專利名稱:一種液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本申請(qǐng)涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種廣視角液晶顯示器。
背景技術(shù):
液晶顯示器產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用到透明電極材料,目前,TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)廠商均采用高溫鍍ITO(Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)膜的方法制 造透明電極,但是這種制造透明電極的方法需要復(fù)雜的加熱設(shè)備,此種加熱設(shè)備的成本較高,導(dǎo)致液晶顯示器的制造成本較高,而且,ITO膜內(nèi)部的灰塵較多,因此,采用ITO膜制造得到的透明電極內(nèi)的灰塵較多,提高產(chǎn)品的良率受到制約。
實(shí)用新型內(nèi)容為解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種液晶顯示器,以降低液晶顯示器中的透明電極的制作成本,提高液晶顯示器的良率,技術(shù)方案如下一種液晶顯示器,包括第一基板、第二基板,以及設(shè)置在所述上第一基板和所述第二基板之間的液晶層,其中所述第一基板上的具有防靜電層,且該防靜電層為銦鋅氧化物IZO膜;所述第二基板上由下至上依次設(shè)置有柵極層、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源漏層、絕緣保護(hù)層以及公共電極,其中,所述像素電極、公共電極為銦鋅氧化物IZO電極;優(yōu)選的,所述第一、第二基板均為玻璃基板。優(yōu)選的,所述有源層的材質(zhì)為非晶硅。優(yōu)選的,所述柵極層的材質(zhì)為金屬。優(yōu)選的,所述源漏層的材質(zhì)為金屬。 優(yōu)選的,所述絕緣層保護(hù)層的材質(zhì)為氮化硅。由以上本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案可見,該液晶顯示器采用IZO膜制造透明電極及設(shè)置在第一基板上的防靜電層,所述透明電極可以是設(shè)置在第二基板上的像素電極和公共電極。由于IZO膜是采用低溫成膜技術(shù)得到的,因此,不需要使用復(fù)雜的加熱裝置,從而降低了設(shè)備成本,進(jìn)而降低了液晶顯示器的制造成本,而且,由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少,因而采用IZO膜制造得到的透明電極的雜質(zhì)較少,提高了透明電極的透過率,進(jìn)而提高了液晶顯不器的良率。
為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本申請(qǐng)實(shí)施例一種液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖;[0015]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一種下玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)中的技術(shù)方案,下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖,對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本申請(qǐng)一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。請(qǐng)參見圖I和圖2,圖I為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖,圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的下玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖,該液晶顯示器主要包括第一基板100、第二基板200、液晶層300,其中第一基板100的上表面設(shè)置有防靜電層101,該防靜電層的材質(zhì)為IZO膜,且該防靜電層通過導(dǎo)電金屬102與第二基板200電連接。第一基板100的下表面上設(shè)置有黑色矩陣 103。具體的,第一基板100和第二基板200均為玻璃基板。具體參見圖2,第二基板200的上表面上設(shè)置有柵極層201,設(shè)置在所述柵極層201,以及未設(shè)置柵極層201的下玻璃基板200上的柵極絕緣層202,設(shè)置在所述柵極絕緣層202上的有源層203,設(shè)置在所述有源層203上的源漏層204,該源漏層上設(shè)置有絕緣保護(hù)層205,且源漏層204被絕緣保護(hù)層205分割成左右兩部分,其中位于圖2左半部分的是源極層206,位于圖2右半部分的是漏極層207,在漏極層和柵極絕緣層之間設(shè)置有像素電極層208,且像素電極層與漏極層207電連接。在絕緣保護(hù)層205上設(shè)置有公共電極209。其中,所述像素電極層208和公共電極209均采用透明電極材料制成,即采用IZO膜低溫成膜技術(shù)制得。具體的,柵極層201和源漏層204采用低電阻的導(dǎo)電金屬制成,有源層204可以通過非晶硅實(shí)現(xiàn)。所述絕緣層保護(hù)層205和柵極絕緣層202均可以采用絕緣材料實(shí)現(xiàn),優(yōu)選的采用氮化硅實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例提供的液晶顯示器的防靜電層、公共電極、像素電極均采用IZO膜制成,由于IZO膜采用低溫成膜技術(shù)得到,因此,不需要使用復(fù)雜的加熱裝置,從而降低了設(shè)備成本,進(jìn)而降低了液晶顯示器的制造成本,而且,由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少,因而采用IZO膜制造得到的透明電極的灰塵比采用ITO膜制造的透明電極的灰塵至少減少了 20%,提高了透明電極的透過率,進(jìn)而提高了液晶顯示器的良率。而且,由于IZO膜的微觀結(jié)構(gòu)很均勻,因此,采用IZO膜制作的公共電極的線條更加細(xì)小,從而提高了公共電極的精細(xì)度,提高液晶顯示器的性能;采用IZO膜制作防靜電層時(shí),由于IZO膜內(nèi)的銦、鋅、氧三種元素的相互作用,使得該防靜電層的透過率較高、電阻低、抗腐蝕能力強(qiáng)、抗劃傷能力強(qiáng)。以上所述僅是本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式
,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯?,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種液晶顯示器,包括第一基板、第二基板,以及設(shè)置在所述上第一基板和所述第二基板之間的液晶層,其特征在于 所述第一基板上的具有防靜電層,且該防靜電層為銦鋅氧化物IZO膜; 所述第二基板上由下至上依次設(shè)置有柵極層、柵極絕緣層、有源層、像素電極、源漏層、絕緣保護(hù)層以及公共電極,其中,所述像素電極、公共電極為銦鋅氧化物IZO電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示器,其特征在于,所述第一、第二基板均為玻璃基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的液晶顯示器,其特征在于,所述有源層的材質(zhì)為非晶硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器,其特征在于,所述柵極層的材質(zhì)為金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器,其特征在于,所述源漏層的材質(zhì)為金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的廣視角液晶顯示器,其特征在于,所述絕緣層保護(hù)層的材質(zhì)為氮化硅。
專利摘要本申請(qǐng)公開了一種液晶顯示器,包括第一基板、第二基板,以及設(shè)置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層。所述第二基板上的像素電極和公共電極,以及所述第一基板上的防靜電層,均采用IZO膜實(shí)現(xiàn)。由于IZO膜是采用低溫成膜技術(shù)得到的,因此,不需要使用復(fù)雜的加熱裝置,從而降低了設(shè)備成本,進(jìn)而降低了液晶顯示器的制造成本,而且,由于IZO膜內(nèi)的雜質(zhì)較少,因而采用IZO膜制造得到的透明電極的雜質(zhì)較少,提高了透明電極的透過率,進(jìn)而提高了液晶顯示器的良率。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202453618SQ201220059349
公開日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月22日
發(fā)明者于春崎, 任思雨, 何基強(qiáng), 李建, 李建華, 胡君文, 謝凡 申請(qǐng)人:信利半導(dǎo)體有限公司