專利名稱：一種用于監(jiān)控led外延和芯片前段制程的光罩版模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
—種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實用新型涉及一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，屬于LED 芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
[0002]在半導體制程中，抽測(test) —般被認為是芯片前段制程的最后一步，因為抽測 制程的下一步為晶片減薄工序，如果晶片被減薄之后就不能再進行前段返工，這樣晶片的 良率就會固定下來；而如果在抽測中發(fā)現(xiàn)參數(shù)異常，往往很多異常是可以通過前段返工作 業(yè)使參數(shù)正常，這樣可以使芯片良率得到提升，所以抽測的良率監(jiān)控至關(guān)重要，抽測站在半 導體制程中起著將前后段制程承上啟下的作用。[0003]現(xiàn)在幾乎所有LED芯片段制程中均有抽測工序，發(fā)現(xiàn)參數(shù)異常后也大多有前段返 工作業(yè)，同時可以人工測量特殊位置，比如用于傳輸線模型(Transmission Line Model, TLM)測量的常規(guī)光罩版(如圖1所示)，從而確定異常原因，然而人工測量耗時，再加上由于 操作手法不一致誤差較大，所得到的數(shù)據(jù)非常有限且難以作為可靠的參考標準。發(fā)明內(nèi)容[0004]基于上述技術(shù)的不足，本實用新型提供一種新式的用于監(jiān)控LED外延和芯片前段 制程的光罩版模組。[0005]本實用新型的目的是，為了有效地監(jiān)控外延和芯片前段制程的穩(wěn)定性，即在光罩 版的預(yù)設(shè)位置添加分別用于監(jiān)控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結(jié)構(gòu)層性能的單元 圖案。[0006]本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)[0007]本實用新型提出了一種新式的用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版即在 光罩版的預(yù)設(shè)位置添加需要測量參數(shù)的單元圖案，分別用于監(jiān)控P型外延層、N型外延層、 電流擴展層等結(jié)構(gòu)層性能，通過規(guī)劃設(shè)計抽測間距，使抽測時必然會抽測到這些單元圖案， 這樣即可實現(xiàn)監(jiān)控外延質(zhì)量、電流擴展層等結(jié)構(gòu)層的質(zhì)量，在發(fā)生異常時，可以簡單地初步 判定異常的主要原因，在制程正常時也可以監(jiān)控各種參數(shù)并及時優(yōu)化相關(guān)工序。[0008]所述光罩版模組包括至少兩塊光罩版，其特征在于至少在一塊光罩版上設(shè)置有 用于監(jiān)控LED芯片的各結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案。[0009]所述光罩版模組其特征在于至少在兩塊光罩版上設(shè)置有前述單元圖案，各塊光 罩版不同位置上設(shè)置有用于監(jiān)控不同的結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案。[0010]所述光罩版模組其特征在于同一塊光罩版設(shè)置有用于監(jiān)控同一結(jié)構(gòu)層性能的單 元圖案。[0011]所述光罩版模組包括其特征在于所述單元圖案的大小與LED芯粒圖案的大小一致。[0012]所述需要測量參數(shù)的單元圖案是通過光罩版設(shè)計完成。[0013]所述抽測間距的設(shè)定是為了實現(xiàn)將需要測量參數(shù)的單元圖案納入抽測。[0014]所述需要測量參數(shù)的單元圖案的位置可以位于晶圓的上側(cè)或下側(cè)或左側(cè)或右側(cè)或中心或前述的組合。[0015]本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比較的有益效果是本實用新型是在不改變芯片制程的基礎(chǔ)上，即在光罩版的預(yù)設(shè)位置添加分別用于監(jiān)控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案，可實現(xiàn)在抽測作業(yè)時測試這些單元圖案，使得監(jiān)控外延和前段制程變得更加簡潔方便，及時有效地調(diào)整相關(guān)制程，從而使工藝條件穩(wěn)定并且及時得到優(yōu)化。
[0016]附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。[0017]圖1是常規(guī)的光罩版模組示意圖。圖2是本實用新型的光罩版模組示意圖。[0019]圖3是本實用新型的第I道光罩版示意圖。[0020]圖4是圖3中需測量參數(shù)的單元圖案放大圖。[0021]圖5是本實用新型的第2道光罩版示意圖。[0022]圖6是圖5中需測量參數(shù)的單元圖案放大圖。[0023]圖7是本實用新型的第3道光罩版示意圖。[0024]圖8是圖7中需測量參數(shù)的單元圖案放大圖。[0025]圖中標號表[0026]Al :需要測量參數(shù)的Al單元圖案；[0027]B1:需要測量參數(shù)的BI單元圖案；[0028]Cl :需要測量參數(shù)的Cl單元圖案；[0029]A2 :需要測量參數(shù)的A2單元圖案；[0030]B2 :需要測量參數(shù)的B2單元圖案；[0031]C2 :需要測量參數(shù)的C2單元圖案；[0032]A3 :需要測量參數(shù)的A3單元圖案；[0033]B3 :需要測量參數(shù)的B3單元圖案；[0034]C3 :需要測量參數(shù)的C3單元圖案。
具體實施方式
[0035]以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本實用新型的實施方式，借此對本實用新型如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。[0036]實施例[0037]如圖2所示，本實施例用于監(jiān)控LED外延和前段制程的光罩版模組在光罩版中的預(yù)設(shè)位置添加需要測量參數(shù)(用于監(jiān)控P型外延層、N型外延層、ITO電流擴展層等結(jié)構(gòu)層性能)的單元圖案，通過設(shè)定抽測的間距，使抽測時必然會抽測到這些預(yù)設(shè)位置上的單元圖案。A、B和C單元圖案是通過光罩版設(shè)計完成的。抽測間距的設(shè)定是為了實現(xiàn)將需要測量參數(shù)的單元圖案納入抽測。需要測量參數(shù)的A單元圖案的位置位于晶圓的上側(cè)，B單元圖 案的位置位于晶圓的左側(cè)、中心位置和右側(cè)，C單元圖案的位置位于晶圓的下側(cè)。[0038]下面以三道光罩為例說明如何通過光罩版設(shè)計并抽測預(yù)設(shè)位置的單位圖案，用于 監(jiān)控P型外延層、N型外延層、ITO電流擴展層結(jié)構(gòu)層的性能。[0039]如圖3和4所示，本實施例第I道光罩的A、B和C單元用于開制MESA光罩，通過 第I次光罩，A和B單元用于形成N型外延層，而C單元用于形成P型外延層；[0040]如圖5和6所不,本實施例第2道光罩的A、B和C單兀用于開制ITO光罩,通過第 2次光罩，A單元用于形成N型外延層，B單元用于形成圖案化的ITO電流擴展層，而C單元 用于形成P型外延層；[0041]如圖7和8所示，本實施例第3道光罩的A、B和C單元用于開制PAD光罩，通過第 3次光罩，A、B和C單元用于制作金屬電極的圖形，其圖形與其它正常芯粒的金屬電極圖形 一致，這樣抽測機臺可以識別此圖形，并可以自動測量。[0042]綜上所述，通過抽測A單元，便可以監(jiān)控N型外延層的質(zhì)量，通過抽測B單元便可 以監(jiān)控ITO電流擴展層的質(zhì)量，而通過抽測C單元可以監(jiān)控P型外延層的質(zhì)量。由此，本實 施例光罩版的設(shè)計可以實現(xiàn)抽測時自動監(jiān)控LED外延和前段制程的光罩版。
權(quán)利要求1.一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，包括至少兩塊光罩版，其特征在于至少在一塊光罩版上設(shè)置有用于監(jiān)控LED芯片的各結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于至少在兩塊光罩版上設(shè)置有前述單元圖案，各塊光罩版不同位置上設(shè)置有用于監(jiān)控不同的結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于同一塊光罩版設(shè)置有用于監(jiān)控同一結(jié)構(gòu)層性能的單元圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于所述單元圖案的大小與LED芯粒圖案的大小一致。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或4所述的一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，其特征在于所述單元圖案的位置位于光罩版的上側(cè)或下側(cè)或左側(cè)或右側(cè)或中心或前述的組合。
專利摘要本實用新型涉及一種用于監(jiān)控LED外延和芯片前段制程的光罩版模組，即在光罩版的預(yù)設(shè)位置添加需要測量參數(shù)的單元圖案，分別用于監(jiān)控P型外延層、N型外延層、電流擴展層等結(jié)構(gòu)層性能，通過規(guī)劃設(shè)計抽測間距，使抽測時必然會抽測到這些預(yù)設(shè)位置，這樣即可實現(xiàn)監(jiān)控外延質(zhì)量、電流擴展層等結(jié)構(gòu)層的質(zhì)量，在發(fā)生異常時，可以簡單地初步判定異常的主要原因，在制程正常時也可以監(jiān)控各種參數(shù)并及時優(yōu)化相關(guān)工序。
文檔編號G03F1/44GK202837806SQ201220377478
公開日2013年3月27日 申請日期2012年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月1日
發(fā)明者古杰輝, 莊家銘, 黃惠葵, 王安平, 范慧麗 申請人:安徽三安光電有限公司