液晶介質(zhì)的化合物以及其用于高頻組件的用途
【專利摘要】本發(fā)明涉及式(I)所示的化合物，其用于高頻組件的用途，包含所述化合物的液晶介質(zhì)以及包含所述介質(zhì)的高頻組件，特別是天線，尤其是用于千兆赫范圍的。液晶介質(zhì)用于例如可調(diào)諧的“相控陣”天線的微波移相器。
【專利說明】液晶介質(zhì)的化合物以及其用于高頻組件的用途
[0001]本發(fā)明涉及在苯環(huán)中的2、3位具有取代基的1，4-こ炔基苯衍生物(參見式1、權(quán)利要求書)，其用于高頻組件的用途，包含所述化合物的液晶介質(zhì)以及包括所述介質(zhì)的高頻組件，特別是天線，尤其是用于千兆赫范圍的。例如，液晶介質(zhì)用于可調(diào)諧“相控陣”天線的微波移相器。
[0002]液晶介質(zhì)長久以來用于光電顯示器(液晶顯示器-LCD)中以顯示信息。
[0003]在公開文獻(xiàn)EP0968988A1、DE19907941A1、DE10120024A1 和 JP08012599A 中1，4-二こ炔基苯衍生物被建議作為液晶組分。然而，其中特定的取代與該發(fā)明上下文中重復(fù)出現(xiàn)的化合物取代模式并不對應(yīng)。
[0004]然而，最近例如在DE102004029429A和JP2005-120208 (A)中，液晶介質(zhì)還被建議用于微波技術(shù)的部件或組件中。
[0005]在高頻技術(shù)中，具有エ業(yè)價值的液晶介質(zhì)的應(yīng)用是基于它們的性質(zhì)，即可以通過可變電壓控制它們的介電性能，特別是在千兆赫茲范圍中。因此，可以構(gòu)造不包含移動部分的可調(diào)諧天線(A.Gaebler, A.Moessinger, F.Goelden等人,"Liquidしrystal-Reconfigurable Antenna Concepts for bpace Applications at Microwave andMill1-meter Waves，，，International Journal of Antennas and Propagation,果 2009卷， Article ID876989, 7 頁，2009.do1:10.1155/2009/876989)。
[0006]出版物A.Penirschke, S.Miiller, P.Scheele, C.Weil, M.Wittek, C.Hock andR.Jakobyi^Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystalsup to35GHz〃，34th European Microwave Conference-Amsterdam, 545-548 尤其描述了已知的液晶單一物質(zhì)K15 (Merck KGaA，德國)在9GHz頻率下的性質(zhì)。
[0007]在中心亞苯基環(huán)上具有烷基取代的1_(苯基こ炔基)二苯こ炔(以下還被稱為雙二苯こ炔)是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。例如，出版物S.-T.Wu, C.-s.Hsu, K.-F.Shyu Appl.Phys.Lett.(1999)，74 (3)，344-346公開了如下式所示的具有側(cè)向甲基的不同液晶雙二苯こ炔化合物，
[0008]
【權(quán)利要求】
1.式I所示化合物，
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在干，L12和L14同時表示H，或者都不表示H，和/或選自L11和L12的恰好一個基團(tuán)表示F。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或所述的化合物，其特征在干，L11和/或L12彼此獨(dú)立地表示具有I至12個C原子的鹵代或未取代的烷基基團(tuán)，其中，在這些基團(tuán)中的ー個或多個CH2基團(tuán)各自也可以彼此獨(dú)立地被-C三C-，-CH=CH-, -CF=CF-, -CF=CH-, -CH=CF-, -(CO)O-, -0 (CO) -，- (CO) -，-0-或-S-替代，使得0或S原子不直接彼此連接；任選被烷基取代的具有3至6個C原子的環(huán)烷基；或任選被鹵素，具有I至6個C原子的烷基或具有I至6個C原子的烷氧基取代的苯基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中一項或多項所述的化合物，其特征在干，n為I至3范圍內(nèi)的整數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中一項或多項所述的化合物，其特征在干，
6.液晶介質(zhì)，其特征在于，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至5中一項或多項所述的式I所示的化合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶介質(zhì)，其特征在于，其還包含一種或多種選自式II所示化合物的化合物:
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的液晶介質(zhì)，其特征在于，所述介質(zhì)中式I所示化合物的濃度范圍為總計5%至95%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中一項或多項所述的式I所示化合物在液晶介質(zhì)中的用途。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5中一項或多項所述的式I所示化合物在用于高頻技術(shù)的組件中的用途。
11.根據(jù)權(quán)利要求6至8中一項或多項所述的液晶介質(zhì)的制備方法，其特征在于，將ー種或多種所述式I所示化合物與ー種或多種另外的化合物以及任選的ー種或多種添加劑混合。
12.用于高頻技術(shù)的組件，其特征在于，其包含根據(jù)權(quán)利要求6至8中一項或多項所述的液晶介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的組件，其特征在于，其為ー個或多個功能上連接的移相器。
14.根據(jù)權(quán)利要求6 至8中一項或多項所述的液晶介質(zhì)在用于高頻技術(shù)的組件中的用途。
15.“相控陣”天線，其特征在于，其包括ー個或多個根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的組件。
【文檔編號】G02F1/13GK103492530SQ201280019617
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2012年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月27日
【發(fā)明者】V·雷芬拉特, C·雅斯佩, D·鮑魯斯, 真邊篤孝 申請人:默克專利股份有限公司