修正輔助圖案的方法【專利摘要】本發(fā)明提供一種修正輔助圖案的方法，包括下列步驟。首先，由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案，并將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。接著，添加多個輔助圖案于第一布局圖案中以形成一第二布局圖案，且定義相鄰任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案，隨后，將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域。最后，對具有選取圖案的第二區(qū)域進行一檢測步驟，且修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案?！緦＠f明】修正輔助圖案的方法【
技術領域：
】[0001]本發(fā)明是關于一種修正輔助圖案的方法，尤指一種在光學鄰近修正(opticalproximitycorrect1n,0PC)方法修正原始布局圖案之前,先行修正輔助圖案的方法?！?br>背景技術：
】[0002]由于電子產品及其周邊產品是朝輕薄短小方向發(fā)展，在半導體制程中，元件縮小化與積集化是必然的趨勢，也是各界積極發(fā)展的重要課題，其中微影技術(lithography)是決定元件性能的關鍵技術。[0003]現(xiàn)行的半導體制程是先將集成電路(integratedcircuits)的布局圖案形成于一光罩上，隨后將光罩上的圖案藉由曝光與顯影步驟，以一定比例轉移到半導體芯片上的光阻層中，并進一步配合相關的蝕刻制程，將元件逐步形成于半導體芯片上。隨著集成電路的積集度的提升，元件尺寸縮小，元件與元件間的距離也隨之縮小。然而，由于光學鄰近效應(opticalproximityeffect,ΟΡΕ)等因素的影響,上述元件的距離在曝光制程中已面臨到其極限。舉例來說，為了得到微小尺寸的元件，光罩的透光區(qū)的間隔(Pitch)將配合元件尺寸而縮小，但若透光區(qū)之間的間隔縮小至特定范圍時(曝光波長為1/2或以下時)，通過光罩的光線會發(fā)生繞射、干涉等現(xiàn)象，進而影響轉移后圖案的分辨率，使得光阻上的圖形產生偏差(deviat1n),例如直角轉角圓形化(right-angledcornerrounded)、直線末端緊縮(lineendshortened)以及直線線寬增加或縮減(linewidthincrease/decrease)等,都是常見的光學鄰近效應所導致的光阻圖案缺陷。[0004]為了解決上述的問題，已知技術藉由在光罩上集成電路的布局圖案之間形成輔助圖案(assistpattern)例如:虛置圖案(dummypattern)或分散條(scatteringbar),以減少光阻圖案缺陷的發(fā)生。而如何形成合適的輔助圖案，以進一步于目標層中形成預期的布局圖案實為相關技術者所欲改進的課題。【
發(fā)明內容】[0005]本發(fā)明的目的之一在于提供一種修正輔助圖案的方法，以提高光罩圖案的正確度，進而形成預期的布局圖案。[0006]本發(fā)明的一較佳實施例是提供一種修正輔助圖案的方法，包括下列步驟。首先，由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案，并將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。接著，添加多個輔助圖案于第一布局圖案中以形成一第二布局圖案，且定義相鄰任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案，隨后，將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域。最后，對具有選取圖案的第二區(qū)域進行一檢測步驟，且修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。[0007]本發(fā)明的特點在于，對布局圖案進行光學鄰近修正運算之前，先對布局圖案進行兩次的分割運算，以改善添加的輔助圖案的正確性。更詳細地說，首先，對布局圖案進行第一次分割以形成多個第一區(qū)域，并選擇相鄰第一區(qū)域的邊界的輔助圖案作為選取圖案；接著，進行第二次分割，例如:擴大包含選取圖案的第一區(qū)域或平移此第一區(qū)域以形成第二區(qū)域，使第二區(qū)域的邊界未重迭選取圖案，且第二區(qū)域包含的圖案不同于第一區(qū)域包含的圖案，以進一步確認選取圖案與相鄰圖案(尤指原先此第一區(qū)域未包含的輔助圖案)的相對關系。據此，可避免不適當?shù)妮o助圖案的設置，提高光罩圖案的正確度，以形成預期的布局圖案?！緦＠綀D】【附圖說明】[0008]圖1繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的流程圖。[0009]圖2至圖9繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的示意圖。[0010]圖10繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的流程圖。[0011][標號說明][0012]10，12，14，16，18，20，22，24，步驟[0013]26，28，30，301，302，303，304[0014]100第一布局圖案[0015]102，104第一區(qū)域[0016]106第二布局圖案[0017]108,110已修正的第二布局圖案[0018]112,114已修正的第一布局圖案[0019]202，204，202’，204’第二區(qū)域[0020]Dl水平方向I間距[0021]IP端點[0022]L1，L2，L3，L4邊線[0023]Pl圖案ΡΓ輔助圖案[0024]P1”修正后的輔助圖案[0025]Pu,sr已修正的子輔助圖案[0026]P2判別圖案P2’已修正的判別圖案[0027]P3，P4已修正的輔助圖案[0028]SI,S2,S3選取圖案[0029]W寬度【具體實施方式】[0030]為使熟悉本發(fā)明所屬【
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】的一般技藝者能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的較佳實施例，并配合所附圖式，詳細說明本發(fā)明的構成內容及所欲達成的功效。[0031]請參考圖1。圖1繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的流程圖。如圖1所示，首先，進行步驟10，由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案，第一布局圖案是指后續(xù)欲轉移至一光罩或半導體芯片上的一材料層(圖未示)例如:光阻層的理想圖案，其包含多個可轉印性圖案(printablefeature),且該等可轉印性圖案又可包任何用以構成集成電路(integratedcircuits,IC)的特征圖案例如摻雜區(qū)圖案、元件圖案、電路的布局圖案(layout)等。隨著集成電路的特征圖案的復雜度與積集度的增加，為降低計算機系統(tǒng)的運算負荷及后續(xù)步驟的運算時間，可進行步驟12，先由一計算機系統(tǒng)將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域，例如:當?shù)谝徊季謭D案為一矩形圖案，將第一布局圖案分割成大小相同的多個矩形第一區(qū)域，然后，再將多個第一區(qū)域分別輸入至其它計算機系統(tǒng)，以多個計算機系統(tǒng)同時進行后續(xù)的處理步驟，節(jié)省運算處理時間。在一實施例中，當?shù)谝徊季謭D案為一邊長100微米(micrometer,μm)的正方形,是將第一布局圖案分割為100個成矩陣排列的第一區(qū)域，且各第一區(qū)域為一邊長10微米的正方形。[0032]由于第一布局圖案中可轉印性圖案與相鄰的另一可轉印性圖案的間距不一定相同，因此，若直接將第一布局圖案形成于光罩上，并使用該光罩進行后續(xù)的微影制程，部分可轉印性圖案的兩側的透光量將可能有所不同，也就是說，部分形成于材料層上的圖案將發(fā)生偏移或形變的現(xiàn)象，因此，為提高第一布局圖案轉移至材料層上的正確性，將進行步驟14,添加多個輔助圖案于第一布局圖案中以形成一第二布局圖案。輔助圖案為一非可轉印性圖案(non-printablefeature),更詳細地說，當使用具有第一布局圖案以及該些輔助圖案的光罩對晶圓上的一感光的材料層進行一微影制程時，僅有對應第一布局圖案的圖案會形成于材料層上，而對應輔助圖案的圖案將不會形成于材料層上。在一實施例中，第一布局圖案包含多個矩形圖案，且添加的輔助圖案的形狀與第一布局圖案的圖案相類似，以均勻化第二布局圖案的圖案密集度，也就是說，當光源通過具有第二布局圖案的光罩時，第二布局圖案的各可轉印性圖案的兩側的透光量將較為一致，以于后續(xù)進行微影制程時，能在材料層上形成預期的布局圖案。輔助圖案的尺寸、形狀、數(shù)量與排列方式均可根據制程需求進行調整，此外，輔助圖案的尺寸范圍與排列方式均需符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測(processrulecheck；PRC)的規(guī)則例如:臨界線寬(criticaldimens1n)和臨界間距(criticalspace)的限制。在一實施例中，各輔助圖案的寬度是小于一特定值，亦即光罩在此微影制程中不會被曝出的圖案的最大尺寸，且大于光罩制作機臺的曝光極限亦即可由光罩制作機臺形成的圖案的最小尺寸，更詳細地說，以特征尺寸為20納米(nanometer,nm)的半導體制程為例，光罩中不會被曝出的圖案的最大尺寸實質上約為32納米，而光罩制作機臺的曝光極限實質上約為13納米，因此輔助圖案的寬度是實質上介于13納米與32納米之間，但不以此為限。[0033]另外，為節(jié)省計算機系統(tǒng)的運算時間，輔助圖案較佳是由多個計算機系統(tǒng)同時分別添加至各個第一區(qū)域的第一布局圖案中，亦即，本發(fā)明是利用多個計算機系統(tǒng)來同時對多個不同第一區(qū)域中的第一布局圖案分別進行修正，而且是對各不同第一區(qū)域中的第一布局圖案進行獨立的修正處理，以添加需要的輔助圖案。隨后，將各第一區(qū)域的第一布局圖案以及輔助圖案重新合并以形成一第二布局圖案。值得注意的是，由于各第一區(qū)域是僅分別包含部分第一布局圖案，而不同于完整的原始第一布局圖案，也就是說，計算機系統(tǒng)根據部分第一布局圖案添加的輔助圖案所提供的修正效果將可能不同于計算機系統(tǒng)根據完整第一布局圖案添加的輔助圖案所提供的修正效果，因此，本發(fā)明會進一步以兩相鄰的第一區(qū)域中的輔助圖案互相參照，確認各第一區(qū)域的輔助圖案的正確性。為縮短確認輔助圖案正確性所需時間，本發(fā)明挑選鄰近第一區(qū)域的邊線的輔助圖案進行后續(xù)的第一檢測步驟，在一實施例中，即定義接觸任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案。在其它實施例中，也可定義與任一第一區(qū)域的任一邊線的間距少于一限定值的至少一輔助圖案為一選取圖案。[0034]接下來，進行步驟16，將第二布局圖案重新分割為多個第二區(qū)域。將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域的方法可包含:[0035]a.改變第一區(qū)域的大小以形成第二區(qū)域；或是[0036]b.沿任一方向移動各原第一區(qū)域以形成第二區(qū)域；或是[0037]c.以選取圖案為一參考點，選取一特定范圍。[0038]進而使重新分割的第二區(qū)域的邊線較佳是未接觸任一輔助圖案，且單一第二區(qū)域包含的圖案亦即第二區(qū)域包含的第一布局圖案與輔助圖案不同于相對應的單一第一區(qū)域包含的圖案亦即相對應的第一區(qū)域包含的第一布局圖案與輔助圖案。值得注意的是，改變第一區(qū)域的大小以形成第二區(qū)域，又包含擴大第一區(qū)域或縮小第一區(qū)域，而且分割后第二區(qū)域的數(shù)量可以不等于第一區(qū)域的數(shù)量，再者，分割后第二區(qū)域可部分重迭相對應的第一區(qū)域。例如，擴大第一區(qū)域的方法包含沿任一方向移動各第一區(qū)域的至少一邊線，特別是輔助圖案所接觸或相鄰的第一區(qū)域的邊線，將其平移以作為第二區(qū)域的一邊線，且各第二區(qū)域(重新分割)的邊線與相對應的第一區(qū)域(原始分割)的邊線的間距(亦即第一區(qū)域的邊線的移動距離)是實質上大于或等于一特定值，而使第二區(qū)域的面積大于第一區(qū)域的面積；又或者是，直接原位擴大第一區(qū)域，亦即外移各第一區(qū)域的每個邊線以形成相對應的第二區(qū)域，此時，重新分割后的第二區(qū)域的數(shù)量等于第一區(qū)域的數(shù)量，且重新分割后的各第二區(qū)域將彼此部分重迭，例如:各第一區(qū)域為一邊長10微米的正方形，各第二區(qū)域為一邊長13微米的正方形。而以選取圖案為參考點，選取特定范圍以分割第二布局圖案的方法中特定范圍包含以選取圖案的一端點為圓心，一特定值為半徑的一圓形區(qū)域。其中，特定值的設定可對應于輔助圖案的尺寸,例如:特定值是實質上大于該些輔助圖案的一圖案的一最大邊長，或對應于輔助圖案的臨界線寬，例如:特定值是使用一光罩進行一微影制程，光罩中一不會被曝出的圖案的最大尺寸。[0039]之后，進行步驟18，對第二布局圖案進行一第一檢測步驟，特別是選取具有選取圖案的第二區(qū)域進行一第一檢測步驟。值得注意的是，在一較佳實施例中，是由多個計算機系統(tǒng)同時分別檢測各個第二區(qū)域的輔助圖案(其中具有選取圖案)，亦即，本發(fā)明是利用多個計算機系統(tǒng)來同時分別對各個第二區(qū)域中的輔助圖案(其中具有選取圖案)分別進行獨立的檢測，以確認輔助圖案，尤其是選取圖案是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則例如:輔助圖案的臨界線寬和臨界間距的限制。此外，在另一較佳實施例中，亦可以直接篩選具有選取圖案的第二區(qū)域進行獨立的檢測，例如第二布局圖案分割為100個第二區(qū)域，但其中僅有50個第二區(qū)域具有選取圖案，則只需利用多個計算機系統(tǒng)來同時分別對這50個第二區(qū)域中的輔助圖案分別進行獨立的檢測，以確認輔助圖案是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則；或者是，直接對這50個第二區(qū)域中的選取圖案分別進行獨立的檢測。此外，在又一較佳實施例中，進行第一檢測步驟的方法亦可以包含直接對單一選取圖案進行第一檢測步驟，以確認選取圖案是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則例如:輔助圖案的臨界線寬和臨界間距的限制，或是先合并選取圖案以及與選取圖案相鄰的任一輔助圖案以形成一判別圖案，再確認判別圖案是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測。[0040]當任一輔助圖案例如:選取圖案或判別圖案無法通過第一檢測步驟時，則進行步驟20，修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。修正第二布局圖案的方法包含修正選取圖案，例如:增加選取圖案的邊長，使修正后的選取圖案的邊長大于輔助圖案的邊長的最小長度限制，令修正后的選取圖案能達到設置輔助圖案的功能例如:均勻化后續(xù)形成的光罩的透光量；或是減少選取圖案的邊長，使修正后的選取圖案的邊長小于光罩中不會被曝出的圖案的最大尺寸，也就是說，修正后的選取圖案將不會通過后續(xù)形成的光罩被形成于目標材料層上。據此，已修正的第二布局圖案包含第一布局圖案、部分原始的輔助圖案以及已修正的選取圖案。[0041]同樣地，也可以上述方式分別修正對應判別圖案的該些輔助圖案以形成多個已修正的子輔助圖案，隨后，組合該些已修正的子輔助圖案以形成一已修正的判別圖案，例如:當判別圖案的邊長大于光罩中不會被曝出的圖案的最大尺寸時，分別縮減選取圖案的邊長以及判別圖案中相鄰選取圖案的輔助圖案的邊長，以形成多個已修正的子輔助圖案(包含已修正的選取圖案與已修正的輔助圖案)，隨后，再將修正后的子輔助圖案組合為已修正的判別圖案，使已修正的判別圖案不會通過后續(xù)形成的光罩被形成于目標材料層上。在其它實施例中，修正判別圖案也可僅修正判別圖案中的選取圖案以及判別圖案中與選取圖案相鄰的輔助圖案的任一者。據此，已修正的第二布局圖案包含第一布局圖案、部分原始的輔助圖案以及已修正的判別圖案。[0042]接著，進行步驟22，在修正部分的輔助圖案(尤其是選取圖案)后，對已修正的第二布局圖案進行至少一次光學鄰近修正(opticalproximitycorrect1n,0PC)以形成一已修正的第一布局圖案以及多個已修正的輔助圖案。光學鄰近修正(OPC)可包括先收集已修正的第二布局圖案中各幾何圖案(亦即第一布局圖案、原始的輔助圖案以及已修正的選取圖案/已修正的判別圖案)的寬度、疏密度以及相對位置，然后，比對數(shù)據庫中的修正基準，且計算出各幾何圖案的修正值，以對各幾何圖案中的各線段的線寬、直線末端以及轉角處進行修正。一般來說，修正的方式包括調整線段的線寬，或是于直線末端或轉角處加入輔助塊例如邊角截線(serif)或錘頭狀(ha_erhead)的圖案。[0043]然后，進行步驟24，亦即進行一第二檢測步驟，檢查完成第一檢測步驟以及光學鄰近修正運算的已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案是否分別符合布局圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則以及輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則，以進一步確認此已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案的正確性。舉例來說，通過計算機系統(tǒng)的仿真方式，輸入一制程規(guī)則，利用制程規(guī)則檢測來檢測已修正的第一布局圖案中各線段的直線末端和轉角處，以判斷這些幾何圖案是否符合所設計的集成電路的特征圖案的臨界線寬(criticaldimens1n)和臨界間距(criticalspace)的限制或其它因應制程設計的規(guī)則。當已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案完全符合各自制程規(guī)則檢測的規(guī)則時，如步驟26所示，則可由計算機系統(tǒng)輸出已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案至一光罩；然而，若已修正的第一布局圖案以及/或已修正的輔助圖案有部份或全部不符合制程規(guī)則檢測的規(guī)則時，則可將已修正的第一布局圖案以及/或已修正的輔助圖案再次利用計算機系統(tǒng)以前述步驟進行部分或全部的再修正。最后，如步驟28所示，使用此光罩對一材料層進行一微影制程，以形成第一布局圖案至一材料層，且未形成任何該些輔助圖案及已修正的輔助圖案至材料層。材料層包括設置于一晶圓上的一光阻層。[0044]此外，當完成如步驟18所示的第一檢測步驟，且第二布局圖案均通過檢測步驟時，則可進行類似步驟22所示的光學鄰近修正(OPC)步驟，亦即如步驟30所示，直接對第二布局圖案進行至少一次光學鄰近修正(OPC)以形成一已修正的第一布局圖案以及多個已修正的輔助圖案。隨后，同樣地進行步驟24:檢查已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案在完成光學鄰近修正(OPC)后是否分別符合布局圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則以及輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則，若是，則進行步驟26:由計算機系統(tǒng)輸出已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案至一光罩，若否，則將已修正的第一布局圖案以及/或已修正的輔助圖案再次利用計算機系統(tǒng)以前述步驟進行部分或全部的再修正。最后，如步驟28所示，使用此光罩對材料層進行一微影制程，以形成第一布局圖案至一材料層，且未形成任何輔助圖案至材料層。[0045]為更詳細說明上述步驟，請參考圖2至圖9，圖2至圖9繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的示意圖，并請對照圖1較佳實施例的各流程步驟。[0046]步驟10:由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案。[0047]步驟12:將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。[0048]如圖2所示，首先，由一計算機系統(tǒng)(圖未示)的一儲存媒介接收一第一布局圖案100，并將第一布局圖案100分割為多個第一區(qū)域102/104，其中第一布局圖案100包含多個可轉印性圖案P1，即用以構成集成電路(IC)的特征圖案。在本實施例中，是將第一布局圖案100分割為二個相同面積的第一區(qū)域102/104，但不以此為限，可將第一布局圖案100分割為更多個第一區(qū)域以縮減更多后續(xù)步驟的處理時間，且各第一區(qū)域可包含不同形狀、個數(shù)或排列方式的可轉印性圖案。[0049]步驟14:添加多個輔助圖案以形成一第二布局圖案，且定義相鄰任一第一區(qū)域的任一邊線的至少一輔助圖案為一選取圖案。[0050]接著，如圖3所示，為避免因光學鄰近效應所導致的圖案缺陷形成于材料層上，由不同的計算機系統(tǒng)分別針對不同的第一區(qū)域102/104添加多個輔助圖案P1’，然后組合已具有輔助圖案的第一區(qū)域102/104以形成一第二布局圖案106,此時第二布局圖案106的圖案Pl與輔助圖案ΡΓ均尚未經過光學鄰近修正(OPC)的修正。輔助圖案ΡΓ的尺寸、形狀、數(shù)量與排列方式可根據制程需求進行調整。在本實施例中，輔助圖案ΡΓ的尺寸是實質上大于第一布局圖案100的原始圖案Pl的尺寸。此外，可預先挑選接近第一區(qū)域102/104邊緣的輔助圖案P1’，以進行后續(xù)的檢測步驟，而省略其它輔助圖案ΡΓ的檢測步驟，以縮減光罩的制作時間，其中檢測步驟即參照兩相鄰第一區(qū)域102/104中的輔助圖案P1’，確認各第一區(qū)域102/104的輔助圖案ΡΓ的正確性。在本實施例中，是將接觸第一區(qū)域102的一邊線LI的輔助圖案ΡΓ定義為一選取圖案SI。在其它實施例中，也可將第二布局圖案106中與第一區(qū)域104的邊線L2的間距少于一限定值的輔助圖案ΡΓ為選取圖案S2。此夕卜，當?shù)诙季謭D案106中兩相鄰第一區(qū)域102/104在相同的邊線LI兩側均分別具有一輔助圖案ΡΓ可作為選取圖案時，則僅選取其中任一者例如:第一區(qū)域102的選取圖案SI作為標的圖案進行后續(xù)的第一檢測步驟，而跳過以另一者例如:第一區(qū)域104的選取圖案S3作為標的圖案進行后續(xù)的檢測步驟，以避免重復計算增加計算機系統(tǒng)的負荷。以下實施例將以定義選取圖案SI作為標的圖案的實施態(tài)樣進行描述。[0051]步驟16:將第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域。[0052]接下來，將第二布局圖案106分割為多個第二區(qū)域202/204，使第二區(qū)域202的邊線未直接接觸選取圖案SI，且第二區(qū)域202/204包含的第一布局圖案100(亦即圖案Pl)與輔助圖案ΡΓ不同于相對應的第一區(qū)域102/104包含的第一布局圖案100與輔助圖案P1’。將第二布局圖案106分割為多個第二區(qū)域202/204的方法包括沿任一方向移動各第一區(qū)域例如擴大具有選取圖案SI的第一區(qū)域102以形成第二區(qū)域202，如圖4所示，沿各方向移動第一區(qū)域102/104的邊線一特定距離例如:沿水平方向Dl移動第一區(qū)域102的邊線LI亦即移動輔助圖案ΡΓ(選取圖案SI)所接觸的第一區(qū)域102的邊線LI，以作為第二區(qū)域202的邊線L3，且第二區(qū)域202的邊線L3與相對應的第一區(qū)域102的邊線LI的間距I實質上大于或等于一特定值，為有效確認輔助圖案ΡΓ的正確性，特定值可以是大于第二布局圖案106中輔助圖案ΡΓ的一圖案的最大邊長，較佳為輔助圖案ΡΓ的臨界線寬，例如:使用一光罩進行微影制程時，光罩中一不會被曝出的圖案的最大尺寸，更佳為輔助圖案ΡΓ的一臨界線寬與一臨界間距之和。在本實施例中，是僅沿水平方向Dl移動各第一區(qū)域102/104的右側邊線L1/L2，而保留各第一區(qū)域102/104的其它原始邊線，以將第二布局圖案106以不同于第一布局圖案100的單位間隔進行分割，更詳細地說，第二區(qū)域202的左側邊線為相對應的第一區(qū)域102的原始左側邊線，而右側邊線為水平移動后相對應的第一區(qū)域102的右側邊線LI亦即邊線L3。同樣地，第二區(qū)域204的左側邊線為相對應的第一區(qū)域104的原始左側邊線(亦即第一區(qū)域102的右側邊線LI)，而右側邊線為水平移動后的相對應的第一區(qū)域104的右側邊線L2亦即邊線L4。此時，各第二區(qū)域202/204的邊線L3/L4與相對應的第一區(qū)域102/104的邊線L1/L2的間距相等，且第二區(qū)域的總個數(shù)是實質上等于第一區(qū)域的總個數(shù)，但各第二區(qū)域202/204的所占面積將實質上大于相對應的第一區(qū)域102/104的所占面積，例如:第一區(qū)域為一邊長10微米的正方形，第二區(qū)域為一邊長13微米與邊長10微米的長方形。[0053]將第二布局圖案106分割為多個第二區(qū)域的方法不以上述為限，在其它實施例中，也可僅沿水平方向Dl移動第一區(qū)域102的右側邊線LI亦即僅移動選取圖案SI所接觸的邊線LI，以作為一第二區(qū)域的右側邊線L3，而保留第一區(qū)域104的右側原始邊線，例如:未移動第一區(qū)域104的邊線L2，使另一第二區(qū)域的右側邊線將重迭第一區(qū)域104的邊線L2，此時，部分第二區(qū)域(包含選取圖案SI)的所占面積將實質上大于相對應的第一區(qū)域的所占面積，而部分第二區(qū)域(未包含選取圖案SI)的所占面積將實質上小于相對應的第一區(qū)域的所占面積。[0054]此外，在另一實施例中，又可以直接針對選取圖案進行選取。如圖5所示，以選取圖案Si作為參考點，并以選取圖案SI的一端點IP為圓心，選取半徑為上述特定值的一圓形區(qū)域作為一第二區(qū)域202’，并將第二布局圖案106中的其它圖案定義為另一第二區(qū)域204，。[0055]步驟18:選取具有選取圖案的第二區(qū)域進行一第一檢測步驟。[0056]接下來，利用二計算機系統(tǒng)同時分別檢測各第二區(qū)域202/204內的輔助圖案，以確認各輔助圖案，尤其是選取圖案S1、S2、S3是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。例如對具有選取圖案S1、S3的第二區(qū)域202進行第一檢測步驟。進行第一檢測步驟的方法包含直接對選取圖案SI進行第一檢測步驟，以確認選取圖案SI是否符合輔助圖案ΡΓ的制程規(guī)則檢測的規(guī)則例如:輔助圖案ΡΓ的臨界線寬和臨界間距的限制，以及輔助圖案ΡΓ和可轉印性圖案Pl的間距的限制?；蚴窍群喜⑦x取圖案SI以及與選取圖案SI相鄰的輔助圖案ΡΓ例如:選取圖案S3以形成一判別圖案P2，再確認判別圖案P2是否符合輔助圖案ΡΓ的制程規(guī)則檢測。[0057]步驟20:修正第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。[0058]當選取圖案SI或判別圖案P2無法通過第一檢測步驟時，需修正第二布局圖案106，亦即修正選取圖案SI或判別圖案P2。其中，修正選取圖案SI的方法說明如下。由于選取圖案SI接觸相鄰的輔助圖案ΡΓ(選取圖案S3)，不符合輔助圖案制程規(guī)則檢測，因此，可縮減選取圖案SI的尺寸，例如減少選取圖案SI的一寬度，或是移除選取圖案SI，使修正后的輔助圖案P1”例如:已修正的選取圖案SI與鄰接的輔助圖案ΡΓ(選取圖案S3)的合并圖案，或是剩余的鄰接的輔助圖案ΡΓ(選取圖案S3)，可符合輔助圖案制程規(guī)則檢測的規(guī)則，以形成一已修正的第二布局圖案108，如圖6所示。[0059]另外，修正判別圖案P2的方法說明如下。將臨近第一區(qū)域102/104交界處亦即邊線LI的選取圖案SI與輔助圖案ΡΓ(選取圖案S3)合并為判別圖案P2后，當判別圖案P2的一寬度W實質上大于輔助圖案ΡΓ的臨界線寬時，可減少判別圖案P2的寬度W例如:減少選取圖案SI的寬度形成已修正的子輔助圖案SI’以及/或減少組成判別圖案P2的輔助圖案ΡΓ的寬度形成已修正的子輔助圖案P11，然后，組合該些已修正的子輔助圖案SI’/Pll以形成一已修正的判別圖案P2’，使已修正的判別圖案P2’的邊長實質上小于光罩中不會被曝出的圖案的最大尺寸，符合輔助圖案制程規(guī)則檢測的規(guī)則，以形成一已修正的第二布局圖案110，如圖7所示。此時，已修正的第二布局圖案110中已修正的判別圖案P2’的尺寸以及各輔助圖案ΡΓ的尺寸仍均是實質上大于第一布局圖案100的任一圖案Pl的尺寸。[0060]步驟22:在修正部分選取圖案后，對已修正的第二布局圖案進行光學鄰近修正(OPC)以形成一已修正的第一布局圖案以及多個已修正的輔助圖案。[0061]在修正部分選取圖案SI，改善輔助圖案ΡΓ的正確性后，如圖8以及圖9所示，對已修正的第二布局圖案108/110中的各幾何圖案的各線段的線寬、直線末端以及轉角處進行至少一次光學鄰近修正(OPC)修正，以形成一已修正的第一布局圖案112/114以及多個已修正的輔助圖案P3/P4。此時，已修正的輔助圖案P3/P4的任一圖案的尺寸將實質上小于已修正的第一布局圖案112/114的任一圖案的尺寸。[0062]步驟24:進行一第二檢測步驟，檢查完成第一檢測步驟以及光學鄰近修正運算的已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案是否分別符合布局圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則以及輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。[0063]步驟26:由計算機系統(tǒng)輸出已修正的第一布局圖案以及已修正的輔助圖案至一光罩。[0064]步驟28:使用光罩對材料層進行一微影制程，以形成第一布局圖案至一材料層。[0065]最后，再度確認已修正的第一布局圖案112/114以及多個已修正的輔助圖案P3/P4是否符合布局圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則以及輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。確認符合后，即可進行后續(xù)的步驟(步驟26以及步驟28)，以形成第一布局圖案100至一材料層，且未形成該些輔助圖案ΡΓ至材料層。[0066]簡言之，請參考圖10。圖10繪示了本發(fā)明的一較佳實施例的修正輔助圖案的方法的流程圖。如步驟301所示，首先由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案，并將第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域。如步驟302所示，本發(fā)明即是先利用多個計算機系統(tǒng)來同時分別對各個第一區(qū)域中的布局圖案分別進行獨立的修正處理，以添加需要的輔助圖案，然后合并已具有輔助圖案的多個第一區(qū)域以形成一第二布局圖案。接著，如步驟303所示，將包含暫時性的輔助圖案與第一布局圖案的第二布局圖案重新分割成多個第二區(qū)域，然后，如步驟304所示，再利用多個計算機系統(tǒng)來同時分別對各個第二區(qū)域中的輔助圖案(包含選取圖案)分別進行獨立的檢測，以確認輔助圖案，尤其是確認選取圖案，是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則，并進行修正以得到進行光學鄰近修正前的最終輔助圖案。此外，可再額外對已修正的第二布局圖案(亦即光學鄰近修正前的最終輔助圖案與第一布局圖案)進行至少一次光學鄰近修正(OPC)。換句話說，本發(fā)明會進行二次圖案分割，第一次圖案分割是用以添加需要的輔助圖案于各第一區(qū)域中，而第二次圖案分割則是用于確認各第二區(qū)域中的輔助圖案，尤其是選取圖案，是否符合輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。[0067]綜上所述，本發(fā)明的特點在于，對布局圖案進行光學鄰近修正運算之前，先對布局圖案進行兩次的分割運算，以改善添加的輔助圖案的正確性。更詳細地說，首先，對布局圖案進行第一次分割以形成多個第一區(qū)域，并選擇相鄰第一區(qū)域的邊界的輔助圖案作為選取圖案；接著，進行第二次分割，例如:擴大包含選取圖案的第一區(qū)域或平移此第一區(qū)域以形成第二區(qū)域，使第二區(qū)域的邊界未重迭選取圖案，且第二區(qū)域包含的圖案不同于第一區(qū)域包含的圖案，以進一步確認選取圖案與相鄰圖案(尤指原先此第一區(qū)域未包含的輔助圖案)的相對關系。據此，可避免不適當?shù)妮o助圖案的設置，提高光罩圖案的正確度，以形成預期的布局圖案。【權利要求】1.一種修正輔助圖案的方法，包括:由一計算機系統(tǒng)接收一第一布局圖案；將該第一布局圖案分割為多個第一區(qū)域；添加多個輔助圖案于該第一布局圖案中以形成一第二布局圖案，且定義相鄰任一該第一區(qū)域的任一邊線的至少一該輔助圖案為一選取圖案；將該第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域；對具有該選取圖案的該第二區(qū)域進行一檢測步驟；以及修正該第二布局圖案以形成一已修正的第二布局圖案。2.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，還包括:對該已修正的第二布局圖案進行至少一次光學鄰近修正以形成一已修正的第一布局圖案以及多個已修正的輔助圖案。3.根據權利要求2所述的修正輔助圖案的方法，其中該多個已修正的輔助圖案的任一圖案的尺寸實質上小于該已修正的第一布局圖案的任一圖案的尺寸。4.根據權利要求2所述的修正輔助圖案的方法，還包括:由該計算機系統(tǒng)輸出該已修正的第一布局圖案以及該已修正的輔助圖案至一光罩；以及使用該光罩對一材料層進行一微影制程，以形成該第一布局圖案至該材料層。5.根據權利要求4所述的修正輔助圖案的方法，其中未形成該多個輔助圖案至該材料層。6.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中將該第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域的方法包括改變至少一該第一區(qū)域的大小以形成該第二區(qū)域。7.根據權利要求6所述的修正輔助圖案的方法，其中各該第二區(qū)域的一邊線與相對應的該第一區(qū)域的該邊線的間距是實質上大于或等于一特定值。8.根據權利要求7所述的修正輔助圖案的方法，其中該特定值是實質上大于該多個輔助圖案的一圖案的一最大邊長。9.根據權利要求7所述的修正輔助圖案的方法，其中該特定值是使用一光罩進行一微影制程，該光罩中一不會被曝出的圖案的最大尺寸。10.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中各該第二區(qū)域部分重迭至少一相對應的第一區(qū)域。11.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中該多個第二區(qū)域的個數(shù)是實質上不等于該多個第一區(qū)域的個數(shù)。12.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中將該第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域的方法包括沿任一方向移動各該第一區(qū)域。13.根據權利要求12所述的修正輔助圖案的方法，其中各該第二區(qū)域的一面積實質上等于相對應的各該第一區(qū)域的一面積。14.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中將該第二布局圖案分割為多個第二區(qū)域的方法包括以該選取圖案為一參考點，選取一特定范圍。15.根據權利要求14所述的修正輔助圖案的方法，其中該特定范圍包括以該選取圖案的一端點為圓心，一特定值為半徑的一圓形區(qū)域。16.根據權利要求15所述的修正輔助圖案的方法，其中該特定值實質上大于該輔助圖案的一圖案的一最大邊長。17.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中該檢測步驟包括確認該選取圖案是否符合一輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。18.根據權利要求1所述的修正輔助圖案的方法，其中該檢測步驟包括:合并該選取圖案以及與該選取圖案相鄰的任一該輔助圖案以形成一判別圖案；以及確認該判別圖案是否符合一輔助圖案的制程規(guī)則檢測的規(guī)則。19.根據權利要求18所述的修正輔助圖案的方法，其中修正該第二布局圖案的方法包括:分別修正對應該判別圖案的該多個輔助圖案以形成多個已修正的子輔助圖案；以及組合該多個已修正的子輔助圖案以形成一已修正的判別圖案。20.根據權利要求19所述的修正輔助圖案的方法，其中在該已修正的第二布局圖案中，該已修正的判別圖案的尺寸以及各該輔助圖案的尺寸均是實質上大于該第一布局圖案的任一圖案的尺寸?！疚臋n編號】G03F1/36GK104166304SQ201310184909【公開日】2014年11月26日申請日期:2013年5月17日優(yōu)先權日:2013年5月17日【發(fā)明者】吳宗曄,林金隆,范耀仁,簡韋瀚,蔡佳君申請人:聯(lián)華電子股份有限公司