平板顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】公開了一種平板顯示器及其制造方法，以將有缺陷的子像素與相鄰于所述有缺陷的子像素的正常子像素連接，使用正常子像素的薄膜晶體管驅(qū)動有缺陷的子像素，從而修復(fù)有缺陷的子像素。所述平板顯示器包括：顯示面板，所述顯示面板包括由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉而限定的多個子像素，每個子像素包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及連接圖案，所述連接圖案將所述多個子像素中的有缺陷的子像素的像素電極連接至沒有缺陷且與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
【專利說明】平板顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求享有2012年10月23日提交的韓國專利申請N0.10_2012_0117987的權(quán)益，通過援引的方式將該專利申請并入本文，如同在這里完全闡述一樣。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種平板顯示器。更具體地，本發(fā)明涉及一種使用正常的子像素簡單地修復(fù)有缺陷的子像素的平板顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著信息依賴型社會的發(fā)展，對各種形式的顯示裝置的需求也在增長。為了滿足這種需求，近來致力于對諸如液晶顯示器(IXD)、等離子體顯示面板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELD)以及真空熒光顯示器(VFD)這樣的各種平板顯示器展開研究，并且其中的一些被用作各種設(shè)備的顯示裝置。
[0005]這種平板顯示器包括用以顯示圖像的顯示面板，并且為了檢測缺陷，平板顯示器執(zhí)行檢驗工序以檢查顯示面板的工作是否符合預(yù)期。通常，通過將預(yù)定的測試信號施加至顯示面板并且針對缺陷的出現(xiàn)進行檢查來執(zhí)行檢驗工序。
[0006]例如，當平板顯示器為液晶顯示裝置時，將測試信號施加至液晶顯示裝置的柵極線和數(shù)據(jù)線，檢查形成在各個子像素中的薄膜晶體管的開/關(guān)狀態(tài)，并且當薄膜晶體管處于開狀態(tài)時，檢查子像素的發(fā)光狀態(tài)。子像素的缺陷可由信號線的短路和/或開路、薄膜晶體管的缺陷、電極圖案的缺陷等引起。
[0007]此外，當液晶顯示裝置被驅(qū)動時，有缺陷的子像素會顯示暗點或亮點。由于此原因，液晶顯示器的顯示特性退化。特別地，人的裸眼最容易識別的波長范圍為大約555納米，與綠光的峰值波長相當。因此，與呈現(xiàn)紅光的紅色(R)子像素和呈現(xiàn)藍光的藍色(B)子像素相比，呈現(xiàn)綠光的綠色(G)子像素表現(xiàn)出更好的可視性，并且當G子像素有缺陷時，液晶顯示裝置的顯示質(zhì)量大大退化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]因此，本發(fā)明旨在提供一種基板上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷所導(dǎo)致的一個或多個問題的平板顯示器及其制造方法。
[0009]本發(fā)明的一個目的是提供一種平板顯示器及其制造方法，以將有缺陷的子像素與相鄰于有缺陷的子像素的正常子像素連接，使用正常子像素的薄膜晶體管驅(qū)動有缺陷的子像素，從而修復(fù)有缺陷的子像素。
[0010]在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加優(yōu)點、目的和特點，這些優(yōu)點、目的和特點的一部分從下面的描述對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是將顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過書面說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點。[0011]為實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體化和概括地描述的，提供一種平板顯示器，包括:顯示面板，所述顯示面板包括由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉而限定的多個子像素，每個子像素包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及連接圖案，所述連接圖案將所述多個子像素中的有缺陷的子像素的像素電極連接至沒有缺陷且與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
[0012]在本發(fā)明的另一方面，提供一種平板顯示器的制造方法，包括:形成顯示面板，所述顯示面板包括由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線限定的多個子像素，其中每個子像素包括薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管連接的像素電極以及通過絕緣膜與所述像素電極交疊以形成邊緣場切換的公共電極；在所述多個子像素中識別有缺陷的子像素；以及通過連接圖案將所述有缺陷的子像素的像素電極連接至沒有缺陷且與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
[0013]在本發(fā)明的又一方面，提供一種操作平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括:由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉限定的多個子像素，每個子像素包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及連接圖案，所述連接圖案將所述多個子像素中的有缺陷的子像素的像素電極連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極，所述方法包括:通過與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素將數(shù)據(jù)電壓傳輸至所述有缺陷的子像素；以及響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電壓，驅(qū)動所述相鄰的子像素以及所述有缺陷的子像素。
[0014]應(yīng)當理解，本發(fā)明前面的大體描述和下面的詳細描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]被包括在內(nèi)以給本發(fā)明提供進一步理解并結(jié)合在本申請中組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0016]圖1是示出根據(jù)第一實施方式的平板顯示器的平面圖；
[0017]圖2A是圖1的A區(qū)域的放大圖；
[0018]圖2B是沿圖2A的線H，和11-11，所取的剖面圖；
[0019]圖3是示出根據(jù)第二實施方式的平板顯示器的平面圖；
[0020]圖4A是圖3的B區(qū)域的放大圖；
[0021]圖4B是沿圖4A的線II1- HF和IV -1V’所取的剖面圖；以及
[0022]圖5A至圖51是示出與制造根據(jù)第二實施方式的平板顯示器的方法相關(guān)聯(lián)的工藝的剖面圖。
【具體實施方式】
[0023]現(xiàn)在將對本發(fā)明的實施方式進行詳細描述，附圖中示出了這些實施方式的一些實例。盡可能地在整個附圖中使用相同的參考數(shù)字表示相同或相似的部件。
[0024]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的平板顯示器。
[0025]第一實施方式
[0026]圖1是示出根據(jù)第一實施方式的平板顯示器的平面圖。圖2A是圖1的A區(qū)域的放大圖。圖2B是沿圖2A的線1-1’和11-11’所取的剖面圖。[0027]如圖1中所示，根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的平板顯示器包括以矩陣形式排列的多個子像素。平板顯示器包括薄膜晶體管基板、濾色器基板以及設(shè)置在薄膜晶體管基板與濾色器基板之間的液晶層。每個子像素形成在由多條柵極線110與多條數(shù)據(jù)線140之間的每個交叉所限定的像素區(qū)域中。
[0028]本發(fā)明用于修復(fù)任何有缺陷的子像素。在子像素中，有缺陷的子像素IA通過連接圖案200與相鄰于子像素IA的正常(即沒有缺陷的)子像素IB連接。優(yōu)選地，連接圖案200與位于有缺陷的子像素與相鄰的正常子像素之間的柵極線交疊，并與其絕緣。如果有缺陷的子像素未通過連接圖案200與正常子像素IB連接，則當有缺陷的子像素被驅(qū)動時可呈現(xiàn)出暗點或亮點。有缺陷的子像素可由信號線的短路和/或開路、薄膜晶體管的缺陷、電極圖案的缺陷等引起。相比之下，正常子像素是通過發(fā)射與子像素相關(guān)聯(lián)的預(yù)期顏色的光而正確工作(即，不會產(chǎn)生缺陷)的子像素。當正常子像素IB被驅(qū)動時，有缺陷的子像素IA由于通過連接圖案200與正常子像素IB連接所以也被驅(qū)動，進而可操作有缺陷的子像素1A。因此，優(yōu)選地，有缺陷的子像素IA和正常子像素IB發(fā)出相同顏色的光。
[0029]如圖2A和圖2B中所示，薄膜晶體管基板包括下基板100、形成在下基板100上的薄膜晶體管、與薄膜晶體管連接的像素電極170以及通過絕緣膜150c與像素電極170交疊以形成邊緣場切換(FFS)的公共電極160。
[0030]特別地，柵極線110和數(shù)據(jù)線140在下基板100上彼此交叉以限定多個像素區(qū)域。每個像素區(qū)域包括薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極110a、包括有源層(未示出)和歐姆接觸層(未示出)的半導(dǎo)體層130、從數(shù)據(jù)線140延伸的源極140a以及與源極140a隔開的漏極140b。在圖2A中，“開口”是指有缺陷的子像素的漏極中的斷開(S卩，切口)。斷開產(chǎn)生于有缺陷的子像素中，以防止通過連接圖案200與有缺陷的子像素連接的正常子像素盡管正確操作，但在面板的自動探測期間出現(xiàn)缺陷。優(yōu)選地，去除有缺陷的子像素的漏極的一部分，以將有缺陷的子像素的像素電極與有缺陷的子像素的薄膜晶體管分離開。
[0031]第一保護膜150a和第二保護膜150b依次形成在柵極絕緣膜120上，以便第一保護膜150a和第二保護膜150b覆蓋薄膜晶體管，并且公共電極160形成在第二保護膜150b上。公共電極160由諸如氧化錫(T0)、氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫鋅(ITZO)這樣的透明導(dǎo)電材料制成。僅如圖2B中所示，公共電極160以單電極形狀形成在除薄膜晶體管之外的區(qū)域中的第二保護膜150b的整個表面上。
[0032]形成絕緣膜150c并使其覆蓋公共電極160，并且通過選擇性地去除位于漏極140b的一部分上的部分第一保護膜150a、位于漏極140b的所述部分上的部分第二保護膜150b、以及部分絕緣膜150c以暴露漏極140b的所述部分，形成漏極接觸孔150H。狹縫形像素電極170形成在絕緣膜150c上，并且像素電極170通過接觸孔150H與漏極140b連接。公共電極160通過絕緣膜150c與像素電極170交疊以形成邊緣場切換(FFS)。
[0033]盡管未示出，濾色器基板與薄膜晶體管基板接合。濾色器基板包括多個濾色器、多個黑矩陣以及涂覆層，其中，濾色器形成在上基板的各個像素區(qū)域中，黑矩陣形成在各個子像素之間的區(qū)域中以及與薄膜晶體管相對應(yīng)的區(qū)域中以防止漏光，涂覆層覆蓋包括濾色器和黑矩陣的上基板的整個表面。
[0034]此外，液晶層設(shè)置在薄膜晶體管基板與濾色器基板之間。液晶層的液晶分子通過邊緣場切換而旋轉(zhuǎn)。根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，穿過像素區(qū)域的光的透射率改變并且因此形成圖像。
[0035]在本發(fā)明的平板顯示器中，有缺陷的子像素IA的像素電極170使用連接圖案200與正常子像素IB的像素電極170連接。正常子像素IB設(shè)置在有缺陷的子像素IA的上游或下游，并且連接圖案200與柵極線110上方的區(qū)域交疊以將有缺陷的子像素IA的像素電極170與正常子像素IB的像素電極170連接。在這種情形中，連接圖案200由鎢(W)制成。
[0036]也就是說，上述本發(fā)明的平板顯示器使用正常子像素IB的薄膜晶體管驅(qū)動有缺陷的子像素1A，由此正常地驅(qū)動有缺陷的子像素1A。在一個實施方式中，驅(qū)動電壓(或數(shù)據(jù)電壓)被施加至正常子像素1B，從而驅(qū)動正常子像素1B。由于有缺陷的子像素IA通過連接圖案200與正常子像素IB連接，所以當驅(qū)動電壓被施加至正常子像素IB時，有缺陷的子像素IA也被驅(qū)動，由此會導(dǎo)致有缺陷的子像素IA發(fā)光。因此，在有缺陷的子像素IA的薄膜晶體管中，漏極140b的一部分被去除以便阻擋數(shù)據(jù)信號(未示出)。在一個實施方式中，通過切割漏極140b而去除漏極140b的所述部分。通過切割漏極140b，與有缺陷的子像素IA連接的正常子像素IB在面板的自動探測期間不會出現(xiàn)缺陷。如果漏極140b并未被去除，正常子像素IB將在面板的自動探測期間出現(xiàn)缺陷。
[0037]特別地，由于當有缺陷的子像素IA被修復(fù)時，兩個子像素由一個薄膜晶體管驅(qū)動，所以優(yōu)選地以Z反轉(zhuǎn)模式驅(qū)動根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的平板顯示器，以便確保薄膜晶體管的充足的充電時間。
[0038]在Z反轉(zhuǎn)模式中，在多個子像素中的多個薄膜晶體管以Z字形排列。如圖1中所示，與奇數(shù)柵極線110 (即，第一側(cè)柵極線)連接的薄膜晶體管分別與左側(cè)數(shù)據(jù)線140 (BP,第一側(cè)數(shù)據(jù)線)連接，而與偶數(shù)柵極線110 (即，第二側(cè)柵極線)連接的薄膜晶體管分別與右側(cè)數(shù)據(jù)線140 (即，第二側(cè)數(shù)據(jù)線)連接。
[0039]與幀反轉(zhuǎn)模式和行反轉(zhuǎn)模式相比，Z反轉(zhuǎn)模式具有薄膜晶體管的充足的充電時間裕度。因此，盡管使用一個薄膜晶體管驅(qū)動兩個子像素，仍能夠防止子像素的顯示質(zhì)量的退化。
[0040]而且，本發(fā)明的平板顯示器的子像素以邊緣場切換模式驅(qū)動。與在扭曲向列(TN)模式或面內(nèi)切換模式中驅(qū)動的平板顯示器相比，邊緣場切換模式的平板顯示器具有小的子像素尺寸以及由此產(chǎn)生的高分辨率。因此，當正常子像素IB被驅(qū)動時，盡管通過連接圖案200與正常子像素連接的有缺陷的子像素IA與正常子像素IB—起被驅(qū)動，然而有缺陷的子像素IA并不會出現(xiàn)缺陷(即，有缺陷的子像素IA發(fā)出預(yù)期顏色的光)。
[0041]第二實施方式
[0042]根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器具有這樣的構(gòu)造，即兩個正常子像素與一個有缺陷的子像素連接并且使用一個薄膜晶體管驅(qū)動1.5個子像素。由于與有缺陷的子像素IA連接的每個正常子像素驅(qū)動其自身并且驅(qū)動半個有缺陷的子像素1A，所以1.5個子像素被驅(qū)動。
[0043]與第一實施方式相比，通過使用兩個正常子像素驅(qū)動有缺陷的子像素，減少了驅(qū)動有缺陷的子像素所需要的時間長度。在一個實施方式中，驅(qū)動電壓被施加至與有缺陷的子像素連接的兩個正常子像素IC和1D，從而驅(qū)動兩個正常子像素IC和1D。當將驅(qū)動電壓施加至兩個正常子像素IC和ID時，由于有缺陷的子像素IA通過連接圖案200a和200b與兩個正常子像素IC和ID連接，所以有缺陷的子像素IA也被驅(qū)動，由此會導(dǎo)致有缺陷的子像素IA發(fā)光。
[0044]圖3是示出根據(jù)第二實施方式的平板顯示器的平面圖。圖4A是圖3的B區(qū)域的放大圖。圖4B是沿圖4A的線II1- HF和IV -1V’所取的剖面圖。
[0045]如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器包括以矩陣形式排列的多個子像素，并且每個子像素形成在由彼此交叉的柵極線110與數(shù)據(jù)線140限定的像素區(qū)域中。在子像素中，有缺陷的子像素IA通過第一連接圖案200a和第二連接圖案200b與相鄰于有缺陷的子像素IA的第一正常子像素IC和第二正常子像素ID連接。在這種情形中，有缺陷的子像素IA和正常子像素IC和ID發(fā)出相同顏色的光。
[0046]如圖4A和圖4B中所示，薄膜晶體管基板包括:下基板100 ;形成在下基板100上的薄膜晶體管；與薄膜晶體管連接的像素電極170、170a或170b ;以及通過絕緣膜150c與像素電極170交疊以形成邊緣場切換(FFS)的公共電極160。薄膜晶體管包括柵極110a、包括有源層(未示出)和歐姆接觸層(未示出)的半導(dǎo)體層130、從數(shù)據(jù)線140延伸的源極140a以及與源極140a隔開的漏極140b。
[0047]第一保護膜150a和第二保護膜150b依次形成在柵極絕緣膜120上，以便第一保護膜150a和第二保護膜150b覆蓋薄膜晶體管，并且公共電極160形成在第二保護膜150b上。在這種情形中，公共電極160以單電極形狀形成在除薄膜晶體管之外的區(qū)域中的第二保護膜150b的整個表面上。
[0048]形成絕緣膜150c，并使其覆蓋公共電極160，并且通過選擇性地去除位于漏極140b的一部分上的部分第一保護膜150a、位于漏極140b的所述部分上的部分第二保護膜150b、以及位于漏極140b的所述部分上的部分絕緣膜150c以暴露漏極140b的所述部分，形成漏極接觸孔150H。狹縫形像素電極170形成在絕緣膜150c上。像素電極170通過漏極接觸孔150H與漏極140b連接。公共電極160通過絕緣膜150c與像素電極170交疊以形成邊緣場切換(FFS)。
[0049]盡管未示出，濾色器基板包括多個濾色器、多個黑矩陣以及涂覆層，其中，濾色器形成在上基板的各個像素區(qū)域中，黑矩陣形成在各個子像素之間的區(qū)域中以及與薄膜晶體管相對應(yīng)的區(qū)域中，涂覆層覆蓋包括濾色器和黑矩陣的上基板的整個表面。此外，液晶層設(shè)置在薄膜晶體管基板與濾色器基板之間。液晶層的液晶分子通過邊緣場切換而旋轉(zhuǎn)。根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，穿過像素區(qū)域的光的透射率改變并且因此形成圖像。
[0050]在根據(jù)第二實施方式的平板顯示器中，有缺陷的子像素IA的像素電極被分成第一像素電極圖案170a和第二像素電極圖案170b，并且第一像素電極圖案170a和第二像素電極圖案170b分別通過第一連接圖案200a和第二連接圖案200b與不同正常子像素的像素電極170連接。
[0051]特別地，第一像素電極圖案170a通過第一連接圖案200a與設(shè)置在有缺陷的子像素IA的上游的正常子像素IC的像素電極170連接，并且第二像素電極圖案170b通過第二連接圖案200b與設(shè)置在有缺陷的子像素IA的下游的正常子像素ID的像素電極170連接。此外，在有缺陷的子像素IA的薄膜晶體管中，漏極140b的一部分被去除(未示出)以便阻擋數(shù)據(jù)信號。在圖4B中，“開口”是指如上所述的有缺陷的子像素的漏極中的斷開(S卩，切口)。
[0052]也就是說，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器使用一個薄膜晶體管驅(qū)動1.5個子像素。特別地，盡管電荷通過一個薄膜晶體管分布在正常子像素IC以及包括第一像素電極圖案170a的有缺陷的子像素中，然而與幀反轉(zhuǎn)模式和行反轉(zhuǎn)模式相比，Z反轉(zhuǎn)模式具有薄膜晶體管的充足的充電時間裕度。因此，盡管使用一個薄膜晶體管驅(qū)動1.5個子像素，但是仍能夠防止子像素的顯示質(zhì)量的退化。
[0053]并且，與根據(jù)第一實施方式的其中由一個薄膜晶體管驅(qū)動兩個子像素的平板顯示器相比，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器表現(xiàn)出進一步改善的子像素的顯示質(zhì)量。
[0054]在下文中，將參照附圖描述本發(fā)明的平板顯示器的制造方法。
[0055]圖5A至圖51是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器的制造工藝的剖面圖。
[0056]如圖5A中所示，在下基板100上形成多條柵極線110和柵極110a。在包括柵極線110和柵極IlOa的下基板100的整個表面上形成柵極絕緣膜120。
[0057]如圖5B中所示，在柵極絕緣膜120上形成包括有源層和歐姆接觸層的半導(dǎo)體層130，以便半導(dǎo)體層130與柵極IlOa交疊。在半導(dǎo)體層130上形成通過柵極絕緣膜120與柵極線110交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線140、從數(shù)據(jù)線140伸出的源極140a以及與源極140a隔開的漏極140b。此外，選擇性地去除在源極140a與漏極140b之間的歐姆接觸層以形成溝道。
[0058]結(jié)果，形成了包括柵極110a、柵極絕緣膜120、半導(dǎo)體層130、源極140a以及漏極140b的薄膜晶體管TFT。同時，盡管在附圖中示出了使用不同的掩模形成數(shù)據(jù)線140、源極140a、漏極140b以及半導(dǎo)體層130，但是可同時形成這些組件以便減少掩模的數(shù)量。此外，在柵極絕緣膜120上形成第一保護膜150a，以覆蓋包括薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線140的下基板100的整個表面。
[0059]如圖5C中所示，在第一保護膜150a上形成第二保護膜150b。如圖中所示，在第二保護膜150b上形成具有單電極形狀的公共電極160。公共電極160由諸如氧化錫(T0)、氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫鋅(ITZO)這樣的透明導(dǎo)電材料形成。公共電極160形成在下基板100的長度方向上，并且僅在與薄膜晶體管相對應(yīng)的區(qū)域，例如在薄膜晶體管上方的區(qū)域處具有開口。
[0060]如圖5E中所示,形成絕緣膜150c以便絕緣膜150c覆蓋公共電極160的整個表面。通過選擇性地去除位于漏極140b的一部分的上方的部分第一保護膜150a、部分第二保護膜150b以及部分絕緣膜150c而在第一保護膜150a、第二保護膜150b以及絕緣膜150c中形成漏極接觸孔150H，以暴露漏極140b的所述部分。如圖5F中所示，在絕緣膜150c上的每個像素區(qū)域中形成多個狹縫形像素電極170。多個狹縫形像素電極170由透明導(dǎo)電材料形成。每個像素電極170通過漏極接觸孔150H與漏極140b連接。
[0061]為了檢查子像素是否被正常地驅(qū)動(S卩，正確地工作)，將測試信號施加至子像素，從而檢查子像素以確定子像素是否正確地工作。
[0062]在檢查子像素之后，如果識別出有缺陷的子像素，則如圖5G中所示，產(chǎn)生具有預(yù)定成分的氣體氣氛。在一個實施方式中，具有預(yù)定成分的氣體是六羰基鎢(W(CO)6X
[0063]如圖M中所不，在六羰基鶴(W(CO)6)氣氛下在第一位置201處用激光照射有缺陷的子像素的像素電極170。此外，當將激光移位至與有缺陷的子像素相鄰的正常子像素的像素電極170所對應(yīng)的第二位置203處時，W(CO)6與激光反應(yīng)以分解W(CO)6并且從W(CO)6中分離出鎢(W)。此外，分離出的鎢(W)沿激光照射區(qū)域沉積從而形成將有缺陷的子像素的像素電極170與正常子像素的像素電極170連接的連接圖案200a。與此相似地，將激光移位至與有缺陷的子像素相鄰的另一正常子像素的像素電極以形成連接圖案200b。
[0064]特別地，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的平板顯示器包括第一連接圖案200a和第二連接圖案200b，以將有缺陷的子像素的像素電極與設(shè)置在有缺陷的子像素的像素電極的上游和下游的正常子像素的像素電極連接。優(yōu)選地，可以按照如下方式形成第一連接圖案200a和第二連接圖案200b:在一氣氛下將激光照射在有缺陷的子像素的像素電極的第一端；將激光移位至與有缺陷的子像素相鄰的正常子像素的像素電極以形成第一連接圖案200a ;在所述氣氛下將激光照射在有缺陷的子像素的像素電極的第二端；以及將激光移位至與有缺陷的子像素相鄰的另一正常子像素的像素電極以形成第二連接圖案200b。
[0065]如圖51中所示，將在有缺陷的子像素的薄膜晶體管中的漏極140b的一部分去除(未示出)，以便阻擋數(shù)據(jù)信號。此時，還將與漏極140b被去除的區(qū)域相對應(yīng)的柵極絕緣膜120去除，以暴露下基板100的上表面。在圖51中，“開口”是指如上所述的有缺陷的子像素的漏極中的斷開(即，切口)
[0066]如上所述，將有缺陷的子像素的像素電極與設(shè)置在有缺陷的子像素的上游和下游的正常子像素的兩個像素電極連接。此外，將有缺陷的子像素的像素電極170分成第一像素電極圖案170a和第二像素電極圖案170b。此時，通過第一連接圖案200a將第一像素電極圖案170a與設(shè)置在有缺陷的子像素的上游的正常子像素的像素電極170連接，并且通過第二連接圖案200b將第二像素電極圖案170b與設(shè)置在有缺陷的子像素的下游的正常子像素的像素電極170連接。
[0067]在附圖中示出了在第一連接圖案200a和第二連接圖案200b形成之后，有缺陷的子像素的漏極的開口以及將像素電極分成第一像素電極圖案170a和第二像素電極圖案170b。也可以在形成有缺陷的子像素的漏極140b的開口以及將像素電極分成第一像素電極圖案170a和第二像素電極圖案170b之后，形成第一連接圖案200a和第二連接圖案200b。
[0068]如上所述，本發(fā)明的平板顯示器能夠通過將有缺陷的子像素與相鄰于有缺陷的子像素的正常子像素連接并且使用正常子像素的薄膜晶體管驅(qū)動有缺陷的子像素，修復(fù)有缺陷的子像素。在這種情形中，平板顯示器以Z反轉(zhuǎn)模式驅(qū)動，并且因此，與有缺陷的子像素連接的正常子像素的薄膜晶體管能夠確保充足的充電時間。因此，平板顯示器能夠防止已修復(fù)的有缺陷的子像素以及與有缺陷的子像素連接的子像素的顯示質(zhì)量的退化。
[0069]并且，本發(fā)明的平板顯示器具有高分辨率，其中，盡管正常子像素和有缺陷的子像素彼此連接并且被同時驅(qū)動，但每個子像素以邊緣場切換模式驅(qū)動，從而防止有缺陷的子像素容易被看見。
[0070]本發(fā)明的平板顯示器及其制造方法具有如下優(yōu)點。
[0071]第一，通過將有缺陷的子像素的像素電極與相鄰于有缺陷的子像素的正常子像素的像素電極連接，能夠使用正常子像素的薄膜晶體管驅(qū)動有缺陷的子像素。
[0072]第二，通過以Z反轉(zhuǎn)模式驅(qū)動平板顯示器，能夠確保與有缺陷的子像素連接的正常子像素的薄膜晶體管具有充足的充電時間。因此，能夠防止已修復(fù)的有缺陷的子像素以及與有缺陷的子像素連接的正常子像素的顯示質(zhì)量的退化。
[0073]第三，子像素以邊緣場切換(FFS)模式驅(qū)動。因此，與以扭曲向列(TN)模式或面內(nèi)切換(IPS)模式驅(qū)動的平板顯示器相比，以FFS模式驅(qū)動的平板顯示器具有小的子像素尺寸以及由此產(chǎn)生的高分辨率。結(jié)果，盡管正常子像素和有缺陷的子像素彼此連接并且被同時驅(qū)動，但他們并不容易被看見。
[0074]在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明進行各種修改和變化，這對于所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書的范圍及其等效范圍內(nèi)的對本發(fā)明的所有修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種平板顯示器，包括: 顯示面板，所述顯示面板包括由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉而限定的多個子像素，每個子像素包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及 連接圖案，所述連接圖案將所述多個子像素中的有缺陷的子像素的像素電極連接至沒有缺陷且與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述柵極線包括彼此交替的第一側(cè)柵極線與第二側(cè)柵極線，并且與所述第一側(cè)柵極線中的一條柵極線連接的第一薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管左側(cè)的數(shù)據(jù)線連接，以及其中與所述第二側(cè)柵極線中的一條柵極線連接的第二薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管右側(cè)的數(shù)據(jù)線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述連接圖案與位于所述有缺陷的子像素與所述相鄰的子像素之間的柵極線交疊，所述連接圖案與所述柵極線絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述有缺陷的子像素的像素電極包括第一像素電極圖案和第二像素電極圖案，并且所述第一像素電極圖案和所述第二像素電極圖案中的每個像素電極圖案與沒有缺陷的相鄰子像素的相應(yīng)像素電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板顯示器，其中所述連接圖案將所述第一像素電極圖案連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極，并且 其中另一連接圖案將所述第二像素電極圖案連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的另一子像素的像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板顯示器，其中所述有缺陷的子像素和沒有缺陷的子像素發(fā)出相同顏色的光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的`平板顯示器，其中所述顯示面板包括: 下基板； 所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線，所述多條柵極線和所述多條數(shù)據(jù)線通過柵極絕緣膜彼此交叉以在所述下基板上限定所述子像素； 第一保護膜，所述第一保護膜覆蓋每個子像素的薄膜晶體管； 第二保護膜，所述第二保護膜覆蓋每個子像素的薄膜晶體管； 公共電極，所述公共電極形成在所述第二保護膜上； 絕緣膜，所述絕緣膜形成在所述公共電極上； 漏極接觸孔，所述漏極接觸孔通過選擇性地去除所述第一保護膜的一部分、所述第二保護膜的一部分以及所述絕緣膜的一部分而暴露所述薄膜晶體管的漏極；以及 像素電極，所述像素電極通過所述漏極接觸孔與所述薄膜晶體管連接，所述像素電極通過所述絕緣膜與所述公共電極交疊，以與所述公共電極形成邊緣場切換。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的平板顯示器，其中所述有缺陷的子像素的漏極的一部分被去除，以將所述有缺陷的子像素的像素電極與所述有缺陷的子像素的薄膜晶體管分離開。
9.一種平板顯示器的制造方法，包括: 形成顯示面板，所述顯示面板包括由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線限定的多個子像素，其中每個子像素包括薄膜晶體管、與所述薄膜晶體管連接的像素電極以及通過絕緣膜與所述像素電極交疊以形成邊緣場切換的公共電極； 在所述多個子像素中識別有缺陷的子像素；以及通過連接圖案將所述有缺陷的子像素的像素電極連接至沒有缺陷且與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述柵極線包括彼此交替的第一側(cè)柵極線與第二側(cè)柵極線，并且與所述第一側(cè)柵極線中的一條柵極線相連的第一薄膜晶體管與所述第一薄膜晶體管左側(cè)的數(shù)據(jù)線連接，以及其中與所述第二側(cè)柵極線中的一條柵極線連接的第二薄膜晶體管與所述第二薄膜晶體管右側(cè)的數(shù)據(jù)線連接，以在Z反轉(zhuǎn)模式中驅(qū)動所述顯示面板。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中所述連接圖案與位于所述有缺陷的子像素與所述相鄰的子像素之間的柵極線交疊，所述連接圖案與所述柵極線絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中連接所述像素電極包括: 在氣體氣氛下將激光照射至所述有缺陷的子像素的像素電極；以及 將激光移位至與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其中所述氣體氣氛是六羰基鎢(W(CO)6)氣體氣氛。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的制造方法，其中沿激光照射區(qū)域沉積從所述氣體氣氛中分離出的材料以形成所述連接圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其中沿所述激光照射區(qū)域沉積的材料是鎢(W)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中所述有缺陷的子像素的像素電極包括第一像素電極圖案和第二像素電極圖案，所述方法還包括: 通過所述連接圖案將所述第一像素電極圖案連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的第一子像素的像素電極，并且 通過另一連接圖案將所述第二像素電極圖案連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的第二子像素的像素電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，還包括: 在一氣氛下將激光照射在所述有缺陷的子像素的像素電極的第一端； 將激光移位至與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極以形成所述連接圖案； 在所述氣氛下將激光照射在所述有缺陷的子像素的像素電極的第二端；以及將激光移位至與所述有缺陷的子像素相鄰的另一子像素的像素電極以形成所述另一連接圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造方法，其中所述氣氛是六羰基鎢W(CO)6氣氛，并且所述方法還包括: 沿激光照射區(qū)域?qū)⒊练e從所述六羰基鎢W(CO)6氣氛中分離出的鎢(W)。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其中所述有缺陷的子像素和所述相鄰的子像素發(fā)出相同顏色的光。
20.一種操作平板顯示器的方法，所述平板顯示器包括:由多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線的交叉限定的多個子像素，每個子像素包括薄膜晶體管以及與所述薄膜晶體管連接的像素電極；以及連接圖案，所述連接圖案將所述多個子像素中的有缺陷的子像素的像素電極連接至與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素的像素電極，所述方法包括:通過與所述有缺陷的子像素相鄰的子像素將數(shù)據(jù)電壓傳輸至所述有缺陷的子像素；以及 響應(yīng)于所述數(shù)據(jù)電壓，驅(qū)動所述相鄰的子像素以及所述有缺陷的子像素。
【文檔編號】G02F1/1362GK103777413SQ201310165862
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2013年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月23日
【發(fā)明者】李相浹, 蔣政勛 申請人:樂金顯示有限公司