用于機電系統(tǒng)反射式顯示裝置的匹配層薄膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供用于機電系統(tǒng)反射式顯示裝置的系統(tǒng)、方法及設備。在一個方面中，機電系統(tǒng)顯示裝置包含反射層及吸收器層。所述吸收器層與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔。所述吸收器層能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光，且包含金屬層。多個匹配層在所述吸收器層的背對所述腔的表面上，所述多個匹配層包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
【專利說明】用于機電系統(tǒng)反射式顯示裝置的匹配層薄膜
[0001]相關申請案
[0002]本申請案主張對標題為“用于機電系統(tǒng)反射式顯示裝置的匹配層薄膜(MATCHINGLAYER THIN-FILMS FOR AN ELECTROMECHANICAL SYSTEMS REFLECTIVE DISPLAY DEVICE)”且在2011年11月4日申請的第13/289，937號美國專利申請案(代理人檔案號QUALP088/102674)的優(yōu)先權，所述專利申請案特此引用的方式并入本文中。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明一般來說涉及機電系統(tǒng)(EMS)反射式顯示裝置，且更特定來說涉及EMS反射式顯示裝置的吸收器層上的材料層。
【背景技術】
[0004]機電系統(tǒng)(EMS)包含具有電及機械元件、致動器、換能器、傳感器、光學組件(包含鏡)及電子器件的裝置?？梢远喾N尺寸制造機電系統(tǒng)，包含但不限于微米尺寸及納米尺寸。舉例來說，微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有介于從大約一微米到數(shù)百微米或更大的范圍內的大小的結構。納米機電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(舉例來說，包含小于數(shù)百納米的大小)的結構?？墒褂贸练e、蝕刻、光刻及/或蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的部分或添加層以形成電裝置及機電裝置的其它微機械加工工藝形成機電元件。
[0005]一種類型的EMS裝置稱作干涉式調制器(MOD)。如本文中所用，術語干涉式調制器或干涉式光調制器是指使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射光的裝置。在一些實施方案中，干涉式調制器可包含一對導電板，所述對導電板中的一者或兩者可為全部或部分透明的及/或反射的且能夠在施加適當電信號時相對運動。在實施方案中，一個板可包含沉積于襯底上的固定層且另一板可包含通過氣隙與所述固定層分離的反射膜。一個板相對于另一板的位置可改變入射于干涉式調制器上的光的光學干涉。干涉式調制器裝置具有廣泛的應用，且預期用于改進現(xiàn)有產品及形成新產品，尤其是具有顯示能力的那些產品。
[0006]IMOD裝置或其它EMS反射式顯示裝置的一層(例如，固定層及/或反射膜)上的額外材料層可改變所述層的光學性質。舉例來說，可借助所述額外材料層修改一層的反射及/或吸收特性。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置各自具有數(shù)個創(chuàng)新性方面，所述方面中的單個方面均不單獨地決定本文中所揭示的所要屬性。
[0008]本發(fā)明中所描述的標的物的一個創(chuàng)新性方面可實施于一種包含反射層、吸收器層及多個匹配層的設備中。所述吸收器層可與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔。所述吸收器層可能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器層可包含金屬層。所述多個匹配層可在所述吸收器層的背對所述腔的表面上。所述多個匹配層可包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
[0009]在一些實施方案中，所述第一匹配層可具有第一厚度且所述第二匹配層可具有第二厚度。所述第一厚度及所述第二厚度可經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
[0010]在一些實施方案中，所述第一匹配層可包含具有第一折射率的第一材料，且所述第二匹配層可包含具有第二折射率的第二材料。所述第二折射率可大于所述第一折射率。
[0011]本發(fā)明中所描述的標的物的另一創(chuàng)新性方面可實施于一種包含反射層、吸收器層、第一匹配層及第二匹配層的設備中。所述吸收器層可與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔。所述吸收器層可能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器層可包含金屬層。所述第一匹配層可具有第一折射率且安置于所述吸收器層上。所述第二匹配層可具有第二折射率且安置于所述第一匹配層上。所述第二折射率可大于所述第一折射率。
[0012]在一些實施方案中，所述第一匹配層可具有第一厚度且所述第二匹配層可具有第二厚度。所述第一厚度及所述第二厚度可經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
[0013]在一些實施方案中，所述金屬層可包含釩、鉻、鎢、鎳或鑰-鉻合金中的至少一者。在一些實施方案中，所述反射層可經(jīng)配置而可移動以使所述腔的厚度變化。
[0014]本發(fā)明中所描述的標的物的另一創(chuàng)新性方面可實施于一種包含反射層、吸收器層及多個匹配層的設備中。所述吸收器層可與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔。所述吸收器層可能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光。所述吸收器層可包含金屬層。所述反射層可經(jīng)配置而可移動以使所述腔的厚度變化。所述多個匹配層可在所述吸收器層的背對所述腔的表面上。所述多個匹配層可包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
[0015]在一些實施方案中，所述第一匹配層可具有第一厚度且所述第二匹配層可具有第二厚度。所述第一厚度及所述第二厚度可經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
[0016]在一些實施方案中，所述金屬層可包含釩、鉻、鎢、鎳或鑰-鉻合金中的至少一者。在一些實施方案中，所述第一匹配層可包含二氧化硅、氟化鎂、氧化鋁或塑料中的至少一者。在一些實施方案中，所述第二匹配層可包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中的至少一者。
[0017]在隨附圖式及以下描述中闡明本說明書中所描述的標的物的一或多個實施方案的細節(jié)。雖然主要就基于機電系統(tǒng)(EMS)及微機電系統(tǒng)(MEMS)的顯示器描述本發(fā)明中所提供的實例，但本文中所提供的概念可適用于其它類型的顯示器，例如，液晶顯示器、有機發(fā)光二極管(“0LED”)顯示器及場發(fā)射顯示器。根據(jù)所述描述、圖式及權利要求書將明了其它特征、方面及優(yōu)點。注意，以下各圖的相對尺寸可能并未按比例繪制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1展示描繪干涉式調制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的實例。[0019]圖2展示圖解說明并入有3X3干涉式調制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0020]圖3展示圖解說明圖1的干涉式調制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。
[0021]圖4展示圖解說明當施加各種共用電壓及分段電壓時干涉式調制器的各種狀態(tài)的表的實例。
[0022]圖5A展示圖解說明在圖2的3X3干涉式調制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實例。
[0023]圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號及分段信號的時序圖的實例。
[0024]圖6A展示圖1的干涉式調制器顯示器的部分橫截面的實例。
[0025]圖6B到6E展示干涉式調制器的不同實施方案的橫截面的實例。
[0026]圖7展示圖解說明用于干涉式調制器的制造工藝的流程圖的實例。
[0027]圖8A到SE展示制作干涉式調制器的方法中的各種階段的橫截面示意性圖解的實例。
[0028]圖9及10展示EMS反射式顯示裝置的一部分的橫截面示意圖的實例。
[0029]圖11展示圖解說明用于EMS反射式顯示裝置的匹配層的制造工藝的流程圖的實例。
[0030]圖12A及12B展示針對由EMS反射式顯示裝置產生的調色板的色彩空間圖。
[0031]圖13展示由兩個EMS反射式顯示裝置(一個不包含匹配層且一個包含匹配層)產生的紅色色彩的光譜的曲線圖。
[0032]圖14A及14B展示圖解說明包含多個干涉式調制器的顯示裝置的系統(tǒng)框圖的實例。
[0033]在各個圖式中，相似的參考編號及標示指示相似的元件。
【具體實施方式】
[0034]以下描述出于描述本發(fā)明的創(chuàng)新性方面的目的而針對于某些實施方案。然而，所屬領域的技術人員將容易認識到，可以多種不同方式應用本文中的教示。所描述的實施方案可在可經(jīng)配置以顯示圖像(無論是處于運動(例如，視頻)還是靜止的(例如，靜止圖像)，且無論是文本、圖形的還是圖片的)的任一裝置或系統(tǒng)中實施。更特定來說，本發(fā)明預期:所描述的實施方案可包含于以下多種電子裝置中或可與所述電子裝置相關聯(lián):例如(但不限于)，移動電話、具有多媒體因特網(wǎng)能力的蜂窩式電話、移動電視接收器、無線裝置、智能電話、Bludoo丨h(huán)?.裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、無線電子郵件接收器、手持式或便攜式計算機、上網(wǎng)本、筆記本計算機、智能本、平板計算機、打印機、復印機、掃瞄儀、傳真裝置、GPS接收器/導航器、相機、MP3播放器、攝錄像機、游戲控制臺、手表、鐘表、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、電子閱讀裝置(即，電子閱讀器)、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(包含里程表及速度表顯示器等等)、駕駛艙控制件及/或顯示器、相機視圖顯示器(例如，車輛的后視相機的顯示器)、電子照片、電子告示牌或標牌、投影儀、建筑結構、微波爐、冰箱、立體聲系統(tǒng)、盒式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、無線電設備、便攜式存儲器芯片、洗衣機、干衣機、洗衣機/干衣機、停車計時器、封裝(例如，在機電系統(tǒng)(EMS)、微機電系統(tǒng)(MEMS)及非MEMS應用中)、美學結構(例如，一件珠寶上的圖像顯示器)及多種EMS裝置。本文中的教示還可用于非顯示應用中，例如(但不限于):電子切換裝置、射頻濾波器、傳感器、加速計、陀螺儀、運動感測裝置、磁力計、消費型電子器件的慣性組件、消費型電子產品的部件、變容二極管、液晶裝置、電泳裝置、驅動方案、制造工藝及電子測試設備。因此，所述教示并不打算限制于僅描繪于各圖中的實施方案，而是具有所屬領域的技術人員將容易明了的寬廣適用性。
[0035]EMS反射式顯示裝置的吸收器層本身可不具有適當電磁性質以實現(xiàn)EMS反射式顯示裝置的理想光譜選擇性吸收性質。由于所述吸收器層的色散特性，所述吸收器層的電磁阻抗可隨光的波長變化(例如，消光系數(shù)及折射率可隨光的波長變化)。特定來說，所述吸收器層的電磁阻抗的無功部分可賦予來自吸收器層的反射/穿過吸收器層的透射的變化，此轉換為來自EMS反射式顯示裝置的反射的光譜濾光特性的劣化。
[0036]本文中所描述的一些實施方案涉及EMS反射式顯示裝置的吸收器層上的材料層。在一些實施方案中，兩個或兩個以上材料層(也稱為匹配層)可形成于EMS反射式顯示裝置的吸收器層上。在一些實施方案中，安置于吸收器層上的第一匹配層可為低折射率材料。安置于第一匹配層上的第二匹配層可為高折射率材料。
[0037]舉例來說，在本文中所描述的一些實施方案中，EMS裝置包含反射層及吸收器層。所述吸收器層可與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔。取決于光的波長及所述反射層與所述吸收器層之間的間隔，所述吸收器層可完全、部分或根本不吸收光。所述吸收器層還可包含可提供所述吸收器層的吸收特性的金屬層。多個匹配層可在所述吸收器層的背對所述腔的表面上。所述多個匹配層可包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
[0038]可實施本發(fā)明中所描述的標的物的特定實施方案以實現(xiàn)以下潛在優(yōu)點中的一或多者。EMS反射式顯示裝置的吸收器層的表面上的兩個或兩個以上匹配層可改進EMS反射式顯示裝置的特定原色或完整原色集(即，紅色-綠色-藍色(RGB)色彩集)的色彩飽和度。兩個或兩個以上匹配層還可允許改進EMS反射式顯示裝置的白色狀態(tài)。
[0039]在吸收器層上面及下面包含匹配層的另一優(yōu)點可為在修整吸收器層的阻抗性質時提供額外設計自由度。所述匹配層還可允許通過將色散引入到間隙中而調整反射峰值之間的光譜間隔及振幅的某一自由度。此方面與實現(xiàn)高純度的紅色色彩有關，因為紅色反射光譜通常涉及從光譜的藍色部分的某一泄漏。
[0040]所描述的實施方案可適用于的適合EMS或MEMS裝置的實例為反射式顯示裝置。反射式顯示裝置可并入有用以使用光學干涉原理選擇性地吸收及/或反射入射于其上的光的干涉式調制器(IMOD)。IMOD可包含吸收器、可相對于所述吸收器移動的反射器及界定于所述吸收器與所述反射器之間的光學共振腔。所述反射器可移動到兩個或兩個以上不同位置，此可改變光學共振腔的大小且借此影響所述干涉式調制器的反射比。MOD的反射光譜可形成可跨越可見波長移位以產生不同色彩的相當寬的光譜帶?？赏ㄟ^改變光學共振腔的厚度(即，通過改變反射器的位置)來調整所述光譜帶的位置。
[0041]圖1展示描繪干涉式調制器(IMOD)顯示裝置的一系列像素中的兩個鄰近像素的等角視圖的實例。所述IMOD顯示裝置包含一或多個干涉式MEMS顯示元件。在這些裝置中，MEMS顯示元件的像素可處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“松弛”、“打開”或“接通”)狀態(tài)中，所述顯示元件將入射可見光的一大部分反射到(例如)用戶。相反地，在暗(“激活”、“關閉”或“關斷”)狀態(tài)中，所述顯示元件反射甚少的入射可見光。在一些實施方案中，可反轉接通與關斷狀態(tài)的光反射性質。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在特定波長下反射，從而允許除黑色及白色以外還進行彩色顯示。
[0042]IMOD顯示裝置可包含行/列MOD陣列。每一 IMOD可包含一對反射層，即，可移動反射層及固定部分反射層，所述對反射層以彼此相距可變且可控的距離進行定位以形成氣隙(還稱作光學間隙或腔)。所述可移動反射層可在至少兩個位置之間移動。在第一位置(即，松弛位置)中，可移動反射層可定位于距固定部分反射層相對大的距離處。在第二位置(即，激活位置)中，可移動反射層可更靠近于部分反射層而定位。取決于可移動反射層的位置，從兩個層反射的入射光可以相長或相消方式干涉，從而產生每一像素的總體反射或非反射狀態(tài)。在一些實施方案中，IMOD可在不被激活時處于反射狀態(tài)，從而反射在可見光譜內的光，且可在不被激活時處于暗狀態(tài)，從而反射在可見范圍之外的光(例如，紅外光)。然而，在一些其它實施方案中，IMOD可在不被激活時處于暗狀態(tài)且在被激活時處于反射狀態(tài)。在一些實施方案中，引入所施加電壓可驅動像素改變狀態(tài)。在一些其它實施方案中，所施加電荷可驅動像素改變狀態(tài)。
[0043]圖1中所描繪的像素陣列部分包含兩個鄰近的干涉式調制器12。在左側(如所圖解說明)的IM0D12中，將可移動反射層14圖解說明為處于距包含部分反射層的光學堆疊16預定距離處的松弛位置?？缭阶髠菼M0D12施加的電壓Vtl不足以致使可移動反射層14激活。在右側的IM0D12中，將可移動反射層14圖解說明為處于接近或鄰近光學堆疊16的激活位置?？缭接覀萂0D12施加的電壓Vbias足以使可移動反射層14維持處于激活位置。
[0044]在圖1中，用指示入射于像素12上的光及從左側M0D12反射的光15的箭頭13大體圖解說明像素12的反射性質。雖然未詳細地圖解說明，但所屬領域的技術人員將理解，入射于像素12上的光13的大部分將穿過透明襯底20朝向光學堆疊16透射。入射于光學堆疊16上的光的一部分將透射穿過光學堆疊16的部分反射層，且一部分將往回反射穿過透明襯底20。光13的透射穿過光學堆疊16的部分將在可移動反射層14處往回朝向(且穿過)透明襯底20反射。從光學堆疊16的部分反射層反射的光與從可移動反射層14反射的光之間的干涉(相長性或相消性)將確定從IM0D12反射的光15的波長。
[0045]光學堆疊16可包含單個層或數(shù)個層。所述層可包含電極層、部分反射且部分透射層及透明電介質層中的一或多者。在一些實施方案中，光學堆疊16為導電、部分透明且部分反射的，且可(舉例來說)通過將以上層中的一或多者沉積到透明襯底20上來制作。所述電極層可由多種材料形成，例如各種金屬，舉例來說，氧化銦錫(ITO)。所述部分反射層可由多種部分反射的材料形成，例如各種金屬，例如鉻(Cr)、半導體及電介質。所述部分反射層可由一或多個材料層形成，且所述層中的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施方案中，光學堆疊16可包含單個半透明厚度的金屬或半導體，其充當光學吸收器及導體兩者，同時(例如光學堆疊16或IMOD的其它結構的)不同的更多層或部分可用于在IMOD像素之間運送信號。光學堆疊16還可包含覆蓋一或多個導電層或導電/吸收層的一或多個絕緣或電介質層。
[0046]在一些實施方案中，可將光學堆疊16的層圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極，如下文進一步描述。如所屬領域的技術人員將理解，術語“圖案化”在本文中用于指掩蔽以及蝕刻工藝。在一些實施方案中，可將高度導電且反射的材料(例如鋁(Al))用于可移動反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極?？梢苿臃瓷鋵?4可形成為用以形成沉積于柱18及在柱18之間沉積的介入犧牲材料的頂部上的列的一個或若干所沉積金屬層的一系列平行條帶(正交于光學堆疊16的行電極)。當蝕刻掉所述犧牲材料時，可在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成經(jīng)界定間隙19或光學腔。在一些實施方案中，柱18之間的間隔可為約Ium到lOOOum，而間隙19可小于10，000埃(A)。
[0047]在一些實施方案中，所述MOD的每一像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動反射層形成的電容器。當不施加電壓時，可移動反射層14保持處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中左側的IM0D12所圖解說明，其中可移動反射層14與光學堆疊16之間具有間隙19。然而，當向選定行及列中的至少一者施加電位差(例如，電壓)時，在對應像素處的行電極與列電極的相交點處形成的電容器變得被充電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果所施加的電壓超過閾值，那么可移動反射層14可變形且移動而接近或抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內的電介質層(未展示)可防止短路且控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側的經(jīng)激活IM0D12所圖解說明。不管所施加電位差的極性如何，行為均相同。雖然在一些實例中可將陣列中的一系列像素稱作“行”或“列”，但所屬領域的技術人員將容易理解，將一個方向稱作“行”且將另一方向稱作“列”是任意的。重申，在一些定向中，可將行視為列，且將列視為行。此外，顯示元件可均勻地布置成正交的行與列(“陣列”)，或布置成非線性配置，舉例來說，相對于彼此具有某些位置偏移(“鑲嵌塊”)。術語“陣列”及“鑲嵌塊”可指代任一配置。因此，雖然將顯示器稱作包含“陣列”或“鑲嵌塊”，但在任一實例中，元件本身不需要彼此正交地布置或安置成均勻分布，而是可包含具有不對稱形狀及不均勻分布元件的布置。
[0048]圖2展示圖解說明并入有3X3干涉式調制器顯示器的電子裝置的系統(tǒng)框圖的實例。所述電子裝置包含可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件模塊的處理器21。除執(zhí)行操作系統(tǒng)以夕卜，處理器21還可經(jīng)配置以執(zhí)行一或多個軟件應用程序，包含web瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或其它軟件應用程序。
[0049]處理器21可經(jīng)配置以與陣列驅動器22通信。陣列驅動器22可包含將信號提供到(例如)顯示陣列或面板30的行驅動器電路24及列驅動器電路26。圖2中的線1-1展示圖1中所圖解說明的MOD顯示裝置的橫截面。雖然為清晰起見，圖2圖解說明3X3IM0D陣列，但顯示陣列30可含有極大數(shù)目個MOD且可在列中具有與在行中不同數(shù)目的M0D，且反之亦然。
[0050]圖3展示圖解說明圖1的干涉式調制器的可移動反射層位置對所施加電壓的圖的實例。對于MEMS干涉式調制器，行/列(即，共用/分段)寫入程序可利用圖3中所圖解說明的這些裝置的滯后性質。舉例來說，干涉式調制器可需要大約10伏電位差來致使可移動反射層或鏡從松弛狀態(tài)改變?yōu)榧せ顮顟B(tài)。當電壓從所述值減小時，隨著電壓回降到低于(例如)10伏，所述可移動反射層維持其狀態(tài)，然而，所述可移動反射層直到電壓下降到低于2伏才會完全松弛。因此，如圖3中所展示，存在約3伏到7伏的電壓范圍，在所述電壓范圍內存在所施加電壓窗，在所述窗內，裝置穩(wěn)定在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中。在本文中將此窗稱作“滯后窗”或“穩(wěn)定窗”。對于具有圖3的滯后特性的顯示陣列30，行/列寫入程序可經(jīng)設計以一次尋址一或多個行，使得在對給定行的尋址期間使經(jīng)尋址行中待激活的像素暴露于大約10伏的電壓差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在尋址之后，使像素暴露于穩(wěn)定狀態(tài)或約5伏的偏置電壓差使得其保持在先前選通狀態(tài)中。在此實例中，在被尋址之后，每一像素經(jīng)歷在大約3伏到7伏的“穩(wěn)定窗”內的電位差。此滯后性質特征使得例如圖1中所圖解說明的像素設計能夠在相同所施加電壓條件下保持穩(wěn)定在激活狀態(tài)或松弛預存狀態(tài)中。由于每一 MOD像素(無論是處于激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài))基本上均為由固定反射層及移動反射層形成的電容器，因此此穩(wěn)定狀態(tài)可保持在滯后窗內的穩(wěn)定電壓下而實質上不消耗或損失電力。此外，如果所施加的電壓電位保持實質上固定，那么基本上有甚少或無電流流動到IMOD像素中。
[0051]在一些實施方案中，可通過根據(jù)給定行中的像素的狀態(tài)的所要改變(如果有的話)沿著所述組列電極以“分段”電壓的形式施加數(shù)據(jù)信號來形成圖像的幀。可依次尋址所述陣列的每一行，使得一次一行地寫入所述幀。為了將所要數(shù)據(jù)寫入到第一行中的像素，可將對應于所述第一行中的像素的所要狀態(tài)的分段電壓施加于列電極上，且可將呈特定“共用”電壓或信號形式的第一行脈沖施加到第一行電極。接著，可使所述組分段電壓改變?yōu)閷诘诙兄械南袼氐臓顟B(tài)的所要改變(如果有的話)，且可將第二共用電壓施加到第二行電極。在一些實施方案中，第一行中的像素不受沿著列電極施加的分段電壓的改變影響，且保持于在第一共用電壓行脈沖期間其被設定到的狀態(tài)?？梢匝蚍绞结槍φ麄€系列的行或替代地針對整個系列的列重復此過程，以產生圖像幀。可通過以每秒某一所要數(shù)目的幀不斷地重復此過程來刷新所述幀及/或用新的圖像數(shù)據(jù)更新所述幀。
[0052]跨越每一像素所施加的分段與共用信號的組合(即，跨越每一像素的電位差)確定了每一像素的所得狀態(tài)。圖4展示圖解說明當施加各種共用電壓及分段電壓時干涉式調制器的各種狀態(tài)的表的實例。如所屬領域的技術人員將容易理解，可將“分段”電壓施加到列電極或行電極，且可將“共用”電壓施加到列電極或行電極中的另一者。
[0053]如在圖4中(以及在圖5B中所展示的時序圖中)所圖解說明，當沿著共用線施加釋放電壓VC.時，沿著共用線的所有干涉式調制器元件將被置于松弛狀態(tài)(或者稱作釋放或未激活狀態(tài))中，而不管沿著分段線所施加的電壓(即，高分段電壓VSh及低分段電壓VSl)如何。特定來說，當沿著共用線施加釋放電壓VC.時，在沿著所述像素的對應分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時，跨越調制器的電位電壓(或者稱作像素電壓)在松弛窗(參見圖3，也稱作釋放窗)內。
[0054]當將保持電壓(例如高保持電壓VCmD H或低保持電壓VCmD J施加于共用線上時，干涉式調制器的狀態(tài)將保持恒定。舉例來說，松弛IMOD將保持處于松弛位置，且激活IMOD將保持處于激活位置。所述保持電壓可經(jīng)選擇使得在沿著對應分段線施加高分段電壓VSh及低分段電壓V&兩者時，像素電壓將保持在穩(wěn)定窗內。因此，分段電壓擺幅(即，高VSh與低分段電壓VSlj之間的差)小于正穩(wěn)定窗或負穩(wěn)定窗的寬度。
[0055]當將尋址或激活電壓(例如高尋址電壓VCadd H或低尋址電壓VCadd J施加于共用線上時，可通過沿著相應分段線施加分段電壓選擇性地將數(shù)據(jù)寫入到沿著所述線的調制器。所述分段電壓可經(jīng)選擇使得所述激活取決于所施加的分段電壓。當沿著共用線施加尋址電壓時，施加一個分段電壓將導致穩(wěn)定窗內的像素電壓，從而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一分段電壓將導致超出所述穩(wěn)定窗的像素電壓，從而導致所述像素的激活。致使激活的特定分段電壓可取決于使用了哪一尋址電壓而變化。在一些實施方案中，當沿著共用線施加高尋址電壓VCadd H時，施加高分段電壓VSh可致使調制器保持處于其當前位置，而施加低分段電壓V&可致使所述調制器激活。作為推論，當施加低尋址電壓VCadi^時，分段電壓的影響可為相反的，其中高分段電壓VSh致使所述調制器激活，且低分段電壓對所述調制器的狀態(tài)無影響(即，保持穩(wěn)定)。
[0056]在一些實施方案中，可使用跨越調制器始終產生相同極性電位差的保持電壓、尋址電壓及分段電壓。在一些其它實施方案中，可使用使調制器的電位差的極性交替的信號?？缭秸{制器的極性的交替(即，寫入程序的極性的交替)可減少或抑制在單個極性的重復寫入操作之后可能發(fā)生的電荷積累。
[0057]圖5A展示圖解說明圖2的3X3干涉式調制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)幀的圖的實例。圖5B展示可用于寫入圖5A中所圖解說明的顯示數(shù)據(jù)幀的共用信號及分段信號的時序圖的實例。可將所述信號施加到圖2的(例如)3X3陣列，此將最終產生圖5A中所圖解說明的線時間60e的顯示布置。圖5A中的經(jīng)激活調制器處于暗狀態(tài)，即，其中反射光的實質部分在可見光譜之外，以便給(例如)觀看者產生暗外觀。在寫入圖5A中所圖解說明的幀之前，所述像素可處于任一狀態(tài)，但圖5B的時序圖中所圖解說明的寫入程序假定在第一線時間60a之前每一調制器已被釋放且駐存于未激活狀態(tài)中。[0058]在第一線時間60a期間，將釋放電壓70施加于共用線I上；施加于共用線2上的電壓以高保持電壓72開始且移動到釋放電壓70 ;且沿著共用線3施加低保持電壓76。因此，沿著共用線I的調制器(共用1，分段I)、(1,2)及(1，3)在第一線時間60a的持續(xù)時間內保持處于松弛或未激活狀態(tài)，沿著共用線2的調制器(2，I)、(2,2)及(2，3)將移動到松弛狀態(tài)，且沿著共用線3的調制器(3，I)、(3,2)及(3，3)將保持處于其先前狀態(tài)。參考圖4，沿著分段線1、2及3施加的分段電壓將對干涉式調制器的狀態(tài)無影響，因為在線時間60a期間，共用線1、2或3中的任一者均未暴露于致使激活的電壓電平(即，VCeel-松弛及VChold l-穩(wěn)定)。
[0059]在第二線時間60b期間，共用線I上的電壓移動到高保持電壓72，且由于未將尋址或激活電壓施加于共用線I上，因此不管所施加的分段電壓如何，沿著共用線I的所有調制器均保持處于松弛狀態(tài)。沿著共用線2的調制器因釋放電壓70的施加而保持處于松弛狀態(tài)，且當沿著共用線3的電壓移動到釋放電壓70時，沿著共用線3的調制器(3，I)、(3,2)? (3,3)將松弛。
[0060]在第三線時間60c期間，通過將高尋址電壓74施加于共用線I上來尋址共用線
I。由于在施加此尋址電壓期間沿著分段線I及2施加低分段電壓64，因此跨越調制器(1，I)及(1，2)的像素電壓大于調制器的正穩(wěn)定窗的高端(即，電壓差超過預定義閾值)，且激活調制器(1，1)及(1，2)。相反地，由于沿著分段線3施加高分段電壓62，因此跨越調制器(1,3)的像素電壓小于調制器(1，1)及(1，2)的像素電壓，且保持在所述調制器的正穩(wěn)定窗內；調制器(1，3)因此保持松弛。此外，在線時間60c期間，沿著共用線2的電壓減小到低保持電壓76，且沿著共用線3的電壓保持處于釋放電壓70，從而使沿著共用線2及3的調制器處于松弛位置。
[0061]在第四線時間60d期間，共用線I上的電壓返回到高保持電壓72，從而使沿著共用線I上的調制器處于其相應經(jīng)尋址狀態(tài)。將共用線2上的電壓減小到低尋址電壓78。由于沿著分段線2施加高分段電壓62，因此跨越調制器(2，2)的像素電壓低于所述調制器的負穩(wěn)定窗的較低端，從而致使調制器(2，2)激活。相反地，由于沿著分段線I及3施加低分段電壓64，因此調制器(2，I)及(2，3)保持處于松弛位置。共用線3上的電壓增加到高保持電壓72，從而使沿著共用線3的調制器處于松弛狀態(tài)中。
[0062]最后，在第五線時間60e期間，共用線I上的電壓保持處于高保持電壓72，且共用線2上的電壓保持處于低保持電壓76，從而使沿著共用線I及2的調制器處于其相應經(jīng)尋址狀態(tài)。共用線3上的電壓增加到高尋址電壓74以尋址沿著共用線3的調制器。在將低分段電壓64施加于分段線2及3上時，調制器(3，2)及(3，3)激活，而沿著分段線I所施加的高分段電壓62致使調制器(3，I)保持處于松弛位置。因此，在第五線時間60e結束時，3X3像素陣列處于圖5A中所展示的狀態(tài)，且只要沿著共用線施加保持電壓就將保持處于所述狀態(tài)，而不管可能在正尋址沿著其它共用線(未展示)的調制器時發(fā)生的分段電壓的變化如何。
[0063]在圖5B的時序圖中，給定寫入程序(B卩，線時間60a到60e)可包含高保持及尋址電壓或低保持及尋址電壓的使用。一旦已針對給定共用線完成寫入程序(且將共用電壓設定為具有與激活電壓相同的極性的保持電壓)，所述像素電壓便保持在給定穩(wěn)定窗內，且不通過松弛窗，直到將釋放電壓施加于所述共用線上為止。此外，由于每一調制器是在尋址所述調制器之前作為寫入程序的一部分而釋放，因此調制器的激活時間而非釋放時間可確定必要線時間。具體來說，在其中調制器的釋放時間大于激活時間的實施方案中，可將釋放電壓施加達長于單個線時間，如在圖5B中所描繪。在一些其它實施方案中，沿著共用線或分段線所施加的電壓可變化以考慮到不同調制器(例如不同色彩的調制器)的激活及釋放電壓的變化。
[0064]根據(jù)上文所闡明的原理操作的干涉式調制器的結構的細節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖6A到6E展示包含可移動反射層14及其支撐結構的干涉式調制器的不同實施方案的橫截面的實例。圖6A展示圖1的干涉式調制器顯示器的部分橫截面的實例，其中金屬材料條帶(即，可移動反射層14)沉積于從襯底20正交延伸的支撐件18上。在圖6B中，每一IMOD的可移動反射層14的形狀為大體正方形或矩形且在拐角處或接近拐角處經(jīng)由系鏈32附接到支撐件。在圖6C中，可移動反射層14的形狀為大體正方形或矩形且懸掛于可變形層34上，可變形層34可包含柔性金屬?？勺冃螌?4可圍繞可移動反射層14的周界直接或間接地連接到襯底20。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖6C中所展示的實施方案具有源于可移動反射層14的光學功能與其機械功能(其由可變形層34來實施)解耦合的額外益處。此解耦合允許用于反射層14的結構設考慮到材料與用于可變形層34的結構設考慮到材料彼此獨立地進行優(yōu)化。
[0065]圖6D展不IMOD的另一實例,其中可移動反射層14包含反射子層14a?？梢苿臃瓷鋵?4靠在支撐結構(例如，支撐柱18)上。支撐柱18提供可移動反射層14與下部固定電極(即，所圖解說明的IMOD中的光學堆疊16的一部分)的分離，使得(舉例來說)當可移動反射層14處于松弛位置時，在可移動反射層14與光學堆疊16之間形成間隙19。可移動反射層14還可包含可經(jīng)配置以充當電極的導電層14c及支撐層14b。在此實例中，導電層14c安置于支撐層14b的遠離襯底20的一側上，且反射子層14a安置于支撐層14b的接近于襯底20的另一側上。在一些實施方案中，反射子層14a可為導電的且可安置于支撐層14b與光學堆疊16之間。支撐層14b可包含電介質材料(舉例來說，氧氮化硅(SiON)或二氧化硅(SiO2))的一或多個層。在一些實施方案中，支撐層14b可為若干層的堆疊，例如，Si02/Si0N/Si02三層堆疊。反射子層14a及導電層14c中的任一者或兩者可包含(例如)具有大約0.5%銅(Cu)的鋁(Al)合金或另一反射金屬材料。在電介質支撐層14b上方及下方采用導體層14a、14c可平衡應力且提供增強的傳導性。在一些實施方案中，可出于多種設計目的(例如實現(xiàn)可移動反射層14內的特定應力分布曲線)而由不同材料形成反射子層14a及導電層14c。
[0066]如在圖6D中所圖解說明，一些實施方案還可包含黑色掩模結構23。黑色掩模結構23可形成于光學非作用區(qū)(例如在像素之間或在柱18下方)中以吸收環(huán)境光或雜散光。黑色掩模結構23還可通過抑制光從顯示裝置的非作用部分反射或透射穿過所述部分借此增加對比度來改進所述顯示器的光學性質。另外，黑色掩模結構23可為導電的且經(jīng)配置以充當電運送層。在一些實施方案中，可將行電極連接到黑色掩模結構23以減小所連接行電極的電阻。可使用包含沉積及圖案化技術的多種方法來形成黑色掩模結構23。黑色掩模結構23可包含一或多個層。舉例來說，在一些實施方案中，黑色掩模結構23包含充當光學吸收器的鑰-鉻(MoCr)層、SiO2層及充當反射器及運送層的鋁合金，其分別具有在大約30 A
到80 A>500 A到丨000 A及500人到6000 A的范圍中的厚度?？墒褂枚喾N技術來圖案化所述一或多個層，包含光刻及干蝕刻，舉例來說，所述干蝕刻包含用于MoCr及SiO2層的四氟化碳(CF4)及/或氧氣(O2)以及用于鋁合金層的氯氣(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些實施方案中，黑色掩模23可為標準具或干涉式堆疊結構。在此些干涉式堆疊黑色掩模結構23中，導電吸收器可用于在每一行或列的光學堆疊16中的下部固定電極之間傳輸或運送信號。在一些實施方案中，間隔件層35可用于將吸收器層16a與黑色掩模23中的導電層大體電隔尚。
[0067]圖6E展示MOD的另一實例，其中可移動反射層14為自支撐的。與圖6D相比，圖6E的實施方案不包含支撐柱18。而是，可移動反射層14在多個位置處接觸下伏光學堆疊16，且可移動反射層14的曲率提供足夠的支撐使得可移動反射層14在跨越干涉式調制器的電壓不足以致使激活時返回到圖6E的未激活位置。為清晰所見，此處將可含有多個數(shù)種不同層的光學堆疊16展示為包含光學吸收器16a及電介質16b。在一些實施方案中，光學吸收器16a可充當固定電極及部分反射層兩者。
[0068]在例如圖6A到6E中所展示的實施方案的實施方案中，MOD充當直視裝置，其中從透明襯底20的前側(即，與其上布置有調制器的側相對的側)觀看圖像。在這些實施方案中，可對所述裝置的背面部分(即，所述顯示裝置的在可移動反射層14后面的任一部分，舉例來說，包含圖6C中所圖解說明的可變形層34)進行配置及操作而不影響或負面地影響顯示裝置的圖像質量，因為反射層14光學屏蔽所述裝置的所述部分。舉例來說，在一些實施方案中，可在可移動反射層14后面包含總線結構(未圖解說明)，其提供將調制器的光學性質與調制器的機電性質(例如電壓尋址及由此尋址產生的移動)分離的能力。另外，圖6A到6E的實施方案可簡化處理(例如，圖案化)。
[0069]圖7展示圖解說明用于干涉式調制器的制造工藝80的流程圖的實例，且圖8A到SE展示此制造工藝80的對應階段的橫截面示意性圖解的實例。在一些實施方案中，除圖7中未展示的其它框以外，制造工藝80也可經(jīng)實施以制造(例如)圖1及6中所圖解說明的一般類型的干涉式調制器。參考圖1、6及7，工藝80在框82處開始，其中在襯底20上方形成光學堆疊16。圖8A圖解說明在襯底20上方形成的此光學堆疊16。襯底20可為透明襯底(例如玻璃或塑料)，其可為柔性的或相對剛性且不易彎曲的，且可能已經(jīng)受先前準備工藝，例如，用以促進有效地形成光學堆疊16的清潔。如上文所論述，光學堆疊16可為導電、部分透明且部分反射的且可(舉例來說)通過將具有所要性質的一或多個層沉積到透明襯底20上來制作。在圖8A中，光學堆疊16包含具有子層16a及16b的多層結構，但在一些其它實施方案中可包含更多或更少的子層。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可經(jīng)配置而具有光學吸收及導電性質兩者，例如組合式導體/吸收器子層16a。另外，可將子層16a、16b中的一或多者圖案化成若干平行條帶，且其可在顯示裝置中形成行電極?？赏ㄟ^掩蔽及蝕刻工藝或此項技術中已知的另一適合工藝來執(zhí)行此圖案化。在一些實施方案中，子層16a、16b中的一者可為絕緣或電介質層，例如沉積于一或多個金屬層(例如，一或多個反射及/或導電層)上方的子層16b。另外，可將光學堆疊16圖案化成形成顯示器的行的個別且平行條帶。
[0070]工藝80在框84處繼續(xù)在光學堆疊16上方形成犧牲層25。稍后移除犧牲層25 (例如，在框90處)以形成腔19且因此在圖1中所圖解說明的所得干涉式調制器12中未展示犧牲層25。圖SB圖解說明包含形成于光學堆疊16上方的犧牲層25的經(jīng)部分制作的裝置。在光學堆疊16上方形成犧牲層25可包含以經(jīng)選擇以在隨后移除之后提供具有所要設計大小的間隙或腔19 (還參見圖1及SE)的厚度沉積二氟化氙(XeF2)可蝕刻材料，例如鑰(Mo)或非晶硅(Si)?？墒褂美缥锢須庀喑练e(PVD，例如，濺鍍)、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、熱化學氣相沉積(熱CVD)或旋涂等沉積技術來實施犧牲材料的沉積。
[0071]工藝80在框86處繼續(xù)形成支撐結構，例如如圖1、6及8C中所圖解說明的柱18。形成柱18可包含以下步驟:圖案化犧牲層25以形成支撐結構孔口，接著使用例如PVD、PECVD、熱CVD或旋涂等沉積方法將材料(例如，聚合物或無機材料，例如二氧化硅)沉積到所述孔口中以形成柱18。在一些實施方案中，形成于犧牲層中的支撐結構孔口可延伸穿過犧牲層25及光學堆疊16兩者而到達下伏襯底20，使得柱18的下部端接觸襯底20，如在圖6A中所圖解說明?；蛘?，如在圖SC中所描繪，形成于犧牲層25中的孔口可延伸穿過犧牲層25，但不穿過光學堆疊16。舉例來說，圖SE圖解說明支撐柱18的下部端與光學堆疊16的上部表面接觸?？赏ㄟ^將支撐結構材料層沉積于犧牲層25上方并進行圖案化以移除支撐結構材料的位于遠離犧牲層25中的孔口處的部分來形成柱18或其它支撐結構。所述支撐結構可位于所述孔口內，如在圖8C中所圖解說明，但還可至少部分地延伸到犧牲層25的一部分上方。如上文所提及，犧牲層25及/或支撐柱18的圖案化可通過圖案化及蝕刻工藝來執(zhí)行,但也可通過替代蝕刻方法來執(zhí)行。
[0072]工藝80在框88處繼續(xù)形成可移動反射層或膜，例如圖1、6及8D中所圖解說明的可移動反射層14。可通過采用一或多個沉積工藝(例如，反射層(例如，鋁、鋁合金)沉積)連同一或多個圖案化、掩蔽及/或蝕刻工藝來形成可移動反射層14?？梢苿臃瓷鋵?4可為導電的且稱作導電層。在一些實施方案中，可移動反射層14可包含如圖8D中所展示的多個子層14a、14b、14c。在一些實施方案中，所述子層中的一或多者(例如子層14a、14c)可包含針對其光學性質選擇的高度反射子層，且另一子層14b可包含針對其機械性質選擇的機械子層。由于犧牲層25仍存在于在框88處形成的經(jīng)部分制作的干涉式調制器中，因此可移動反射層14在此階段處通常不可移動。在本文中還可將含有犧牲層25的經(jīng)部分制作的MOD稱作“未釋放”頂0D。如上文結合圖1所描述，可將可移動反射層14圖案化成形成顯示器的列的個別且平行條帶。
[0073]工藝80在框90處繼續(xù)形成腔，例如，如圖1、6及8E中所圖解說明的腔19?？赏ㄟ^將犧牲材料25 (在框84處沉積)暴露于蝕刻劑來形成腔19。舉例來說，可通過干化學蝕刻(例如，通過將犧牲層25暴露于氣態(tài)或蒸氣蝕刻劑，例如得自固體XeF2的蒸氣)達有效地移除所要的材料量的時間周期來移除可蝕刻犧牲材料(例如Mo或非晶Si)，通常相對于環(huán)繞腔19的結構選擇性地移除所述犧牲材料。還可使用可蝕刻犧牲材料與蝕刻方法的其它組合，例如，濕蝕刻及/或等離子蝕刻。由于在框90期間移除了犧牲層25，因此可移動反射層14在此階段之后通?？梢苿?。在移除犧牲層25之后，在本文中可將所得的經(jīng)完全或部分制作的頂OD稱作“經(jīng)釋放” MOD。
[0074]IMOD或其它EMS反射式顯示裝置的反射光譜可形成可跨越可見光譜的波長移位以產生不同色彩的相對寬光譜帶。可見光譜(即，人類可感知的波長范圍)介于從約390納米(nm)到約750nm的范圍內。在可見光譜內，光譜中的色彩的近似波長如下:紅色,約700nm 到 635nm ;澄色，約 635nm 到 590nm ;黃色，約 590nm 到 560nm ;綠色，約 560nm 到 490nm ；藍色，約490nm到450nm ;及紫色,約450nm到400nm。如上文所提及，可通過改變光學腔的厚度來調整光譜帶的針對MOD或其它EMS反射式顯示裝置的位置。此可通過改變可移動反射層的位置來實現(xiàn)。
[0075]取決于吸收器層(也稱為部分反射層)的材料，可存在在MOD或其它EMS反射式顯示裝置的原色設定(即，紅色、綠色及藍色(RGB))下增加色域且產生良好飽和度的吸收器層的厚度。色域指代可潛在地由裝置顯示的色彩的各種水平。飽和度指代色彩中的色相的優(yōu)勢度或指代色彩的純度如何。舉例來說，完全飽和藍色可為純藍色色彩。
[0076]然而，由一些EMS反射式顯示裝置造成的一個問題是不良紅色色彩(即，約700nm到635nm)性能。舉例來說，為了借助EMS反射式顯示裝置獲得紅色色彩，可定位反射層使得由透射穿過吸收器層的光及從反射層反射的光形成的駐波具有其中定位吸收器層的處于紅色色彩波長的一半(即，700nm到635nm的約一半)的第一節(jié)點。紅色色彩波長可經(jīng)歷最小吸收且顯示器可反射紅色色彩。然而，紅色色彩波長的第一節(jié)點與藍色色彩的第二節(jié)點的一部分重合，此可損壞由EMS反射式顯示裝置產生的紅色色彩的飽和度。
[0077]一或多個匹配層可包含于吸收器層上且可改進EMS反射式顯示裝置的紅色色彩性能。借助一或多個匹配層中的每一者的特定厚度，可修改由EMS反射式顯示裝置產生的光干涉。舉例來說，一或多個匹配層可減少來自吸收器層的外來反射。此可增加可通過所反射光與所透射光之間的相消干涉損壞所要色彩的飽和度的色彩的吸收(且因此，減少反射)。因此，可實現(xiàn)特定原色或完整原色集(即，RGB色彩集)的色彩飽和度的增強。
[0078]當單個匹配層包含于吸收器層上時，可使所述匹配層的厚度變化以修改光的振幅及相位兩者。此可減少來自EMS反射式顯示裝置的“損壞”色彩的反射(且因此，增加吸收)。在單個匹配層的情況中，所述匹配層的折射率可為約(Ii1Xn2)1'其中Ii1為吸收器層的折射率且112為所述匹配層上面的入射介質(例如，玻璃或空氣)的折射率。然而，使單個匹配層的厚度變化可不提供優(yōu)化光的振幅及相位兩者的充分自由度。
[0079]吸收器層上的兩個或兩個以上匹配層可提供用于修改光的振幅及相位的額外自由度。在一個以上匹配層的情況中，可在吸收器層上沉積高折射率匹配層及低折射率匹配層。在一些實施方案中，低折射率匹配層可與吸收器接觸且高折射率匹配層可與入射介質(例如，玻璃或空氣)接觸。
[0080]圖9及10展示EMS反射式顯示裝置的一部分的橫截面示意圖的實例。首先轉向圖9，EMS反射式顯示裝置900包含反射層902及吸收器層906，其中反射層902及吸收器層906界定腔或間隙904。第一匹配層908安置于吸收器層906的背對所述腔的表面上。第二匹配層910安置于第一匹配層908上。
[0081]EMS反射式顯示裝置900的吸收器層906可由部分吸收且部分反射的多種材料形成，例如各種金屬，包含鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、釩(V)及鑰-鉻(MoCr)合金。在一些實施方案中，吸收器層906可小于約20nm厚。在一些其它實施方案中，吸收器層906可比約20nm厚。在一些實施方案中，吸收器層可包含染料或嵌入于主體基質中的納米粒子。
[0082]在一些其它實施方案中，吸收器層906可包含借助電介質間隔件分離的部分吸收且部分反射的兩種材料。此吸收器層的厚度可為與包含部分吸收且部分反射的單個材料層的吸收器層約相同的厚度?？烧{整此吸收器層(例如，吸收器層的材料及材料的厚度)以對EMS反射式顯示裝置的反射特性做出小的改變。
[0083]在EMS反射式顯示裝置900的一些實施方案中，第一匹配層908可包含低折射率材料且第二匹配層910可包含高折射率材料。也就是說，在一些實施方案中，第二匹配層910的材料可具有大于第一匹配層908的材料的折射率的折射率。材料的折射率是對所述材料中的光速的度量。低折射率材料的實例包含氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋁(Al2O3)、其它電介質材料及不同塑料。低折射率塑料的實例包含各種聚合物材料,包含如丙烯酸酯。高折射率材料的實例包含氧化鈦(TiO2)、氧氮化硅(SiON)、氮化硅(Si3N4)、二氧化鋯(ZrO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氧化銻(Sb2O3)及其它電介質材料。
[0084]匹配層中的每一者具有一厚度?？梢?guī)定所述匹配層的厚度使得修改從吸收器層906反射的光的振幅及相位以及透射穿過吸收器層906的光的振幅及相位以更改或改進EMS反射式顯示裝置900的RGB色彩飽和度。在一些實施方案中，第一匹配層908及第二匹配層910的光學厚度可為第一匹配層中的所關注波長的約四分之一以減少來自吸收器層的菲涅耳反射。在一些實施方案中，可規(guī)定第一匹配層908及第二匹配層910的厚度以通過相消干涉抑制亂真波長(即，并非所關注的或在可見光譜的優(yōu)選范圍之外的波長)。在一些實施方案中，可規(guī)定第一匹配層908及第二匹配層910的厚度以通過相長干涉增加所關注波長。因此，匹配層的厚度部分地取決于所述匹配層的折射率。對于可見光，在一些實施方案中，第一匹配層908及第二匹配層910的厚度中的每一者可為約4nm到120nm或約120nm 到 170nm。
[0085]第一匹配層908及第二匹配層910的厚度還可取決于吸收器層906的色散性質及厚度以及匹配層908及910中的每一者的色散性質。此外，匹配層908及910中的每一者的厚度可取決于EMS裝置的設計，包含反射層902及吸收器層906上的任何鈍化層(如果存在)的厚度及色散性質。名義上，在考慮匹配層的折射率之后，匹配層的厚度可為所關注波長的約四分之一。
[0086]匹配層的這些厚度可減少來自吸收器層的菲涅耳反射。在一些其它實施方案中，匹配層的厚度可大于或小于匹配層中的所關注波長的四分之一。此可由于相消干涉可包含所有反射，且匹配層的這些厚度可減少特定波長帶的亂真反射?？稍诳紤]到匹配層的色散以及吸收器層本身的色散之后確定用于匹配層的適當厚度。
[0087]現(xiàn)轉到圖10，圖10展示EMS反射式顯示裝置的一部分的橫截面示意圖的另一實例。EMS反射式顯示裝置1000包含反射層1002及吸收器層1006。反射層1002及吸收器層1006界定腔或間隙1004。第一匹配層1008安置于吸收器層1006的背對所述腔的表面
上。第二匹配層1010安置于第一匹配層1008上。
[0088]所述EMS反射式顯示裝置進一步包含安置于吸收器層1006的面向所述腔的表面上的電介質層1012。在一些實施方案中，電介質層1012可為氧化鋁(Al2O3)。在一些其它實施方案中，電介質層1012可為Ta2O5、氧化鉿(HfO2)或氮化鋁(AlN)。在一些實施方案中，電介質層1012可小于約5nm厚、約9nm厚或約5nm到15nm厚。在一些實施方案中，電介質層1012可用于鈍化吸收器層1006或有助于防止EMS反射式顯示裝置1000中的靜摩擦。電介質層1012還可用于保護吸收器層1006免受用于從EMS反射式顯示裝置1000移除犧牲材料的蝕刻劑的影響及/或充當在EMS反射式顯示裝置的制造工藝期間的蝕刻停止件。
[0089]在一些實施方案中，包含電介質層1012、吸收器層1006、第一匹配層1008及第二匹配層1010的吸收器組合件可在襯底1014上。襯底1014可為透明襯底，例如，玻璃(例如，顯示玻璃或硼硅玻璃)或塑料，且襯底1014可為柔性的或相對剛性且不易彎曲的。在一些實施方案中，玻璃襯底可為約400微米到1000微米厚，或約700微米厚。
[0090]在一些實施方案中，吸收器層1006可為可約7.5nm厚的釩(V)。關于此吸收器層1006，第一匹配層1008可為約27nm厚的SiO2層。第二匹配層1010可為約22nm厚的Si3N4層。規(guī)定釩吸收器層與第一 SiO2匹配層1008及第二 Si3N4匹配層1010的組合的這些厚度以改進EMS反射式顯示裝置1000的RGB色彩飽和度。吸收器層1006、第一匹配層1008及第二匹配層1010的此組合可(例如)通過當腔1004在用于反射紅色光的位置中時減少亂真藍色-綠色光來改進紅色色彩飽和度。在一些其它實施方案中，其它材料可用于第一匹配層1008及第二匹配層1010。此類材料可包含上文所列的用于EMS反射式顯示裝置900中的匹配層的材料。當其它材料用于第一匹配層1008及第二匹配層1010時，可調整這些層的厚度以實現(xiàn)所要光學響應，因為所述匹配層的厚度取決于所述匹配層中的每一者的折射率。
[0091]在一些實施方案中，反射層1002可為Al。在一些實施方案中，反射層1002可包含反射層的表面上的電介質層。如圖10中所展示，反射層1002包含安置于反射層1002的面向腔的表面上的第一電介質層1016。第二電介質層1018安置于第一電介質層1016的表面上。在一些實施方案中，第一電介質層1016可包含低折射率材料且第二電介質層1018可包含高折射率材料。舉例來說，在一些實施方案中，第一電介質層1016可為具有約50nm到90nm或約72nm的厚度的SiON層。在一些實施方案中，第二電介質層1018可為具有約15nm到35nm或約24nm的厚度的TiO2層。在一些其它實施方案中，第一電介質層1016可包含Si02、MgF2或不同塑料且第二電介質層1018可包含Si3N4、Ta2O5、ZrO2或其它電介質材料。電介質層1016及1018可用于減少用于實現(xiàn)良好白色色彩的不同波長的駐波一階節(jié)點的空間分離。在一些實施方案中，電介質層1016及1018還可充當鈍化層以有助于防止EMS反射式顯示裝置1000中的靜摩擦。電介質層1016及1018也可用于保護反射層1002免受用于從EMS反射式顯示裝置1000移除犧牲材料的蝕刻劑的影響及/或充當在EMS反射式顯示裝置的制造工藝期間的蝕刻停止件。
[0092]在吸收器層上的匹配層的進一步實施方案中，可包含兩個或兩個以上匹配層。舉例來說，在一些實施方案中，第一匹配層可安置于吸收器層的表面上，第二匹配層可安置于第一匹配層上，且第三匹配層可安置于第二匹配層上。第三匹配層可提供修改光的振幅及相位的進一步自由度。舉例來說，在一些實施方案中，第三匹配層可包含本文中所描述的低折射率材料或高折射率材料中的任一者。在一些實施方案中，第三匹配層可為約5nm到50nm厚。當在吸收器層上包含三個匹配層時，可規(guī)定所述匹配層中的每一者的厚度使得修改從吸收器層反射的光的振幅及相位以及透射穿過吸收器層的光的振幅及相位以更改或改進其中并入有吸收器層的EMS反射式顯示裝置的RGB色彩飽和度。
[0093]在上文所描述的實施方案中，第一匹配層可包含安置于吸收器層的背對腔的表面上的低折射率材料且第二匹配層可包含安置于第一匹配層上的高折射率材料。在一些其它實施方案中，第一匹配層可包含安置于吸收器層的背對腔的表面上的高折射率材料且第二匹配層可包含安置于第一匹配層上的低折射率材料。舉例來說，第一匹配層可包含高折射率材料，且當?shù)谝黄ヅ鋵影哂胁痪鶆蛭招再|的金屬時，第二匹配層可包含安置于第一匹配層上的低折射率材料。
[0094]圖11展示圖解說明用于EMS反射式顯示裝置的匹配層的制造工藝的流程圖的實例。圖11中的制造工藝1100可為在EMS反射式顯示裝置的襯底上方形成光學堆疊的制造工藝的部分，如關于圖7中的工藝80的框82所描述。
[0095]以框1102開始，在襯底上方形成第一匹配層。可使用包含PVD工藝、CVD工藝、液相沉積工藝及原子層沉積(ALD)工藝的沉積工藝來形成所述第一匹配層。在框1104處，在所述第一匹配層上形成第二匹配層。可使用可用于形成第一匹配層的包含PVD工藝、CVD工藝、液相沉積工藝及ALD工藝的類似沉積工藝來形成所述第二匹配層。在框1106處，在所述第二匹配層上形成吸收器層。所述吸收器層可為金屬且可使用包含PVD工藝、CVD工藝、液相沉積工藝及ALD工藝的沉積工藝來形成。在其中第一匹配層或第二匹配層為塑料的實施方案中，可使用基于有機材料的薄膜技術來形成第一匹配層或第二匹配層。
[0096]用于EMS反射式顯示裝置的制造工藝可包含與襯底相關聯(lián)的進一步操作，如上文參考圖7所描述。在于框82處形成光學堆疊之后，用于EMS反射式顯示裝置的制造工藝可繼續(xù)在框84處的操作，如上文參考圖7所描述。
[0097]圖12A及12B中展示吸收器層上包含匹配層的EMS反射式顯示裝置對吸收器層上不具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的性能的改進的實例。EMS反射式顯示裝置包含在玻璃襯底上的具有約7.5nm的厚度的V吸收器層。對于包含匹配層的顯示裝置，具有約27nm厚的厚度的第一 SiO2匹配層在V吸收器層上且具有約22nm的厚度的第二 Si3N4匹配層在SiO2-配層上，其中Si3N4匹配層也在玻璃襯底上?？墒褂眠m當厚度的其它吸收器層及其它匹配層來獲得類似結果。
[0098]圖12A及12B展示針對由EMS反射式顯示裝置產生的調色板的國際照明委員會(CIE)xy色度圖。圖12A展示由不包含匹配層的EMS反射式顯示裝置產生的調色板1201。圖12B展示由包含匹配層的EMS反射式顯示裝置產生的調色板1202。在CIE xy色度圖中的每一者上還展示CIE1931色彩空間的邊界1210及標準RGB(sRGB)色彩空間的邊界1220( SP，由sRGB原色形成的三角形)。CIE1931色彩空間為數(shù)學上定義的色彩空間。sRBG色彩空間為常與計算應用(包含監(jiān)視器、打印機、電子閱讀器、平板裝置、智能電話及因特網(wǎng)應用)一起使用的色彩空間。對于sRGB色彩空間，點1232對應于紅色色彩，點1234對應于藍色色彩且點1236對應于綠色色彩。延伸到CIE1931色彩空間的邊界1210的邊緣的調色板將具有最飽和色彩。
[0099]比較圖12A及12B，圖12A中所展示的調色板1201(不具有匹配層的EMS反射式顯示裝置)不延伸到sRBG色彩空間的紅色色彩1232，而圖12B中所展示的調色板1202(具有匹配層的EMS反射式顯示裝置)延伸到sRBG色彩空間的紅色色彩1232。此外，與圖12A中所展示的調色板1201相比，圖12B中所展示的調色板1202延伸到更靠近藍色色彩1234且超過綠色色彩1236。因此，對于包含匹配層的EMS反射式顯示裝置，圖12B中所展示的調色板1202具有RGB色彩飽和度的改進，其中具有藍色及綠色色彩飽和度的稍微改進以及紅色色彩飽和度的大的改進。
[0100]圖13展示由關于圖12A及12B所論述的兩個EMS反射式顯示裝置(即，一個不包含匹配層(12A)且一個包含匹配層(12B))產生的紅色色彩的光譜的曲線圖。實線為反射光譜且虛線為吸收光譜。灰色線為不具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的反射及吸收光譜。黑色線為具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的反射及吸收光譜。比較EMS反射式顯示裝置在約400nm到550nm的波長下的反射光譜,與不具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的反射光譜相比，具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的反射光譜減少。約400nm到500nm的波長范圍包含色彩紫色(約400nm到450nm)及藍色(約450nm到490nm)。圖12B對圖12A中所展示的紅色色彩飽和度的改進是抑制在約400nm到550nm的波長下的反射的結果。
[0101]對于光學裝置，光波長的反射、透射及吸收將通?？紤]到所述光波長與所述裝置的所有相互作用。因此，光波長的反射、透射及吸收的和將通常等于1，即，所述光波長的反射、透射及吸收將考慮到所述光波長與所述裝置的所有或100%相互作用。因此，比較EMS反射式顯示裝置在約400nm到550nm的波長范圍下的吸收光譜,與不具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的吸收光譜相比，具有匹配層的EMS反射式顯示裝置的吸收光譜增加(例如，當光波長的透射保持約相同時，減少反射將增加所述光波長的吸收)。約400nm到500nm的波長范圍包含色彩紫色(約400nm到450nm)及藍色(約450nm到490nm)。圖12B對圖12A中所展示的紅色色彩飽和度的改進也為增加在約400nm到550nm的波長下的吸收的結果。
[0102]關于可見光譜(即，從約390nm到約750nm的波長范圍)描述了本文中所描述的IMOD及其它EMS反射式顯示裝置的實施方案。舉例來說，安置于吸收器層上的匹配層也可經(jīng)修整以供在MOD及與不同波長的電磁輻射(例如，紅外光或紫外光)一起作用的其它EMS反射式顯示裝置中使用。
[0103]圖14A及14B展示圖解說明包含多個干涉式調制器的顯示裝置40的系統(tǒng)框圖的實例。舉例來說，顯示裝置40可為智能電話、蜂窩式或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其輕微變化形式也為對各種類型的顯示裝置的說明，例如，電視、平板計算機、電子閱讀器、手持式裝置及便攜式媒體播放器。
[0104]顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48及麥克風46。外殼41可由多種制造工藝中的任一者形成,包含注射模制及真空形成。另外,夕卜殼41可由多種材料中的任一者制成，包含(但不限于):塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷或其組合。外殼41可包含可裝卸部分(未展示)，其可與其它不同色彩或含有不同標識、圖片或符號的可裝卸部分互換。
[0105]顯示器30可為多種顯示器中的任一者，包含本文中所描述的雙穩(wěn)態(tài)或模擬顯示器。顯示器30還可經(jīng)配置以包含平板顯示器(例如等離子顯示器、EL、OLED, STN IXD或TFT LCD)或非平板顯示器(例如CRT或其它管式裝置)。另外，顯示器30可包含干涉式調制器顯示器，如本文中所描述。
[0106]在圖14B中示意性地圖解說明顯示裝置40的組件。顯示裝置40包含外殼41，且可包含至少部分地包封于其中的額外組件。舉例來說，顯示裝置40包含網(wǎng)絡接口 27，網(wǎng)絡接口 27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調節(jié)硬件52。調節(jié)硬件52可經(jīng)配置以對信號進行調節(jié)(例如，對信號進行濾波)。調節(jié)硬件52連接到揚聲器45及麥克風46。處理器21還連接到輸入裝置48及驅動器控制器29。驅動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅動器22，陣列驅動器22又耦合到顯示陣列30。在一些實施方案中，電力供應器50可向特定顯示裝置40設計中的實質上所有組件提供電力。
[0107]網(wǎng)絡接口 27包含天線43及收發(fā)器47，使得顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡與一或多個裝置通信。網(wǎng)絡接口 27還可具有一些處理能力以減輕(舉例來說)處理器21的數(shù)據(jù)處理要求。天線43可發(fā)射及接收信號。在一些實施方案中，天線43根據(jù)包含IEEE16.ll(a)、(b)或(g)的IEEE16.11標準或包含IEEE802.lla、b、g、n的IEEE802.11標準及其進一步實施方案發(fā)射及接收RF信號。在一些其它實施方案中，天線43根據(jù)藍牙標準發(fā)射及接收RF信號。在蜂窩式電話的情況中，天線43經(jīng)設計以接收碼分多址(CDMA)、頻分多址(FDMA)、時分多址(TDMA)、全球移動通信系統(tǒng)(GSM)、GSM/通用包無線電服務(GPRS)、增強型數(shù)據(jù)GSM環(huán)境(EDGE)、地面中繼無線電(TETRA)、寬帶CDMA(W-CDMA)、演進數(shù)據(jù)優(yōu)化(EV-D0)、I XEV-D0、EV-DO修訂版A、EV-D0修訂版B、高速包接入(HSPA)、高速下行鏈路包接入(HSDPA)、高速上行鏈路包接入(HSUPA)、演進高速包接入(HSPA+)、長期演進(LTE)、AMPS或用于在無線網(wǎng)絡內(例如利用3G或4G技術的系統(tǒng))通信的其它已知信號。收發(fā)器47可預處理從天線43接收的信號使得其可由處理器21接收及進一步操縱。收發(fā)器47還可處理從處理器21接收的信號使得其可經(jīng)由天線43從顯示裝置40發(fā)射。
[0108]在一些實施方案中，可由接收器來替換收發(fā)器47。另外，在一些實施方案中，可由圖像源來替換網(wǎng)絡接口 27，所述圖像源可存儲或產生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)。處理器21可控制顯示裝置40的總體操作。處理器21從網(wǎng)絡接口 27或圖像源接收數(shù)據(jù)(例如經(jīng)壓縮圖像數(shù)據(jù))，且將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成容易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21可將經(jīng)處理數(shù)據(jù)發(fā)送到驅動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常指代識別圖像內的每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，此些圖像特性可包含色彩、飽和度及灰度級。
[0109]處理器21可包含用以控制顯示裝置40的操作的微控制器、CPU或邏輯單元。調節(jié)硬件52可包含用于向揚聲器45發(fā)射信號及從麥克風46接收信號的放大器及濾波器。調節(jié)硬件52可為顯示裝置40內的離散組件，或可并入于處理器21或其它組件內。
[0110]驅動器控制器29可直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產生的原始圖像數(shù)據(jù)，且可適當?shù)貙⒃紙D像數(shù)據(jù)重新格式化以供高速發(fā)射到陣列驅動器22。在一些實施方案中，驅動器控制器29可將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適合于跨越顯示陣列30進行掃描的時間次序。接著，驅動器控制器29將經(jīng)格式化的信息發(fā)送到陣列驅動器22。雖然驅動器控制器29 (例如LCD控制器)通常作為獨立的集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關聯(lián)，但可以許多方式實施此些控制器。舉例來說，可將控制器作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中或與陣列驅動器22完全集成在硬件中。
[0111]陣列驅動器22可從驅動器控制器29接收經(jīng)格式化的信息且可將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行波形，所述組平行波形每秒許多次地施加到來自顯示器的χ-y像素矩陣的數(shù)百條且有時數(shù)千條(或更多)引線。
[0112]在一些實施方案中，驅動器控制器29、陣列驅動器22及顯示陣列30適于本文中所描述的顯示器類型中的任一者。舉例來說，驅動器控制器29可為常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，IMOD控制器)。另外，陣列驅動器22可為常規(guī)驅動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅動器(例如，IMOD顯示器驅動器)。此外，顯示陣列30可為常規(guī)顯示陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示陣列(例如，包含IMOD陣列的顯示器)。在一些實施方案中，驅動器控制器29可與陣列驅動器22集成在一起。此實施方案在高度集成系統(tǒng)(舉例來說，移動電話、便攜式電子裝置、手表或小面積顯示器)中可為有用的。
[0113]在一些實施方案中，輸入裝置48可經(jīng)配置以允許(舉例來說)用戶控制顯示裝置40的操作。輸入裝置48可包含小鍵盤(例如QWERTY鍵盤或電話小鍵盤)、按鈕、開關、搖桿、觸敏屏、與顯示陣列30集成的觸敏屏或者壓敏或熱敏膜。麥克風46可配置為顯示裝置40的輸入裝置。在一些實施方案中，可使用通過麥克風46所做的話音命令來控制顯示裝置40的操作。
[0114]電力供應器50可包含多種能量存儲裝置。舉例來說，電力供應器50可為可再充電電池，例如鎳-鎘電池或鋰離子電池。在使用可再充電電池的實施方案中，可再充電電池可使用來自(舉例來說)壁式插座或光伏裝置或陣列的電力充電?；蛘撸稍俪潆婋姵乜梢詿o線方式充電。電力供應器50還可為可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池或太陽能電池涂料。電力供應器50還可經(jīng)配置以從壁式插口接收電力。
[0115]在一些實施方案中，控制可編程性駐存于驅動器控制器29中，驅動器控制器29可位于電子顯示系統(tǒng)中的數(shù)個位置中。在一些其它實施方案中，控制可編程性駐存于陣列驅動器22中。上文所描述的優(yōu)化可以任何數(shù)目個硬件及/或軟件組件且以各種配置實施。
[0116]可將結合本文中所揭示的實施方案描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊、電路及算法步驟實施為電子硬件、計算機軟件或兩者的組合。已就功能性大體描述且在上文所描述的各種說明性組件、框、模塊、電路及步驟中圖解說明了硬件與軟件的可互換性。此功能性是以硬件還是軟件實施取決于特定應用及對總體系統(tǒng)強加的設計約束。
[0117]可借助通用單芯片或多芯片處理器、數(shù)字信號處理器(DSP)、專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或其它可編程邏輯裝置、離散門或晶體管邏輯、離散硬件組件或經(jīng)設計以執(zhí)行本文中所描述的功能的其任一組合來實施或執(zhí)行用于實施結合本文中所揭示的方面所描述的各種說明性邏輯、邏輯塊、模塊及電路的硬件及數(shù)據(jù)處理設備。通用處理器可為微處理器或任何常規(guī)處理器、控制器、微控制器或狀態(tài)機。還可將處理器實施為計算裝置的組合，例如DSP與微處理器的組合、多個微處理器、一或多個微處理器與DSP核心的聯(lián)合或任何其它此種配置。在一些實施方案中，可通過給定功能特有的電路來執(zhí)行特定步驟及方法。
[0118]在一或多個方面中，可以硬件、數(shù)字電子電路、計算機軟件、固件(包含本說明書中所揭示的結構及其結構等效物)或以其任一組合來實施所描述的功能。本說明書中所描述的標的物的實施方案還可實施為編碼于計算機存儲媒體上以用于由數(shù)據(jù)處理設備執(zhí)行或控制數(shù)據(jù)處理設備的操作的一或多個計算機程序，即，一或多個計算機程序指令模塊。
[0119]所屬領域的技術人員可容易明了對本發(fā)明中所描述的實施方案的各種修改，且本文中所定義的類屬原理可應用于其它實施方案，此并不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，權利要求書并非打算限制于本文中所展示的實施方案，而是被賦予與本發(fā)明、本文中所揭示的原理及新穎特征相一致的最寬廣范圍。詞語“示范性”在本文中專用于意指“用作實例、例子或圖解說明”。在本文中描述為“示范性”的任何實施方案未必解釋為比其它可能性或實施方案優(yōu)選或有利。另外，所屬領域的技術人員將容易了解，術語“上部”及“下部”有時為了便于描述各圖而使用，且指示對應于圖在經(jīng)恰當定向的頁面上的定向的相對位置，且可能不反映如所實施的IMOD的恰當定向。
[0120]還可將在本說明書中在單獨實施方案的背景中描述的某些特征以組合形式實施于單個實施方案中。相反地，還可將在單個實施方案的背景中描述的各種特征單獨地或以任一適合子組合的形式實施于多個實施方案中。此外，雖然上文可將特征描述為以某些組合的形式起作用且甚至最初如此主張，但在一些情況中，可從所主張的組合去除來自所述組合的一或多個特征，且所主張的組合可針對子組合或子組合的變化形式。
[0121]類似地，盡管在圖式中以特定次序描繪操作，但所屬領域的技術人員將容易認識至IJ，為實現(xiàn)所要結果，無需以所展示的特定次序或以循序次序執(zhí)行此些操作或無需執(zhí)行所有所圖解說明的操作。此外，所述圖式可以流程圖的形式示意性地描繪一個以上實例性工藝。然而，可將其它并未描繪的操作并入于示意性地圖解說明的實例性工藝中。舉例來說，可在所圖解說明的操作中的任一者之前、之后、同時或之間執(zhí)行一或多個額外操作。在某些情況中，多任務化及并行處理可為有利的。此外，不應將上文所描述的實施方案中的各種系統(tǒng)組件的分離理解為在所有實施方案中均需要此分離，且應理解，一般來說，可將所描述的程序組件及系統(tǒng)一起集成于單個軟件產品中或封裝成多個軟件產品。另外，其它實施方案在以上權利要求書的范圍內。在一些情況中，可以不同次序執(zhí)行權利要求書中所敘述的動作且其仍實現(xiàn)所要的結果。
【權利要求】
1.一種設備，其包括: 反射層； 吸收器層，其與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔，其中所述吸收器層能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光，所述吸收器層包含金屬層；及多個匹配層，其在所述吸收器層的背對所述腔的表面上，所述多個匹配層包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
2.根據(jù)權利要求1所述的設備，所述第一匹配層具有第一厚度，所述第二匹配層具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
3.根據(jù)權利要求1或權利要求2所述的設備，其中所述第一匹配層包含具有第一折射率的第一材料，其中所述第二匹配層包含具有第二折射率的第二材料，且其中所述第二折射率大于所述第一折射率。
4.根據(jù)權利要求1到3中任一權利要求所述的設備，其中所述金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳或鑰-鉻合金中的至少一者。
5.根據(jù)權利要求1到4中任一權利要求所述的設備，其中所述第一匹配層包含二氧化硅、氟化鎂、氧化鋁或塑料中的至少一者。
6.根據(jù)權利要求1到5中任一權利要求所述的設備，其中所述第二匹配層包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中的至少一者。
7.根據(jù)權利要求1到6中任一權利要求所述的設備，其中所述反射層經(jīng)配置成可移動的，以使所述腔的厚度變化。
8.根據(jù)權利要求1到7中任一權利要求所述的設備，其中所述多個匹配層進一步包含安置于所述第二匹配層上的第三匹配層。
9.根據(jù)權利要求1到8中任一權利要求所述的設備，其進一步包含安置于所述吸收器層的面向所述腔的表面上的電介質層。
10.根據(jù)權利要求1到9中任一權利要求所述的設備，其進一步包括: 顯示器； 處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及 存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。
11.根據(jù)權利要求10所述的設備，其進一步包括: 驅動器電路，其經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述顯示器；及 控制器，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅動器電路。
12.根據(jù)權利要求10或權利要求11所述的設備，其進一步包括: 圖像源模塊，其經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器及發(fā)射器中的至少一者。
13.根據(jù)權利要求10到12中任一權利要求所述的設備，其進一步包括: 輸入裝置，其經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳遞到所述處理器。
14.一種設備,其包括: 反射層； 吸收器層，其與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔，其中所述吸收器層能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光，所述吸收器層包含金屬層； 第一匹配層，其具有第一折射率，其安置于所述吸收器層上 '及 第二匹配層，其具有第二折射率，其安置于所述第一匹配層上，所述第二折射率大于所述第一折射率。
15.根據(jù)權利要求14所述的設備，所述第一匹配層具有第一厚度，所述第二匹配層具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
16.根據(jù)權利要求14或權利要求15所述的設備，其中所述金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳或鑰-鉻合金中的至少一者。
17.根據(jù)權利要求14到16中任一權利要求所述的設備，其中所述反射層經(jīng)配置成可移動的，以使所述腔的厚度變化。
18.—種設備,其包括: 反射層； 吸收器層，其與所述反射層間隔開以在所述吸收器層與所述反射層之間界定腔，其中所述吸收器層能夠將光透射到所述腔中、吸收光及反射光，所述吸收器層包含金屬層，其中所述反射層經(jīng)配置成可移動的，以使所述腔的厚度變化 '及 多個匹配層，其在所述吸收器層的背對所述腔的表面上，所述多個匹配層包含安置于所述吸收器層上的第一匹配層及安置于所述第一匹配層上的第二匹配層。
19.根據(jù)權利要求18所述的設備，所述第一匹配層具有第一厚度，所述第二匹配層具有第二厚度，所述第一厚度及所述第二厚度經(jīng)配置以修改所反射光及所透射光的振幅及相位中的至少一者以更改所述設備的紅色-綠色-藍色色彩飽和度。
20.根據(jù)權利要求18或權利要求19所述的設備，其中所述金屬層包含釩、鉻、鎢、鎳或鑰-鉻合金中的至少一者。
21.根據(jù)權利要求18到20中任一權利要求所述的設備，其中所述第一匹配層包含二氧化硅、氟化鎂、氧化鋁或塑料中的至少一者。
22.根據(jù)權利要求18到21中任一權利要求所述的設備，其中所述第二匹配層包含氮化硅、氧氮化硅、二氧化鈦、二氧化鋯、氧化鉭或氧化銻中的至少一者。
【文檔編號】G02B26/00GK103917912SQ201280053895
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2012年10月24日 優(yōu)先權日:2011年11月4日
【發(fā)明者】約翰·元丘·洪, 吉安·J·馬, 塔利斯·揚·張, 瓊·厄克·李 申請人:高通Mems科技公司