專(zhuān)利名稱(chēng)：一種陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch),簡(jiǎn)稱(chēng)ADS,即高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)是液晶界為解決大尺寸、高清晰度桌面顯示器和液晶電視應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的廣視角技木。其通過(guò)同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并増大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫(huà)面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過(guò)率、低功耗、寬視角、高開(kāi)ロ率、低色差、無(wú)擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有技術(shù)中ADS型TFT-IXD陣列基板包括玻璃基板，形成在玻璃基板上的柵電極，形成在柵電極上井覆蓋整個(gè)玻璃基板的絕緣層，形成在絕緣層上的有源層和像素電極(相當(dāng)于板狀電極)，有源層在豎直方向上與柵電極對(duì)應(yīng)，形成在有源層上的源漏電極層，形成在源漏電極層上井覆蓋整個(gè)玻璃基板的鈍化層，形成在鈍化層上的條狀分布的公共電極(相當(dāng)于狹縫電極)。源漏電極層與公共電極間只有ー層鈍化層，因此源漏電極層與公共電極間電容會(huì)很大，數(shù)據(jù)線的負(fù)載就會(huì)很大，如果通過(guò)増加鈍化層厚度來(lái)減小電容，那么會(huì)導(dǎo)致過(guò)孔不良現(xiàn)象。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板及顯示裝置，用以增大源漏電極層與公共電極間的距離，從而減小源漏電極層與公共電極之間的電容，降低功耗。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板，包括底層基板；源漏電極層和有源層，形成在所述底層基板上，且所述有源層連接所述源漏電極層中的源電極和漏電極；絕緣層，形成在所述源漏電極層和所述有源層上，并覆蓋整個(gè)底層基板；像素電極，與所述源漏電極層中的漏電極連接；柵電極，形成在所述絕緣層上，并在豎直方向上與所述有源層對(duì)應(yīng)；鈍化層，形成在所述柵電極上，并覆蓋整個(gè)底層基板；公共電極，形成在所述鈍化層上。所述源漏電極層形成在所述底層基板上，所述有源層形成在所述源漏電極層上；或所述有源層形成在所述底層基板上，所述源漏電極層形成在所述有源層上。[0015]所述像素電極形成在所述底層基板與所述絕緣層之間。所述像素電極形成在所述絕緣層與所述鈍化層之間，并且所述像素電極通過(guò)絕緣層過(guò)孔與所述源漏電極層中的漏電極連接。所述公共電極呈條狀分布在所述鈍化層上。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述實(shí)施例中的陣列基板。通過(guò)以上技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的陣列基板，源漏電極層與公共電極之間有絕緣層和鈍化層，有效增大了二者之間的距離，減小了源漏電極層與公共電極之間的電容，有利于降低功耗，同時(shí)可以降低絕緣層和鈍化層的厚度來(lái)改善過(guò)孔不良現(xiàn)象。

圖I為本實(shí)用新型的陣列基板的一具體實(shí)施例的剖面示意圖；圖2為本實(shí)用新型的陣列基板的另一具體實(shí)施例的剖面示意圖；圖3為圖I所示的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明I-底層基板2-源漏電極層3-有源層4-絕緣層5-像素電極6-柵電極 7-鈍化層8-公共電極9-數(shù)據(jù)線
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板及包含該陣列基板的顯示裝置。下面結(jié)合圖I和圖2對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板進(jìn)行詳細(xì)描述。圖I為本實(shí)用新型的陣列基板的一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖I所示，本實(shí)用新型中的陣列基板包括底層基板I ;該底層基板I可以采用玻璃、石英等或有機(jī)材料制得；源漏電極層2，形成在所述底層基板I上；有源層3，形成在所述源漏電極層2上，且連接所述源漏電極層2中的源電極和漏電極；絕緣層4，形成在所述有源層3上，并覆蓋整個(gè)底層基板I ;像素電極5，形成在所述絕緣層4與鈍化層7之間，且通過(guò)絕緣層過(guò)孔與所述源漏電極層2中的漏電極連接；柵電極6，形成在所述絕緣層4上，并在豎直方向上與所述有源層3對(duì)應(yīng)；鈍化層7，形成在所述柵電極6上，并覆蓋整個(gè)底層基板I ;公共電極8，形成在所述鈍化層7上，且呈條狀分布在所述鈍化層7上形成狹縫電極，其中的每一條都和像素電極5所在的平面形成電場(chǎng)，此圖為ー截面圖，條狀的公共電極8在此截面圖上呈鋸齒狀。圖3為圖I所示的陣列基板的局部示意圖；參見(jiàn)圖3所示，在數(shù)據(jù)線9與像素電極5之間有絕緣層4阻隔，無(wú)需再通過(guò)在源漏電極層和像素電極之間留出較大空間的方式來(lái)避免數(shù)據(jù)線與像素電極短接的問(wèn)題；進(jìn)ー步地，在本實(shí)施例中，可以通過(guò)減小數(shù)據(jù)線9與像素電極5之間的距離，來(lái)增大開(kāi)ロ率和數(shù)據(jù)線9的寬度。圖2為本實(shí)用新型的陣列基板的另一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖2所示，本實(shí)用新型中的陣列基板包括底層基板I ;有源層3，形成在所述底層基板I上，連接源漏電極層2中的源電極和漏電極；源漏電極層2，形成在所述有源層3上；像素電極5，形成在所述底層基板I上，且與所述源漏電極層2中的漏電極連接；絕緣層4，形成在所述源漏電極層2和像素電極5之上，并覆蓋整個(gè)底層基板I ;從圖2中可以看到，像素電極5形成在所述底層基板I和絕緣層4之間、且與漏電極搭接；柵電極6，形成在所述絕緣層4上，并在豎直方向上與所述有源層3對(duì)應(yīng)；鈍化層7，形成在所述柵電極6上，并覆蓋整個(gè)底層基板I ;公共電極8，形成在所述鈍化層7上，且呈條狀分布在所述鈍化層7上形成狹縫電扱。因此，源漏電極層2與公共電極8之間有絕緣層4和鈍化層7，有效增大了源漏電極層2與公共電極8之間的距離，減小了源漏電極層2與公共電極8之間的電容，有利于降低功耗，同時(shí)可以降低絕緣層4和鈍化層7的厚度來(lái)改善過(guò)孔不良現(xiàn)象。上述實(shí)施例中所提供的陣列基板可以適用于但不限于ADS型的TFT-IXD，當(dāng)然還可以適用于電子紙、OLED(Organic ElectroluminesenceDisplay,有機(jī)電激光顯示)等顯示技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)以上技術(shù)方案可知，本實(shí)用新型實(shí)施例中提供的陣列基板，源漏電極層與公共電極之間有絕緣層和鈍化層，有效增大了二者之間的距離，減小了源漏電極層與公共電極之間的電容，有利于降低功耗，同時(shí)可以降低絕緣層和鈍化層的厚度來(lái)改善過(guò)孔不良現(xiàn)象。此外，源漏電極層與像素電極之間有絕緣層阻隔，可以減小二者的間距，保證了開(kāi)ロ率和源漏電極層的寬度。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括液晶顯示裝置以及其他類(lèi)型的顯示裝置。其中，液晶顯示裝置可以是液晶面板、液晶電視、手機(jī)、液晶顯示器等，其包括彩膜基板、以及上述實(shí)施例中的陣列基板。上述其他類(lèi)型顯示裝置，比如電子紙，其不包括彩膜基板，但是包括上述實(shí)施例中的陣列基板。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若對(duì)本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，其特征在于，包括 底層基板； 源漏電極層和有源層，形成在所述底層基板上，且所述有源層連接所述源漏電極層中的源電極和漏電極； 絕緣層，形成在所述源漏電極層和所述有源層上，并覆蓋整個(gè)底層基板； 像素電極，與所述源漏電極層中的漏電極連接； 柵電極，形成在所述絕緣層上，并在豎直方向上與所述有源層對(duì)應(yīng)； 鈍化層，形成在所述柵電極上，并覆蓋整個(gè)底層基板； 公共電極，形成在所述鈍化層上。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏電極層形成在所述底層基板上，所述有源層形成在所述源漏電極層上。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層形成在所述底層基板上，所述源漏電極層形成在所述有源層上。
4.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極形成在所述底層基板與所述絕緣層之間。
5.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極形成在所述絕緣層與所述鈍化層之間，并且所述像素電極通過(guò)絕緣層過(guò)孔與所述源漏電極層中的漏電極連接。
6.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極呈條狀分布在所述鈍化層上。
7.—種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板及顯示裝置，所述陣列基板包括底層基板；源漏電極層和有源層，形成在所述底層基板上，且所述有源層連接所述源漏電極層中的源電極和漏電極；絕緣層，形成在所述源漏電極層和所述有源層上，并覆蓋整個(gè)底層基板；像素電極，與所述源漏電極層中的漏電極連接；柵電極，形成在所述絕緣層上，并在豎直方向上與所述有源層對(duì)應(yīng)；鈍化層，形成在所述柵電極上，并覆蓋整個(gè)底層基板；公共電極，形成在所述鈍化層上。因此，應(yīng)用本實(shí)用新型，可以有效減小源漏電極層與公共電極之間的電容，降低功耗，改善過(guò)孔不良現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK202421685SQ201220045878
公開(kāi)日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月13日
發(fā)明者姜文博, 木素真, 李成, 王世君, 薛海林, 陳小川 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司