專利名稱：一種校正曝光圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是極限曝光條件下，利用校正的掩膜板參與曝光過程，得到光刻圖案不易變形，有利于提高光刻工藝生產(chǎn)效率。
背景技術(shù)：
光刻(Lithography)是以某種光子束或粒子束，經(jīng)過由通透和非通透的圖形組成的掩模版，照射在涂覆光刻膠(或稱光致抗蝕劑)上，利用光刻膠的感光性或抗蝕性，形成與掩模版圖形一致(正膠)或相補(負膠)的感光區(qū)域，再經(jīng)過化學(xué)顯影，去除或保留這些區(qū)域得到的光刻膠圖案。光刻是高精度微幾何形狀圖形化最有效的手段之一，它可以大規(guī)模復(fù)制微細圖形進行生產(chǎn)，是一種低成本高效率的加工技術(shù)，是半導(dǎo)體工藝中的核心技術(shù)。光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對某些波長感光靈敏的膠狀混合液體。光刻膠是利用光化學(xué)反應(yīng)進行圖案轉(zhuǎn)移的媒介，一類應(yīng)用廣泛的精細化學(xué)品。光刻膠的主要作用就是作為抗蝕劑保護基片表面，通過光照形成圖案，再通過刻蝕將圖案轉(zhuǎn)移到基底上，從而加工出需要的微結(jié)構(gòu)圖案。而光刻工藝中極限曝光面積下，曝光過程光路的輸出是發(fā)散的，掩膜版面積大到極限時，光路中邊緣的發(fā)散光會參與到工藝中，導(dǎo)致圖案轉(zhuǎn)移失真，直接影響后續(xù)加工工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提出一種校正曝光圖形的方法，保證極限曝光面積下圖案轉(zhuǎn)移的準確度。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:一種校正曝光圖形的方法，該方法是通過改變掩膜板結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，所述的掩膜板邊緣區(qū)域的圖案與曝光時掩膜板邊緣區(qū)域發(fā)生變形的圖案垂直。本發(fā)明所述的掩膜板邊緣區(qū)域的圖案為橢圓形；所述的掩膜板的曝光面積為極限曝光面積。由于實際曝光中鏡頭的光束非中心的邊緣部分是向外發(fā)散的，只有掩膜板的面積一定小時，光路主要由鏡頭軸心一束組成，所得圖案會和掩膜板一樣。掩膜板面積為機臺允許的極限面積時，光路中非中心發(fā)散部分會參與曝光，導(dǎo)致邊緣圖案變形。因此，本發(fā)明直接把掩膜板邊緣區(qū)域設(shè)計成于變形圖案相垂直的圖案，這樣正好曝光時正好可以修正光路中非中心發(fā)散部分會參與曝光所帶來的問題。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明從掩膜板入手提出了極限曝光下校正其圖案的技術(shù)手段，極限曝光時圖案采用特定的掩膜板可以校正圖案形狀，提高光刻工藝的生產(chǎn)效率。


下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。
圖1為小面積曝光場光路示意圖；圖2為極限面積曝光場光路示意圖；圖3為小面積曝光場掩膜版圖案a和光刻膠圖案b示意圖；圖4為極限曝光場下掩膜板圖案a和實際曝光圖案b示意圖；圖5為校正前掩膜板圖案a和后掩膜版圖案b示意圖；圖6為校正掩膜板圖案a和曝光圖案b。
具體實施例方式現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實施例 對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。實施例1使用步進式曝光機，實際生產(chǎn)中采用的掩膜版曝光面積為5m*5m，極限曝光面積為20mm*20mm，且圖案均為圓；涂膠和顯影為一體機，同時可以完成涂膠和顯影工藝，且工藝為自動過程；光刻膠為正性光刻膠。生產(chǎn)中采用的光刻工藝流程具體為:首先在襯底上根據(jù)預(yù)定的制程進行涂膠作業(yè)，將涂膠合格的襯底放置在步進式曝光機臺中，選擇5_*5_的掩膜版進行曝光作業(yè)，約I小時可以完成25片襯底的曝光；然后將曝光后的片子進行顯影，檢查顯影后圖案的情況如圖3，發(fā)現(xiàn)最后得到的光刻膠圖案為預(yù)期目標，這樣就完成一個完整的光刻工藝。實施例2采用的掩膜版為極限曝光面積的20mm*20mm，工藝與實施例1工藝相似，此時完成25片的襯底曝光約需要10分鐘，但是檢查顯影后圖案如圖4，發(fā)現(xiàn)越靠近邊緣其圖案慢慢不再是圓而是捕圓。實施例3采用的掩膜版仍然為極限曝光面積的20mm*20mm,工藝與實施例1工藝相似,不同之處在于本實例掩膜版的形狀進行了校正如圖5。根據(jù)實例2中光刻膠顯影后的圖案，將掩膜版圖案修正為圖5-b所示，將掩膜版邊緣區(qū)域圖案人為改變成橢圓，但是其排列與實例2中最后得到的光刻膠圖案垂直，再一次進行光刻工藝流程，顯影后檢查圖案發(fā)現(xiàn)邊緣區(qū)域仍然為圓形，沒有出現(xiàn)圖案形變情況如圖6。以上說明書中描述的只是本發(fā)明的具體實施方式
，各種舉例說明不對本發(fā)明的實質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的具體實施方式
做修改或變形，而不背離發(fā)明的實質(zhì)和范圍。
權(quán)利要求
1.一種校正曝光圖形的方法，該方法是通過改變掩膜板結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，其特征在于:所述的掩膜板邊緣區(qū)域的圖案與曝光時掩膜板邊緣區(qū)域發(fā)生變形的圖案垂直。
2.如權(quán)利要求1所述的一種校正曝光圖形的方法，其特征在于:所述的掩膜板邊緣區(qū)域的圖案為橢圓形。
3.如權(quán)利要求1所述的一 種校正曝光圖形的方法，其特征在于:所述的掩膜板的曝光面積為極限曝光面積。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種校正曝光圖形的方法，該方法是通過改變掩膜板結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)，所述的掩膜板邊緣區(qū)域的圖案與曝光時掩膜板邊緣區(qū)域發(fā)生變形的圖案垂直。本發(fā)明從掩膜板入手提出了極限曝光下校正其圖案的技術(shù)手段，極限曝光時圖案采用特定的掩膜板可以校正圖案形狀，提高光刻工藝的生產(chǎn)效率。
文檔編號G03F9/00GK103235486SQ201310036998
公開日2013年8月7日 申請日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月30日
發(fā)明者盛建明, 江成龍, 涂亮亮, 石劍舫 申請人:常州同泰光電有限公司