像素結(jié)構(gòu)及像素陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、設(shè)置于基板上的薄膜晶體管、覆蓋于薄膜晶體管與基板上的第一絕緣層、共用電極、連接電極、第二絕緣層以及像素電極。薄膜晶體管包含有一漏極。第一絕緣層具有一第一開口，曝露出漏極。共用電極與連接電極設(shè)置于第一絕緣層上。連接電極延伸至第一開口內(nèi)與漏極電性連接，且連接電極與共用電極電性絕緣。第二絕緣層覆蓋于第一絕緣層、連接電極與共用電極上，且具有一第二開口，曝露出連接電極。像素電極設(shè)置于第二絕緣層上，并通過(guò)第二開口與連接電極電性連接。借此，可有效地提升像素結(jié)構(gòu)的開口率。
【專利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)及像素陣列基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及像素陣列基板，特別是涉及一種具有提升像素開口率的像素結(jié)構(gòu)及像素陣列基板，也就是一種HUA(HannStar Ultra-highAperture)的技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板具有外型輕薄、耗電量少以及無(wú)輻射污染等特性，已被廣泛地應(yīng)用在筆記本計(jì)算機(jī)(notebook)、個(gè)人數(shù)碼助理(PDA)等攜帶式信息產(chǎn)品上，并且已逐漸取代傳統(tǒng)桌上型計(jì)算機(jī)的陰極射線管監(jiān)視器。
[0003]現(xiàn)有液晶顯示面板是由彩色濾光片基板、像素陣列基板以及液晶層所構(gòu)成，且液晶層設(shè)置于彩色濾光片基板與像素陣列基板之間，并通過(guò)調(diào)整液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向來(lái)控制像素的亮暗。請(qǐng)參考圖1，圖1所示為現(xiàn)有的像素陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。如圖1所示，像素結(jié)構(gòu)10包括基板12、薄膜晶體管14、共用線16、保護(hù)層18、平坦層20以及像素電極22。薄膜晶體管14設(shè)置于基板12上，且包含有柵極14a、源極14b、漏極14c以及通道層14d。共用線16設(shè)置于基板12上。保護(hù)層18覆蓋于薄膜晶體管14與基板12上，且具有第一開口 18a，曝露出漏極14c。平坦層20覆蓋于保護(hù)層18上，且具有第二開口 20a，對(duì)應(yīng)第一開口 18a，以曝露出漏極14c。像素電極22設(shè)置于平坦層20上，并通過(guò)開口 18a、20a與漏極14c電連接。并且，共用線16與像素電極22重疊，使共用線16、像素電極22、保護(hù)層18與平坦層20構(gòu)成儲(chǔ)存電容。
[0004]然而，第一開口 18a在對(duì)準(zhǔn)薄膜晶體管14的漏極14c時(shí)會(huì)有對(duì)位誤差，且第二開口 20a在對(duì)準(zhǔn)第一開口 18a時(shí)也會(huì)有對(duì)位誤差。再者，像素電極22覆蓋第二開口 20a時(shí)也會(huì)有對(duì)位誤差。由于第一開口 18a、第二開口 20a與像素電極22的對(duì)位誤差會(huì)相互影響，因此用于電性連接像素電極22與薄膜晶體管14的漏極14c的連接結(jié)構(gòu)24的大小會(huì)同時(shí)受到第一開口 18a、第二開口 20a與像素電極22的對(duì)位誤差的影響，而需將連接結(jié)構(gòu)24的特征長(zhǎng)度LI設(shè)計(jì)為大于第一開口 18a的特征長(zhǎng)度L2，且約略為第一開口 18a的特征長(zhǎng)度L2的4到8倍，例如:20到28微米，使得像素電極22可通過(guò)第一開口 18a以及第二開口 20a而與漏極14c相接觸。如此一來(lái)，用于連接像素電極22與漏極14c的連接結(jié)構(gòu)24會(huì)影響用于顯示的像素電極22的面積，進(jìn)而限制了像素結(jié)構(gòu)10的開口率。
[0005]因此，在像素陣列基板的分辨率增加的趨勢(shì)下，提升像素結(jié)構(gòu)的開口率實(shí)為業(yè)界努力的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種像素結(jié)構(gòu)及像素陣列基板，以提升像素結(jié)構(gòu)與像素陣列基板的開口率。
[0007]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括基板、薄膜晶體管、第一絕緣層、透明導(dǎo)電圖案層、第二絕緣層以及像素電極。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，且薄膜晶體管包含有一柵極、一源極以及一漏極。第一絕緣層覆蓋于薄膜晶體管與基板上，且第一絕緣層具有一第一開口，曝露出漏極。透明導(dǎo)電圖案層設(shè)置于第一絕緣層上，且透明導(dǎo)電圖案層包括共用電極以及連接電極。連接電極延伸至第一開口內(nèi)與漏極電性連接，且連接電極與共用電極電性絕緣。第二絕緣層覆蓋于第一絕緣層與透明導(dǎo)電圖案層上，且第二絕緣層具有一第二開口，曝露出連接電極。像素電極設(shè)置于第二絕緣層上，并通過(guò)第二開口與連接電極電性連接。漏極、第一開口、連接電極、第二開口與像素電極構(gòu)成一連接結(jié)構(gòu)
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種像素陣列基板，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，呈一陣列方式排列。位于同一行的任兩相鄰的所述像素結(jié)構(gòu)的所述共用電極彼此相連接。
[0009]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)通過(guò)連接電極來(lái)電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極，因此第一開口不限與第二開口重疊或不重疊。所以，用于電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極的連接結(jié)構(gòu)的特征長(zhǎng)度可約略為第一開口的特征長(zhǎng)度或第二開口的特征長(zhǎng)度的I到2.5倍，借此連接結(jié)構(gòu)的大小可被有效地縮小，進(jìn)而可有效地提升像素結(jié)構(gòu)的開口率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0010]圖1所示為現(xiàn)有的像素陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0011]圖2所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖。
[0012]圖3所示為圖2的單一像素結(jié)構(gòu)的放大示意圖。
[0013]圖4所示為圖3沿著剖視線A-A’的剖視示意圖。
[0014]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0015]圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0016]圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。
[0017]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0018]10、100、200、300、400 像素結(jié)構(gòu)
[0019]12、104基板
[0020]14、112薄膜晶體管
[0021]14a、112a柵極
[0022]14b、112c源極
[0023]14c、112d漏極
[0024]14d、122通道層
[0025]16共用線
[0026]18保護(hù)層
[0027]18a、114a第一開口
[0028]20平坦層
[0029]20a、118a第二開口
[0030]22、120像素電極
[0031]102像素結(jié)構(gòu)
[0032]106數(shù)據(jù)線
[0033]108掃描線
[0034]110柵極絕緣層
[0035]112b半導(dǎo)體層[0036]114第一絕緣層
[0037]114b、118b、128a、L1、L2 特征長(zhǎng)度
[0038]116透明導(dǎo)電圖案層
[0039]118第二絕緣層
[0040]124歐姆接觸層
[0041]126共用電極
[0042]126a缺口
[0043]128連接電極
[0044]130連接結(jié)構(gòu)【具體實(shí)施方式】
[0045]請(qǐng)參考圖2到圖4，圖2所示為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素陣列基板的上視示意圖，圖3所示為圖2的單一像素結(jié)構(gòu)的放大示意圖，且圖4所示為圖3沿著剖視線A-A’的剖視示意圖。
[0046]如圖2到圖4所示，本實(shí)施例的像素陣列基板100包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)102，呈一陣列方式排列。并且，像素結(jié)構(gòu)102包括基板104、數(shù)據(jù)線106、掃描線108、柵極絕緣層110、薄膜晶體管112、第一絕緣層114、透明導(dǎo)電圖案層116、第二絕緣層118以及像素電極120。
[0047]其中，數(shù)據(jù)線106與掃描線108設(shè)置于基板104上，并彼此交錯(cuò)，且薄膜晶體管112設(shè)置于基板104上，且鄰近數(shù)據(jù)線106與掃描線108的交錯(cuò)處。并且，薄膜晶體管112包含有柵極112a、半導(dǎo)體層112b、源極112c以及漏極112d。柵極112a電性連接掃描線108，且源極112c電性連接數(shù)據(jù)線106。
[0048]在本實(shí)施例中，薄膜晶體管112的柵極112a為掃描線108的一延伸部，使得掃描線108可與柵極112a電性連接，且掃描線108與柵極112a是由第一金屬層Ml所構(gòu)成。并且，柵極絕緣層110覆蓋于由第一金屬層Ml所構(gòu)成的柵極112a與掃描線108以及基板104上，且半導(dǎo)體層112b設(shè)置于柵極絕緣層110上，并位于柵極112a的正上方。
[0049]薄膜晶體管112的源極112c為數(shù)據(jù)線106的一延伸部，使得數(shù)據(jù)線106可與源極112c電性連接，且數(shù)據(jù)線106、源極112c與漏極112d是由第二金屬層M2所構(gòu)成。第二金屬層M2設(shè)置于柵極絕緣層110與半導(dǎo)體層112b上，因此柵極絕緣層110可用于電性絕緣第一金屬層Ml與第二金屬層M2。再者，源極112c與漏極112d并未彼此相接觸，而是分別設(shè)置于對(duì)應(yīng)柵極112a兩側(cè)的半導(dǎo)體層112b上，且分別與柵極112a部分重疊。
[0050]并且，半導(dǎo)體層112b可包括通道層122與歐姆接觸層124。通道層122設(shè)置于柵極絕緣層110上，且可例如是非晶硅、多晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體材料或其它半導(dǎo)體材料，但不限于此。歐姆接觸層124設(shè)置于通道層122與源極112c之間以及通道層122與漏極112d之間，用于降低硅與金屬材料之間的接觸電阻，且可例如是摻雜有離子的非晶硅、多晶硅、金屬氧化物半導(dǎo)體材料或其它半導(dǎo)體材料，但本發(fā)明不以此為限。
[0051]本發(fā)明的薄膜晶體管、掃描線與數(shù)據(jù)線的結(jié)構(gòu)并不限定于上述結(jié)構(gòu)，也可以為其它的變化結(jié)構(gòu)，例如是薄膜晶體管可為其它種類的晶體管?；蛘撸瑨呙杈€與柵極并不是由同一金屬層所構(gòu)成，或數(shù)據(jù)線、源極與漏極不是由同一金屬層所構(gòu)成。
[0052]此外，本發(fā)明提供的HUA(HannStar Ultra-high Aperture)技術(shù),其第一絕緣層114覆蓋于薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與柵極絕緣層110上，且第一絕緣層114具有第一開口 114a，曝露出漏極112d。舉例來(lái)說(shuō)，第一開口 114a可為一正方形開口，且第一開口 114a的一特征長(zhǎng)度114b，例如:邊長(zhǎng)，可約略為4微米，但不限于此，第一開口 114a也可以是其它形狀的開口，例如:圓形，特征長(zhǎng)度則為直徑。
[0053]本實(shí)施例的第一絕緣層114可包括光阻材料，但不限于此，也可以包括有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。透明導(dǎo)電圖案層116設(shè)置于第一絕緣層114上，且可由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成，例如:氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋁錫或氧化鋁鋅，但不限于此。
[0054]本發(fā)明提供的HUA技術(shù)，其透明導(dǎo)電圖案層116包括共用電極126以及連接電極128。共用電極126用于傳送共用信號(hào)。連接電極128延伸至第一開口 114a內(nèi)與漏極112d相接觸，而與漏極112d電性連接。并且，連接電極128不與共用電極126相接觸，因此連接電極128與共用電極126電性絕緣。
[0055]在本實(shí)施例中，位于同一行的任兩相鄰像素結(jié)構(gòu)102的共用電極126是彼此相連接，使得同一行的像素結(jié)構(gòu)102的共用電極126可彼此連接成一共用線。并且，共用電極126可延伸至與薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線108重疊，因此共用電極126可用于屏蔽與隔絕位于其上方的電極與位于其下方的薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線108所產(chǎn)生的耦合效應(yīng)，以降低共用電極126下方的薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線108對(duì)共用電極126上方的電極產(chǎn)生電位變化的影響。
[0056]在本發(fā)明的變化實(shí)施例中，位于同一列的任兩相鄰像素結(jié)構(gòu)的共用電極也可以彼此相連接?；蛘撸灿秒姌O可僅與數(shù)據(jù)線重疊，或共用電極也可以僅與掃描線以及薄膜晶體
管重疊。
[0057]再者，第二絕緣層118覆蓋于透明導(dǎo)電圖案層116與第一絕緣層114上，且第二絕緣層118具有第二開口 118a，曝露出連接電極128。舉例來(lái)說(shuō)，第二開口 118a可為一正方形開口，且第二開口 118a的一特征長(zhǎng)度118b可約略為4微米，但不限于此，第二開口 114a也可以是其它形狀的開口，例如:圓形，特征長(zhǎng)度則為直徑。并且，為了避免共用電極126不與漏極112d以及連接電極128電性連接，共用電極126具有一缺口 126a，對(duì)應(yīng)第一開口 114a與第二開口 118a，使得共用電極126不與第一開口 114a以及第二開口 118a重疊。
[0058]在本實(shí)施例中，第二開口 118a與第一開口 114a具有相同大小，但不限于此。在本發(fā)明的變化實(shí)施例中，第一開口也可以與第二開口具有不同大小。
[0059]像素電極120設(shè)置于第二絕緣層118上，且通過(guò)第二開口 118a與連接電極128相接觸，而與連接電極128電性連接，借此像素電極120可通過(guò)連接電極128與漏極112d電性連接。當(dāng)像素陣列基板100與彩色濾光片基板以及液晶層組成液晶顯示面板時(shí)，像素電極120的電壓可用于控制液晶層中液晶分子的排列方向。并且，像素電極120、第二絕緣層118與共用電極126可構(gòu)成一儲(chǔ)存電容，用以儲(chǔ)存?zhèn)魉偷较袼仉姌O的電壓信號(hào)。
[0060]值得一提的是，本實(shí)施例的共用電極126延伸至與薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線108重疊，因此共用電極126可用于屏蔽像素電極120免于受到薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線108的電荷影響，以降低像素電極120與薄膜晶體管112之間的耦合效應(yīng)、像素電極120與數(shù)據(jù)線106之間的耦合效應(yīng)以及像素電極120與掃描線108之間的耦合效應(yīng)。
[0061]如此一來(lái)，通過(guò)前述的HUA技術(shù)，本實(shí)施例的像素電極120可更接近薄膜晶體管112、數(shù)據(jù)線106與掃描線106。舉例來(lái)說(shuō)，像素電極120可與數(shù)據(jù)線106重疊，使得現(xiàn)有技術(shù)中像素電極與數(shù)據(jù)線之間的區(qū)域可被有效地用于顯示像素，進(jìn)而可提升像素開口率。在本發(fā)明的變化實(shí)施例中，像素電極也可以與掃描線重疊，但不限于此。
[0062]另外，本實(shí)施例的薄膜晶體管112的漏極112d、第一開口 114a、連接電極128、第二開口 118a與像素電極120構(gòu)成一連接結(jié)構(gòu)130。值得注意的是，連接電極128是通過(guò)第一開口 114a與薄膜晶體管112的漏極112d電性連接，且像素電極120是通過(guò)第二開口 114b與連接電極128電性連接，因此當(dāng)連接電極128同時(shí)與第一開口 114a以及第二開口 118a重疊時(shí)，像素電極120可通過(guò)連接電極128與薄膜晶體管112的漏極112d電性連接。
[0063]由此可知，第一開口 114a不限與第二開口 118a重疊或不重疊，因此在設(shè)計(jì)第一開口 114a與第二開口 114b的大小時(shí)，第一開口 114a對(duì)準(zhǔn)薄膜晶體管112的漏極112d的對(duì)位誤差并不會(huì)影響第二開口 118a對(duì)準(zhǔn)連接電極128的對(duì)位誤差。如此一來(lái)，用于電性連接像素電極120與薄膜晶體管112的漏極112d的連接電極128的特征長(zhǎng)度128a可約略為第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b或第二開口 118a的特征長(zhǎng)度118b的I到2.5倍，借此連接結(jié)構(gòu)130的大小可被有效地縮小，進(jìn)而可有效地提升像素結(jié)構(gòu)102的開口率。
[0064]在本實(shí)施例中，第一開口 114a并不與第二開口 118a重疊，因此本實(shí)施例的連接電極128的特征長(zhǎng)度128a最小可約略與第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b以及第二開口 118a的特征長(zhǎng)度118b的加總相同。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)谝婚_口 114a的大小與第二開口的118a大小相同時(shí)，連接電極128的特征長(zhǎng)度128a可約略為第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b的2倍以上，例如:8微米，但本發(fā)明不限于此。
[0065]由此可知，本實(shí)施例的連接電極128的特征長(zhǎng)度128a，約略為連接結(jié)構(gòu)130的大小，可從第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b的4到8倍有效地降低為2.5倍，因此可透光的像素電極120的面積可被增加，以提升像素結(jié)構(gòu)102的開口率。
[0066]此外，本實(shí)施例的連接電極128是與共用電極126由同一透明導(dǎo)電圖案層116所構(gòu)成，因此在形成共用電極126時(shí)可同時(shí)形成連接電極128，使得連接電極128的設(shè)置并不會(huì)增加工藝步驟，也不會(huì)提升制作成本。
[0067]并且，本實(shí)施例的第二開口 118a是對(duì)應(yīng)連接電極128，因此在刻蝕第二絕緣層118以形成第二開口 118a時(shí)，連接電極128可用于保護(hù)第一絕緣層114免于刻蝕液的破壞，使得共用電極126可避免因第一絕緣層114受到破壞而于形成像素電極120時(shí)與像素電極120電性連接。
[0068]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)并不以上述實(shí)施例為限。下文將繼續(xù)揭示本發(fā)明的其它實(shí)施例或變化形，然為了簡(jiǎn)化說(shuō)明并突顯各實(shí)施例或變化形之間的差異，下文中使用相同標(biāo)號(hào)標(biāo)注相同組件，并不再對(duì)重復(fù)部分作贅述。
[0069]請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。如圖5所示，相較第一實(shí)施例，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200的第二開口 118a與第一開口 114a重疊，因此本實(shí)施例的連接電極128的特征長(zhǎng)度128a更可縮小到約略與第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b或第二開口 118a的特征長(zhǎng)度118b相同。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)?shù)谝婚_口 114a的大小與第二開口 118a的大小相同時(shí)，連接電極128的特征長(zhǎng)度128a可約略為第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b的I倍以上，例如:4微米，使得連接結(jié)構(gòu)130的大小更可縮小到約略與第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b或第二開口 118a的特征長(zhǎng)度118b相同，但本發(fā)明不限于此。[0070]由此可知，本實(shí)施例的連接電極128的特征長(zhǎng)度128a可從第一開口 114a的特征長(zhǎng)度114b的4到8倍有效地降低為I倍，因此可透光的像素電極120的面積可被增加，以提升像素結(jié)構(gòu)200的開口率。
[0071]請(qǐng)參考圖6，圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。如圖6所示，相較第一實(shí)施例，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)300的共用電極126并不與數(shù)據(jù)線106重疊，而僅與掃描線108以及薄膜晶體管112重疊。
[0072]請(qǐng)參考圖7，圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的上視示意圖。如圖7所示，相較第一實(shí)施例，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)400的共用電極126并不與掃描線108與薄膜晶體管112重疊,而僅與數(shù)據(jù)線106重疊。
[0073]綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)通過(guò)連接電極來(lái)電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極，因此第一開口不限與第二開口重疊或不重疊。所以，用于電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極的連接電極的特征長(zhǎng)度可約略為第一開口的特征長(zhǎng)度或第二開口的特征長(zhǎng)度的I到2.5倍，借此連接結(jié)構(gòu)的大小可被有效地縮小，進(jìn)而可有效地提升像素結(jié)構(gòu)的開口率。
[0074]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 一基板； 一薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，且所述薄膜晶體管包含有一柵極、一源極以及一漏極； 一第一絕緣層，覆蓋于所述薄膜晶體管與所述基板上，且所述第一絕緣層具有一第一開口，曝露出所述漏極； 一透明導(dǎo)電圖案層，設(shè)置于所述第一絕緣層上，且所述透明導(dǎo)電圖案層包括: 一共用電極；以及 一連接電極，延伸至所述第一開口內(nèi)與所述漏極電性連接，且所述連接電極與所述共用電極電性絕緣； 一第二絕緣層，覆蓋于所述第一絕緣層與所述透明導(dǎo)電圖案層上，且所述第二絕緣層具有一第二開口，曝露出所述連接電極；以及 一像素電極，設(shè)置于所述第二絕緣層上，并通過(guò)所述第二開口與所述連接電極電性連接; 其中，所述漏極、所述第一開口、所述連接電極、所述第二開口與所述像素電極構(gòu)成一連接結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于所述連接電極的特征長(zhǎng)度為所述第一開口的特征長(zhǎng)度或所述第二開口的特征長(zhǎng)度的I到2.5倍。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接電極的特征長(zhǎng)度最小與所述第一開口的特征長(zhǎng)度以及所述第二開口的特征長(zhǎng)度的加總相同。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口與所述第二開口具有相同大小。
5.如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接電極的特征長(zhǎng)度為所述第一開口的特征長(zhǎng)度或所述第二開口的特征長(zhǎng)度的兩倍以上。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二開口與所述第一開口重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接電極的特征長(zhǎng)度為所述第一開口的特征長(zhǎng)度或所述第二開口的特征長(zhǎng)度的一倍以上。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共用電極與所述薄膜晶體管重疊。
9.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括: 一數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述基板上，且電性連接所述源極；以及 一掃描線，設(shè)置于所述基板上，且電性連接所述柵極。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共用電極與所述數(shù)據(jù)線或所述掃描線重疊。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述共用電極不與所述第一開口以及所述第二開口重疊。
12.—種像素陣列基板，其特征在于，包括: 多個(gè)如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，呈一陣列方式排列； 其中，位于同一行的任兩相鄰的所述像素結(jié)構(gòu)的所述共用電極彼此相連接。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103926760SQ201310012752
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月14日
【發(fā)明者】劉軒辰, 張憲政, 唐大慶, 吳建豪, 王景昭, 林榮震 申請(qǐng)人:瀚宇彩晶股份有限公司