專利名稱：一種交替布線的接觸端子對(duì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種交替布線的接觸端子對(duì)(Bonding Pad)。
背景技術(shù)：
目前，隨著液晶顯示技術(shù)的逐步發(fā)展，液晶面板的分辨率越來(lái)越高，液晶面板中的IC接觸端子越來(lái)越多，因此為了壓縮布線空間，通常對(duì)IC引線采用交替布線的方式。如圖I所示，IC引線相鄰接觸端子對(duì)分別采取用柵極(Gate)金屬層11和源極漏極(SD)金屬層12交替的形式進(jìn)行布線。所述相鄰接觸端子對(duì)的截面示意圖如圖2所示，所述Gate金屬層11設(shè)置于基板8上，通過柵極絕緣層13和鈍化層14的過孔，由氧化銦錫(ITO)像素電極5導(dǎo)出；所述第二金屬層(SD金屬層)12設(shè)置于柵極絕緣層13之上，通過·鈍化層14的過孔由連接電極5導(dǎo)出。所述接觸端子對(duì)通過各向異性導(dǎo)電膠(ACF)中的導(dǎo)電球16與IC管腳17相連，導(dǎo)電球16受力的均勻性是決定導(dǎo)電性能好壞的一個(gè)重要因素。但是，有時(shí)接觸端子對(duì)(即相鄰的兩個(gè)接觸端子)中的Gate金屬層11和第二金屬層(SD金屬層)12選用不同的金屬材料，兩個(gè)金屬層的厚度不同，從而導(dǎo)致接觸端子對(duì)(即相鄰的兩個(gè)接觸端子)與導(dǎo)電球16的接觸情況也不同，如圖3所示的情況。厚度較薄的金屬層對(duì)應(yīng)的接觸端子(例如圖3中左側(cè)接觸端子)將會(huì)出現(xiàn)與IC管腳17接觸不良的現(xiàn)象，使得液晶面板的質(zhì)量將受到影響。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種交替布線的接觸端子對(duì)，用于解決接觸端子對(duì)與IC管腳接觸不良的問題。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的本實(shí)用新型提供一種交替布線的接觸端子對(duì)，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二絕緣層，位于所述第二絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極；所述接觸端子對(duì)包括第三金屬層和第四金屬層；所述第三金屬層位于所述第一接觸端子的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述第四金屬層位于所述第二接觸端子的所述基板和所述第一絕緣層之間；所述第三金屬層通過所述第一絕緣層的過孔與所述第一金屬層相連通，所述第三金屬層通過所述第二絕緣層的過孔與所述連接電極相連通；所述第四金屬層的厚度與所述第二金屬層的厚度之和等于所述第一金屬層的厚度與所述第三金屬層的厚度之和。優(yōu)選地，所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層；或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。優(yōu)選地，所述第三金屬層與所述第二金屬層采用相同材料，所述第四金屬層與所述第一金屬層米用相同材料。 優(yōu)選地，所述接觸端子對(duì)包括所述第四金屬層的厚度和所述第一金屬層的厚度相同；所述第三金屬層的厚度和所述第二金屬層的厚度相同。優(yōu)選地，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種交替布線的接觸端子對(duì)，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二絕緣層，位于所述第二絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極；所述接觸端子對(duì)還包括第三金屬層，所述第三金屬層位于所述第一接觸端子的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間；所述第二接觸端子的所述第二金屬層的厚度等于所述第一接觸端子的所述第一金屬層的厚度與所述第三金屬層的厚度之和。優(yōu)選地，所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層；或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。優(yōu)選地，所述第三金屬層與所述第二金屬層采用相同材料。優(yōu)選地，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。本發(fā)明進(jìn)一步提供一種交替布線的接觸端子對(duì)，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極；所述接觸端子對(duì)還包括第四金屬層；所述第四金屬層位于所述第二接觸端子的所述基板和所述第一絕緣層之間；所述第四金屬層的厚度與所述第二金屬層的厚度之和等于所述第一金屬層的厚度。優(yōu)選地，所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層；或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。優(yōu)選地，所述第四金屬層與所述第一金屬層采用相同材料。優(yōu)選地，所述第一接觸端子的連接電極與所述第一絕緣層之間進(jìn)一步包括第二絕緣層。優(yōu)選地，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。本實(shí)用新型實(shí)施例所述的交替布線的接觸端子對(duì)，具體可以在第一接觸端子的第一金屬層的上方設(shè)置第三金屬層，并在第二接觸端子的第二金屬層的下方設(shè)置第四金屬層，且第一接觸端子的第一金屬層和第三金屬層的厚度之和等于第二接觸端子的第二金屬層和第四金屬層的厚度之和，且第一絕緣層和第二絕緣層的厚度未變，相鄰接觸端子一第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極具有相同的高度，使得接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸情況相同。本實(shí)用新型所提供的交替布線的接觸端子對(duì)，具體也可以僅在第一接觸端子的第一金屬層之上設(shè)置第三金屬層，且第一接觸端子的第一金屬層和第三金屬層兩者的厚度之和等于第二接觸端子的第二金屬層的厚度，且第一絕緣層和第二絕緣層的厚度未變，第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極具有相同的高度，使得接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸情況相同。本實(shí)用新型所提供的交替布線的接觸端子對(duì)，具體還可以僅在第二接觸端子的第二金屬層之下設(shè)置第四金屬層，且第二接觸端子的第二金屬層和第四金屬層兩者的厚度之和等于第一接觸端子的第一金屬層·的厚度，且第一絕緣層和第二絕緣層的厚度未變，第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極具有相同的高度，使得接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸情況相同。因此，本實(shí)用新型實(shí)施例所述交替布線的接觸端子對(duì)解決了接觸端子對(duì)與IC管腳接觸不良的問題，從而提高液晶面板的質(zhì)量。

圖I為現(xiàn)有IC引線交替布線的接觸端子對(duì)平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有相鄰兩個(gè)接觸端子(接觸端子對(duì))的截面示意圖；圖3為現(xiàn)有接觸端子對(duì)與IC管腳接觸不良時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖；圖5為本實(shí)用新型第二實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖；圖6為本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種交替布線的接觸端子對(duì)，用于解決接觸端子對(duì)與IC管腳接觸不良的問題。
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。參見圖4，該圖為本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子(參見圖3中左側(cè)的圖)和第二接觸端子(參見圖3中右側(cè)的圖)。本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述接觸端子對(duì)還包括第三金屬層10和第四金屬層9。具體地，所述第一接觸端子包括基板8、位于所述基板8上方的第一金屬層I、位于所述第一金屬層I上的第一絕緣層3、位于所述第一絕緣層3上的第三金屬層10，位于所述第三金屬層10上的第二絕緣層4和位于所述第二絕緣層4上的連接電極5。所述第二接觸端子包括基板8、位于所述基板8上的第四金屬層9、位于所述第四金屬層9上的第一絕緣層3、位于所述第一絕緣層3上的第二金屬層2、位于所述第二金屬層2上的第二絕緣層4和位于所述第二絕緣層4上的連接電極5。為了保證本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述的接觸端子對(duì)與IC管腳接觸良好，第二接觸端子的第四金屬層9的厚度與第二金屬層2的厚度之和等于第一接觸端子的第一金屬層I的厚度與第三金屬層10的厚度之和。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)在以第一金屬層I布線的第一接觸端子的第一絕緣層3和第二絕緣層4之間設(shè)置第三金屬層10，所設(shè)置的第三金屬層10具體可以通過第一絕緣層3的過孔與第一金屬層I相連通，所述第三金屬層10通過第二絕緣層4的過孔與連接電極5相連通。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)在第二接觸端子的第一絕緣層3 下、基板8上設(shè)置第四金屬層9，即通過設(shè)置的第四金屬層9將第二金屬層2墊高，所述第一絕緣層3覆蓋第四金屬層9的上表面。所述第四金屬層9和第二金屬層2不相連。第二金屬層2通過第二絕緣層4的過孔與連接電極5相連。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)，為了便于工藝實(shí)現(xiàn)，不需要增加現(xiàn)有工藝的難度，第一接觸端子的第一金屬層I和第二接觸端子的第四金屬層9所用的材料相同，可以通過同時(shí)沉積實(shí)現(xiàn)，所以第四金屬層9的厚度和第一金屬層I的厚度相同；第一接觸端子的第三金屬層10和第二接觸端子的第二金屬層2所用的材料相同，可以通過同時(shí)沉積實(shí)現(xiàn)的，所述第三金屬層10的厚度和第二金屬層2的厚度相同。因此，第一接觸端子的第三金屬層10的厚度和第一金屬層I的厚度之和等于第二接觸端子的第二金屬層2與第四金屬層9的厚度之和，可以保證接觸端子對(duì)與IC管腳良好的接觸。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)，可以適用于第二金屬層2與第一金屬層I的厚度不同的任何一種情況。本實(shí)用新型第一實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)，相鄰接觸端子對(duì)采用的雙層金屬結(jié)構(gòu)中的兩種金屬材料相同，而且相應(yīng)金屬層的厚度相同，又因第一絕緣層3和第二絕緣層4未改變，所以相鄰接觸端子即第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極5具有相同的高度，從而使接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸良好，從而液晶面板的質(zhì)量得到保證。本實(shí)用新型實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)還可根據(jù)第一金屬層I和第二金屬層3的具體厚度關(guān)系，僅在厚度相對(duì)于第二接觸端子的第二金屬層2小的第一接觸端子的第一金屬層I的上方設(shè)置第三金屬層10 ;或者，僅在厚度相對(duì)于第一接觸端子的第一金屬層I小的第二接觸端子的第二金屬層2的下方設(shè)置第四金屬層9。如圖5所示，該圖為本實(shí)用新型第二實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖。本實(shí)用新型第二實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)，適用于第二接觸端子的第二金屬層2的厚度大于第一接觸端子的第一金屬層I的厚度的情況。本實(shí)用新型第二實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)相對(duì)第一實(shí)施例的區(qū)別在于，僅在第一接觸端子的第一絕緣層3和第二絕緣層4之間設(shè)置第三金屬層10，第二接觸端子沒有設(shè)置第四金屬層。本實(shí)用新型第二實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)具體在第一接觸端子的第一絕緣層3和第二絕緣層4之間設(shè)置第三金屬層10，所設(shè)置的第三金屬層10具體可以通過第一絕緣層3的過孔與第一金屬層I相連通，所述第三金屬層10具體可以通過第二絕緣層4的過孔與連接電極5相連通。為了使本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述的接觸端子對(duì)的連接電極5具有相同的高度，第一接觸端子的第一金屬層I和第三金屬層10兩者的厚度之和等于第二接觸端子的第二金屬層2的厚度，所述第三金屬層10與所述第二金屬層2可以采用相同材料。由于本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述的接觸端子對(duì)的第三金屬層10與第二金屬層2所需的厚度不同，所述第三金屬層10的形成工藝具體可以是涂覆相應(yīng)金屬(第二金屬層2的金屬材料)后，通過半透掩膜板(Half Tone Mask, HTM)或灰階掩膜板(Gray ToneMask, GTM)刻蝕形成不同厚度的第三金屬層10與所述第二金屬層2，再通過第一絕緣層3的過孔與第一金屬層I相連通，不需要額外增加Mask (掩膜)工藝步驟，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。本實(shí)用新型第二實(shí)施例僅在第一接觸端子的第一金屬層I的上方設(shè)置第三金屬·層10，且第一接觸端子的所述第一金屬層I和所述第三金屬層10兩者的厚度之和等于第二接觸端子的所述第二金屬層2的厚度，因此第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極5具有相同的高度，使接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸良好，從而液晶面板的質(zhì)量得到保證。如圖6所示，該圖為本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)的截面示意圖。本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)，適用于第二接觸端子的第二金屬層2的厚度小于第一接觸端子的第一金屬層I的厚度的情況。本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)相對(duì)第一實(shí)施例的區(qū)別在于，僅在第二接觸端子的第一絕緣層3下、基板8上設(shè)置第四金屬層9。本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子的第一接觸端子可以根據(jù)實(shí)際需要，不設(shè)置第二絕緣層4。本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)具體在第二金屬層2布線的第二接觸端子的第一絕緣層3下、基板8上方設(shè)置第四金屬層9。本實(shí)用新型第三實(shí)施例交替布線的接觸端子對(duì)通過設(shè)置的第四金屬層9將第二接觸端子的第二金屬層2墊高。所述第一絕緣層3覆蓋第四金屬層9的上表面，所述第四金屬層9和第二金屬層2不相連。為了使第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極5具有相同的高度，第二接觸端子的所述第二金屬層2和所述第四金屬層9兩者的厚度之和等于第一接觸端子的所述第一金屬層I的厚度，所述第四金屬層9與所述第一金屬層I可以采用相同材料。由于所述第四金屬層9與所述第一金屬層I所需厚度不同，所述第四金屬層9的形成工藝具體可以是涂覆相應(yīng)金屬(第一金屬層I的金屬材料)后，通過半透掩膜板(Half Tone Mask,HTM)或灰階掩膜板(Gray Tone Mask,GTM)刻蝕形成不同厚度的第四金屬層9與第一金屬層I，不需要額外增加Mask (掩膜)工藝步驟，實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。本實(shí)用新型第三實(shí)施例僅在第二接觸端子的第二金屬層2的下方設(shè)置第四金屬層9，且第二接觸端子的所述第二金屬層2和所述第四金屬層9兩者的厚度之和等于第一接觸端子的所述第一金屬層I的厚度，因此第一接觸端子和第二接觸端子的連接電極具有相同的高度，使接觸端子對(duì)與IC管腳的接觸良好，從而液晶面板的質(zhì)量得到保證。本實(shí)用新型實(shí)施例第二接觸端子對(duì)中的第四金屬層9可以理解為一層與第一接觸端子的第一金屬層I相同材質(zhì)的金屬塊，第一接觸端子的第三金屬層10可以理解為一層與第二接觸端子的第二金屬層2相同材質(zhì)的金屬塊。本實(shí)用新型上述實(shí)施例第二接觸端子對(duì)中所述第一接觸端子的第一金屬層I具體可以為Gate金屬層，那 么第一絕緣層3至少包括一層?xùn)艠O絕緣層，第二絕緣層4為鈍化層，第二金屬層2為SD金屬層。本實(shí)用新型上述實(shí)施例第二接觸端子對(duì)中所述第一接觸端子的第一金屬層I具體也可以為SD金屬層，那么第一絕緣層3為鈍化層，第二絕緣層4至少包括一層?xùn)艠O絕緣層，第二金屬層2為Gate金屬層。本實(shí)用新型實(shí)施例中所述的連接電極5可以采用ITO材料制作。下面以本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述接觸端子對(duì)為例簡(jiǎn)單介紹本實(shí)用新型接觸端子對(duì)的實(shí)現(xiàn)流程。本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述接觸端子對(duì)，其制備方法可以包括如下步驟在基板8上通過沉積、光刻和刻蝕等工藝順序形成第一接觸端子的第一金屬層I (例如Gate金屬層)和第二接觸端子的第四金屬層9 ；再在第一金屬層I (例如Gate金屬層)和第四金屬層9上通過沉積等工藝形成第一絕緣層3 (例如柵極絕緣層)；再在第一絕緣層3 (例如柵極絕緣層)上通過沉積、光刻和刻蝕等工藝形成第一接觸端子的第三金屬層10和第二接觸端子的第二金屬層2 (例如SD金屬層)；所述第三金屬層10通過第一絕緣層3 (例如柵極絕緣層)的過孔與第一金屬層
I(例如Gate金屬層)相連通。如圖4所示形成的第一接觸端子的所述第三金屬層10位于所述第一絕緣層3 (例如柵極絕緣層)和所述第二絕緣層4 (例如鈍化層)之間；第二接觸端子的所述第四金屬層9設(shè)置于所述基板8和所述第一絕緣層(例如柵極絕緣層)3之間。然后，再通過沉積、光刻和刻蝕等工藝順序形成第二絕緣層(例如鈍化層)4和連接電極5，使第一接觸端子的第三金屬層10通過第二絕緣層(例如鈍化層)4的過孔與連接電極5相連通，最終實(shí)現(xiàn)第一金屬層(例如Gate金屬層)I與連接電極5相連通。上述本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述接觸端子對(duì)的制備方法，給出的是在基板8上直接形成第一金屬層的情況。為了滿足不同的需求，在第一金屬層I和第四金屬層9和基板8之間可能還存在其他膜層，在此不再詳述。需要說明的是，本實(shí)用新型上述實(shí)施例所述的接觸端子對(duì)適用于不同尺寸的液晶面板，本實(shí)用新型所述的接觸端子對(duì)中的第一接觸端子可以作為為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子，第二接觸端子也可以是柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。本實(shí)用新型實(shí)施例中例舉的接觸端子的結(jié)構(gòu)是顯示區(qū)域周邊的引線區(qū)域的結(jié)構(gòu)，各個(gè)膜層都是在進(jìn)行顯示區(qū)域制作時(shí)同時(shí)在周邊形成的。而顯示區(qū)域的膜層順序可以有很多種變化，只要制作出面板驅(qū)動(dòng)必要的元素(比如柵極、源極、漏極和像素電極等)，確保顯示面板正常驅(qū)動(dòng)即可。所以周邊的膜層結(jié)構(gòu)也相應(yīng)的有很多變化，比如第一金屬層I和第四金屬層9不一定就直接制作在基板8上,有可能在第一金屬層I和第四金屬層9和基板8之間存在其他膜層。當(dāng)?shù)谝唤饘賹覫上方?jīng)]有設(shè)置第三金屬層時(shí)，第一金屬層I上方的絕緣層也不一定必須有兩層，第二金屬層2和第四金屬層9之間也有可能不止一層絕緣層。本實(shí)用新型實(shí)施例的接觸端子結(jié)構(gòu)中，只要確保各金屬層彼此絕緣，且具有連接到外部的可導(dǎo)電部件(比如的本實(shí)用新型實(shí)施例所述的連接電極5)即可。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本 技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二絕緣層，位于所述第二絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極； 所述接觸端子對(duì)包括第三金屬層和第四金屬層；所述第三金屬層位于所述第一接觸端子的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間，所述第四金屬層位于所述第二接觸端子的所述基板和所述第一絕緣層之間；所述第三金屬層通過所述第一絕緣層的過孔與所述第一金屬層相連通，所述第三金屬層通過所述第二絕緣層的過孔與所述連接電極相連通； 所述第四金屬層的厚度與所述第二金屬層的厚度之和等于所述第一金屬層的厚度與所述第三金屬層的厚度之和。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于， 所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層； 或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第三金屬層與所述第二金屬層采用相同材料，所述第四金屬層與所述第一金屬層采用相同材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述接觸端子對(duì)包括所述第四金屬層的厚度和所述第一金屬層的厚度相同；所述第三金屬層的厚度和所述第二金屬層的厚度相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。
6.一種交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二絕緣層，位于所述第二絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極； 所述接觸端子對(duì)還包括第三金屬層，所述第三金屬層位于所述第一接觸端子的所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間；所述第一接觸端子的所述第一金屬層的厚度與所述第三金屬層的厚度之和等于所述第二接觸端子的所述第二金屬層的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于， 所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層； 或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第三金屬層與所述第二金屬層采用相同材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。
10.一種交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述接觸端子對(duì)包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；所述第一接觸端子包括基板、位于所述基板上方的第一金屬層、位于所述第一金屬層上的第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的連接電極；所述第二接觸端子包 括所述基板、位于所述基板上方的所述第一絕緣層、位于所述第一絕緣層上的第二金屬層、位于所述第二金屬層上的第二絕緣層和位于所述第二絕緣層上的所述連接電極； 所述接觸端子對(duì)還包括第四金屬層；所述第四金屬層位于所述第二接觸端子的所述基板和所述第一絕緣層之間；所述第四金屬層的厚度與所述第二金屬層的厚度之和等于所述第一金屬層的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于， 所述第一金屬層為Gate金屬層，所述第一絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二絕緣層為鈍化層，所述第二金屬層為SD金屬層； 或，所述第一金屬層為SD金屬層，所述第一絕緣層為鈍化層，所述第二絕緣層至少包括柵極絕緣層，所述第二金屬層為Gate金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第四金屬層與所述第一金屬層米用相同材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第一接觸端子的連接電極與所述第一絕緣層之間進(jìn)一步包括第二絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的交替布線的接觸端子對(duì)，其特征在于，所述第一接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子；所述第二接觸端子為柵極掃描線或數(shù)據(jù)信號(hào)掃描線的接觸端子。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種交替布線的接觸端子對(duì)，包括相鄰的第一接觸端子和第二接觸端子；第一接觸端子包括基板、第一金屬層、第一絕緣層、第二絕緣層和連接電極；第二接觸端子包括基板、第一絕緣層、第二金屬層、第二絕緣層和連接電極；接觸端子對(duì)包括第三金屬層和/或第四金屬層；第三金屬層位于第一接觸端子的第一絕緣層和第二絕緣層之間，第四金屬層位于第二接觸端子的基板和所述第一絕緣層之間，且位于所述第二金屬層下方，且第一接觸端子和第二接觸端子的累加金屬層厚度相等。本實(shí)用新型實(shí)施例所述接觸端子對(duì)解決了接觸端子對(duì)與IC管腳接觸不良的問題。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK202794782SQ20122038938
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月7日
發(fā)明者李付強(qiáng), 陳小川, 王世君, 薛海林 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司