本發(fā)明意指一種能基本上消除由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性或缺點引起的一個或多個問題的液晶顯示(IXD)器件。
[0019]本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示(LCD)器件，特別是一種避免出現(xiàn)密封圖案位置偏差的窄邊框類型的液晶顯示(LCD)器件。
[0020]這個目的通過獨立權(quán)利要求給出的方案而實現(xiàn)。優(yōu)選實施方式在從屬權(quán)利要求中
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[0021]本發(fā)明的主旨是提供一種避免密封圖案的偏離或錯位的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)被配置成限定要形成密封圖案的位置。這樣就能夠減少用于布置密封圖案的基板的部分。此外，通過提供密封圖案容納結(jié)構(gòu)，密封圖案的寬度能減小，從而進一步節(jié)省空間。
[0022]為了提供用于解決上述目的的方案，一種顯示器件最好包括:彼此面對的第一基板和第二基板、第一基板與第二基板之間的密封圖案，其中，密封圖案至少部分地設置在位于第一基板和第二基板上的至少一個上的至少一個密封圖案容納結(jié)構(gòu)中。
[0023]優(yōu)選地，第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)設置在第一基板上，而第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)設置在第二基板上。通過提供兩個密封圖案容納結(jié)構(gòu)，能獲得最好的結(jié)果。然而，通過使用兩個基板其中之一上的密封圖案容納結(jié)構(gòu)也能獲得相對于現(xiàn)有技術(shù)的改進。
[0024]在進一步的優(yōu)選實施方式中，第一和第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)分別位于第一和第二基板上的相對位置。此外，密封圖案容納結(jié)構(gòu)的尺寸或?qū)挾茸詈脩斒窍嗤?。然而，高度上可能有差異并且也有可能在寬度上有差異。因此，滴涂有該密封圖案的基板會具有比位于滴涂有密封劑的基板上基板的密封圖案容納結(jié)構(gòu)更寬的密封圖案容納結(jié)構(gòu)。
[0025]優(yōu)選地，第一和第二密封容納結(jié)構(gòu)具有相同的密封圖案容納結(jié)構(gòu)或者密封圖案容納結(jié)構(gòu)能相同地形成。但是，在基板上形成不同的密封圖案容納結(jié)構(gòu)也是可能的，并且由于制造基板的不同工藝有時也是必需的。
[0026]優(yōu)選地，密封圖案容納結(jié)構(gòu)設置在設置于第一或第二基板上的層中。當兩個基板被導電層和非導電層的層結(jié)構(gòu)覆蓋時，密封圖案容納結(jié)構(gòu)可以形成在這樣的層中，特別是在非導電層中。
[0027]通常，密封圖案容納結(jié)構(gòu)的每種形態(tài)能夠限定要滴涂密封劑的位置。在優(yōu)選實施方式中，密封圖案容納結(jié)構(gòu)以密封圖案槽的形式實現(xiàn)。特別地，密封圖案槽被實現(xiàn)在設置于第一和第二基板中的至少一個上的保護層中。
[0028]作為選擇或者補充，密封圖案容納結(jié)構(gòu)由第一和第二擋板(dam)形成。這些擋板位于基板上或者基板上的某一層上，以建立在滴涂期間容納密封劑的形狀，其以后表示密封圖案。第一和第二擋板可以設置在第一和第二基板中的至少一個上。也有可能將第一和第二檔板放置在兩個基板上或者設置于兩個基板上的特定層上。第一和第二檔板可以形成第二密封圖案槽，第二密封圖案槽可以與設置在第一基板上或者相應另外一個基板上的第一密封圖案槽的位置相對應。
[0029]在優(yōu)選實施方式中，所述顯示器件可以進一步包括第一基板上的像素電極以及第一基板和第二基板之一上的公共電極。
[0030]優(yōu)選地，密封圖案可以一端插入第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)，另一端插入第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)。
[0031]所述顯示器件的第一基板和第二基板可以具有顯示區(qū)、非顯示區(qū)和設在非顯示區(qū)中的密封圖案區(qū)域。
[0032]優(yōu)選地，所述顯示器件可以是在第一基板和第二基板之間具有液晶層的液晶顯示器件。然而，密封圖案容納結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)不限于LCD，只要兩個基板需要密封，就可以應用。由于有了密封圖案容納結(jié)構(gòu)，放置密封劑所需的空間減小了，因為限定了準確的位置并且不再需要放置密封劑的容錯區(qū)域。這樣，密封圖案容納結(jié)構(gòu)可以應用到OLED顯示器件上。
[0033]該目標也可以通過制造顯示器件的方法來實現(xiàn)，該方法包括以下步驟:提供第一基板；提供第二基板；在第一基板和第二基板中的至少一個上提供至少一個密封圖案容納結(jié)構(gòu)；至少部分地向密封圖案容納結(jié)構(gòu)中滴涂密封圖案；彼此放置第一基板和第二基板以使它們彼此相對。
[0034]優(yōu)選地，該方法包括完全去除第一基板的一部分中的保護層以形成漏極接觸孔，并且部分去除該保護層以形成第一密封圖案槽。
[0035]本發(fā)明其他的特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，通過闡述顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實施中獲悉。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點將通過說明書及其權(quán)利要求和附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)和獲得。
[0036]為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并且根據(jù)如本文中的實例和概括描述的本發(fā)明的目的，一種LCD器件優(yōu)選地包括:彼此面對的第一基板和第二基板；第一基板和第二基板均具有顯示區(qū)、非顯示區(qū)，和設置在非顯示區(qū)中的密封圖案區(qū)域；第一基板上的保護層，其在密封圖案區(qū)域中具有第一密封圖案槽；第二基板上的第一擋板和第二擋板，其分別設置在第一密封圖案槽兩端，所述第一擋板和第二檔板被配置為形成與第一密封圖案槽相對應的第二密封圖案槽；第一基板上的像素電極；第一基板和第二基板中的一個上的公共電極；第一基板和第二基板之間的液晶層；以及一端插入到第一密封圖案槽并且另一端插入到第二密封圖案槽的密封圖案。
[0037]優(yōu)選地，該IXD器件還包括配置為在第一基板上交叉并且在顯示區(qū)中限定出像素區(qū)的選通線和數(shù)據(jù)線。該LCD器件可以包括配置為分別從選通線和數(shù)據(jù)線延伸到非顯示區(qū)的選通連接線和數(shù)據(jù)連接線。薄膜晶體管(TFT)可以連接到選通線和數(shù)據(jù)線并且可以設置在保護層之下的像素區(qū)中。選通線和選通連接線可以設置在第一基板上。
[0038]所述器件還可以包括覆蓋選通線和選通連接線的柵極絕緣層，其中數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)連接線可以設置在柵極絕緣層上。保護層在顯示區(qū)中可以為第一厚度并且在密封圖案區(qū)域中可以為第二厚度。第二厚度優(yōu)選小于第一厚度。
[0039]保護層可以包括第二厚度的下層和設置在下層上的上層。優(yōu)選地，下層由二氧化硅或者氮化硅形成，而上層由光敏型亞克力(photoacryl)或者苯并環(huán)丁烯(BCB)形成。
[0040]優(yōu)選地，選通線、選通連接線和數(shù)據(jù)連接線設置在第一基板上，其中柵極絕緣層可以覆蓋選通線、選通連接線和數(shù)據(jù)連接線，其中數(shù)據(jù)線可以設置在柵極絕緣層上并且穿過形成在柵極絕緣層中的數(shù)據(jù)線接觸孔而連接到數(shù)據(jù)連接線。
[0041]優(yōu)選地，選通連接線和數(shù)據(jù)連接線通過第一密封圖案槽而暴露。
[0042]優(yōu)選地，TFT包括連接到選通線的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層，包括設置在柵極絕緣層上并由純凈非晶硅(a-Si)形成的有源層和由摻雜a-Si形成的歐姆接觸層的半導體層、設置在半導體層上并且連接到數(shù)據(jù)線的源極，和設置在半導體層上并且與源極分隔開的漏極。
[0043]優(yōu)選地，該IXD器件還包括與選通線、數(shù)據(jù)線和TFT相對應的黑底；和與像素區(qū)相對應的濾色器層。
[0044]第一擋板和第二擋板均可由與濾色器層相同的材料形成并且與濾色器層設置在
同一層中。
[0045]優(yōu)選地，間隔體形成在第二基板上并且被配置為保持第一基板與第二基板之間的距離。第一擋板和第二擋板均可由與間隔體相同的材料形成并且與間隔體形成在同一層中。
[0046]可以理解前述的概括說明和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，并且目的是對所要求的發(fā)明提供進一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]所含附圖用于提供發(fā)明的進一步理解，被納入并構(gòu)成本說明書的一部分，用作解釋本發(fā)明原理，與說明書一起說明本發(fā)明的實施方式。在圖中:
[0048]圖1是傳統(tǒng)的液晶顯示(IXD)器件的示意性平面圖；
[0049]圖2是圖1的A部分的示意性截面圖；
[0050]圖3A至3C是用于解釋密封圖案出現(xiàn)位置偏差的示意性截面圖；
[0051]圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的示意性平面圖；
[0052]圖5是沿圖4的線V-V截取的一部分的截面圖；
[0053]圖6是沿圖4的線V1-VI截取的一部分的截面圖；
[0054]圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的IXD器件的像素區(qū)的示意性截面圖；
[0055]圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的示意性平面圖；
[0056]圖9是沿圖8的線IX-1X截取的一部分的截面圖；
[0057]圖10是沿圖8的線X-X截取的一部分的截面圖；[0058]圖11是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的像素區(qū)的示意性截面圖。
【具體實施方式】
[0059]現(xiàn)在將詳細說明在附圖中示例性展示的示范性實施方式。
[0060]圖4是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的液晶顯示(LCD)器件的示意性平面圖，圖5是沿圖4的線V-V截取的一部分的截面圖，圖6是沿圖4的線V1-VI截取的一部分的截面圖，圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD器件的像素區(qū)的示意性截面圖。
[0061]如圖4-7中所不,根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的IXD器件可以包括第一基板110、第二基板160、LC層180和密封圖案190。用作開關器件的薄膜晶體管(TFT)Tr和像素電極150可以形成在第一基板110上。其上形成有公共電極166的第二基板160可以與第一基板110相對設置。LC層180可以插入在第一基板110和第二基板160之間。密封圖案190可以彼此接合第一基板110和第二基板160以防止液晶從LC層180泄漏。
[0062]顯示區(qū)DR和非顯示區(qū)NDR可以限定在第一基板110上。顯示區(qū)DR可被配置為顯示圖像，而非顯示區(qū)NDR可與顯示區(qū)DR相鄰設置。密封圖案190可以形成在設置于非顯示區(qū)NDR中的密封圖案區(qū)域(沒有示出)中。
[0063]選通線112和數(shù)據(jù)線130可以形成在第一基板110上以使TFT Tr能進行開關操作。配置為向選通線112和數(shù)據(jù)線130施加信號的驅(qū)動器可以形成在第一基板110的至少一邊。在這種情況下，為了將驅(qū)動器與外部驅(qū)動電路連接起來，第二基板160具有比第一基板110更小的尺寸并且暴露出第一基板110的至少一邊。
[0064]選通線112和數(shù)據(jù)線130可以交叉以顯示區(qū)DR上限定多個像素區(qū)P。用作開關器件的TFT Tr和像素電極150可以形成在每個像素區(qū)P中。
[0065]TFT Tr可以包括連接到選通線112的柵極114、覆蓋柵極114的柵極絕緣層120、包括設置在柵極絕緣層120上并由純凈非晶硅(a-Si)形成的有源層122a和由摻雜a-Si形成的歐姆接觸層122b的半導體層122、設置在半導體層122上并且連接到數(shù)據(jù)線130的源極132，和設置在半導體層122上并且與源極132分隔開的漏極134。
[0066]可以形成具有暴露出漏極134的漏極接觸孔142的保護層140以覆蓋TFT Tr。像素電極150可以形成在保護層140上并且穿過漏極接觸孔142而連接到漏極134。
[0067]選通連接線116和選通焊盤118可以形成在設置于第一基板110 —邊上的非顯示區(qū)NDR中。選通連接線116可以從選通線112延伸，并且選通焊盤118可以連接到選通連接線116的一端。盡管沒有示出，但是選通焊盤電極可以由與同一層中的像素電極150相同的材料形成并且連接到選通焊盤118。
[0068]柵極絕緣層120和保護層140可以堆疊以覆蓋選通連接線118。
[0069]數(shù)據(jù)連接線136和數(shù)據(jù)焊盤138可以形成在設置于第一基板110另一邊上的非顯示區(qū)NDR中。數(shù)據(jù)連接線136可以從數(shù)據(jù)線130延伸，并且數(shù)據(jù)焊盤138可以連接到數(shù)據(jù)連接線136的一端。盡管沒有示出，但是數(shù)據(jù)焊盤電極可以由與同一層中的像素電極150相同的材料形成并且連接到數(shù)據(jù)焊盤138。
[0070]柵極絕緣層120可以設置在數(shù)據(jù)連接線138的下方，并且保護層140可以覆蓋數(shù)據(jù)連接線138。
[0071]在這種情況下，保護層140的與選通連接線116和數(shù)據(jù)連接線136相對應的一部分可以被蝕刻以使第一密封圖案槽144可以形成在密封圖案區(qū)域(沒有示出)。也就是說，當保護層140具有第一厚度時，由于第一密封圖案槽144，保護層140可以具有比第一厚度小的第二厚度。換句話說，保護層140在密封圖案區(qū)域中可以具有從第一基板110起的第一高度，并且在其余區(qū)域中可以具有從第一基板110起的大于第一高度的第二高度。
[0072]在這種情況下，保護層140的蝕刻可以包括完全去除保護層140以形成漏極接觸孔142的工藝和僅僅去除保護層140的一部分以形成第一密封圖案槽144的工藝。
[0073]同時，可以使用半色調(diào)掩模來蝕刻保護層140以提高工藝效率。也就是說，掩模工藝可以使用具有透單元、阻光單元和半透單元的掩模來執(zhí)行，以使保護層140的與透單元相對應的一部分能被完全去除，而保護層140的與半透單元相對應的一部分能被部分蝕刻。
[0074]通過完全去除保護層140，柵極絕緣層120和數(shù)據(jù)連接線136可以通過第一密封圖案槽144而被暴露。然而，可僅僅暴露保護層140的一部分以防止數(shù)據(jù)連接線136暴露并在蝕刻保護層140的過程中受損。
[0075]盡管圖5-7示出了具有單一結(jié)構(gòu)的保護層140，但是保護層140可以具有包括上層和下層的雙層結(jié)構(gòu)，并且可以僅僅蝕刻保護層140的上層。例如，由無機絕緣材料例如二氧化硅或者氮化硅形成的下層，和由有機絕緣材料例如光敏型亞克力或者苯并環(huán)丁烯(BCB)形成的上層，可以堆疊以形成保護層140，并且可以僅僅蝕刻上層而留下下層從而形成第一密封圖案槽144。
[0076]另外，黑底162、濾色器層164和公共電極166可以形成在與第一基板110相對設置的第二基板160上。黑底162可以被配置為覆蓋TFT Tr、選通線112和數(shù)據(jù)線130。濾色器層164可以與像素區(qū)P相對應，并且公共電極166可以配置為與像素電極150 —起形成電場。黑底162和濾色器層164可以被省略或者形成在第一基板110上。
[0077]同時，公共電極166可以與像素電極150—起形成在第一基板110上以形成面內(nèi)切換模式或者邊緣場切換(FFS)模式結(jié)構(gòu)。
[0078]配置為保持單元間隙的間隔體172可以形成在顯示區(qū)DR中。此外，第一擋板176和第二擋板178可以形成在非顯示區(qū)NDR中以與第一密封圖案槽144的兩端相對應，從而形成與第一密封圖案槽144相對應的第二密封圖案槽174。
[0079]在這種情況下，第一擋板176和第二擋板178可以由與同一層中的間隔體172同樣的材料形成。第一擋板176和第二擋板178的形成可以使用半透掩模工藝來實現(xiàn)，以使間隔體172能具有從第一擋板176和第二擋板178起不同的高度。同時，第一擋板176和第二擋板178可以由與同一層中的濾色器層164同樣的材料形成。當濾色器層164包括紅(R)、綠(G)和藍⑶濾色器圖案時，第一擋板176和第二擋板178可以包括由形成R、G和B濾色器圖案的材料中的任意一種所形成的單層，或者包括通過堆疊形成R、G和B濾色器圖案的材料中的至少兩種所形成的雙層或三層。
[0080]此外，第一擋板176和第二擋板178可以沿著密封圖案190連續(xù)形成或者多個第一擋板176和第二擋板178可以彼此分離地形成。
[0081]LC層180可以插入在第一基板110和第二基板160之間，也就是像素電極150和公共電極166之間，并且LC層180的LC分子可以由于像素電極150和公共電極166之間形成的電場而被驅(qū)動。[0082]密封圖案190可以形成在非顯示區(qū)NDR中以防止LC從LC層180泄漏，并互相接合第一基板110和第二基板160。密封圖案190的一端可以插入到形成在保護層140中的第一密封圖案槽144中，而其另一端可以插入到第一擋板176和第二擋板178之間的第二密封圖案槽174中。
[0083]由于上述結(jié)構(gòu)，即使使用位于不期望的第二位置(參考圖3B中的P02)或者第三位置(參考圖3C中的P03)的滴涂器來涂覆密封劑，密封圖案190仍然可以在接合工藝期間形成在與第一密封圖案槽144和第二密封圖案槽174相對應的位置。
[0084]因此，可以避免出現(xiàn)由于滴涂器位置或者接合工藝而引起的密封圖案190的位置偏差。同樣，因為不再需要考慮工藝誤差，非顯示區(qū)NDR的面積可以減小。也就是說，可以提供窄邊框類型的IXD器件。
[0085]同時，密封圖案的寬度應當被減小以實現(xiàn)窄邊框。盡管可以通過減小使用滴涂器所涂覆的密封劑的量來減小密封圖案的寬度，但是可能會有在保持單元間隙的同時減小密封圖案寬度的技術(shù)限制。
[0086]本發(fā)明的第二實施方式提出了一種結(jié)構(gòu)，其中密封圖案的寬度進一步被縮小，并且密封圖案在整個LCD器件中可以有統(tǒng)一的厚度。
[0087]圖8是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的示意性平面圖，圖9是沿圖8的線IX-1X截取的一部分的截面圖，圖10是沿圖8的線X-X截取的一部分的截面圖，圖11是根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD器件的像素區(qū)的示意性截面圖。
[0088]如圖8-11中所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的IXD器件可以包括第一基板210、第二基板260、LC層280和密封圖案290。用作開關器件的TFT Tr和像素電極250可以形成在第一基板210上。其上形成有公共電極266的第二基板260可以與第一基板210相對設置。LC層280可以插入在第一基板210和第二基板260之間。密封圖案290可以相互接合第一基板210和第二基板260以防止液晶從LC層280泄漏。
[0089]顯示區(qū)DR和非顯示區(qū)NDR可以限定在第一基板210上。顯示區(qū)DR可被配置為顯示圖像，而非顯示區(qū)NDR可與顯示區(qū)DR相鄰設置。密封圖案290可以形成在設置于非顯示區(qū)NDR中的密封圖案區(qū)域(沒有示出)中。
[0090]選通線212和數(shù)據(jù)線230可以形成在第一基板210上以使TFT Tr能進行開關操作，并且配置為向選通線212和數(shù)據(jù)線230施加信號的驅(qū)動器可以形成在第一基板210的至少一邊。在這種情況下，為了將驅(qū)動器與外部驅(qū)動電路相連接，第二基板260可以具有比第一基板210更小的尺寸并且暴露第一基板210的至少一邊。
[0091]選通線212和數(shù)據(jù)線230可以在顯示區(qū)DR上交叉以限定多個像素區(qū)P，并且用作開關器件的TFT Tr和像素電極250可以形成在每個像素區(qū)P中。
[0092]TFT Tr可以包括連接到選通線212的柵極214、覆蓋柵極214的柵極絕緣層220、包括設置在柵極絕緣層220上并由純凈a-Si形成的有源層222a和由摻雜a_Si形成的歐姆接觸層222b的半導體層222、設置在半導體層222上并且連接到數(shù)據(jù)線230的源極232，和設置在半導體層222上并且與源極232分隔開的漏極234。
[0093]可以形成具有暴露漏極234的漏極接觸孔242的保護層240以覆蓋TFT Tr,并且像素電極250可以形成在保護層240上并且穿過漏極接觸孔242連接到漏極234。
[0094]選通連接線216和選通焊盤218可以形成在設置于第一基板210 —邊上的非顯示區(qū)NDR中。選通連接線216可以從選通線212延伸，并且選通焊盤218可以連接到選通連接線216的一端。盡管沒有示出，但是選通焊盤電極可以由與同一層中的像素電極250相同的材料形成并且連接到選通焊盤218。
[0095]柵極絕緣層220和保護層240可以堆疊以覆蓋選通連接線218。
[0096]另外，數(shù)據(jù)連接線236和數(shù)據(jù)焊盤238可以形成在設置于第一基板210另一邊上的非顯示區(qū)NDR中。數(shù)據(jù)連接線236可以連接到數(shù)據(jù)線230，數(shù)據(jù)焊盤238可以連接到數(shù)據(jù)連接線236的一端。數(shù)據(jù)線230可以通過數(shù)據(jù)線接觸孔224連接到數(shù)據(jù)連接線236。盡管沒有示出，但是數(shù)據(jù)焊盤電極可以由與同一層中的像素電極250相同的材料形成并且連接到數(shù)據(jù)焊盤238。
[0097]柵極絕緣層220和保護層240可以堆疊以覆蓋數(shù)據(jù)連接線238。
[0098]在這種情況下，保護層240和柵極絕緣層220的與選通連接線216和數(shù)據(jù)連接線236相對應的一部分可以被完全去除以形成第一密封圖案槽244。也就是說，保護層240和柵極絕緣層220的與密封圖案290所要形成的區(qū)域相對應的一部分可以被完全去除以形成第一密封圖案槽244。選通連接線216和數(shù)據(jù)連接線236可以通過第一密封圖案槽244而暴露。
[0099]當通過完全去除保護層240和柵極絕緣層220來形成第一密封圖案槽244時，密封圖案290的厚度會增加。因此，當涂覆預定量的密封劑時，密封圖案290的寬度會由于其厚度的增加而減小，從而能實現(xiàn)窄邊框。
[0100]同時，當通過完全去除保護層240和柵極絕緣層220來形成第一密封圖案槽244時，數(shù)據(jù)連接線236可以從數(shù)據(jù)線230延伸并且與數(shù)據(jù)線230設置在同一層中，從而第一密封圖案槽244的與選通連接線216相對應的一部分和第一密封圖案槽244的與數(shù)據(jù)連接線236相對應的一部分可以具有不同的深度。
[0101]特別地是，僅僅選通連接線216可以堆疊在第一基板210上、第一密封圖案槽244的與選通連接線216相對應的一部分中，而柵極絕緣層220和數(shù)據(jù)連接線236可以堆疊在第一基板210上、第一密封圖案槽244的與數(shù)據(jù)連接線236相對應的一部分中。因此，第一密封圖案槽244的與選通連接線216相對應的一部分和第一密封圖案槽244的與數(shù)據(jù)連接線236相對應的一部分可能具有不同的深度。結(jié)果，會發(fā)生密封圖案290的厚度差異，造成第一基板210和第二基板260的一部分不能完全互相接合。
[0102]然而，在根據(jù)本實施方式的LCD器件中，當通過完全去除保護層240和柵極絕緣層220來形成第一密封圖案槽244時，數(shù)據(jù)連接線236可以與選通連接線216形成在同一層，從而可以避免出現(xiàn)第一密封圖案槽244的深度差異。
[0103]也就是說，在本實施方式中，第一密封圖案槽244可以通過完全去除保護層240和柵極絕緣層220來形成，以使密封圖案290的寬度可以減小，從而實現(xiàn)窄邊框。同時，數(shù)據(jù)連接線236可與選通連接線216形成在同一層以使密封圖案290的厚度能一致。
[0104]此外，黑底262、濾色器264和公共電極266可以形成在與第一基板210相對設置的第二基板260上。黑底262可以被配置為覆蓋TFT Tr、選通線212和數(shù)據(jù)線230。濾色器層264可以與像素區(qū)P相對應，并且公共電極266可以配置為與像素電極250 —起形成電場。黑底262和濾色器層264可以被省略或者形成在第一基板210上。
[0105]另外，配置為保持單元間隙的間隔體272可以形成在顯示區(qū)DR中，并且第一擋板276和第二擋板278可以形成在非顯示區(qū)NDR中，以與第一密封圖案槽244的兩端相對應，從而形成與第一密封圖案槽244相對應的第二密封圖案槽274。
[0106]在這種情況下，第一擋板276和第二擋板278可以由與同一層中的間隔體272同樣的材料形成。第一擋板276和第二擋板278的形成可以使用半透掩模工藝來實現(xiàn)，以使間隔體272能具有與第一擋板276和第二擋板278不同的高度。
[0107]同時，第一擋板276和第二擋板278可以由與同一層中的濾色器層264同樣的材料形成。當濾色器層264包括R、G和B濾色器圖案時，第一擋板276和第二擋板278可以包括由形成R、G和B濾色器圖案的材料中的任意一種來形成的單層，或者包括通過堆疊形成R、G和B濾色器圖案的材料中的至少兩種來形成的雙層或三層。
[0108]此外，第一擋板276和第二擋板278可以沿著密封圖案290連續(xù)形成或者多個第一擋板276和第二擋板278可以彼此分離地形成。
[0109]LC層280可以插入在第一基板210和第二基板260之間，也就是像素電極250和公共電極266之間，并且LC層280的LC分子會由于像素電極250和公共電極266之間形成的電場而被驅(qū)動。
[0110]同時，公共電極266可以與像素電極250 —起形成在第一基板210上以形成面內(nèi)切換模式或者FFS模式結(jié)構(gòu)。
[0111]密封圖案290可以形成在非顯示區(qū)NDR中，以防止LC從LC層280泄漏并互相接合第一基板210和第二基板260。密封圖案290的一端可以插入到形成在保護層240和柵極絕緣層220中的第一密封圖案槽244中，而其另一端可以插入到第一擋板276和第二擋板278之間的第二密封圖案槽274中。
[0112]由于上述結(jié)構(gòu)，即使使用位于不期望的第二位置(參考圖3B中的P02)或者第三位置(參考圖3C中的P03)的滴涂器來涂覆密封劑，密封圖案290也可以在接合工序期間形成在與第一密封圖案槽244和第二密封圖案槽274相對應的位置。
[0113]因此，可以避免出現(xiàn)由于滴涂器位置或者接合工藝而引起的密封圖案290的位置偏差。同樣，因為不再需要考慮工藝誤差，所以非顯示區(qū)NDR的面積可以減小。也就是說，可以提供窄邊框類型的IXD器件。
[0114]根據(jù)本實施方式的LCD器件可以進一步包括能確定密封圖案的位置的結(jié)構(gòu)，防止出現(xiàn)密封圖案的位置誤差，從而實現(xiàn)窄邊框。
[0115]此外，通過防止密封圖案的厚度增大可以進一步減少邊框的寬度，也就是說，通過減小密封圖案的寬度，可以防止出現(xiàn)密封圖案厚度的差異。因此，可以防止由于密封圖案厚度差異引起的上下基板接合過程中的故障。
[0116]根據(jù)本發(fā)明，其中形成有密封圖案的槽能通過蝕刻形成在下基板上的保護層而形成。這樣，即使出現(xiàn)了用于密封劑的滴涂器的位置偏差，也能避免密封圖案出現(xiàn)位置偏差，從而使要形成密封圖案的區(qū)域最小化。
[0117]因此，能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框。
[0118]另外，因為通過僅僅蝕刻保護層的一部分來形成槽，所以能避免損害設置在保護層之下的數(shù)據(jù)連接線。
[0119]再者，因為通過去除保護層和設置在保護層之下的柵極絕緣層來形成槽，所以密封圖案的厚度可以增加而密封圖案的寬度能被減小，從而非顯示區(qū)的面積能進一步被減小。而且，數(shù)據(jù)連接線能與選通線形成在同一層中以使密封圖案的厚度統(tǒng)一。
[0120]對本領域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不背離本發(fā)明范圍的條件下，能夠?qū)Ρ景l(fā)明的顯示器件做出各種修改和改變。因此，本發(fā)明也涵蓋了在附加的權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)所提及的本發(fā)明的修改和改變。
[0121]本申請要求2012年7月16日在韓國提交的韓國專利申請10-2012-0077145的優(yōu)先權(quán)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示器件，所述顯示器件包括: 彼此面對的第一基板(Iio)和第二基板(160)； 第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)，其位于所述第一基板(110)上； 第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)(176，178)，其位于所述第二基板(160)上與所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)相對應的位置； 密封圖案(190)，其至少部分地設置在所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144)中和所述第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)(174)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器件，其中，所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144，244)和所述第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)(174，274)具有相同的結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，其中，所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144，244)和所述第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)(174，274)設置在設置于所述第一基板(110)和/或所述第二基板(160)上的層中。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，其中，設置在所述第一基板(110，210)和所述第二基板(160，260)中至少一個上的保護層(140，240)包括用于容納所述密封圖案(190)的第一密封圖案槽(144)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示器件，其中，所述保護層(140，240)可以在顯示區(qū)DR中具有第一厚度并且在非顯示區(qū)NDR的密封圖案區(qū)中具有第二厚度，其中，所述第二厚度優(yōu)選地小于所述第一厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的顯示器件，其中，所述保護層(140，240)具有下層和設置在所述下層上的上層，其中，所述下層由二氧化硅或者氮化硅制成，而所述上層由光敏型亞克力或者苯并環(huán)丁烯BCB制成。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，所述顯示器件還包括:被配置為形成所述密封圖案容納結(jié)構(gòu)的第一擋板(176)和第二擋板(178)，所述第一擋板(176)和所述第二擋板(178)設置在所述第一基板(110，210)和所述第二基板(160，260)中的至少一個上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示器件，其中，所述第一擋板(176)和所述第二擋板(178)形成第二密封圖案槽(174，274)，所述第二密封圖案槽(174，274)與所述第一密封圖案槽(144)設置在所述第一基板(110)上的位置相對應。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，所述顯示器件還包括:設置在所述第一基板上的選通線、選通連接線和數(shù)據(jù)連接線，其中，柵極絕緣層覆蓋所述選通線、所述選通連接線和所述數(shù)據(jù)連接線，其中，所述數(shù)據(jù)線設置在所述柵極絕緣層上并且穿過形成在所述柵極絕緣層中的數(shù)據(jù)線接觸孔而連接到所述數(shù)據(jù)連接線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器件，其中，所述選通連接線和所述數(shù)據(jù)連接線通過所述第一密封圖案槽而暴露。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，其中，所述密封圖案(190)的至少一端插入或位于密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144，244)中。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求中任意一項所述的顯示器件，其中，所述顯示器件是在所述第一基板(110，210)和所述第二基板(160，260)之間具有液晶層(180，280)的液晶顯示IXD器件。
13.—種制造顯示器件的方法，所述方法包括以下步驟: 提供第一基板(110，210)； 提供第二基板(160，260)； 在所述第一基板(110，210)上提供第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144，244，174，274)，并且在所述第二基板(160，260)上與所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)相對應的位置提供第二密封圖案容納結(jié)構(gòu)(176，178)； 將密封圖案(190，290)至少部分地滴涂至所述密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144，244，174，274)中； 彼此放置所述第一基板(110，210)和所述第二基板(160，260)以使它們彼此相對。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 完全去除所述第一基板上的保護層(140)的一部分以形成漏極接觸孔(142)并且 部分去除所述保護層(140)的一部分以形成第一密封圖案容納結(jié)構(gòu)(144)。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，所述方法還包括以下步驟: 完全去除所述第一基板上的柵極絕緣層(220)和保護層(240)的一部分以形成所述第一密封圖案容納結(jié)構(gòu) (244)。
【文檔編號】G02F1/1362GK103543561SQ201210599163
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月16日
【發(fā)明者】崔元俊, 白世俊, 南成林, 徐范植, 吳赫, 田孝一 申請人:樂金顯示有限公司