專利名稱：一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及ー種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器。
背景技術(shù)：
在有源矩陣顯示器為每ー個像素配備了用于控制該像素的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)，因此通過驅(qū)動電路，可以獨立控制每ー個像素，同時不會對其他像素造成串?dāng)_等的影響。薄膜晶體管至少包含柵極、源極和漏極以及柵絕緣層和有源層。目前，TFT有源層多采用非晶硅或多晶硅半導(dǎo)體材料制作。采用非晶硅作為有源層的TFT，因其特性的限制(如遷移率、開態(tài)電流等)，TFT開態(tài)電流較低難以用于需要較大電流和快速響應(yīng)的場合，如有機發(fā)光顯示器和大尺寸、高分辨率、高刷新頻率的顯示器等。采用多晶硅作為有源層的TFT，其特性優(yōu)于非晶硅，可以用于有機發(fā)光顯示器；但是因其均勻 性不佳，制備中大尺寸的面板仍有困難。另外采用增加補償電路的方法處理多晶硅特性不均勻的問題，會増加像素中的薄膜晶體管和電容的數(shù)量，増加了掩膜數(shù)量和制作難度，造成產(chǎn)量減低和良率下降?？傊?，采用在上述的技術(shù)方案中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)制造的TFT存在TFT的控制電流(TFT的開態(tài)電流和TFT的關(guān)態(tài)電流)開關(guān)比不易控制，閾值電壓穩(wěn)定性不良的問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供ー種TFT、陣列基板和顯示器，能夠提高TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、増加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性。為達(dá)到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案—方面，本實用新型實施例提供ー種薄膜晶體管，包括第一柵極，有源層，以及同層設(shè)置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中，所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相対，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及所述掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；在所述像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種顯示器，包括對盒后的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，所述陣列基板包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及所述掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；[0012]在所述像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接。一方面，本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及所述掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在所述像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管；其中，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極和所述電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；所述開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。一方面，本實用新型實施例提供一種顯示器，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及所述掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在所述像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管以及有機發(fā)光器件的陽極；其中，所述有機發(fā)光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述掃描線電性連·接、源極和所述數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極和所述電源線電性連接，漏極和所述有機發(fā)光器件的陽極電性連接；所述開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。本實用新型的實施例提供ー種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器，通過采用氧化物半導(dǎo)體作為TFT的有源層，采用在有源層上下分別設(shè)置一個柵極的結(jié)構(gòu)，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，進(jìn)而增加了產(chǎn)品良率。

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本實用新型實施例一提供的ー種薄膜晶體管俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本實用新型實施例一提供的薄膜晶體管的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為本實用新型實施例一提供的薄膜晶體管的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A 圖6B為本實用新型實施例一提供的薄膜晶體管的制作流程示意圖；圖7為本實用新型實施例ニ提供的ー種薄膜晶體管俯視透視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8A為本實用新型實施例ニ提供的薄膜晶體管的A-A向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖8B為本實用新型實施例ニ提供的薄膜晶體管的B-B向剖視結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記100-襯底基板，101-第一絕緣層，102-第二絕緣層，103-有源層，Ilal-第一柵極，lla2第二柵極，Ilb-源極，He-漏極，211-第一過孔，212-第二過孔，213-第三過孔。
具體實施方式
[0030]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。實施例一本實用新型實施例提供了ー種薄膜晶體管，參考圖I、圖2A、圖2B，包括第一柵極llal、有源層103、以及同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c，第一柵極Ilal和有源層103之間形成有第一絕緣層101，源極lib、漏極Ilc和有源層12之間形成有第二絕緣層102 ;其中，源極lib、漏極Ilc分別通過第二絕緣層102上的第一過孔211、第二過孔212與有源層12接觸；第ー柵極Ilal和第二柵極lla2的位置均與有源層103相對，且第一柵極Ilal和第二柵極lla2通過貫穿第一絕緣層101、第二絕緣層102的第三過孔213電性連接。上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)一般形成在襯底基板100上。 需要說明的是，在本實用新型所有實施例中，第一柵極Ilal和同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc分別由兩層金屬薄膜構(gòu)圖形成；按照制作エ藝上沉積金屬薄膜的順序，將先沉積的金屬薄膜稱為底層金屬薄膜，將后沉積的金屬薄膜稱為頂層金屬薄膜。具體的在本實施例中，第一柵極Ilal為底層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案；且同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc為頂層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案。本實用新型的實施例提供ー種薄膜晶體管，采用在有源層上下分別設(shè)置一個柵極的結(jié)構(gòu)，這樣就能夠在不增加工藝流程的情況下提高了 TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，進(jìn)而增加了產(chǎn)品良率。具體的，單柵TFT在開態(tài)下，載流子受柵極產(chǎn)生的電場的吸引、基本上集聚在有源層與柵絕緣層的界面處以及有源層內(nèi)靠近柵極的ー側(cè)；在關(guān)態(tài)下，載流子受柵極電場的排斥、微量載流子殘存于背離柵極的有源層界面附近。上下雙柵結(jié)構(gòu)的TFT在工作時，載流子受上下兩個柵極產(chǎn)生的電場的吸引或排斥、不是集聚在有源層的界面處、而是傾向于更為均勻的分布。因此，相對于單柵TFT，雙柵TFT的電學(xué)性能，如開態(tài)、關(guān)態(tài)電流，閾值電壓等，受有源層界面的影響較弱。一般，與其界面相比，有源層內(nèi)部缺陷更少，均勻性更易于控制，且不易受到外界環(huán)境和后續(xù)エ藝的影響。因此，雙柵TFT比單柵TFT具有更好的電學(xué)性能，如聞開關(guān)比和穩(wěn)定性等。進(jìn)ー步的，上述薄膜晶體管還可以包括覆蓋同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第三絕緣層(在圖1、2A、2B中均未標(biāo)識)；該第三絕緣層可以起到保護由頂層金屬薄膜所形成的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c。在本實用新型所有實施例中，有源層103的材料可以是通常使用的非氧化物半導(dǎo)體材料，例如，硅、非晶硅、或者多晶硅；在本實用新型實施例中，優(yōu)選的，有源層103的材料為氧化物半導(dǎo)體。更進(jìn)ー步優(yōu)選的，有源層的材料為含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導(dǎo)體。使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管的特性優(yōu)于使用非氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管的特性。例如，氧化物半導(dǎo)體相對于非晶硅而言，會增強薄膜晶體管的如遷移率、開態(tài)電流、開關(guān)特性等特性。氧化物半導(dǎo)體相對于多晶硅而言，能夠其均勻性較好，不需要增加補償電路，在掩膜數(shù)量和制作難度上均有優(yōu)勢，因此，在制作大尺寸的顯示器方面也有優(yōu)勢。而且氧化物半導(dǎo)體薄膜采用濺射等方法就可以制備，不需增加額外的設(shè)備，具有成本優(yōu)勢。在本實用新型所有實施例中，第一絕緣層、第二絕緣層的材料均可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。在本實用新型實施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度相同或不同。若兩絕緣層采用同樣材料且厚度相同，則載流子在有源層中呈均勻分布。若這兩個絕緣層采用同樣材料、不同厚度，則TFT工作時，載流子在有源層內(nèi)部的分布將一定程度上傾向于靠近較薄的絕緣層ー側(cè)的有源層界面。因此，通過調(diào)整兩個絕緣層厚度，可以根據(jù)エ藝條件，選擇性地讓載流子通過更為穩(wěn)定的界面(即靠近較薄的絕緣層一側(cè)的有源層界面)，得到更穩(wěn)定的電學(xué)性能。 當(dāng)然，進(jìn)ー步的，若薄膜晶體管中還包括第三絕緣層，則該第三絕緣層的材料也可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本實用新型實施例還提供了針對上述薄膜晶體管的制造方法，包括S101、參考圖3A、3B，在襯底基板上制作底層金屬薄膜，并通過第一次構(gòu)圖エ藝形成第一柵極llal;具體的，可以使用磁控濺射方法，在襯底基板上制備底層金屬薄膜。該底層金屬薄膜的材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等任ー種金屬，也可以使用上述幾種材料的組合。在本實用新型所有實施例中的構(gòu)圖エ藝可以包括在需要圖案化的薄膜上涂覆光刻膠，并用掩模板通過包括曝光、顯影、刻蝕、剝離等エ序形成所需圖案。S102、參考圖4A、4B，制作覆蓋第一柵極Ilal的第一絕緣層101 ；具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法沉積的第一絕緣層；第一絕緣層的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。當(dāng)然這里的第一絕緣層在功能上也是第一柵極的柵絕緣層。S103、參考圖5A、5B，制作半導(dǎo)體薄膜，并通過第二次構(gòu)圖エ藝形成有源層103 ；具體的，可以利用濺射法或化學(xué)化學(xué)汽相沉積法沉積半導(dǎo)體薄膜。其中，半導(dǎo)體薄膜的材料優(yōu)選為氧化物半導(dǎo)體，進(jìn)ー步優(yōu)選的，可以是含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導(dǎo)體。S104、參考圖6A、6B，制作覆蓋有源層103的第二絕緣層102，并通過第三次構(gòu)圖エ藝在第二絕緣層102上形成第一過孔211和第二過212孔，以露出有源層103 ;且形成貫穿第一絕緣層102和第二絕緣層103的第三過孔213，以露出第一柵極Ilal ；具體的，可以在第二絕緣層上涂覆光刻膠后，用普通的掩膜板對基板進(jìn)行曝光、顯影、去除第一過孔上方、第二過孔上方和第三過孔上方的光刻膠，分別對形成第一過孔、第ニ過孔和第三過孔的位置進(jìn)行不同時長或不同灰度的刻蝕形成第一過孔、第二過孔和第三過孔即可。其中，第二絕緣層的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。S105、制作覆蓋第二絕緣層102的頂金屬薄膜，并通過第四次構(gòu)圖エ藝形成第二柵極lla2、源極Ilb和漏極lie ;其中第二柵極lla2通過第三過孔213和第一柵極Ilal電性連接，源極Ilb和漏極Ilc分別通過第一過孔211和第二過孔212與有源層103接觸。具體的，可以使用磁控濺射方法，在第二絕緣層上方制備頂層金屬薄膜。頂層金屬薄膜的材料通?？梢圆捎描€、鋁、鋁鎳合金、鑰鎢合金、鉻、或銅等金屬，也可以使用上述幾種材料的組合。通過一次構(gòu)圖エ藝處理，參考圖2A、圖2B，形成第二柵極、源極和漏扱。由于，這里第二柵極、源極和漏極通過同一次構(gòu)圖エ藝處理制得，故而，不需要單獨增加工藝流程。還可以進(jìn)ー步的包括S106、制作覆蓋上述第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第三絕緣層，以起到保護的作用。具體的，可以利用化學(xué)汽相沉積法沉積的第三絕緣層；第三絕緣層的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。上述薄膜晶體管可以應(yīng)用于液晶顯示領(lǐng)域。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的陣列基板，該陣列基板具體為LCD(液晶顯不器)陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；在像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管的漏極與像素電極電性連接。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的顯示器，該顯示器具體可以是液晶顯示面板或?qū)⒁壕э@示面板封裝后的液晶顯示器；該液晶顯示器包括對盒后的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；在像素單元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管的漏極與像素電極電性連接，具體兩者可以按照現(xiàn)有技術(shù)直接相連。上述薄膜晶體管還可以應(yīng)用于有機發(fā)光顯示領(lǐng)域。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的陣列基板，具體的，該陣列基板為OLED(有機發(fā)光器件)陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管；其中，開關(guān)薄膜晶體管的柵極和掃描線電性連接、源極和數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；驅(qū)動薄膜晶體管的源極和電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其中，開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的顯示器，具體的，該顯示器為OLED顯示器，該OLED顯示器包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管以及有機發(fā)光器件；其中，有機發(fā)光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，開關(guān)薄膜晶體管的柵極和掃描線電性連接、源極和數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；驅(qū)動薄膜晶體管的源極和電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其中，開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。[0067]具體的，若上述OLED顯示器中的有機發(fā)光器件只能發(fā)白光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以還包括ー個設(shè)置有紅、藍(lán)、綠三種顏色像素結(jié)構(gòu)的彩膜基板。若上述OLED顯示器中的有機發(fā)光器件可以發(fā)出紅、藍(lán)、綠中的一種顏色的光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以包含該OLED陣列基板和發(fā)光顯示器件，當(dāng)然還可以包含一透明基板以保護OLED陣列基板上的層結(jié)構(gòu)以及發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。本實用新型的實施例提供ー種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器，通過采用氧化物半導(dǎo)體作為TFT的有源層，采用在有源層上下分別設(shè)置一個柵極的結(jié)構(gòu)，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，進(jìn)而增加了產(chǎn)品良率。實施例ニ 本實用新型實施例提供了ー種薄膜晶體管，參考圖7、圖8A、圖SB，包括第一柵極llal、有源層103、以及同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極11c，第一柵極Ilal和有源層103之間形成有第一絕緣層101，源極lib、漏極Ilc和有源層103之間形成有第二絕 緣層102 ;其中，源極lib、漏極Ilc分別通過第二絕緣層102上的第一過孔211、第二過孔212與有源層103接觸；第ー柵極Ilal和第二柵極lla2的位置均與有源層103相対，且第ー柵極Ilal和第二柵極lla2通過貫穿第一絕緣層101、第二絕緣層102的第三過孔213電性連接。上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)一般形成在襯底基板100上。具體的在本實施例中，第一柵極Ilal為頂層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案；且同層設(shè)置的第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc為底層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案。本實用新型的實施例提供ー種薄膜晶體管，采用在有源層上下分別設(shè)置一個柵極的結(jié)構(gòu)，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，進(jìn)而增加了產(chǎn)品良率。具體的，單柵TFT在開態(tài)下，載流子受柵極產(chǎn)生的電場的吸引、基本上集聚在有源層與柵絕緣層的界面處以及有源層內(nèi)靠近柵極的ー側(cè)；在關(guān)態(tài)下，載流子受柵極電場的排斥、微量載流子殘存于背離柵極的有源層界面附近。上下雙柵結(jié)構(gòu)的TFT在工作時，載流子受上下兩個柵極產(chǎn)生的電場的吸引或排斥、不是集聚在有源層的界面處、而是傾向于更為均勻的分布。因此，相對于單柵TFT，雙柵TFT的電學(xué)性能，如開態(tài)、關(guān)態(tài)電流，閾值電壓等，受有源層界面的影響較弱。一般，與其界面相比，有源層內(nèi)部缺陷更少，均勻性更易于控制，且不易受到外界環(huán)境和后續(xù)エ藝的影響。因此，雙柵TFT比單柵TFT具有更好的電學(xué)性能，如聞開關(guān)比和穩(wěn)定性等。進(jìn)ー步的，上述薄膜晶體管還可以包括覆蓋第一柵極Ilal的第三絕緣層(在圖7、8A、8B中均未標(biāo)識)；該第三絕緣層可以起到保護由頂層金屬薄膜所形成的第一柵極Ilal0在本實用新型所有實施例中，有源層103的材料可以是通常使用的非氧化物半導(dǎo)體材料，例如，硅、非晶硅、或者多晶硅；在本實用新型實施例中，優(yōu)選的，有源層103的材料為氧化物半導(dǎo)體。更進(jìn)ー步優(yōu)選的，有源層的材料為含有銦、鎵、鋅中至少ー種金屬的氧化物半導(dǎo)體。[0077]使用氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管的特性優(yōu)于使用非氧化物半導(dǎo)體作為有源層的薄膜晶體管的特性。例如，氧化物半導(dǎo)體相對于非晶硅而言，會增強薄膜晶體管的如遷移率、開態(tài)電流、開關(guān)特性等特性。氧化物半導(dǎo)體相對于多晶硅而言，能夠其均勻性較好，不需要增加補償電路，在掩膜數(shù)量和制作難度上均有優(yōu)勢，因此，在制作大尺寸的顯示器方面也有優(yōu)勢。而且氧化物半導(dǎo)體薄膜采用濺射等方法就可以制備，不需增加額外的設(shè)備，具有成本優(yōu)勢。在本實用新型所有實施例中，第一絕緣層、第二絕緣層的材料均可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，在本實用新型實施例中，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度相同或不同。若兩絕緣層采用同樣材料且厚度相同，則載流子在有源層中呈均勻分布。若這兩個絕緣層采用同樣材料、不同厚度，則TFT工作吋，載流子在有源層內(nèi)部的分布將一定程度上傾向于靠近較薄的絕緣層ー側(cè)的有源層界面。因此，通過調(diào)整兩個絕緣層厚度，可以根據(jù)エ藝條件，選擇性地讓載流子通過更為穩(wěn)定的界面(即靠近較薄的絕緣層ー側(cè)的有源層界面)，得到更穩(wěn)定的電學(xué)性能。 當(dāng)然，進(jìn)ー步的，若薄膜晶體管中還包括第三絕緣層，則該第三絕緣層的材料也可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。本實用新型實施例還提供了圖7、圖8A和圖SB所示的薄膜晶體管的制造方法，包括S201、在襯底基板100上制作底層金屬薄膜，并通過第一次構(gòu)圖エ藝形成第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc ；S202、制作覆蓋第二柵極lla2、源極Ilb和漏極Ilc的第二絕緣層102，并通過第二次構(gòu)圖エ藝在第二絕緣層102上形成第一過孔211和第二過孔212，以在第一過孔211和第二過孔212處分別露出源極Ilb和漏極Ilc ；S203、制作覆蓋第二絕緣層102的半導(dǎo)體薄膜，并通過第三次構(gòu)圖エ藝形成有源層；其中，源極Ub和漏極Ilc分別通過第一過孔211和第二過孔212與有源層103接觸；S204、制作覆蓋有源層103的第一絕緣層101，并通過第四次構(gòu)圖エ藝形成貫穿第一絕緣層101和第二絕緣層102的第三過孔213，以露出第二柵極lla2 ；S205、制作覆蓋第一絕緣層101的頂層金屬薄膜，并通過第五次構(gòu)圖エ藝形成第ー柵極Ilal ;其中，第一柵極Ilal和第二柵極lla2通過第三過孔213電性連接。還可以進(jìn)ー步的包括S206、制作覆蓋上述第一柵極Ilal的第三絕緣層，以起到保護第一柵極Ilal的作用。需要說明的是，本實用新型實施例提供的薄膜晶體管的制造方法中，各層所使用的材料以及制備方法都可以參照實施例一中的制造方法，在本實施例中不再贅述。圖7、圖8A和圖8B所不的薄I旲晶體管可以應(yīng)用于液晶顯不領(lǐng)域。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的陣列基板，該陣列基板具體為LCD陣列基板，包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；在像素単元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管的漏極與像素電極電性連接。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)的顯示器，具體地，該顯示器可以為液晶顯示裝置，例如液晶面板、液晶電視、手機、液晶顯示器等，其包括彩膜基板、以及上述實施例中的陣列基板；除了液晶顯示裝置，所述顯示器還可以是其他類型的顯示裝置，比如電子閱讀器等，其不包括彩膜基板，但是包括上述實施例中的陣列基板。該顯示器具體可以是液晶顯示面板或?qū)⒁壕э@示面板封裝后的液晶顯示器；該液晶顯示器包括對盒后的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，陣列基板包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素單元；在像素單元中至少形成有像素電極以及上述的薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管的漏極與像素電極電性連接，具體兩者可以按照現(xiàn)有技術(shù)直接相連。進(jìn)一歩地，在上述顯示器的非像素単元區(qū)域還可以包括掃描驅(qū)動單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動単元。所述掃描驅(qū)動單元與掃描線電性連接，用于為像素単元的顯示提供掃描信號；所述數(shù)據(jù)驅(qū)動單元與數(shù)據(jù)線電性連接，用于為像素単元的顯示提供數(shù)據(jù)信號。非像素區(qū)域還可以包括掃描驅(qū)動單元與掃描線之間的連接線路、數(shù)據(jù)驅(qū)動単元與數(shù)據(jù)線之間的連接線路。圖7、圖8A和圖SB所示的薄膜晶體管還可以應(yīng)用于有機發(fā)光顯示領(lǐng)域。 本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的陣列基板，該陣列基板為OLED陣列基板，包括襯底基板相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管；其中，開關(guān)薄膜晶體管的柵極和掃描線電性連接、源極和數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；驅(qū)動薄膜晶體管的源極和電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其中，開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。本實用新型實施例還提供了一種應(yīng)用上述薄膜晶體管的顯示器，具體的，該顯示器為OLED (有機發(fā)光器件)顯示器，該OLED顯示器包括襯底基板，在襯底基板上形成有相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素單元；在像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管以及有機發(fā)光器件；其中，有機發(fā)光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，開關(guān)薄膜晶體管的柵極和掃描線電性連接、源極和數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；驅(qū)動薄膜晶體管的源極和電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其中，開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為上述的薄膜晶體管。進(jìn)ー步地，在上述顯示器的非像素単元區(qū)域還可以包括掃描驅(qū)動單元和數(shù)據(jù)驅(qū)動単元，還可以包括為有機發(fā)光器件提供電源的電源模塊。所述掃描驅(qū)動單元與掃描線電性連接，用于為像素単元的顯示提供掃描信號；所述數(shù)據(jù)驅(qū)動単元與數(shù)據(jù)線電性連接，用于為像素単元的顯示提供數(shù)據(jù)信號。非像素區(qū)域還可以包括掃描驅(qū)動單元與掃描線之間的連接線路、數(shù)據(jù)驅(qū)動単元與數(shù)據(jù)線之間的連接線路，以及還包括電源模塊與電源線之間的連接線路。具體的，若上述OLED顯示器中的有機發(fā)光器件只能發(fā)白光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以還包括ー個設(shè)置有紅、藍(lán)、綠三種顏色像素結(jié)構(gòu)的彩膜基板。若上述OLED顯示器中的有機發(fā)光器件可以發(fā)出紅、藍(lán)、綠中的一種顏色的光，則包含這種OLED陣列基板的OLED顯示器可以包含該OLED陣列基板和發(fā)光顯示器件，當(dāng)然還可以包含一透明基板以保護OLED陣列基板上的層結(jié)構(gòu)以及發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu)。本實用新型的實施例提供ー種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器，通過采用氧化物半導(dǎo)體作為TFT的有源層，采用在有源層上下分別設(shè)置一個柵極的結(jié)構(gòu)，在不增加工藝流程的的情況下提高了 TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，進(jìn)而增加了產(chǎn)品良率。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化 或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.ー種薄膜晶體管，其特征在于，包括第一柵極，有源層，以及同層設(shè)置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中， 所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相對，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極為底層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案；且所述同層設(shè)置的第二柵極、源極和漏極為頂層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一柵極為頂層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案；且所述同層設(shè)置的第二柵極、源極和漏極為底層金屬薄膜經(jīng)過構(gòu)圖エ藝所形成的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的厚度相同或不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的材料為氧化物半導(dǎo)體。
6.一種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及所述掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；其特征在干， 在所述像素単元中至少形成有像素電極以及權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接。
7.—種顯示器，包括對盒后的陣列基板和彩膜基板，以及在兩基板之間填充的液晶；其中，所述陣列基板包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，以及所述掃描線、數(shù)據(jù)線限定的像素単元；其特征在干， 在所述像素単元中至少形成有像素電極以及權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管；其中，所述薄膜晶體管的漏極與所述像素電極電性連接。
8.—種陣列基板，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及所述掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在所述像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管；其中，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極和所述電源線電性連接，漏極和有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其特征在干， 所述開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管。
9.一種顯示器，包括相互垂直的掃描線和數(shù)據(jù)線，與數(shù)據(jù)線平行的電源線，以及所述掃描線和數(shù)據(jù)線所限定的像素単元；在所述像素単元內(nèi)至少形成有開關(guān)薄膜晶體管、驅(qū)動薄膜晶體管以及有機發(fā)光器件；其中，所述有機發(fā)光器件包括陽極、陰極以及有機功能層，所述開關(guān)薄膜晶體管的柵極和所述掃描線電性連接、源極和所述數(shù)據(jù)線電性連接，漏極和所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極電性連接；所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極和所述電源線電性連接，漏極和所述有機發(fā)光器件的陽極電性連接；其特征在干， 所述開關(guān)薄膜晶體管和/或驅(qū)動薄膜晶體管為權(quán)利要求1-5任一項所述的薄膜晶體管。
專利摘要本實用新型實施例一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示器，涉及顯示器制造領(lǐng)域，能夠提高TFT的開態(tài)電流、降低TFT的關(guān)態(tài)電流、增加TFT的閾值電壓穩(wěn)定性，該薄膜晶體管，包括第一柵極，有源層，以及同層設(shè)置的第二柵極、源極和漏極，所述第一柵極和所述有源層之間形成有第一絕緣層，所述源極、漏極和所述有源層之間形成有第二絕緣層；其中，所述源極、漏極分別通過所述第二絕緣層上的第一過孔、第二過孔與所述有源層接觸；所述第一柵極和所述第二柵極的位置均與所述有源層相對，且所述第一柵極和第二柵極通過貫穿所述第一絕緣層、所述第二絕緣層的第三過孔電性連接。本實用新型實施例應(yīng)用于顯示器制造。
文檔編號G02F1/1368GK202601619SQ20122000760
公開日2012年12月12日 申請日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者陳海晶 申請人:京東方科技集團股份有限公司