專利名稱：Tft陣列基板、液晶屏及3d顯示系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及3D顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在日常生活中人們是利用兩只眼睛來觀察周圍具有空間立體感的外界景物的，三維(3D)顯示技術(shù)就是利用雙眼立體視覺原理使人獲得三維空間感，其主要原理是使觀看者的左眼與右眼分別接收到不同的影像，由觀看者兩眼之間的瞳距產(chǎn)生的位置差異，使存在“雙眼視差”的兩副圖像構(gòu)成一對“立體圖象對”，而“立體圖像對”在經(jīng)由大腦分析融合后使觀看者產(chǎn)生立體感。目前，3D顯示技術(shù)有裸眼式和眼鏡式兩大類。其中，眼鏡式分為快門式、偏光式和色差式等。與快門式3D顯示相比，偏光式3D的畫面無閃爍，且與3D顯示裝置配套的偏光眼鏡價格更便宜且無輻射，越來越為消費(fèi)者所青睞。在制備偏光式3D顯示裝置時，如圖1所示，需要在3D顯示裝置的出光側(cè)貼附一層相位時延膜(PR，Pattern Retarder),該相位時延膜與對應(yīng)的像素區(qū)域一致，以保證經(jīng)過相位延時的偏振光進(jìn)入對應(yīng)的偏光眼鏡的鏡片。進(jìn)一步地，為了提高偏光式3D顯示裝置在垂直方向上的視角，如圖2所示，一般會在PR膜上增設(shè)擋光條(BS)來防止左右眼光線的串?dāng)_，但是，BS的設(shè)置會降低3D顯示裝置的開口率，并且會在2D顯示模式時產(chǎn)生摩爾條紋，影響正常顯示。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)，用以實(shí)現(xiàn)在不影響正常顯示的情況下，提高偏光式3D顯示的垂直方向視角。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管TFT陣列基板，具有呈矩陣排列的多個亞像素單元，包括:在各所述亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別具有有效顯示像素電極以及主動擋光電極，所述有效顯示像素電極與所述主動擋光電極相互絕緣；在任意相鄰的兩行亞像素單元之間具有第一柵極信號線和第二柵極信號線；所述第一柵極信號線用于向與該第一柵極信號線相鄰行的有效顯示像素電極提供柵掃描信號，所述第二柵極信號線用于向與該第二柵極信號線相鄰行的主動擋光電極提供柵極掃描信號;在任意相鄰的兩列亞像素單元之間具有第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線；所述第一數(shù)據(jù)信號線用于向與該第一數(shù)據(jù)信號線相鄰列的有效顯示像素電極提供灰階信號，所述第二數(shù)據(jù)信號線用于向與該第二數(shù)據(jù)信號線相鄰列的主動擋光電極提供灰階信號。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種用于3D顯示的液晶屏，包括:彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層，以及位于所述彩膜基板出光側(cè)的相位時延膜，所述TFT陣列基板為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種3D顯示系統(tǒng)，包括:本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述用于3D顯示的液晶屏，以及偏光眼鏡。本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括:本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)，在每個亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別設(shè)置有效顯示像素電極以及主動擋光電極，在任意相鄰的兩行亞像素單元之間具有第一柵極信號線和第二柵極信號線，第一柵極信號線用于向與該第一柵極信號線相鄰行的有效顯示像素電極提供柵掃描信號，第二柵極信號線用于向與該第二柵極信號線相鄰行的主動擋光電極提供柵極掃描信號；在任意相鄰的兩列亞像素單元之間具有第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，第一數(shù)據(jù)信號線用于向與該第一數(shù)據(jù)信號線相鄰列的有效顯示像素電極提供灰階信號，第二數(shù)據(jù)信號線用于向與該第二數(shù)據(jù)信號線相鄰列的主動擋光電極提供灰階信號。在3D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域形成暗場，能降低垂直方向上相鄰像素之間的串?dāng)_光，以提高3D顯示的垂直視角，而在2D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域正常顯示圖像，不會影響正常顯示。并且，由于分別采用不同的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線對同一個亞像素單元內(nèi)的有效顯示像素電極和主動擋光電極提供電信號，這樣在3D顯示模式時，就可以利用與各主動擋光電極連接的第二數(shù)據(jù)信號線向主動擋光電極施加公共電極信號，以保證在與主動擋光電極連接的TFT開關(guān)出現(xiàn)漏電情況時，主動擋光電極與公共電極之間無電壓差，防止在主動擋光電極所在區(qū)域出現(xiàn)變亮的現(xiàn)象，從而避免了串?dāng)_問題，提高了 3D顯示的垂直視角。

圖1和圖2分別為現(xiàn)有的偏光式3D顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a和圖3b分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT陣列基板在2D顯示模式和3D顯示模式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a和圖4b分別為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的用于3D顯示的液晶屏在2D顯示模式和3D顯示模式的工作時序圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例提供的TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)地說明。附圖中各層厚度和區(qū)域大小形狀不反映TFT陣列基板的真實(shí)比例，目的只是示意說明本實(shí)用新型內(nèi)容。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管TFT陣列基板，如圖3a所示，具有呈矩陣排列的多個亞像素單元，包括:在各亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別具有有效顯示像素電極A以及主動擋光電極B，有效顯示像素電極A與主動擋光電極B相互絕緣；在任意相鄰的兩行亞像素單元之間具有第一柵極信號線Gi和Gi+1和第二柵極信號線Gi_a和Gi+l_a ;第一柵極信號線Gi和Gi+1用于向與該第一柵極信號線Gi和Gi+1相鄰行的有效顯示像素電極A提供柵掃描信號，第二柵極信號線Gi_a和Gi+l_a用于向與該第二柵極信號線Gi_a和Gi+l_a相鄰行的主動擋光電極B提供柵極掃描信號；在任意相鄰的兩列亞像素單元之間具有第一數(shù)據(jù)信號線D1、Di+l、Di+2和第二數(shù)據(jù)信號線01_&、01+1_&、01+2_&;第一數(shù)據(jù)信號線01、01+1、01+2用于向與該第一數(shù)據(jù)信號線D1、Di+l、Di+2相鄰列的有效顯示像素電極A提供灰階信號，第二數(shù)據(jù)信號線Di_a、Di+l_
a、Di+2_a用于向與該第二數(shù)據(jù)信號線Di_a、Di+l_a、Di+2_a相鄰列的主動擋光電極B提供灰階信號。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板中，在每個亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別設(shè)置有效顯示像素電極以及主動擋光電極，分別采用不同的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線對同一個亞像素單元內(nèi)的有效顯示像素電極和主動擋光電極提供電信號。這樣，在2D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域正常顯示圖像，不會影響正常顯示，如圖3a所示；在3D顯示模式時，如圖3b所示，就可以利用與各主動擋光電極連接的數(shù)據(jù)信號線向主動擋光電極施加公共電極信號，以保證在與主動擋光電極連接的TFT開關(guān)出現(xiàn)漏電情況時，主動擋光電極與公共電極之間無電壓差，防止在主動擋光電極所在區(qū)域出現(xiàn)變亮的現(xiàn)象，從而避免了串?dāng)_問題。在具體實(shí)施時，可以將第一數(shù)據(jù)信號線與第二數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置，這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。同理，在具體實(shí)施時，可以將第一柵極信號線與第二柵極信號線同層設(shè)置，這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成第一柵極信號線和第二柵極信號線的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。并且，在具體實(shí)施時，一般將有效顯示像素電極與主動擋光電極同層設(shè)置，這樣，在制備TFT陣列基板時不需要增加額外的制備工序，只需要通過一次構(gòu)圖工藝即可形成有效顯示像素電極和主動擋光電極的圖形，能夠節(jié)省制備成本，提升產(chǎn)品附加值。具體地，在設(shè)計(jì)TFT陣列基板時，在每個亞像素單元的開口區(qū)域內(nèi)，主動擋光電極所占面積的比例一般在5%-70%之間，在具體實(shí)施時，可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定，在此不做限定?；谕粚?shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種用于3D顯示的液晶屏，由于該液晶屏解決問題的原理與前述一種TFT陣列基板相似，因此該液晶屏的實(shí)施可以參見TFT陣列基板的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種用于3D顯示的液晶屏，具體包括:彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，位于彩膜基板和TFT陣列基板之間的液晶層，以及位于彩膜基板出光側(cè)的相位時延膜，該TFT陣列基板為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述TFT陣列基板，該液晶屏的工作原理屬于現(xiàn)有技術(shù)，在此不做詳述。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述液晶屏可以為諸如高級超維場開關(guān)(ADS，Advanced Super Dimension Switch)、平面轉(zhuǎn)換(IPS, In Plane Switching)或扭曲向列(TN, Twisted Nematic)型的液晶屏,在此不做限定。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種上述用于3D顯示的液晶屏的驅(qū)動方法，具體包括:[0033]在2D顯示模式時，對與同一亞像素單元內(nèi)的有效顯示像素電極連接的第一柵極信號線Gi和Gi+1和與主動擋光電極連接的第二柵極掃描線Gi_a和Gi+l_a施加相同的柵掃描信號；對與同一亞像素單元內(nèi)的有效顯示像素電極連接的第一數(shù)據(jù)信號線D1、Di+1、Di+2和與主動擋光電極連接的第二數(shù)據(jù)掃描線Di_a、Di+l_a、Di+2_a施加相同的灰階信號，其工作時序圖如圖4a所示；在3D顯示模式時，僅對與有效顯示像素電極連接的第一柵極信號線Gi和Gi+1施加?xùn)艗呙栊盘?，對與有效顯示像素電極連接的第一數(shù)據(jù)信號線D1、Di+1、Di+2施加灰階信號；每條所述第二柵極信號線Gi_a和Gi+l_a無信號輸入，向每條所述第二數(shù)據(jù)信號線Di_
a、Di+l_a、Di+2_a輸入公共電極信號其工作時序圖如圖4b所不。這樣,在與主動擋光電極連接的TFT開關(guān)出現(xiàn)漏電情況時，主動擋光電極與公共電極之間無電壓差，防止在主動擋光電極所在區(qū)域出現(xiàn)變亮的現(xiàn)象，在3D顯示模式時，主動擋光電極所在區(qū)域一直為暗場，從而避免了串?dāng)_問題?；谕粚?shí)用新型構(gòu)思，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種3D顯示系統(tǒng)，由于該3D顯示系統(tǒng)解決問題的原理與前述一種液晶屏相似，因此該3D顯示系統(tǒng)的實(shí)施可以參見液晶屏的實(shí)施，重復(fù)之處不再贅述。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種3D顯示系統(tǒng)，包括:本實(shí)用新型實(shí)施例提供的上述用于3D顯示的液晶屏，以及偏光眼鏡。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)，在每個亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別設(shè)置有效顯示像素電極以及主動擋光電極，在任意相鄰的兩行亞像素單元之間具有第一柵極信號線和第二柵極信號線，第一柵極信號線用于向與該第一柵極信號線相鄰行的有效顯示像素電極提供柵掃描信號，第二柵極信號線用于向與該第二柵極信號線相鄰行的主動擋光電極提供柵極掃描信號；在任意相鄰的兩列亞像素單元之間具有第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線，第一數(shù)據(jù)信號線用于向與該第一數(shù)據(jù)信號線相鄰列的有效顯示像素電極提供灰階信號，第二數(shù)據(jù)信號線用于向與該第二數(shù)據(jù)信號線相鄰列的主動擋光電極提供灰階信號。在3D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域形成暗場，能降低垂直方向上相鄰像素之間的串?dāng)_光，以提高3D顯示的垂直視角，而在2D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域正常顯示圖像，不會影響正常顯示。并且，由于分別采用不同的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線對同一個亞像素單元內(nèi)的有效顯示像素電極和主動擋光電極提供電信號，這樣在3D顯示模式時，就可以利用與各主動擋光電極連接的第二數(shù)據(jù)信號線向主動擋光電極施加公共電極信號，以保證在與主動擋光電極連接的TFT開關(guān)出現(xiàn)漏電情況時，主動擋光電極與公共電極之間無電壓差，防止在主動擋光電極所在區(qū)域出現(xiàn)變亮的現(xiàn)象，從而避免了串?dāng)_問題，提高了 3D顯示的垂直視角。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管TFT陣列基板，具有呈矩陣排列的多個亞像素單元，其特征在于，包括: 在各所述亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別具有有效顯示像素電極以及主動擋光電極，所述有效顯示像素電極與所述主動擋光電極相互絕緣； 在任意相鄰的兩行亞像素單元之間具有第一柵極信號線和第二柵極信號線；所述第一柵極信號線用于向與該第一柵極信號線相鄰行的有效顯示像素電極提供柵掃描信號，所述第二柵極信號線用于向與該第二柵極信號線相鄰行的主動擋光電極提供柵極掃描信號； 在任意相鄰的兩列亞像素單元之間具有第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線；所述第一數(shù)據(jù)信號線用于向與該第一數(shù)據(jù)信號線相鄰列的有效顯示像素電極提供灰階信號，所述第二數(shù)據(jù)信號線用于向與該第二數(shù)據(jù)信號線相鄰列的主動擋光電極提供灰階信號。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一數(shù)據(jù)信號線與所述第二數(shù)據(jù)信號線同層設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一柵極信號線與所述第二柵極信號線同層設(shè)置。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述有效顯示像素電極與所述主動擋光電極同層設(shè)置。
5.如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板，其特征在于，在每個亞像素單元的開口區(qū)域內(nèi)，所述主動擋光電極所占面積的比例為5%-70%。
6.一種用于3D顯示的液晶屏，包括:彩膜基板，薄膜晶體管TFT陣列基板，位于所述彩膜基板和所述TFT陣列基板之間的液晶層，以及位于所述彩膜基板出光側(cè)的相位時延膜，其特征在于，所述TFT陣列基板為如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶屏，其特征在于，所述液晶屏為扭曲向列TN、平面轉(zhuǎn)換IPS或聞級超維場開關(guān)ADS型液晶屏。
8.—種3D顯示系統(tǒng)，其特征在于，包括:如權(quán)利要求6或7所述的用于3D顯示的液晶屏，以及偏光眼鏡。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種TFT陣列基板、液晶屏及3D顯示系統(tǒng)，在每個亞像素單元內(nèi)的上下兩個區(qū)域分別設(shè)置有效顯示像素電極以及主動擋光電極，分別采用不同的柵極信號線和數(shù)據(jù)信號線對兩者提供電信號。這樣，在2D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域正常顯示圖像，不會影響正常顯示；在3D顯示模式時，各主動擋光電極所在區(qū)域形成暗場，能降低垂直方向上相鄰像素之間的串?dāng)_光，以提高3D顯示的垂直視角；并且，在3D顯示模式時向各主動擋光電極施加公共電極信號，能保證在與主動擋光電極連接的TFT開關(guān)出現(xiàn)漏電情況時，主動擋光電極與公共電極之間無電壓差，防止在主動擋光電極所在區(qū)域出現(xiàn)變亮的現(xiàn)象，從而避免了串?dāng)_問題。
文檔編號G02B27/26GK202948236SQ20122067929
公開日2013年5月22日 申請日期2012年12月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月10日
發(fā)明者張春芳, 魏燕, 徐超, 金熙哲 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司