用于光刻系統(tǒng)的圖案生成器的制造方法【專利摘要】圖案生成器包括：具有平面鏡的平面鏡陣列板、設(shè)置在平面鏡陣列板上方的至少一個(gè)電極板、設(shè)置在平面鏡上方的小透鏡、以及夾置在平面鏡陣列板和電極板之間的至少一個(gè)絕緣層。電極板包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層。小透鏡具有在電極板中形成的非豎直側(cè)壁。圖案生成器進(jìn)一步包括夾置在兩個(gè)電極板之間的至少一個(gè)絕緣體。非豎直側(cè)壁可以是U形側(cè)壁或L形側(cè)壁。本發(fā)明還提供了用于光刻系統(tǒng)的圖案生成器?！緦＠f明】用于光刻系統(tǒng)的圖案生成器【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明一般地涉及半導(dǎo)體【
技術(shù)領(lǐng)域：
】，更具體地來說，涉及圖案生成器及其制造方法。【
背景技術(shù)：
】[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)經(jīng)歷了呈指數(shù)式增長。IC材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步產(chǎn)生了多代1C，其中，每代都比前一代具有更小和更復(fù)雜的電路。在IC演進(jìn)的過程中，功能密度(即，單位芯片面積上的互連器件的數(shù)量)通常增加，而幾何尺寸(即，可以使用制造工藝制造的最小組件(或線))減小。該按比例縮小工藝通常通過增加生產(chǎn)效率并且降低相關(guān)成本來提供優(yōu)點(diǎn)。[0003]按比例縮小存在困難，特別是光刻系統(tǒng)。例如，光刻系統(tǒng)中的光衍射變成進(jìn)一步按比例縮小特征大小的障礙。帶電粒子束光刻系統(tǒng)可以是按比例縮小特征大小的另一種選擇，但是這些系統(tǒng)通常會(huì)減小生成能力。從而，需要增加諸如帶電粒子束光刻系統(tǒng)的光刻系統(tǒng)中的晶圓生產(chǎn)能力的方法?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0004]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的缺陷，根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種圖案生成器，包括:平面鏡陣列板，包括平面鏡；第一電極板，設(shè)置在所述平面鏡陣列板上方，所述第一電極板包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；小透鏡，設(shè)置在所述平面鏡上方，所述小透鏡包括在所述第一電極板中所形成的非豎直側(cè)壁；以及第一絕緣層，夾置在所述平面鏡陣列板和所述第一電極板之間。[0005]該圖案生成器進(jìn)一步包括:第二絕緣層，設(shè)置在所述第一電極板上方；以及第二電極板，設(shè)置在所述第二絕緣層上方；其中，所述小透鏡還包括在所述第二電極板中形成的非豎直側(cè)壁。[0006]在該圖案生成器中，所述電極板平行于所述平面鏡陣列板。[0007]在該圖案生成器中，所述非豎直側(cè)壁包括U形側(cè)壁或L形側(cè)壁。[0008]在該圖案生成器中，所述電極板包括兩個(gè)第一導(dǎo)電層和夾置在所述兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的一個(gè)第二導(dǎo)電層。[0009]在該圖案生成器中，所述第一導(dǎo)電層不同于所述第二導(dǎo)電層。[0010]在該圖案生成器中，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層包括不同的蝕刻率。[0011]在該圖案生成器中，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層包括不同的應(yīng)力。[0012]在該圖案生成器中，所述小透鏡與所述平面鏡對(duì)準(zhǔn)。[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造光刻膠圖案的方法，所述方法包括:接收襯底；在所述襯底上沉積光刻膠膜；利用圖案生成器(PG)使沉積在所述襯底上的所述光刻膠膜曝光，其中，所述圖案生成器包括:平面鏡陣列板，具有平面鏡；至少一個(gè)絕緣層，設(shè)置在所述平面鏡陣列板上方；至少一個(gè)電極板，設(shè)置在所述絕緣板上方，所述電極板包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；和小透鏡，形成在所述平面鏡上方，所述小透鏡包括在所述電極板中形成的非豎直側(cè)壁；以及通過使曝光的光刻膠膜顯影，在所述襯底上形成所述光刻膠圖案。[0014]該方法進(jìn)一步包括:使用具有特征的集成電路(IC)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫和連接至所述PG的電場(chǎng)生成器，所述PG用于響應(yīng)于所述特征控制所述小透鏡反射或者吸收輻射束。[0015]在該方法中，所述絕緣層包括非導(dǎo)電無機(jī)材料或有機(jī)材料。[0016]在該方法中，所述第一導(dǎo)電層包括金屬或金屬化合物。[0017]在該方法中，所述第二導(dǎo)電層包括金屬或金屬化合物。[0018]在該方法中，源包括電子源或離子源。[0019]在該方法中，所述非豎直側(cè)壁包括U形側(cè)壁。[0020]根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種用于制造圖案生成器的方法，所述方法包括:接收具有平面鏡的平面鏡陣列板；在所述平面鏡陣列板上方沉積至少一個(gè)絕緣層；在所述絕緣層上方形成至少一個(gè)電極板，其中，形成所述電極板包括:在所述絕緣體上方沉積至少一個(gè)第一導(dǎo)電層并且在所述第一導(dǎo)電層上方沉積至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；以及在所述平面鏡上方形成小透鏡，其中，形成所述小透鏡包括:實(shí)施凹槽蝕刻，以在所述電極板中形成非豎直側(cè)壁。[0021]該方法進(jìn)一步包括:使用所述圖案生成器在襯底上形成光刻膠圖案，其中，所述襯底包括晶圓或掩模覆蓋層。[0022]在該方法中，形成所述電極板包括:形成具有夾置一個(gè)第二導(dǎo)電層的兩個(gè)第一導(dǎo)電層的三層電極板。[0023]在該方法中，形成所述非豎直側(cè)壁包括:在所述電極板中形成U形側(cè)壁?！緦＠綀D】【附圖說明】[0024]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行讀取時(shí)，通過以下詳細(xì)描述更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，多種部件沒有按比例繪制并且僅用于說明目的。實(shí)際上，為了論述清楚起見，多種部件的尺寸可以任意增加或減小。[0025]圖1是可以通過一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例獲益的光刻系統(tǒng)的框圖。[0026]圖2和圖3是用于實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的光刻系統(tǒng)的圖案生成器的截面圖。[0027]圖4是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例制造圖案生成器的方法的流程圖。[0028]圖5至圖7是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例制造圖案生成器的截面圖。[0029]圖8是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在襯底上形成光刻膠圖案的方法的流程圖。[0030]圖9至圖12是根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例在襯底上形成光刻膠圖案的截面圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0031]以下公開內(nèi)容提供用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。以下描述部件和布置的特定?shí)例，以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不用于進(jìn)行限定。例如，在以下說明中，第一部件形成在第二部件上方或上可以包括以直接接觸的方式形成第一部件和第二部件的實(shí)施例，并且還可以包括可以在第一部件和第二部件之間形成附加部件，使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實(shí)施例。另外，本發(fā)明可以在多種實(shí)例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。該重復(fù)用于簡單和清楚的目的，而且其本身沒有規(guī)定所論述的多種實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。[0032]現(xiàn)在參考圖1，光刻系統(tǒng)100是可以通過本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例獲益的系統(tǒng)的實(shí)例。在本實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)還被稱為曝光系統(tǒng)或曝光工具。光刻系統(tǒng)100包括源102、聚光透鏡列104、圖案生成器(PG)106、電場(chǎng)生成器(EFG)108、集成電路(IC)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110、投影透鏡列112、載物臺(tái)114以及襯底116。在本實(shí)施例中，光刻系統(tǒng)還被稱為曝光系統(tǒng)。應(yīng)該理解，系統(tǒng)100中的其他結(jié)構(gòu)以及包含或省略多項(xiàng)也是可能的。系統(tǒng)100是示例性實(shí)施例，并且不用于超過在權(quán)利要求中明確闡述的內(nèi)容來限定本發(fā)明。[0033]源102提供輻射束，諸如，電子束或離子束。源102可以包括離子源或電子源。在一個(gè)實(shí)施例中，電子源包括陰極、陽極以及光圈(aperture)。電子源通過將導(dǎo)電材料加熱到非常高的溫度來提供從導(dǎo)電材料所發(fā)射的多道電子束，其中，電子具有足夠能量以克服功函阻擋，并且逃離導(dǎo)電材料(熱離子源)，或通過施加足夠強(qiáng)的電場(chǎng)(電勢(shì))使電子通過功函阻擋層(場(chǎng)發(fā)射源)。高電勢(shì)被施加在陰極和陽極之間，從而加速電子朝向并通過光圈。所施加電勢(shì)的值確定到達(dá)固定在載物臺(tái)上的襯底的電子束的能級(jí)。[0034]聚光透鏡列104聚集來自源的輻射束并將輻射束引導(dǎo)至圖案生成器106。在一些實(shí)施例中，在通過聚光透鏡列104之后，輻射束相互平行。在其他實(shí)施例中，聚光透鏡列104可以包括多個(gè)電磁光圈、靜電透鏡、以及電磁透鏡。[0035]圖案生成器106被配置成連接至電場(chǎng)生成器108和IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110。在一些實(shí)施例中，圖案生成器106包括平面鏡陣列板、設(shè)置在平面鏡陣列板上方的至少一個(gè)電極板、以及夾置在平面鏡陣列板和電極板之間或電極板之間的至少一個(gè)絕緣體。平面鏡陣列板包括連接電場(chǎng)生成器108的多個(gè)平面鏡，電極板包括多個(gè)小透鏡(lenslets)，并且絕緣層包括絕緣體。圖案生成器106通過反射或吸收由聚光透鏡列104引導(dǎo)至每個(gè)小透鏡的輻射束，根據(jù)設(shè)計(jì)布局來提供圖案化的輻射束。以下將詳細(xì)地論述圖案生成器106。[0036]電場(chǎng)生成器108連接至嵌入圖案生成器106的平面鏡陣列板中的平面鏡和IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110。電場(chǎng)生成器108通過反射或吸收輻射束，根據(jù)IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110打開或關(guān)閉平面鏡。在一個(gè)實(shí)施例中，輻射束包括電子束或離子束。[0037]IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110連接至電場(chǎng)生成器108。IC設(shè)計(jì)的IC數(shù)據(jù)庫110包括IC設(shè)計(jì)布局。在本實(shí)施例中，IC設(shè)計(jì)布局包括一個(gè)或多個(gè)IC設(shè)計(jì)部件或圖案。IC設(shè)計(jì)布局存在于具有幾何圖案信息的一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)文件中。在一個(gè)實(shí)例中，表達(dá)以“gds”格式表示IC設(shè)計(jì)布局。IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局控制電場(chǎng)生成器108，并且由此控制圖案生成器106以提供圖案化的輻射束。[0038]投影透鏡列112將由圖案生成器106生成的圖案化輻射束引導(dǎo)至固定在載物臺(tái)114上的襯底116。在一些實(shí)施例中，投影透鏡列112包括多個(gè)電磁光圈、靜電透鏡、電磁透鏡、以及偏轉(zhuǎn)器。[0039]載物臺(tái)114通過真空固定襯底116，并且在電子光刻系統(tǒng)100中聚焦、水準(zhǔn)測(cè)量(leveling)、以及曝光襯底116期間提供襯底116在X、Y和Z方向上的準(zhǔn)確運(yùn)動(dòng)。在一些實(shí)施例中，載物臺(tái)114包括多個(gè)電動(dòng)機(jī)、滾輪導(dǎo)軌、以及工作臺(tái)(table)。[0040]光刻系統(tǒng)100在高真空條件下工作。因此，光刻系統(tǒng)100可以包括一個(gè)或多個(gè)真空泵，諸如，用于低真空的機(jī)械泵和用于高真空的離子泵。[0041]光刻系統(tǒng)100還包括具有處理器、存儲(chǔ)器和I/O的計(jì)算機(jī)120。計(jì)算機(jī)120連接至源102、PG106、EFG108、數(shù)據(jù)庫110和/或載物臺(tái)114，以實(shí)施本文中所描述的一種或多種操作。[0042]圖2和圖3示出圖案生成器106的兩個(gè)不同實(shí)施例。不同實(shí)施例可以具有不同優(yōu)點(diǎn)，并且沒有特定優(yōu)點(diǎn)是任何實(shí)施例都必須具備的。圖案生成器106包括平面鏡陣列板202、嵌入平面鏡陣列板202中的平面鏡204、設(shè)置在平面鏡陣列板202上方的至少一個(gè)絕緣層206、以及具有至少一個(gè)第一導(dǎo)電板210a和至少一個(gè)第二導(dǎo)電板210b的至少一個(gè)電極板208、以及設(shè)置在平面鏡204上方的小透鏡212。應(yīng)該理解，圖案生成器106中的其他結(jié)構(gòu)以及包含或省略多項(xiàng)是可能的。[0043]平面鏡204嵌入平面鏡陣列板202中并且連接至電場(chǎng)生成器108，從而進(jìn)一步連接至IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫110。平面鏡204可以轉(zhuǎn)換為改變電勢(shì)的“打開”或“關(guān)閉”狀態(tài)，以反射或吸收諸如電子束的輻射束。這是關(guān)于“打開”狀態(tài)是指反射輻射束還是吸收輻射束，以及什么電勢(shì)被用于實(shí)現(xiàn)這樣的狀態(tài)的設(shè)計(jì)選擇；對(duì)于“關(guān)閉”狀態(tài)也是類似的。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)正電勢(shì)被施加至平面鏡時(shí)，平面鏡204處于“關(guān)閉”狀態(tài)，并且投射到平面鏡204上的電子束被吸收。因此，通過根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局“打開”或“關(guān)閉”平面鏡204，由圖案生成器106生成圖案化電子束。[0044]如圖2和圖3所示，絕緣板206設(shè)置在平面鏡陣列板202上方，而電極板208設(shè)置在絕緣板206上方。如圖所示，一對(duì)絕緣板206和形成在絕緣體206上的電極板208設(shè)置在圖2所示的平面鏡陣列板202上方。在其他實(shí)施例中，多于一對(duì)絕緣體和電極板可以設(shè)置在平面鏡陣列板202上方。此外，在一些實(shí)施例中，絕緣體206包括有機(jī)非導(dǎo)電材料或無機(jī)非導(dǎo)電材料，諸如，空氣、氧化硅、氮化硅、聚合物或其他合適材料。[0045]電極板208設(shè)置在絕緣板206上方并且被配置成平行于平面鏡陣列板202。如圖3的實(shí)施例所不，電極板206可以包括單個(gè)第一導(dǎo)電層210a和單個(gè)第二導(dǎo)電層210b。可以在其他實(shí)施例中使用附加導(dǎo)電層。例如，如圖2的實(shí)施例所不，電極板208包括兩個(gè)第一導(dǎo)電層210a和夾置在兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的一個(gè)第二導(dǎo)電層210b。在另一個(gè)實(shí)例中，電極板208可以包括交替地設(shè)置在絕緣板206上方的一個(gè)以上第一導(dǎo)電層210a和一個(gè)以上第二導(dǎo)電層210b。在一些實(shí)施例中，第一導(dǎo)電層210a包括金屬、金屬合金、或金屬化合物；以及第二導(dǎo)電層210b包括金屬、金屬合金、或金屬化合物。其他合適導(dǎo)電材料是可以的。[0046]繼續(xù)本實(shí)施例，第一導(dǎo)電層210a不同于第二導(dǎo)電層210b。在一個(gè)實(shí)施例中，與第二導(dǎo)電層210b相比，第一導(dǎo)電層210a具有不同的蝕刻率，使得當(dāng)使用凹槽蝕刻工藝時(shí)，在電極板208中形成小透鏡時(shí)會(huì)形成非豎直側(cè)壁。圖3示出L-形側(cè)壁，而圖2示出U-形側(cè)壁。在另一個(gè)實(shí)施例中，與第二導(dǎo)電層210b相比，第一導(dǎo)電層210a具有不同類型的應(yīng)力。相應(yīng)開口形成小透鏡212。例如,如果第一導(dǎo)電層210b包括張應(yīng)力，則第二導(dǎo)電層210b可以包括壓應(yīng)力；或者反之亦然。因此，當(dāng)使用第一導(dǎo)電層210a和第二導(dǎo)電層210b形成電極板208時(shí)，因?yàn)閴簯?yīng)力和張應(yīng)力可以相互補(bǔ)償，所以電極板208是平坦的并且平行于平面鏡陣列板202。[0047]現(xiàn)在參考圖4，根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例說明用于制造圖案生成器的方法300的流程圖。應(yīng)該理解，在方法300之前、期間和之后可以提供附加步驟，并且對(duì)于方法300的附加實(shí)施例，可以替換、刪除、或前后移動(dòng)所描述的一些步驟。以下將進(jìn)一步描述方法300，并且同時(shí)參考圖5至圖7描述使用方法300制造圖案生成器400的更具體的實(shí)施例。[0048]方法300開始于步驟302，其中，接收具有多個(gè)嵌入式平面鏡的平面鏡陣列板。在本實(shí)施例中，平面鏡還被稱為像素。參考圖5，平面鏡陣列板402包括嵌入式平面鏡404。在一些實(shí)施例中，如圖1所示，平面鏡404連接至由IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫所控制的電場(chǎng)生成器，并且平面鏡404可以根據(jù)IC設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫轉(zhuǎn)換至“打開”狀態(tài)或“關(guān)閉”狀態(tài)。[0049]方法300進(jìn)行至步驟304，其中，在平面鏡陣列板上方沉積絕緣層。再次參考圖5，絕緣層406a被沉積在具有嵌入式平面鏡404的平面鏡陣列板402上方。在一些實(shí)施例中，絕緣層406a包括無機(jī)非導(dǎo)電材料或有機(jī)非導(dǎo)電材料，諸如空氣、聚合物、氧化娃、氮化娃、或其他合適材料。絕緣層的厚度在約500至IOOOnm的范圍。例如，可以使用化學(xué)汽相沉積(CVD)或物理汽相沉積(PVD)來沉積絕緣層406。[0050]方法300進(jìn)行至步驟306，其中，在絕緣層上方形成電極板。再次參考圖5，在設(shè)置在平面鏡陣列板402上方的絕緣層406a上沉積電極層408a。如上所述，電極層408a可以具有多種結(jié)構(gòu)，諸如，兩個(gè)第一導(dǎo)電層410a和夾置在其兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的第二導(dǎo)電層410b。用于電極408a的一層或多層可以包括不同金屬或金屬化合物，諸如，AUTiN,或TaN。使用圖5所示的實(shí)例，電極板408a包括三層堆疊，其中，由TiN層(410a)圍繞Al(410b)層。例如可以使用CVD或PVD沉積層410，電極板408a的總厚度在約50nm到約500nm的范圍內(nèi)。[0051]方法300進(jìn)行至步驟308，其中，確定是否要重復(fù)步驟304和306。在圖5的實(shí)施例中，步驟304/306被重復(fù)四次。再次參考圖5，在包括嵌入平面鏡陣列板402中的平面鏡404的平面鏡陣列板402上形成四對(duì)交替的絕緣層406a-d和電極板408a_d。在一些實(shí)施例中，每個(gè)電極板408a、408b、408c或408d的厚度還可以在約500nm到IOOOnm的范圍內(nèi)變化。[0052]方法300進(jìn)行至步驟310，其中，在嵌入平面鏡陣列板中的平面鏡上方的成對(duì)絕緣層和電極板中形成孔。參考圖6，在嵌入平面鏡陣列板402中的平面鏡404上方的成對(duì)絕緣層406a-d和電極板408a-d中形成孔412?？?12與平面鏡404對(duì)準(zhǔn)。在一個(gè)實(shí)施例中，孔412的俯視圖形狀是大直徑在約0.5μπι至1.2μπι的范圍內(nèi)的卵形。其他實(shí)施例包括大尺寸為約0.5?1.2X0.5?1.2μm2的正方形或矩形。其他形狀是可以的。形成孔412的一種方式是使用諸如包括光刻、蝕刻、以及清潔的傳統(tǒng)圖案化工藝。[0053]方法300進(jìn)行至步驟312，其中，實(shí)施凹槽形成工藝，以形成具有諸如U-形側(cè)壁的非豎直側(cè)壁的小透鏡。參考圖7，在分別成對(duì)的絕緣層406a-d和電極板408a-d中形成具有凹槽深度X的U-形側(cè)壁的小透鏡414。在諸如TiN/Al/TiN堆疊的電極板的三層堆疊電極板中，凹槽深度X在約O至250nm的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖7所示，絕緣層406a_d在凹槽形成工藝期間可能會(huì)浪費(fèi)附加材料。[0054]實(shí)施凹槽形成工藝的一種方式是使用濕蝕刻工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，絕緣層406均包括厚度為約700nm的未摻雜硅玻璃(USG)，而電極板408中均包括TiN(約50nm)/Al(約200nm)/TiN(約50nm)的三層。在該實(shí)施例中，濃度約為24.5%的氟化氫(HF)可以用于實(shí)施凹槽形成工藝。對(duì)于Al，蝕刻率為每分鐘約80nm，對(duì)于TiN，為每分鐘約I至2nm，并且對(duì)于USG，為每分鐘約330nm。在該實(shí)施例中，具有約60nm的Al和250nm的USG凹進(jìn)。[0055]根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，當(dāng)通過由電極板生成的電場(chǎng)引導(dǎo)諸如電子束的輻射束穿過小透鏡時(shí)，由于小透鏡的尺寸限制，所以阻擋一些電子束。如果使用在電極板中具有諸如U-形側(cè)壁的非豎直側(cè)壁的小透鏡，則通過電極板所生成的電場(chǎng)可以將電子束強(qiáng)制或推動(dòng)到小透鏡的中心軸。作為將電子束推動(dòng)到小透鏡的中心軸的結(jié)果，引導(dǎo)更多電子束穿過接下來的投影透鏡列到達(dá)襯底。因此，通過小透鏡的U形側(cè)壁來提高來自圖案生成器的投影透鏡列的效率。[0056]在一個(gè)實(shí)施例中，小透鏡的發(fā)射角分布用于估計(jì)圖案生成器。在該實(shí)施例中，較小發(fā)射角分布指示更多電子束穿過接下來的投影透鏡列到達(dá)晶圓襯底，因此，圖案生成器具有在接下來的段落中所說明的整體系統(tǒng)的更高效率。例如，在電極板中具有U-形側(cè)壁的小透鏡在沒有凹槽時(shí)具有約23mrad(毫拉德)發(fā)射角分布、在凹槽為約50nm時(shí)具有20mrad發(fā)射角分布、在凹槽為約IOOnm時(shí)具有19mrad發(fā)射角分布、以及在凹槽為約200nm具有19mrad發(fā)射角分布。[0057]在另一個(gè)實(shí)施例中，在電極板中具有U-形側(cè)壁的小透鏡還改進(jìn)投影透鏡列的效率。在該實(shí)施例中，當(dāng)使用具有約16mrad數(shù)值孔徑(NA)的投影透鏡列時(shí)，在沒有凹槽時(shí)，投影透鏡列的效率約為47.2%;在具有約50nm的凹槽時(shí)，為53.4%;在具有約IOOnm的凹槽時(shí)，為54.4%;以及在具有約20011111的凹槽時(shí)，為54.9(%。在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)使用具有約12mrad數(shù)值孔徑的投影透鏡列時(shí)，在沒有凹槽時(shí)，投影透鏡列的效率約為31.5%;具有約50nm的凹槽時(shí)，為36.0%;在具有約IOOnm的凹槽時(shí)，為36.5%;以及在具有約200nm的凹槽時(shí)，為36.8%。在這些實(shí)施例中，在小透鏡的U-形側(cè)壁中具有約60nm的凹槽時(shí)，投影列的效率改進(jìn)約14%。[0058]現(xiàn)在參考圖8，示出用于在襯底上制造結(jié)構(gòu)的方法500的流程圖。應(yīng)該理解，在方法500之前、期間和之后可以提供附加步驟，并且對(duì)于方法500的附加實(shí)施例，可以被替換、刪除、或前后移動(dòng)所描述的一些步驟。以下將進(jìn)一步描述方法500，并且同時(shí)參考圖9至圖12描述用于使用方法500形成結(jié)構(gòu)600的更具體的實(shí)施例。[0059]方法500開始于步驟502，其中，接收或提供襯底。參考圖9，提供襯底602。在一些實(shí)施例中，襯底602可以包括諸如娃晶圓的晶圓。可選地或另外地，襯底602包括:其他元素半導(dǎo)體，諸如，鍺；化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦、和/或銻化銦；或合金半導(dǎo)體，包括SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP、和/或GalnAsP。在其他實(shí)施例中，襯底602可以包括用于制造光掩模的掩模覆蓋層(maskblanket)。掩模覆蓋層可以包括低熱膨脹和高透明材料，諸如，石英。掩模還可以包括不透明材料，諸如，鉻(Cr)或鑰硅(MoSi)。掩?？梢允峭干溲谀?，諸如，二元掩模(BM)或相移掩模(PSM)，從而包括交替相移掩模(alt.PSM)或衰減相移掩模(att.PSM)。掩?？梢允欠瓷溲谀??？梢栽谥T如1-線、深紫外線輻射(DUV)、或超紫外線輻射(EUV)工具的光刻工具中使用掩模。[0060]方法500進(jìn)行至步驟504，其中，在襯底上形成光刻膠膜。再次參考圖9，在襯底602上沉積光刻膠膜604。在本實(shí)施例中,光刻膠膜還被稱為光刻膠或光阻劑。光刻膠膜604可以是正性光刻膠或負(fù)性光刻膠。光刻膠膜604可以包括單層光刻膠膜或多層光刻膠膜。在襯底上沉積光刻膠膜的一種方式包括使用諸如旋涂工藝的涂覆工藝。在本實(shí)例中，沉積光刻膠膜包括:在襯底上施加光刻膠之前實(shí)施脫水工藝，從而可以增強(qiáng)光刻膠膜與晶圓襯底的粘著力。脫水工藝可以包括在一段持續(xù)時(shí)間內(nèi)以高溫烘焙襯底，或者將諸如六甲基二硅氮烷(HMDS)的化學(xué)物質(zhì)施加至襯底。沉積光刻膠膜還可以包括軟烘(SB)工藝，以將溶劑逐出光刻膠膜并且增加光刻膠膜的機(jī)械強(qiáng)度。沉積光刻膠膜可以包括施加抗反射涂層，諸如，底部抗反射涂層(BARC)或頂部抗反射涂層(TARC)。[0061]方法500進(jìn)行至步驟506，其中，在光刻系統(tǒng)100中使沉積在襯底上的光刻膠膜曝光，其中，根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局，光刻系統(tǒng)100具有小透鏡在電極板中具有凹進(jìn)(例如，U-形)側(cè)壁的圖案生成器。參考圖10,電子束606用于使沉積在襯底602上的光刻膠膜604曝光。[0062]方法500進(jìn)行至步驟508，其中，在沉積在襯底上的曝光后的光刻膠膜上施加顯影齊U，以在襯底上形成光刻膠圖案。參考圖11，在襯底602上形成光刻膠圖案608。在一個(gè)實(shí)施例中，顯影劑包括基于水的顯影劑，諸如，氫氧化四甲銨(TMAH)，以用于正色調(diào)顯影(PTD)。在另一個(gè)實(shí)施例中，顯影劑可以包括有機(jī)溶劑或諸如甲基正戊基酮(MAK)的有機(jī)溶劑的混合物或涉及MAK的混合物，以用于負(fù)色調(diào)顯影(NTD)。施加顯影劑包括例如通過旋涂工藝在曝光后的光刻膠膜上噴射顯影劑。施加顯影劑還包括使用曝光后烘焙(PEB)、顯影后烘焙(PDB)工藝、或它們的組合。[0063]方法500進(jìn)行至步驟510，其中，將光刻膠圖案轉(zhuǎn)印到襯底。參考圖11，在襯底602上形成襯底圖案610。在一些實(shí)施例中，將光刻膠圖案轉(zhuǎn)印到襯底上包括:對(duì)光刻膠圖案實(shí)施蝕刻工藝，去除光刻膠，并且在襯底上形成襯底圖案或部件。蝕刻工藝可以包括干(等離子體)蝕刻、濕蝕刻、和/或其他蝕刻方法。例如，干蝕刻工藝可以實(shí)現(xiàn)含氧氣體、含氟氣體(例如，CF4,SF6,C2F2,CHF3JP/或C2F6)、含氯氣體(例如，Cl2,CHC13、CCl4JP/或BCl3)、含溴氣體(例如，HBr和/或CHBr3)、含碘氣體、其他合適氣體和/或等離子體、和/或他們的組合。蝕刻工藝可以進(jìn)一步包括使用清潔工藝。[0064]因此，本發(fā)明描述圖案生成器。圖案生成器包括:具有平面鏡的平面鏡陣列板；設(shè)置在平面鏡陣列板上方的至少一個(gè)電極板，其中，電極板包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；設(shè)置在平面鏡上方的小透鏡，其中，小透鏡包括在電極板中形成的非豎直側(cè)壁；以及夾置在平面鏡陣列板和電極板之間的至少一個(gè)絕緣層。圖案生成器進(jìn)一步包括夾置在兩個(gè)電極板之間的一個(gè)絕緣體。電極板平行于平面鏡陣列板。非豎直側(cè)壁包括U-形側(cè)壁或L-形側(cè)壁。電極板包括兩個(gè)第一導(dǎo)電層和夾夾置在兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的一個(gè)第二導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層不同于第二導(dǎo)電層。與第二導(dǎo)電層相比，第一導(dǎo)電層包括不同的蝕刻率。與第二導(dǎo)電層相比，第一導(dǎo)電層包括不同的應(yīng)力。小透鏡與平面鏡對(duì)準(zhǔn)。[0065]在一些實(shí)施例中，描述了用于制造光刻膠圖案的方法。該方法包括:接收襯底，在襯底上沉積光刻膠膜，根據(jù)圖案生成器使沉積在襯底上的光刻膠膜曝光，以及通過使曝光的光刻膠膜顯影在襯底上形成光刻膠圖案。圖案生成器包括:具有平面鏡的平面鏡陣列板；設(shè)置在平面鏡陣列板上方的至少一個(gè)絕緣層；設(shè)置在絕緣板上方的至少一個(gè)電極板，其中，在電極板中，包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；以及形成在平面鏡上方的小透鏡，其中，小透鏡包括在電極板中形成的非豎直側(cè)壁。該方法進(jìn)一步包括:使用具有特征的集成電路(IC)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)庫和電場(chǎng)生成器連接到PG，PG用于響應(yīng)于特征控制小透鏡反射或吸收輻射束。絕緣層包括非導(dǎo)電無機(jī)材料或有機(jī)材料。第一導(dǎo)電層包括金屬或金屬化合物。第二導(dǎo)電層包括金屬或金屬化合物。源包括電子源或離子源。非豎直側(cè)壁包括U-形側(cè)壁。[0066]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，提供了用于制造圖案生成器的方法。該方法包括:接收具有平面鏡的平面鏡陣列板；在平面鏡陣列板上方沉積至少一個(gè)絕緣層；在絕緣層上方形成至少一個(gè)電極板，其中，形成電極板包括在絕緣體上方沉積至少一個(gè)第一導(dǎo)電層并且在第一導(dǎo)電層上方沉積至少一個(gè)第二導(dǎo)電層，并且在平面鏡上方形成小透鏡，其中，形成小透鏡包括實(shí)施凹槽蝕刻以在電極板中形成非豎直側(cè)壁。該方法進(jìn)一步包括:使用圖案生成器在襯底上形成光刻膠圖案，其中，襯底包括晶圓或掩模覆蓋層。形成電極板包括形成具有兩個(gè)第一導(dǎo)電層和夾置在兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的一個(gè)第二導(dǎo)電層的三層電極板。形成非豎直側(cè)壁包括在電極板中形成U-形側(cè)壁。[0067]以上概述了多個(gè)實(shí)施例的特征，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的多個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該想到，可以容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)與本文中引入的實(shí)施例的相同目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，這樣的等效結(jié)構(gòu)沒有背離本發(fā)明的精神和范圍，并且可以在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在本文中進(jìn)行多種改變、替換和更改。【權(quán)利要求】1.一種圖案生成器,包括:平面鏡陣列板，包括平面鏡；第一電極板，設(shè)置在所述平面鏡陣列板上方，所述第一電極板包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；小透鏡，設(shè)置在所述平面鏡上方，所述小透鏡包括在所述第一電極板中所形成的非豎直側(cè)壁；以及第一絕緣層，夾置在所述平面鏡陣列板和所述第一電極板之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案生成器，進(jìn)一步包括:第二絕緣層，設(shè)置在所述第一電極板上方；以及第二電極板，設(shè)置在所述第二絕緣層上方；其中，所述小透鏡還包括在所述第二電極板中形成的非豎直側(cè)壁。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案生成器，其中，所述電極板平行于所述平面鏡陣列板。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案生成器，其中，所述非豎直側(cè)壁包括U形側(cè)壁或L形側(cè)壁。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案生成器，其中，所述電極板包括兩個(gè)第一導(dǎo)電層和夾置在所述兩個(gè)第一導(dǎo)電層之間的一個(gè)第二導(dǎo)電層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案生成器，其中，所述第一導(dǎo)電層不同于所述第二導(dǎo)電層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖案生成器，其中，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層包括不同的蝕刻率。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖案生成器，其中，與所述第二導(dǎo)電層相比，所述第一導(dǎo)電層包括不同的應(yīng)力。9.一種用于制造光刻膠圖案的方法，所述方法包括:接收襯底；在所述襯底上沉積光刻膠膜；利用圖案生成器(PG)使沉積在所述襯底上的所述光刻膠膜曝光，其中，所述圖案生成器包括:平面鏡陣列板，具有平面鏡；至少一個(gè)絕緣層，設(shè)置在所述平面鏡陣列板上方；至少一個(gè)電極板，設(shè)置在所述絕緣板上方，所述電極板包括至少一個(gè)第一導(dǎo)電層和至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；和小透鏡，形成在所述平面鏡上方，所述小透鏡包括在所述電極板中形成的非豎直側(cè)壁；以及通過使曝光的光刻膠膜顯影，在所述襯底上形成所述光刻膠圖案。10.一種用于制造圖案生成器的方法，所述方法包括:接收具有平面鏡的平面鏡陣列板；在所述平面鏡陣列板上方沉積至少一個(gè)絕緣層；在所述絕緣層上方形成至少一個(gè)電極板，其中，形成所述電極板包括:在所述絕緣體上方沉積至少一個(gè)第一導(dǎo)電層并且在所述第一導(dǎo)電層上方沉積至少一個(gè)第二導(dǎo)電層；以及在所述平面鏡上方形成小透鏡，其中，形成所述小透鏡包括:實(shí)施凹槽蝕刻，以在所述電極板中形成非豎直側(cè)壁。【文檔編號(hào)】G03F7/20GK103969963SQ201310167352【公開日】2014年8月6日申請(qǐng)日期:2013年5月8日優(yōu)先權(quán)日:2013年2月1日【發(fā)明者】余振華,包天一,呂志偉,許照榮,林世杰,林本堅(jiān)申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司