具有芯部對芯部對準(zhǔn)的光纖的制作方法
【專利摘要】一種光纖(100)包括第一端(102)和第二端(104)。所述光纖包括用于將光學(xué)信號從第一端傳輸?shù)降诙说男静?106)。所述芯部具有位于第一和第二端處的端部表面(103、105)和位于芯體的周邊周圍的包層(108)。磁性元件(110)設(shè)置在第一端和第二端的端部表面處。磁性元件被構(gòu)造為磁性地耦接另一條光纖的芯部的端部處的磁性元件。磁性元件形成由芯部限定的光傳輸路徑的部分。磁性元件是能夠光學(xué)傳輸?shù)牟⑶以试S光學(xué)信號從其穿過。
【專利說明】具有芯部對芯部對準(zhǔn)的光纖
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]此處描述的主題總體涉及光纖。
【背景技術(shù)】
[0002]光纖包括芯部，該芯部一般由玻璃或塑料形成并被構(gòu)造為通過其傳輸光學(xué)信號。包層包圍所述芯部。當(dāng)耦接光纖時，每條光纖的芯部必須對準(zhǔn)以使得來自第一光纖的光學(xué)信號能夠被傳輸?shù)降诙饫w。沒有使光纖的芯部適當(dāng)?shù)貙?zhǔn)可能導(dǎo)致從第一光纖到第二光纖的不適當(dāng)?shù)膫鬏?。特別地，光學(xué)信號的部分可能沒有從第一光纖傳輸?shù)降诙饫w。在光纖之間不適當(dāng)?shù)膫鬏斂赡軐?dǎo)致在傳輸光學(xué)信號時數(shù)據(jù)的丟失。
[0003]傳統(tǒng)的光纖可利用套箍使光纖對準(zhǔn)。其他的光纖使用V槽結(jié)構(gòu)使光纖對準(zhǔn)。替代地，一些光纖可在光纖的包層內(nèi)包括耦接機構(gòu)。然而，傳統(tǒng)的光纖并非沒有缺點。特別地，傳統(tǒng)的光纖僅相對于包層對準(zhǔn)。然而，使兩條光纖的包層對準(zhǔn)可能不會使其芯部對準(zhǔn)。例如，芯部可能沒有被相對于包層剛好中心地放置，這導(dǎo)致當(dāng)包層被對準(zhǔn)時芯部錯位。
[0004]此外，一些已知的光纖具有在與其他光纖或電子部件配合時在芯部之間存在間隙或間隔的問題。在芯部之間具有間隔會導(dǎo)致信號的減弱。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]這些問題通過提供根據(jù)權(quán)利要求1的與另一條光纖芯部對芯部對準(zhǔn)的光纖而得以解決。
[0006]根據(jù)本發(fā)明，光纖被設(shè)置為具有第一端和第二端。光纖包括用于將光學(xué)信號從第一端傳輸?shù)降诙说男静?。芯部具有位于第一端和第二端處的端部表面和置于圍繞芯部周邊的包層。磁性元件設(shè)置在第一端和第二端的端部表面處。磁性元件被構(gòu)造為磁性地將芯部耦接到另一條光纖的芯部的端部處的磁性元件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]現(xiàn)在將以示例的方式參考附圖描述本發(fā)明，所述附圖中:
[0008]圖1是根據(jù)實施例形成的光纖的側(cè)視圖；
[0009]圖2是根據(jù)實施例形成的光纖的端視圖；
[0010]圖3是根據(jù)實施例形成的光纖的端視圖；
[0011]圖4是根據(jù)實施例形成并根據(jù)實施例耦接的一對光纖的側(cè)視圖；
[0012]圖5是根據(jù)實施例形成并根據(jù)實施例耦接的一對光纖的側(cè)視圖；
[0013]圖6是根據(jù)實施例形成并根據(jù)實施例耦接的一對光纖的側(cè)視圖；
[0014]圖7是根據(jù)另一實施例形成的光纖的端視圖；
[0015]圖8是根據(jù)另一實施例形成并根據(jù)實施例耦接的一對光纖的側(cè)視圖；
[0016]圖9是根據(jù)另一實施例形成并根據(jù)另一實施例耦接的一對光纖的側(cè)視圖；
[0017]圖10是根據(jù)實施例形成并根據(jù)實施例耦接的光纖的示意性側(cè)視圖；[0018]圖11是根據(jù)示例性實施例形成的光纖的端部的側(cè)視圖；
[0019]圖12是根據(jù)另一示例性實施例形成的光纖的端部的側(cè)視圖。
【具體實施方式】
[0020]此處描述的示例性實施例包括光纖，該光纖具有被構(gòu)造為提供與另一條光纖或電子部件芯部對芯部對準(zhǔn)的耦接機構(gòu)。光纖包括芯部和包層。芯部被構(gòu)造為通過其傳輸光學(xué)信號。包層包圍芯部以防止光學(xué)信號從光纖逃逸。在示例性實施例中，光傳輸(lighttransmissive)磁性元件置于光纖的每個端部的芯部之上。磁性元件包含磁性材料。磁性元件是能夠光學(xué)傳輸?shù)?，并且使得光學(xué)信號能夠從其穿過。光纖通過使磁性元件與其他的光纖或電子部件的對應(yīng)的磁性元件接合而耦接到另一條光纖或電子部件。磁性元件耦接到芯部以保持光纖芯部的對準(zhǔn)。來自一條光纖的芯部的光學(xué)信號穿過磁性元件并進入其他光纖或電子部件的芯部。在示例性實施例中，光傳輸芯部延伸部設(shè)置在芯部的端部以確保芯部對芯部的對準(zhǔn)和接合。芯部延伸部在組裝時填充存在于光纖之間或光纖與電子部件之間的任何間隙。
[0021]圖1是根據(jù)實施例形成的光纖100的側(cè)視圖。光纖100在第一端102與第二端104之間延伸。光纖100的端部102、104被構(gòu)造為耦接到其他光纖和/或電子部件(未示出),比如娃光子芯片(silicon photonic chip)。光纖100包括芯部106,芯部106被構(gòu)造為通過其傳輸光學(xué)信號。例如，芯部106在第一端102與第二端104之間傳輸光學(xué)信號。芯部106接收來自于位于端部102、104中的一個處的電子部件或其他光纖的光學(xué)信號，并且將該信號傳輸?shù)搅硪粋€端部102、104。在另一個端部102、104，光學(xué)信號被傳輸?shù)搅硪粋€電子部件或其他光纖。芯部106可由硅玻璃、塑料材料和/或任何能夠傳輸光學(xué)信號的其他材料形成。芯部106包括位于第一端102的第一端表面103和位于第二端104的第二端表面105。
[0022]光纖100可以被摻雜以形成圍繞芯部106的包層108。包層108具有不同的折射率以將光反射回芯部106中并且沿著光纖100的長度防止光學(xué)信號從芯部106逃逸。芯部106和包層108可被諸如護套、防護鞘(armored sheth)等其他的層包圍以隔離和/或保護芯部106和包層108不被損壞。
[0023]光纖100包括位于第一和第二端部102、104的、提供與其他光纖100或電子部件的芯部對芯部對準(zhǔn)或接合的延伸部。在示例性實施例中，延伸部由位于第一端102的磁性元件110和位于第二端104的磁性元件112組成。磁性元件110、112可至少部分地覆蓋位于端部102、104的端部芯部106。磁性元件110、112被固定到芯部106。在示例性實施例中，磁性元件110、112以光傳遞的方式連結(jié)芯部106使得光可以通過磁性元件110、112傳輸?shù)叫静?06以及傳輸來自芯部106的光。磁性元件110、112從端部表面103、105延伸。在示例性實施例中，磁性元件110、112從光纖100相應(yīng)端部102、104延伸出一距離114。在替代實施例中，磁性元件可與光纖100的相應(yīng)端部102、104大致齊平。磁性元件110、112在替代實施例中可至少部分地覆蓋包層108。磁性元件110、112位于光纖100的芯部106的端部之上。磁性元件110、112可以是位于芯部106之上的層或涂層。磁性元件可形成芯部106的部分。在其他實施例中，延伸部可以不是磁性的，而是填充光纖100之間的任何空隙或間隙的額外的材料。例如，延伸部可以是從芯部106延伸的光傳輸環(huán)氧樹脂延伸部。延伸部(磁性或非磁性)可具有與芯部106大致相似的折射率。延伸部(磁性或非磁性)可在芯部106與包層108形成之后形成并通過不同的處理形成。
[0024]在示例性實施例中，磁性元件110、112可由環(huán)氧樹脂材料形成，在環(huán)氧樹脂材料中包含有磁性顆粒。在示例性形成/附接處理期間，光纖100的端部浸入環(huán)氧樹脂浴中并且UV光通過芯部106傳輸。環(huán)氧樹脂是可UV固化的環(huán)氧樹脂，并且通過芯部106的UV光導(dǎo)致環(huán)氧樹脂在芯部106的端部固化。對于具有非磁性延伸部的實施例，延伸部可以是在芯部106浸入環(huán)氧樹脂浴中時通過使UV光通過芯部106而生長在芯部106的端部上的可UV固化的環(huán)氧樹脂。曝光于環(huán)氧樹脂浴和/或UV光的時長決定延伸部的大小和/或長度。環(huán)氧樹脂可在替代實施例中通過其他裝置或處理附接到芯部106和/或包層108的端部。延伸部可以在形成到想要的長度后被修剪。
[0025]在示例性實施例中，磁體110、112暴露于磁場以在磁性元件110、112被固化之前使磁性材料極化。磁性元件110、112被極化以提供負(fù)極或正極中的至少一者。在一個實施例中，磁性元件110、112具有相反的極性。例如，磁性元件110具有正極而磁性元件112具有負(fù)極。替代地，磁性元件110可具有負(fù)極而磁性元件112可具有正極。在另一個實施例中，磁性元件110、112可具有相同的極性，正極或負(fù)極。磁性元件110、112使得光纖100能夠被耦接到其上具有磁性元件的另一條光纖或電子部件。特別地，磁性元件110、112耦接到具有相反的極性的其他光纖或電子部件的對應(yīng)的磁性元件。
[0026]在芯部106處或在該芯部106上具有磁性元件110、112使得能夠?qū)崿F(xiàn)光纖100的芯部對芯部的對準(zhǔn)。光纖的芯部106磁性地耦接在一起可改善光纖100之間的光學(xué)信號傳輸。此外，光纖100的芯部106的耦接在光纖100處于移動等得情況下時保持芯部106的對準(zhǔn)。對光纖100的芯部106的耦接，在甚至當(dāng)光纖100的其他部分沒有對準(zhǔn)時確保了芯部106的對準(zhǔn)。在示例性實施例中，磁性元件110、112使得光學(xué)信號能夠無障礙地通過其穿過。因而，光學(xué)信號從第一光纖100的芯部106穿過通過磁性元件110、112并進入第二光纖100的芯部106。光纖100的光傳輸通路被限定為通過第一端102處的第一磁性兀件110、通過芯部106和通過第二端104處的磁性元件112。在示例性實施例中，磁性元件110、112的折射率可以與芯部106的折射率相似。
[0027]圖2是光纖100的端視圖。圖2示出了端部102 ;然而，應(yīng)意識到的是，端部104 (在圖1中示出)可以大致類似于端部102。圖2示出了沒有磁性元件110的端部102。芯部106是柱體的形狀并且包括周邊116、直徑118和中心119。包層108圍繞芯部106的周邊116延伸。包層108具有厚度120?？梢赃x擇厚度120以提供光纖100預(yù)定的大小。
[0028]圖3是光纖100的端部102的視圖，所述端部上具有磁性元件110。磁性元件110具有周邊122和直徑124。在示出的實施例中，周邊122大約等于芯部106的周邊116(兩者都在圖2中示出)。在示出的實施例中，直徑124大約等于芯部106的直徑118(圖2中示出)。替代地，磁性元件110可以構(gòu)造有分別小于或大于芯部106的周邊116和直徑118的周邊122和直徑124。磁性元件110包括中心126。磁性元件110位于芯部106之上從而磁性元件110的中心126與芯部106的中心119(圖2中示出)對準(zhǔn)。因而，芯部106的中心119被構(gòu)造為當(dāng)磁性元件110耦接到另一條光纖對應(yīng)的磁性元件時與另一條光纖的芯部的中心對準(zhǔn)。
[0029]磁性元件110包括遍布其中的磁性材料128。例如，磁性材料128可以遍布于環(huán)氧樹脂或樹脂基體中。磁性材料128可以是納米顆粒。磁性材料128可以具有一定的大小并被間隔開以使得來自光纖100的芯部106的光學(xué)信號能夠從其穿過。磁性元件110是能夠光學(xué)傳輸?shù)囊栽试S光傳輸從其穿過。磁性元件110設(shè)置在傳輸通路中并且光穿過磁性元件110。磁性材料128可被極化以限定正極化或負(fù)極化的磁性元件110。磁性材料(例如，磁性顆粒)可包括鐵釹硼合金、鐵鎳鋁合金、鐵鈷合金、氧化鐵、鋇、鍶、氧化鉛等中的至少一種。例如，磁性材料128可以是在鐵鈷合金中的鐵鎳鋁合金。在另一個實施例中，磁性材料128可以是氧化鐵與鋇、鍶、或氧化鉛中的至少一種的混合物。
[0030]圖4是根據(jù)示例性實施例形成并且耦接到一起的一對光纖100的側(cè)視圖。該對光纖100包括第一光纖130和第二光纖132。第一光纖130具有芯部134。芯部134被在第一光纖130處的端部138的磁性元件136覆蓋。第二光纖132具有芯部140。芯部140被在第二光纖132的端部144處的磁性兀件142覆蓋。磁性兀件136、142彼此抵靠并且以光傳輸?shù)姆绞竭B結(jié)。磁性元件136具有第一極性而磁性元件142具有與第一極性相反的第二極性。這樣，磁性元件136和磁性元件142彼此吸引。
[0031]磁性元件136耦接到磁性元件142以將第一光纖130的芯部134耦接到第二光纖132的芯部140。芯部134和芯部140通過磁性元件136和142對準(zhǔn)。在一個實施例中，芯部134和芯部140相對于每個磁性元件136、142的中心146 (例如，圖3所示的中心126)和每個芯部134、140的中心148 (例如，圖2所示的中心119)對準(zhǔn)。使芯部134和140對準(zhǔn)以使得光學(xué)信號能夠在芯部134和140之間穿過。光學(xué)信號從芯部134或140中的一個穿過通過磁性元件136和142并進入另一個芯部134或140。
[0032]圖5是一對光纖130和132的側(cè)視圖，該對光纖具有耦接到其的密封構(gòu)件150。密封構(gòu)件150可以是由塑料、橡膠等形成的套筒。替代地，密封構(gòu)件150可以是熱收縮到光纖130和132上的熱收縮管。在另一個實施例中，密封構(gòu)件150可以是金屬套筒，聚合物模塑的套筒或可以壓接或夾持在光纖130和132的端部上的桿。密封構(gòu)件150延伸與光纖130和132兩者之上。例如，密封構(gòu)件150從第一光纖130的端部138延伸到第二光纖132的端部144。
[0033]密封構(gòu)件150可以向光纖130和132提供額外的支撐。例如，密封構(gòu)件150可以被設(shè)置為防止光纖130和132分開(例如，當(dāng)光纖130和132被移動或者如果力被施加到光纖130或132)。如果光纖被移動或受力，密封構(gòu)件150還可以防止磁性元件136、142的移動或錯位。密封構(gòu)件150還可以向光纖130和132提供保護層。例如，密封構(gòu)件限制和/或防止磁性兀件136和142暴露于環(huán)境中。這樣，磁性兀件136和142分別被保護不從光纖130和132的芯部134和140移除。在另一個實施例中，密封構(gòu)件150可分別保護磁性元件136和142和/或光纖130和132的芯部134和140不被損壞。此外，密封構(gòu)件150可防止對分別包圍光纖130和132的芯部134和140的包層152和154的損壞。在又一實施例中，密封構(gòu)件150可防止在光纖130和132之間傳輸?shù)墓鈱W(xué)信號通過磁性兀件136和142從光纖130和132逃逸。
[0034]在示出的實施例中，密封構(gòu)件150分別沿著光纖130和132的外表面156和158延伸。因而，間隙160可形成在磁性元件136、142與密封構(gòu)件150之間。
[0035]圖6是耦接有根據(jù)另一個實施例形成的密封構(gòu)件162的一對光纖130和132的側(cè)視圖。密封構(gòu)件162被構(gòu)造為密封間隙160(圖5中示出)。密封構(gòu)件162包括磁體密封部分164。磁體密封部分164分別從光纖130和132的外表面156和158徑向地向內(nèi)延伸。磁體密封部分164圍繞每個磁性元件136和142延伸。磁體密封部分164可防止磁性元件136、142相對于彼此和/或相對于相應(yīng)的光纖130、132的芯部134、140的移動。
[0036]密封構(gòu)件162可由圖5中討論的關(guān)于密封構(gòu)件150的任何材料形成。此外，密封構(gòu)件162可起到圖5中描述的關(guān)于密封構(gòu)件150的任何作用。
[0037]圖7是根據(jù)另一個實施例形成的光纖200的端視圖。光纖200包括芯部(未示出)，該芯部具有位于其周圍的包層204。磁性元件206位于芯部之上。磁性元件206可以是如上所述的任何適合的磁性元件。磁性元件206與芯部對準(zhǔn)。例如,如上所述,磁性元件206的中心208可與芯部的中心(未示出)對準(zhǔn)。磁性元件206包括遍布于其中的磁性顆粒210。磁性顆粒210被極化以向磁性元件206提供負(fù)極性或正極性中的一種。磁性元件206被構(gòu)造為使光纖200的芯部與另一條光纖的芯部對準(zhǔn)。
[0038]在示出的實施例中，包層204包括位于其中的附接機構(gòu)212。附接機構(gòu)212被構(gòu)造為提供光纖200相對于另一條光纖的額外的對準(zhǔn)。附接機構(gòu)用于與磁性元件206結(jié)合以使光纖200對準(zhǔn)。例如，磁性元件206提供光纖200相對于另一條光纖的芯部對芯部的對準(zhǔn)，而附接機構(gòu)212提供圍繞光纖200的芯部的額外的支撐。附接機構(gòu)212可有助于保持磁性元件206與另一條光纖的磁性元件的對準(zhǔn)。附接機構(gòu)212還可有助于保持芯部相對于另一條光纖的芯部的對準(zhǔn)。此外，附接機構(gòu)212可防止在至少一條光纖移動或受力時光纖200與另一條光纖的去耦(decouple)。例如，光纖200上的力可導(dǎo)致磁性元件206與另一條光纖的磁性元件脫離。附接機構(gòu)212可提供力以限制或防止磁性元件的去耦。
[0039]附接機構(gòu)212可形成為被構(gòu)造為耦接另一條光纖的磁性元件的磁性元件(如圖8所示)。替代地，附接機構(gòu)212可形成為被構(gòu)造為接合另一條光纖的對應(yīng)的機構(gòu)的銷或插孔(如圖9所示)。應(yīng)注意的是，附接機構(gòu)并不限制為磁性元件或銷和插孔。相反地，附接機構(gòu)可以是現(xiàn)有技術(shù)已知的任何適合的附接機構(gòu)。
[0040]圖8是根據(jù)實施例耦接的一對光纖200的側(cè)視圖。該對光纖200包括第一光纖220和第二光纖222。第一光纖220具有芯部224。芯部224在第一光纖220的端部228被磁性元件226覆蓋。第二光纖222具有芯部230。芯部230在第二光纖222的端部234被磁性元件232覆蓋。磁性元件226具有第一極性而磁性元件232具有與第一極性相反的第二極性。這樣，磁性元件226和磁性元件232彼此吸引。
[0041]磁性元件226耦接到磁性元件232以使第一光纖220的芯部240耦接到第二光纖222的芯部230。芯部224和芯部230通過磁性元件226和232對準(zhǔn)。在一個實施例中，芯部224和芯部230相對于每個磁性元件226、232的中心236 (例如，圖7中示出的中心208)和每個芯部224、230的中心238對準(zhǔn)。使芯部224和230對準(zhǔn)以使得光學(xué)信號能夠在芯部224和230之間穿過。光學(xué)信號從芯部224或230中的一個穿過，通過磁性元件226和232，并進入另一個芯部224或230。
[0042]光纖220包括附接機構(gòu)240 (例如，圖8中示出的附接機構(gòu)212)，并且光纖222包括附接機構(gòu)242 (例如，圖8中示出的附接機構(gòu)212)。在示出的實施例中，附接機構(gòu)240和242被構(gòu)造為磁性元件。替代地，附接機構(gòu)240和242可具有用于彼此耦接的任何其他適合的裝置。附接裝置240具有第一極性而附接裝置242具有與第一極性相反的第二極性。因而，附接機構(gòu)242被吸引到附接機構(gòu)242。附接機構(gòu)240耦接到附接機構(gòu)242以提供光纖220與光纖222之間額外的耦接。例如，附接機構(gòu)240、242可防止光纖220和222脫離。
[0043]附接機構(gòu)240和242圍繞相應(yīng)的光纖220和222的周邊延伸(如相對于圖7中示出的附接機構(gòu)212所示出的)。附接機構(gòu)240和242圍繞相應(yīng)的光纖220和222的周邊延伸以提供圍繞光纖220和222的周邊的耦接。此外，附接機構(gòu)240和242圍繞相應(yīng)的光纖220和222延伸以圍繞光纖220和222的相應(yīng)的芯部224和230的耦接。在一個實施例中，光纖220和222可被密封構(gòu)件，例如，圖5中示出的密封構(gòu)件150、圖6中示出的密封構(gòu)件162或任何其他適合的密封構(gòu)件密封。
[0044]圖9是根據(jù)另一個實施例耦接的光纖220和222的側(cè)視圖。光纖220包括附接機構(gòu)250 (例如，圖8中示出的附接機構(gòu)212)，并且光纖222包括附接機構(gòu)252 (例如，圖8中示出的附接機構(gòu)212)。附接機構(gòu)250形成為銷，而附接機構(gòu)252形成為插孔。附接機構(gòu)250被構(gòu)造為被接收在附接機構(gòu)252中。在一個實施例中，附接機構(gòu)250可包括肋、倒鉤等以產(chǎn)生與附接機構(gòu)252的過盈配合。在另一個實施例中，附接機構(gòu)250可以是漸縮的和/或具有大于附接機構(gòu)252的周邊的周邊。在這個實施例中，附接機構(gòu)250和/或附接機構(gòu)242是可變形的以產(chǎn)生其間的過盈配合。
[0045]附接機構(gòu)250從光纖220延伸出一長度254。該長度254大于磁性元件226和232的組合長度256。當(dāng)光纖220和222耦接時，附接機構(gòu)150延伸超過磁性元件226和232。附接機構(gòu)252延伸進入光纖222 —長度258。長度258被構(gòu)造為接收附接機構(gòu)250，同時允許磁性元件226和232的耦接。附接機構(gòu)250耦接到附接機構(gòu)252以提供光纖220和光纖222之間額外的耦接。例如，附接機構(gòu)250、252可防止光纖220與222脫離。
[0046]附接機構(gòu)250和252圍繞相應(yīng)的光纖220和222的周邊延伸(如相對于圖7中示出的附接機構(gòu)212所示出的)。附接機構(gòu)250和252圍繞相應(yīng)的光纖220和222的周邊延伸以提供圍繞光纖220和222的周邊的耦接。此外，附接機構(gòu)250和252圍繞相應(yīng)的光纖220和222延伸以圍繞光纖220和222的相應(yīng)的芯部224和230的耦接。在一個實施例中，光纖220和222可被密封構(gòu)件，例如，圖5中示出的密封構(gòu)件150、圖6中示出的密封構(gòu)件162或任何其他適合的密封構(gòu)件密封。
[0047]圖10是耦接到電子部件300的光纖100的示意性側(cè)視圖。電子部件300可以是用于接收光纖的任何適合的電子部件。在一個示例性實施例中，電子部件是硅光子芯片，然而在替代的實施例中可以使用其他類型的電子部件。電子部件300包括被構(gòu)造為接收光纖、電纜、電線、卡模塊等的接口 302。接口 302可以被安裝到電路板，例如，印刷電路板、母板、中平面電路板、背平面電路板等。在示出的實施例中，接口 302包括連接器304。連接器304被構(gòu)造為耦接到光纖100。連接器304包括光學(xué)芯部306，光學(xué)芯部306被構(gòu)造為在電子部件300的電氣部件308與光纖100之間接收和/或發(fā)送光學(xué)信號。
[0048]磁性元件310設(shè)置在連接器304中。磁性元件310設(shè)置在光學(xué)芯部306的端部。例如，磁性元件310的中心可以與光學(xué)芯部306的中心對準(zhǔn)。磁性元件310可相似于上述的磁性元件。例如，磁性元件310可包括環(huán)氧樹脂基體，磁性材料或顆粒遍布于在環(huán)氧樹脂基體中。磁性元件310是可光學(xué)地傳輸?shù)囊允沟霉鈱W(xué)信號穿過到光學(xué)芯部306或光學(xué)芯部306穿過。磁性元件310被極化以與光纖100的對應(yīng)的磁性元件磁性地連接。磁性材料(例如，磁性顆粒)可包括鐵釹硼合金、鐵鎳鋁合金、鐵鈷合金、氧化鐵、鋇、鍶、氧化鉛等中的至少一種。[0049]磁性元件310被極化以具有與光纖100的磁性元件110、112相反的極性。因而，光纖100的磁性元件110、112中的一個被吸引到電子部件300的磁性元件310。光纖100的磁性元件110、112耦接到電子部件300的磁性元件310以使光纖100的芯部106與電子部件300的光學(xué)芯部306對準(zhǔn)。磁性元件110、112和磁性元件310有助于光纖100與電子部件300之間的光學(xué)信號的傳輸。應(yīng)理解的是，光纖100和電子部件300還可包括其他附接機構(gòu)以在光纖100與電子部件300之間提供額外的支撐。
[0050]圖11是根據(jù)示例性實施例形成的光纖400的端部402的側(cè)視圖。光纖400包括芯部404，芯部404具有圍繞其周邊延伸的包層406。磁性元件408位于芯部404的端部410。包層406圍繞磁性元件408的周邊延伸。磁性元件408的端部412與光纖400的端部402齊平。磁性元件408的端部412與包層406的端部414齊平。在一個實施例中，磁性元件408是應(yīng)用到芯部404的端部410的磁性層。在一個實施例中，磁性元件408包覆芯部404的至少部分。在一個實施例中，磁性元件408被應(yīng)用到芯部404的暴露的表面。
[0051]圖12是根據(jù)另一個示例性實施例形成的光纖450的端部452的側(cè)視圖。光纖450包括芯部454，芯部454具有圍繞其周邊延伸的包層456。磁性元件458圍繞芯部454的部分至少部分地延伸。磁性元件458位于包層456與芯部454之間。磁性元件458的端部460與光纖450的端部452齊平。磁性元件458的端部460可以與芯部454的端部462和/或包層456的端部464齊平。在一個實施例中，磁性元件458是引用在芯部454的磁性層。在一個實施例中，磁性元件458包覆芯部454的至少部分。
[0052]所述多種實施例提供了具有磁性元件以提供與另一條光纖或電子部件芯部對芯部對準(zhǔn)的光纖。磁性元件設(shè)置在光纖的每個端部。磁性元件可以包含有顆粒形式的磁性材料，這些顆粒具有一定的大小并被隔開以使得光學(xué)信號穿過磁性元件。光纖通過使磁性元件與另一條光纖的磁性元件接合而耦接到另一條光纖。磁性元件耦接每條光纖的芯部以保持光纖芯部的對準(zhǔn)。光學(xué)信號的光傳輸路徑包括光纖的芯部和光纖的磁性元件。光纖還可設(shè)置有密封構(gòu)件和/或附接機構(gòu)以進一步將光纖固定在一起。
【權(quán)利要求】
1.一種光纖(100)，包括: 第一端(102)和第二端(104)，所述光纖在所述第一端和所述第二端之間延伸； 芯部(106)，其用于將光學(xué)信號從所述第一端傳輸?shù)剿龅诙耍鲂静吭诘谝缓偷诙司哂卸瞬勘砻?103、105)； 包層(108)，其置于所述芯部的周邊的周圍；和 磁性元件(110)，其在所述第一端和第二端的端部表面處，所述磁性元件被構(gòu)造為將所述芯部磁性地耦接到另一條光纖的芯部的端部處的磁性元件。
2.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)是具有磁性納米顆粒的磁性層，所述磁性層包覆所述芯部的對應(yīng)的端部表面(103、105)的至少部分。
3.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)是應(yīng)用到所述芯部的端部表面(103、105)的磁性層。
4.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)包含鐵釹硼合金、鐵鎳鋁合金、鐵鈷合金、氧化鐵、鋇、鍶、或氧化鉛中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)從所述芯部(106)延伸超過所述包層(108)的端部，所述磁性元件形成由所述芯部(106)限定的光傳輸路徑的部分。
6.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)設(shè)置在所述芯部(106)的暴露的表面上。
7.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述光纖和另一條光纖在耦接之后被熱收縮管密封。
8.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)由其中包含有磁性納米顆粒的環(huán)氧樹脂的基體形成，所述環(huán)氧樹脂被固化到所述芯部(106)的對應(yīng)的端部表面(103,105)。
9.如權(quán)利要求1所述的光纖(100)，其中所述磁性元件(110)是能夠光學(xué)傳輸?shù)牟⑶夷軌蚴构鈱W(xué)信號從其穿過。
【文檔編號】G02B6/26GK103907038SQ201280053103
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年10月27日
【發(fā)明者】A.K.安杰洛夫 申請人:泰科電子公司