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      薄膜晶體管結構、陣列基板及顯示裝置的制作方法

      文檔序號:2691724閱讀:124來源:國知局
      專利名稱:薄膜晶體管結構、陣列基板及顯示裝置的制作方法
      技術領域
      本實用新型涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種薄膜晶體管結構(Thin FilmTransistor, TFT)、陣列基板及顯示裝置。
      背景技術
      為了達到較大的驅動能力, 在32寸以上液晶面板中,大多使用兩個或更多的薄膜
      晶體管像素結構。如圖I所示,該像素結構包括第一 TFT單元和第二 TFT單元,其中第一 TFT單元的漏極11與第二 TFT單元的漏極21連接,第一 TFT單元的源極12和第二 TFT單元的源極22連接,然后再與數(shù)據(jù)信號線3連接,圖中4為Gate柵極線。當DGS (Data Gate short,是Data信號線與Gate柵極線發(fā)生短路的不良現(xiàn)象,源極與漏極均有可能與柵極發(fā)生短路)發(fā)生在像素結構上時,工藝上為了改善不良,可通過激光,將圖I所示的虛線位置切斷來修復,這樣做會導致發(fā)生DGS的像素結構不能工作,常白模式就會出現(xiàn)亮點。

      實用新型內容本實用新型提供一種薄膜晶體管結構、陣列基板及顯示裝置,有效提高產(chǎn)品的良率。為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術方案—種薄膜晶體管結構,包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接。進一步的,所述第一薄膜晶體管單元的漏極與所述第二薄膜晶體管單元的漏極均與像素電極連接。此外,本實用新型還提供了一種陣列基板,包括薄膜晶體管結構,所述薄膜晶體管結構包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接。進一步的,所述第一薄膜晶體管單元的漏極與所述第二薄膜晶體管單元的漏極均與像素電極連接。此外,本實用新型還提供了一種顯示裝置,包括如上所述技術方案中任一項所述的陣列基板。由上述技術方案可知,本實用新型的實施例具有如下有益效果通過將第一薄膜晶體管單元的源極與第二薄膜晶體管單元的源極分別與數(shù)據(jù)信號線連接,當沒有發(fā)生不良的時候,第一、第二薄膜晶體管單元都可正常工作,數(shù)據(jù)信號線的信號輸入一致;當?shù)谝槐∧ぞw管單元或第二薄膜晶體管單元發(fā)生短路時,可用激光切去一個,另一個正常工作,能夠有效提升產(chǎn)品的良率,且本實施例中的技術方案實施簡單,不需要對任何工藝,設備上的改變。

      圖I為現(xiàn)有技術中的薄膜晶體管結構的示意圖圖2為實用新型的實施例中薄膜晶體管結構的示意圖。
      具體實施方式
      在本實施例中所使用的術語僅僅是出于描述特定實施例的目的,而并不意在限定該實施例??梢岳斫獾氖?,盡管術語第一、第二可以在此用來描述各種部件,但這些部件不應該受限于這些術語。這些術語僅用來將這些部件彼此區(qū)分開,例如,在不脫離本實施例的范圍的前提下,第一薄膜晶體管單元可以被稱為第二薄膜晶體管單元,第二薄膜晶體管單元可以被稱為第一薄膜晶體管單元。第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元均為薄膜晶體管單元,但它們并非同一薄膜晶體管單元。 為了使本實用新型實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白,下面結合實施例和附圖,對本實用新型實施例做進一步詳細地說明。在此,本實用新型的示意性實施例及說明用于解釋本實用新型,但并不作為對本實用新型的限定。參見圖2,為實用新型的實施例中薄膜晶體管結構的示意圖,該薄膜晶體管結構,包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中第一薄膜晶體管單元的源極12與第二薄膜晶體管單元的源極22分別與用于提供信號電壓的數(shù)據(jù)信號線(Data信號線)3連接。在本實施例中,該數(shù)據(jù)信號線3用于提供液晶顯示不同亮度所需要的灰階電壓。由此可知,通過將第一薄膜晶體管單元的源極與第二薄膜晶體管單元的源極分別與數(shù)據(jù)信號線連接,當沒有發(fā)生不良的時候,第一、第二薄膜晶體管單元都可正常工作,數(shù)據(jù)信號線的信號輸入一致;當?shù)谝槐∧ぞw管單元或第二薄膜晶體管單元發(fā)生短路時,可用激光切去一個,另一個正常工作,能夠有效提升產(chǎn)品的良率,且本實施例中的技術方案實施簡單,不需要對任何工藝,設備上的改變。在本實施例中,第一薄膜晶體管單元的漏極11與第二薄膜晶體管單元的漏極21均與像素電極連接。在本實用新型中還提供一種陣列基板,包括薄膜晶體管結構,該薄膜晶體管結構包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接。本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,其包括上述任意一種陣列基板,所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以作出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也應視為本實用新型的保護范圍。
      權利要求1.一種薄膜晶體管結構,其特征在于,包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接。
      2.根據(jù)權利要求I所述的薄膜晶體管結構,其特征在于,所述第一薄膜晶體管單元的漏極與所述第二薄膜晶體管單元的漏極均與像素電極連接。
      3.一種陣列基板,包括薄膜晶體管結構,其特征在于,所述薄膜晶體管結構包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接。
      4.根據(jù)權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶體管單元的漏極與所述第二薄膜晶體管單元的漏極均與像素電極連接。
      5.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求3 4之一所述的陣列基板。
      專利摘要本實用新型提供一種薄膜晶體管結構、陣列基板及顯示裝置,其中薄膜晶體管結構包括第一薄膜晶體管單元和第二薄膜晶體管單元,其中所述第一薄膜晶體管單元的源極與所述第二薄膜晶體管單元的源極分別與用于提供的信號電壓的數(shù)據(jù)信號線連接,在本實施例中通過將第一薄膜晶體管單元的源極與第二薄膜晶體管單元的源極分別與數(shù)據(jù)信號線連接,當沒有發(fā)生不良的時候,第一、第二薄膜晶體管單元都可正常工作,數(shù)據(jù)信號線的信號輸入一致;當?shù)谝槐∧ぞw管單元或第二薄膜晶體管單元發(fā)生短路時,可用激光切去一個,另一個正常工作,能夠有效提升產(chǎn)品的良率。
      文檔編號G02F1/1362GK202454555SQ20122006384
      公開日2012年9月26日 申請日期2012年2月23日 優(yōu)先權日2012年2月23日
      發(fā)明者馬禹 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司
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