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      一種液晶顯示器的陣列基板的制作方法

      文檔序號(hào):2700993閱讀:148來源:國知局
      一種液晶顯示器的陣列基板的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種液晶顯示器的陣列基板。該陣列基板包括:基板、多條柵極線、多個(gè)薄膜晶體管、多個(gè)像素電極、公共電極和多條輔助金屬線。多條柵極線形成在基板表面,多條資料線與柵極線交叉以限定多個(gè)像素單元,多個(gè)薄膜晶體管位于柵極線與資料線的交叉處。多個(gè)像素電極與薄膜晶體管電連接,公共電極覆蓋該基板除薄膜晶體管之外的區(qū)域。多條輔助金屬線與柵極線部分重疊并與資料線位于同一膜層。該公共電極透過接觸孔與該輔助金屬線電連接,可以有效降低該公共電極的阻值。
      【專利說明】一種液晶顯示器的陣列基板

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種液晶顯示器,尤其涉及一種液晶顯示器的陣列基板。

      【背景技術(shù)】
      [0002] 作為液晶顯示器的顯示方式,以往扭曲向列(Twisted Nematic,TN)方式一直被廣 泛使用,但是該方式在顯示原理上,對(duì)視場角存在限制。
      [0003] 作為解決該問題的方法,橫向電場方式已為眾所周知,例如平面內(nèi)開關(guān)(In Plane Switching, IPS)方式和邊緣場開關(guān)(Fringe Field Switching,FFS)方式。該橫向電場方 式在陣列基板上形成像素電極和公共電極,對(duì)該像素電極和該公共電極之間施加電壓,使 之產(chǎn)生與該陣列基板大致平行的電場,在與該陣列基板面基本平行的面內(nèi)驅(qū)動(dòng)液晶分子。
      [0004] 現(xiàn)有技術(shù)的一種IPS型液晶顯示器的陣列基板中,公共電極位于最上層,作為上 電極,像素電極則位于公共電極下方,作為下電極。通常,公共電極為一整面透明電極,覆蓋 該陣列基板。但是,這種公共電極的阻值較高,容易造成公共電極的電壓不穩(wěn)定。


      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005] 為此,提供一種能降低公共電極阻值的液晶顯示器陣列基板實(shí)為必要。
      [0006] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種液晶顯示器的陣列基板,包括:基板;形成在基 板表面的多條柵極線;多條資料線與柵極線交叉以限定多個(gè)像素單元;多個(gè)薄膜晶體管, 位于柵極線與資料線的交叉處;多個(gè)像素電極,與薄膜晶體管電連接;公共電極,覆蓋該基 板除薄膜晶體管之外的區(qū)域;以及多條輔助金屬線,與柵極線部分重疊并與資料線位于同 一膜層,該公共電極透過接觸孔與該輔助金屬線電連接。
      [0007] 相較于現(xiàn)有技術(shù),根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板,由于在柵極線上方設(shè)置了輔助金 屬線,使該公共電極通過接觸孔與該輔助金屬線電連接,可有效降低該公共電極的阻值,提 高該公共電極電壓的穩(wěn)定性。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0008] 圖1為本發(fā)明提供的液晶顯示器陣列基板的俯視圖。
      [0009] 圖2為圖1中所示的液晶顯示器陣列基板沿線II - II的剖示圖。
      [0010] 主要元件符號(hào)說明

      【權(quán)利要求】
      1. 一種液晶顯示器的陣列基板,包括: 基板; 形成在基板表面的多條柵極線; 多條資料線與柵極線交叉以限定多個(gè)像素單元; 多個(gè)薄膜晶體管,位于柵極線與資料線的交叉處; 多個(gè)像素電極,與薄膜晶體管電連接; 公共電極,覆蓋該基板除薄膜晶體管之外的區(qū)域;以及 多條輔助金屬線,與柵極線部分重疊并與資料線位于同一膜層,該公共電極透過接觸 孔與該輔助金屬線電連接。
      2. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:每個(gè)像素單元中,該輔助金屬線大致平 行柵極線設(shè)置于每個(gè)像素單元中。
      3. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:該輔助金屬線與該資料線、該源極和該 漏極的材質(zhì)相同。
      4. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:該輔助金屬線與該資料線、該源極和該 漏極同時(shí)形成。
      5. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:該薄膜晶體管包括位于基板上的柵極、 位于柵極上方的通道層,以及位于通道層兩側(cè)并彼此分離的源極和漏極。
      6. 如權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于:該陣列基板還包括柵極絕緣層,覆蓋該 柵極、該柵極線和該基板。
      7. 如權(quán)利要求6所述的陣列基板,其特征在于:該陣列基板還包括鈍化層,覆蓋該薄膜 晶體管、該像素電極和該輔助金屬線。
      8. 如權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于:該接觸孔貫穿該鈍化層以露出至少部 分該輔助金屬線。
      9. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:該陣列基板還包括多條公共電極線,該 公共電極線位于該基板上,并與該柵極線平行排列。
      10. 如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于:該公共電極包括多個(gè)平行排列的狹 縫。
      【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK104122714SQ201310289835
      【公開日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月11日
      【發(fā)明者】王明宗, 齊國杰, 許琪, 陳丹 申請(qǐng)人:深超光電(深圳)有限公司
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