專利名稱：一種tft陣列基板的中間產(chǎn)品、陣列基板及顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品、陣列基板及顯示器件。
背景技術(shù)：
在TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管-液晶顯示器)中,ESD (Electro-Static Discharge,靜電擊穿)會(huì)對(duì)TFT陣列基板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成破壞。現(xiàn)有技術(shù)通過在Array (陣列)工藝形成短路環(huán)，其中，Array工藝是形成陣列基板的工藝。如圖I所示，包括至少一個(gè)單元基板100,每一單元基板100包括有效顯示區(qū)02和外圍引線區(qū)01 ;其中，在所述有效顯示區(qū)02內(nèi)形成橫縱交叉的數(shù)據(jù)線和柵線(圖中未標(biāo)示)；在所述外圍引線區(qū)01內(nèi)形成有為數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線引線03、以及為柵線提供柵線掃描信號(hào)的柵線引線04 ;并且，數(shù)據(jù)線引線03和柵線引線04分別與短路環(huán)05連接。當(dāng)電流較小時(shí)，短路環(huán)05處于截止?fàn)顟B(tài)，當(dāng)發(fā)生ESD產(chǎn)生較大電流時(shí)，短路環(huán)05處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)，電流通過短路環(huán)05擴(kuò)散到每一根數(shù)據(jù)線或者柵線在每一根數(shù)據(jù)線或者柵線上形成等電位，減小了高壓ESD對(duì)單根金屬線的損傷。由于上述短路環(huán)的設(shè)計(jì)是在薄膜晶體管的陳列(Array)基板制作完成后才形成的，只能防止這之后所產(chǎn)生的ESD損傷。但是，在Array工藝過程中，未形成短路環(huán)之前，經(jīng)常會(huì)由于工藝等因素而產(chǎn)生瞬間的大電流造成不同金屬層之間的絕緣層擊穿，影響產(chǎn)品良率。因此對(duì)于Array工藝過程中即短路環(huán)未形成之前的ESD是無法預(yù)防的。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品、陣列基板及顯示器件，以解決在陣列基板制造過程中產(chǎn)生ESD的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案提供一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品,一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品,包括至少一個(gè)單元基板，所述單元基板包括有效顯示區(qū)和外圍引線區(qū)，其特征在于，在所述外圍引線區(qū)內(nèi)形成有數(shù)條柵線引線和至少一條柵線連接線，所述柵線連接線和所述數(shù)條柵線引線中的至少兩條電連接。在所述外圍引線區(qū)形成有數(shù)條數(shù)據(jù)線引線和至少一條數(shù)據(jù)線連接線，所述數(shù)據(jù)線連接線與所述數(shù)條數(shù)據(jù)線引線中的至少兩條電連接。所述柵線連接線與所有柵線引線電連接，且所述數(shù)據(jù)線連接線與所有數(shù)據(jù)線引線電連接。所述柵線連接線與所述數(shù)據(jù)線連接線電連接。所述柵線連接線與所述數(shù)據(jù)線連接線電連接具體為所述數(shù)據(jù)線連接線與所述柵線連接線在交疊處通過過孔電連接。[0013]所述柵線連接線或數(shù)據(jù)線連接線的寬度不小于柵線或數(shù)據(jù)線的寬度。所有柵線引線與至少一條柵線連接線同層設(shè)置，或者，所有數(shù)據(jù)線引線與至少一條數(shù)據(jù)線連接線同層設(shè)置。提供一種陣列基板，在所述陣列基板的外圍引線區(qū)，設(shè)置有至少一條柵線連接線、至少一條數(shù)據(jù)線連接線；其中，所述至少一條柵線連接線呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且柵線連接線的每一節(jié)和一條柵線引線連接；所述至少一條數(shù)據(jù)線連接線呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且數(shù)據(jù)線連接線的每一節(jié)和一條數(shù)據(jù)線引線連接；所述柵線引線與所述數(shù)據(jù)線引線無電連接。提供一種顯示器件，包含以上所述的陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品、陣列基板及顯示器件，包括至少一個(gè)單元基板，該單元基板包括有效顯示區(qū)和外圍引線區(qū)，其中，在所述外圍引線區(qū)內(nèi)形成有數(shù)條柵線或數(shù)據(jù)線引線和至少一條柵線或數(shù)據(jù)線連接線，所述柵線或數(shù)據(jù)線連接線和所述數(shù)條柵線或數(shù)據(jù)線引線中的至少兩條電連接，所述柵線連接線與所述數(shù)據(jù)線連接線在交疊處通過孔電連接。這樣，通過在陣列基板的制造過程中，形成一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，使得所有的柵線引線都與柵線連接線電連接，所有的數(shù)據(jù)線引線都與數(shù)據(jù)線連接線連接，柵線連接線與數(shù)據(jù)線連接線實(shí)現(xiàn)電連接，從而在陣列基板的制造過程中，若產(chǎn)生ESD電流不再是在每一根柵線內(nèi)擴(kuò)散，而是在整個(gè)單元基板柵線層及數(shù)據(jù)線層上擴(kuò)散形成等電位，從而避免了聞壓ESD對(duì)單根金屬線的損傷，提聞了廣品的良品率。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅 是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板中間產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT陣列基板中間廣品的結(jié)構(gòu)不意圖；圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種TFT陣列基板中間廣品的結(jié)構(gòu)不意圖；圖4為圖3所示TFT陣列基板中間產(chǎn)品在斷開連接線后形成的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。簡(jiǎn)單介紹一下液晶顯示面板的制作工藝一般在母陣列基板和母彩膜基板(其中，母陣列基板是指切割前的陣列基板，母彩膜基板是指切割前的彩膜基板)上均包括多個(gè)單元基板，在每個(gè)單元基板上形成有各自的圖案；母陣列基板和母彩膜基板經(jīng)過對(duì)盒工藝，使得母陣列基板的單元基板(子陣列基板)和母彩膜基板的單元基板(子彩膜基板)對(duì)應(yīng)設(shè)置；之后，再通過切割工藝，以及后續(xù)工藝制作完成多個(gè)液晶顯示面板，每個(gè)液晶顯示面板包括對(duì)盒后的子彩膜基板和子陣列基板。圖I-圖4均可以表示切割前的母陣列基板中的一個(gè)單元基板；其中，圖4還可以表示切割后的子陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的中間廣品，如圖2所不，包括至少一個(gè)單元基板10，該單元基板10包括有效顯示區(qū)2和外圍引線區(qū)I，其中，在該外圍引線區(qū)I內(nèi)形成有數(shù)條柵線引線4和至少一條柵線連接線6，所述柵線連接線6和所述數(shù)條柵線引線4中的至少兩條電連接。進(jìn)一步地，在該外圍引線區(qū)I形成有數(shù)條數(shù)據(jù)線引線3和至少一條數(shù)據(jù)線連接線7，該數(shù)據(jù)線連接線7與該數(shù)條數(shù)據(jù)線引線3中的至少兩條電連接。這樣，通過在陣列基板的制造過程中，形成一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，使得所有的柵線引線都與柵線連接線電連接，所有的數(shù)據(jù)線引線都與數(shù)據(jù)線連接線電連接，從而在陣列基板的制造過程中，若產(chǎn)生ESD電流不再是在每一根柵線或數(shù)據(jù)線內(nèi)擴(kuò)散，而是在整個(gè)單元基板的柵線層上或者數(shù)據(jù)線層上擴(kuò)散形成等電位，從而避免了高壓ESD對(duì)單根金屬線的損傷，提聞了廣品的良品率。更進(jìn)一步地，如圖3所示，單元基板10內(nèi)柵線連接線6與所有柵線引線4電連接，且該數(shù)據(jù)線連接線7與所有數(shù)據(jù)線引線3電連接。優(yōu)選地，數(shù)據(jù)線連接線7與柵線連接線6在交疊處通過過孔電連接。需要說明的是，上述電連接的方式可以是任意電連接方式。進(jìn)一步優(yōu)選的，數(shù)據(jù)線引線與至少一條數(shù)據(jù)線連接線同層設(shè)置；更進(jìn)一步優(yōu)選的，柵線引線與至少一條柵線連接線同層設(shè)置。在本實(shí)用新型所有實(shí)施例中，同層是指利用同種材料制成的一層薄膜，同層設(shè)置是針對(duì)至少兩種圖案而言的，是指至少兩種圖案設(shè)置在同一層薄膜上的結(jié)構(gòu)，具體的，是通過構(gòu)圖工藝在同種材料制成的一層薄膜上形成所述至少兩種圖案。針對(duì)上述方案，所述數(shù)據(jù)線引線與至少一條數(shù)據(jù)線連接線同層設(shè)置是指數(shù)據(jù)線引線與至少一條數(shù)據(jù)線連接線是在數(shù)據(jù)線層上的兩種圖案，具體制作過程為，將制作完成的數(shù)據(jù)線金屬薄膜通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線層，該數(shù)據(jù)線層包括數(shù)據(jù)線引線的圖案、至少一條數(shù)據(jù)線連接線的圖案，當(dāng)然根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)還包括數(shù)據(jù)線圖案以及薄膜晶體管(本發(fā)明提到的薄膜晶體管是在TFT陣列基板的有效顯示區(qū)內(nèi)各個(gè)像素中的薄膜晶體管)的源漏電極的圖案。同樣的，所述柵線引線與至少一條柵線連接線同層設(shè)置是指柵線引線與至少一條柵線連接線是在柵線層的兩種圖案，具體制作過程為，將制作完成的柵金屬薄膜通過構(gòu)圖工藝形成柵線層，該柵線層包括柵線引線的圖案與至少一條柵線連接線的圖案，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)一步還包括柵線及薄膜晶體管的柵極的圖案。這樣，就無需增加新的工序，只需要更換一下構(gòu)圖工藝中的掩模板即可。下面對(duì)數(shù)據(jù)線連接線7與柵線連接線6電連接方式進(jìn)行具體說明。由于優(yōu)選的數(shù)據(jù)線連接線7為數(shù)據(jù)層上的圖案，柵線連接線6為柵線層上的圖案，又由于數(shù)據(jù)線層和柵線層之間柵絕緣層，故在制作柵絕緣層時(shí)，可以在數(shù)據(jù)線連接線7與柵線連接線6需要連接的位置上不沉積柵絕緣層材料，以使得兩者直接電連接。由于一般沉積柵絕緣層材料時(shí)會(huì)在將整個(gè)單元基板覆蓋，在這樣情況下，優(yōu)選的，數(shù)據(jù)線連接線7與柵線連接線6可通過過孔8實(shí)現(xiàn)電連接；顯然，上述過孔8是通過構(gòu)圖工藝形成在該柵絕緣、層上的。這樣，通過在陣列基板的制造過程中，形成一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，使得所有的柵線引線都與柵線連接線電連接，所有的數(shù)據(jù)線引線都與數(shù)據(jù)線連接線電連接，且柵線連接線與數(shù)據(jù)線連接線電連接，從而在陣列基板的制造過程中，若產(chǎn)生ESD電流不再是在每一根柵線內(nèi)擴(kuò)散，而是在整個(gè)單元基板內(nèi)部擴(kuò)散形成等電位，從而避免了高壓ESD對(duì)單根金屬線的損傷，提高了產(chǎn)品的良品率。上述TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，該TFT陣列基板在制作完成數(shù)據(jù)線層的同時(shí)，數(shù)據(jù)線連接線7、柵線連接線6以及現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)中需要形成的短路環(huán)都完成制作。在后續(xù)工藝中，還需要在該TFT陣列基板上制作鈍化層以及像素電極層；其中，像素電極層需要通過鈍化層上的過孔與薄膜晶體管的漏極相連。需要說明的是，該TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線連接線、柵線連接線是為了防止在Array工藝當(dāng)中所產(chǎn)生的ESD;實(shí)際上，對(duì)于制作完成的TFT陣列基板中各柵線引線之間以及各數(shù)據(jù)線引線之間并不存在電連接，因此還需要將數(shù)據(jù)線連接線在每條數(shù)據(jù)線引線兩側(cè)的位置處斷開，并將柵線連接線在每條柵線引線兩側(cè)的位置處斷開。具體地，上述斷開數(shù)據(jù)線連接線和柵線連接線的制作過程可以按照如下方式如圖4所示，在鈍化層上形成過孔以連接薄膜晶體管的漏極和像素電極的同時(shí)，在該鈍化層上每條數(shù)據(jù)線弓I線兩側(cè)的位置處、每條柵線弓I線兩側(cè)的位置處也形成過孔9，在具體的刻蝕過程中，刻蝕液可以順著在數(shù)據(jù)線連接線7和柵線連接線6上形成的過孔9流入，從而刻蝕掉數(shù)據(jù)線連接線7與柵線連接線6上過孔9對(duì)應(yīng)的部分，使得兩者均在相應(yīng)的位置上斷開。此時(shí)，數(shù)據(jù)線連接線7和柵線連接線6斷開，從而失去了防止ESD的作用，但是，由于短路環(huán)5已經(jīng)形成，故而可繼續(xù)有效防止ESD的發(fā)生。需要說明的是，上述斷開數(shù)據(jù)線連接線和柵線連接線的方式是通過過孔刻蝕斷開的，本實(shí)施例并不局限于此，還可以通過激光切割的方式將數(shù)據(jù)線連接線和柵線連接線斷開，最終在顯示器面板成盒工藝后，通過切割工藝，將殘存的數(shù)據(jù)線連接線和柵線連接線切除。本實(shí)用新型提供一種陣列基板，如圖4所示，在陣列基板的外圍引線區(qū)1，設(shè)置有至少一條柵線連接線6、至少一條數(shù)據(jù)線連接線7 ;其中，至少一條柵線連接線6呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且該柵線連接線6的每一節(jié)和一條柵線引線4連接；至少一條數(shù)據(jù)線連接線7呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且該數(shù)據(jù)線連接線7的每一節(jié)和一條數(shù)據(jù)線引線3連接；柵線引線4和數(shù)據(jù)線引線3無電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，在該陣列基板的制造過程中，形成一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，使得所有的柵線引線都與柵線連接線電連接，所有的數(shù)據(jù)線引線都與數(shù)據(jù)線連接線電連接，且柵線連接線與數(shù)據(jù)線連接線電連接，從而在陣列基板的制造過程中，若產(chǎn)生ESD電流不再是在每一根柵線內(nèi)擴(kuò)散，而是在整個(gè)單元基板內(nèi)部擴(kuò)散形成等電位，從而避免了高壓ESD對(duì)單根金屬線的損傷，提高了產(chǎn)品的良品率。本實(shí)用新型提供一種顯示器件，包含以上任一實(shí)施例中所述的TFT陣列基板。以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù) 范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，包括至少一個(gè)單元基板，所述單元基板包括有效顯示區(qū)和外圍引線區(qū)，其特征在于，在所述外圍引線區(qū)內(nèi)形成有數(shù)條柵線引線和至少一條柵線連接線，所述柵線連接線和所述數(shù)條柵線弓丨線中的至少兩條電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于，在所述外圍引線區(qū)形成有數(shù)條數(shù)據(jù)線引線和至少一條數(shù)據(jù)線連接線，所述數(shù)據(jù)線連接線與所述數(shù)條數(shù)據(jù)線引線中的至少兩條電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于， 所述柵線連接線與所有柵線引線電連接，且所述數(shù)據(jù)線連接線與所有數(shù)據(jù)線引線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于，所述柵線連接線與所述數(shù)據(jù)線連接線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于，所述柵線連接線與所述數(shù)據(jù)線連接線電連接具體為 所述數(shù)據(jù)線連接線與所述柵線連接線在交疊處通過過孔電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于，所述柵線連接線或數(shù)據(jù)線連接線的寬度不小于柵線或數(shù)據(jù)線的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的TFT陣列基板的中間產(chǎn)品，其特征在于，所有柵線引線與至少一條柵線連接線同層設(shè)置，或者，所有數(shù)據(jù)線引線與至少一條數(shù)據(jù)線連接線同層設(shè)置。
8.—種陣列基板，其特征在于，在所述陣列基板的外圍引線區(qū)，設(shè)置有至少一條柵線連接線、至少一條數(shù)據(jù)線連接線；其中，所述至少一條柵線連接線呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且柵線連接線的每一節(jié)和一條柵線引線連接；所述至少一條數(shù)據(jù)線連接線呈斷開的多節(jié)狀態(tài)，且數(shù)據(jù)線連接線的每一節(jié)和一條數(shù)據(jù)線引線連接；所述柵線引線與所述數(shù)據(jù)線引線無電連接。
9.一種顯示器件，其特征在于，包括權(quán)利要求8中所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種TFT陣列基板的中間產(chǎn)品、陣列基板及顯示器件，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，以解決在陣列基板制造過程中產(chǎn)生ESD的問題，包括至少一個(gè)單元基板，所述單元基板包括有效顯示區(qū)和外圍引線區(qū)，其中，在所述外圍引線區(qū)內(nèi)形成有數(shù)條柵線引線和至少一條柵線連接線，所述柵線連接線和所述數(shù)條柵線引線中的至少兩條電連接。本實(shí)用新型實(shí)施例用于TFT陣列基板制造。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202421683SQ201220006040
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月6日
發(fā)明者張春芳, 徐超, 魏燕 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司