液晶顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種液晶顯示裝置，其具有壁結(jié)構(gòu)體，可以抑制低溫沖擊氣泡的發(fā)生。另外，還可以防止制造時(shí)基板內(nèi)部的電極等的損傷。該液晶顯示裝置具有：第一基板、與所述第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板、設(shè)于所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層（6）、形成在所述第一基板上的壁結(jié)構(gòu)體（4）、設(shè)置在壁結(jié)構(gòu)體（4）的至少側(cè)面的像素電極（8）、以及形成在所述第一基板上的共通電極（5），還具備包含像素電極（8）和共通電極（5）的多個(gè)像素（10），其中，在所述第二基板的表面局部地設(shè)置有高度高的部分，通過(guò)使該高度高的部分與壁結(jié)構(gòu)體（4）接觸，使得所述第一基板和所述第二基板接觸。
【專(zhuān)利說(shuō)明】液晶顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及一種以橫電場(chǎng)方式進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置中，在形成有像素電極以及薄膜晶體管(TFT)的TFT基板和形成有濾色片等的對(duì)向基板之間填充液晶，通過(guò)利用電場(chǎng)對(duì)該液晶的分子進(jìn)行驅(qū)動(dòng)、控制來(lái)形成圖像。其中，近年大多使用被稱(chēng)為橫電場(chǎng)方式(IPS方式)驅(qū)動(dòng)的液晶顯示裝置。
[0003]IPS方式是將液晶分子在面板面上水平地取向，并施加與面板面平行的電場(chǎng)(橫電場(chǎng))而使液晶分子在與面板面水平的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的液晶的驅(qū)動(dòng)方式。該IPS方式的液晶顯示裝置，在形成有圖像信號(hào)線(漏極線)、掃描信號(hào)線(柵極線)以及薄膜晶體管、像素電極等的第一基板側(cè)還形成有共通電極，并利用施加在像素電極和共通電極上的電壓差產(chǎn)生的第一基板的面內(nèi)方向的電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶層。在由該結(jié)構(gòu)形成的IPS方式的液晶顯示裝置中，例如構(gòu)成為，在由透明導(dǎo)電膜形成的面狀的共通電極的上層經(jīng)由絕緣膜重疊線狀的像素電極而配置。
[0004]即使在該IPS方式中，為了進(jìn)一步提高液晶顯示部的開(kāi)口率，近年來(lái)大多使用如下的方式，即、以跨越液晶 顯示裝置的鄰接像素的形式形成有壁結(jié)構(gòu)體，并在該壁結(jié)構(gòu)體的側(cè)壁上形成像素電極，進(jìn)一步在相對(duì)的TFT基板和對(duì)向基板上分別形成共通電極和對(duì)向電極，并在基板面上產(chǎn)生平行的電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶層的方式。
[0005]另外，液晶顯示裝置中的TFT基板與對(duì)向基板間的間隔為非常小的數(shù)微米程度，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定TFT基板與對(duì)向基板間的間隔，對(duì)于控制液晶的光的透射是極其重要的。由此，提案有使上述壁結(jié)構(gòu)體兼?zhèn)渥鳛楸３諸FT基板與對(duì)向基板間的間隔的間隔體的功能。
[0006]但是，在制造液晶顯示裝置時(shí)，必須要在基板間填充液晶并進(jìn)行密封。從而作為近年來(lái)大多使用的液晶的填充方法有被稱(chēng)為液晶下滴注入法(0DF方式)的方法，該方法首先在一基板上滴下所需量的液晶，然后將另一基板進(jìn)行密封從而填充液晶。
[0007]根據(jù)ODF方式，與現(xiàn)有的液晶注入法相比具有不需要大型的制造設(shè)備，還可縮短制造所需時(shí)間，并且使液晶的大量生產(chǎn)變得容易等特點(diǎn)，但是對(duì)于液晶的下滴以及上述保持基板間的間隔則被要求具有非常高的精度。
[0008]當(dāng)將該ODF方式適用于上述使壁結(jié)構(gòu)體具備間隔功能的液晶顯示裝置時(shí)，則會(huì)有低溫沖擊氣泡發(fā)生的可能性。低溫沖擊氣泡是指，在對(duì)封入有液晶的液晶面板等通過(guò)外力等施加沖擊時(shí)，在液晶層中產(chǎn)生負(fù)壓，液晶層中溶入的氮等氣體成分溶出而產(chǎn)生的真空氣泡中，尤其是在-20 V左右的低溫環(huán)境下所產(chǎn)生的氣泡。
[0009]由于該低溫沖擊氣泡很難再溶解，且不容易消滅，因此成為發(fā)生顯示不均等的最大原因。低溫沖擊氣泡易在基板與間隔的接觸部發(fā)生，另外，通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以確認(rèn)，抑制發(fā)生低溫沖擊氣泡的性能和間隔與基板的接觸面積成反比例。
[0010]采用了壁結(jié)構(gòu)體的IPS方式的液晶顯示裝置中成為發(fā)生低溫沖擊氣泡問(wèn)題的理由是，由于壁結(jié)構(gòu)體的高度一定且在像素的長(zhǎng)邊上全部形成，即成為僅將主間隔體以高密度進(jìn)行了配置的狀態(tài)，而沒(méi)有配置高度比主間隔體稍低的輔助間隔體的空間。即，因?yàn)榕c配置輔助間隔體的情況相比，基板與間隔體之間的接觸面積增加了。
[0011]另外，將壁結(jié)構(gòu)體與間隔體兼用的情況下使用上述ODF方式制造液晶顯示裝置時(shí)，由于使壁結(jié)構(gòu)體直接承受貼合基板時(shí)的壓力，因此，可能會(huì)對(duì)作為電極的ITO以及層間絕緣膜或者壁結(jié)構(gòu)體自身產(chǎn)生損害。
[0012]在JP2005-157224A中公開(kāi)了如下的技術(shù)，即、在VA方式的液晶顯示裝置中，在基板間配置壁結(jié)構(gòu)體等支承體并規(guī)定液晶層厚度的技術(shù)。另外，在JP2009-145865A以及JP2010-210866A中也公開(kāi)了利用間隔體來(lái)保持基板間的厚度的技術(shù)。但是，這些技術(shù)中的任意一種技術(shù)對(duì)于抑制IPS方式的低溫沖擊氣泡或者防止壁結(jié)構(gòu)體等的損傷都不充分。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題而研發(fā)，其要解決的課題是對(duì)于具有壁結(jié)構(gòu)體的液晶顯示裝置，可抑制低溫沖擊氣泡的發(fā)生。另外，進(jìn)一步追加的課題是對(duì)于具有壁結(jié)構(gòu)體的液晶顯示裝置，可防止制造時(shí)基板內(nèi)部的電極等的損傷。
[0014]為了解決上述課題，本發(fā)明的液晶顯示裝置具有下述的技術(shù)特征。
[0015](I)具有:第一基板；與所述第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板；設(shè)于所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層；形成在所述第一基板上的壁結(jié)構(gòu)體；設(shè)置在所述壁結(jié)構(gòu)體的至少側(cè)面的像素電極；形成在所述第一基板上的共通電極，還具備包含所述像素電極和所述共通電極的多個(gè)像素，在所述第二基板的表面局部地設(shè)置有高度高的部分，通過(guò)使所述高度高的部分與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸，使得所述第一基板和所述第二基板接觸。
[0016](2)在上述(I)中，所述高度高的部分為局部地形成在所述第二基板上的間隔膜。
[0017]( 3)在上述(I)中，所述高度高的部分通過(guò)將形成在所述第二基板上的鄰接的濾色膜的端部重合而形成。
[0018](4)在上述(I)至(3)的任意一項(xiàng)中，所述壁結(jié)構(gòu)體具有與所述像素的開(kāi)口部不鄰接的突出部，所述高度高的部分在所述突出部與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸。
[0019](5)在上述(4)中，在所述突出部的側(cè)面沒(méi)有形成所述像素電極以及所述共通電極。
[0020]( 6 )在上述(5 )中，在所述突出部的側(cè)面沒(méi)有形成間隔所述像素電極和所述共通電極的絕緣膜。
[0021](7)在上述(I)至(6)的任意一項(xiàng)中，所述像素的數(shù)量和所述高度高的部分與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸部分的數(shù)量不同。
[0022](8 )在上述(4)至(6 )的任意一項(xiàng)中，所述突出部的寬度方向的中心位置與所述間隔膜的寬度方向的中心位置錯(cuò)開(kāi)進(jìn)行設(shè)置。
[0023]( 9 )在上述(I)至(8 )的任意一項(xiàng)中，所述像素為在其長(zhǎng)度方向的中央附近彎曲的形狀。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的上述各技術(shù)特征，在具有壁結(jié)構(gòu)體的液晶顯示裝置中，可以抑制低溫沖擊氣泡的發(fā)生。另外，在具有壁結(jié)構(gòu)體的液晶顯示裝置中，能夠防止制造時(shí)基板內(nèi)部的電極等損傷?！緦?zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置中的像素構(gòu)成的剖面圖。
[0026]圖2是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置中的像素構(gòu)成的平面圖。
[0027]圖3是表示圖2的II1-1II線的剖面圖。
[0028]圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的變形例的剖面圖。
[0029]圖5是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置的又一變形例的剖面圖。
[0030]圖6是示意性地表示鄰接的3個(gè)像素的構(gòu)成的平面圖。
[0031]圖7是示意性地表示鄰接的3個(gè)像素的構(gòu)成的平面圖。
[0032]圖8是表示將突出部的寬度方向的中心位置和間隔膜的寬度方向的中心位置錯(cuò)開(kāi)的實(shí)施例的剖面圖。
[0033]圖9是示意性地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置中的像素構(gòu)成的平面圖。
[0034]符號(hào)說(shuō)明
[0035]ICF基板、2TFT基板、3支承體、4壁結(jié)構(gòu)體、5共通電極、6液晶層、7絕緣膜、8像素電極、10像素、11鄰接像素、12副壁結(jié)構(gòu)體、13絕緣膜、14漏極信號(hào)線、15通孔、18開(kāi)口部、19突出部、20間隔膜
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面，參照?qǐng)D1至圖8對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置100進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
[0037]圖1是示意性地表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中的像素構(gòu)成的剖面圖，圖2是示意性地表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置中的像素構(gòu)成的平面圖。
[0038]如圖1所示，液晶顯示裝置100是層疊了作為第一基板的TFT基板2、與TFT基板2相對(duì)設(shè)置的作為第二基板的濾色器(CF)基板1、以及設(shè)于TFT基板2與CF基板I之間的液晶層6的結(jié)構(gòu)。在TFT基板2上形成有壁結(jié)構(gòu)體4、高度比壁結(jié)構(gòu)體4稍低的副壁結(jié)構(gòu)體12，并具有至少設(shè)于壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面的作為第一電極的像素電極8、以及形成在TFT基板2上并至少覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12的共通電極5。在本實(shí)施方式中，像素電極8以覆蓋壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面以及壁結(jié)構(gòu)體4和副壁結(jié)構(gòu)體12之間的區(qū)域的方式進(jìn)行設(shè)置，圖示的截面構(gòu)造為大致L字狀。因此，副壁結(jié)構(gòu)體12在俯視時(shí)沒(méi)有被像素電極8覆蓋。在本實(shí)施方式中，共通電極5以覆蓋TFT基板2整個(gè)面的方式進(jìn)行設(shè)置，但只要是覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12的形式即可。即，在俯視時(shí)，在配置副壁結(jié)構(gòu)體12的區(qū)域共通電極5沒(méi)有被像素電極8覆蓋。像素電極8和共通電極5之間由絕緣膜13間隔開(kāi)。另外，在壁結(jié)構(gòu)體4與副壁結(jié)構(gòu)體12之間的區(qū)域以覆蓋像素電極8的方式來(lái)設(shè)置絕緣膜7。絕緣膜7也可以覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12。另外，該圖中省略了取向膜的圖示。
[0039]CF基板I具有紅色濾色器、綠色濾色器以及藍(lán)色濾色器，從背面燈(未圖示)進(jìn)行照射，實(shí)現(xiàn)對(duì)透過(guò)液晶層6的光賦予色彩的作用。另外，如后敘的在CF基板上的劃分像素間的位置上形成有黑色矩陣層BM，還包含對(duì)向電極9和保護(hù)層0C。
[0040]如上所述，液晶顯示裝置100成為，在相互相對(duì)的CF基板I與TFT基板2之間設(shè)置規(guī)定的間隙，并通過(guò)在該間隙中填滿液晶來(lái)形成液晶層6的結(jié)構(gòu)。并且，液晶層6通過(guò)配置在像素電極8和副壁結(jié)構(gòu)體12上的共通電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)。即，由相鄰的壁結(jié)構(gòu)體4夾持，且通過(guò)被賦予共通電位的像素電極8和共通電極5使液晶驅(qū)動(dòng)的區(qū)域成為一個(gè)像素10。圖1表示了液晶顯示裝置100的一個(gè)像素的截面。
[0041]其中，壁結(jié)構(gòu)體4被配置在由黑色矩陣層BM遮光的遮光區(qū)域上，另外，在壁結(jié)構(gòu)體4的下部配置有漏極信號(hào)線14。另外，在TFT基板2上，除了漏極信號(hào)線14之外，還陣列狀地配置有未圖示的施加掃描信號(hào)的柵極信號(hào)線，由一組柵極信號(hào)線以及漏極信號(hào)線14形成矩形的像素10。在TFT基板2上，另外還配置有TFT等開(kāi)關(guān)元件等其他電路元件，但在圖1所示的界面中沒(méi)有體現(xiàn)。
[0042]作為CF基板I以及TFT基板2的原材料，例如通常有玻璃基板，但也可以是具有絕緣性的透明樹(shù)脂基板。另外，像素電極8以及共通電極5例如使用ITO(Indium-Tin-Oxide)等透明導(dǎo)電材料并通過(guò)濺射法來(lái)形成電極膜，再通過(guò)光刻法進(jìn)行選擇蝕刻等的方法形成。另外，除了 ITO之外例如還可以使用InZnO (Indium-Zinc-Oxide)等各種金屬氧化物材料。壁結(jié)構(gòu)體4以及副壁結(jié)構(gòu)體12例如使用感光性樹(shù)脂材料并通過(guò)已知的光刻法等形成。
[0043]另外，壁結(jié)構(gòu)體4形成在劃分像素10和鄰接像素11的邊界的遮光區(qū)域或者形成在不是液晶顯示裝置100的有效顯示區(qū)域的顯示部的周邊電路區(qū)域。在此，遮光區(qū)域是指形成在CF基板I上且不參與顯示而進(jìn)行遮光的區(qū)域，在本實(shí)施方式中，形成由感光性樹(shù)脂等形成的黑色矩陣層BM作為遮光區(qū)域。除了黑色矩陣層BM之外，例如也可以通過(guò)使TFT以及柵極信號(hào)線、漏極信號(hào)線14等具有遮光能力來(lái)形成遮光區(qū)域。另外，如上所述為了對(duì)液晶層6施加均勻的橫電場(chǎng)，至少在壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面形成有像素電極8，但優(yōu)選不要形成在壁結(jié)構(gòu)體4的上部。是為了避免發(fā)生與鄰接像素11的顯示電極8的短路。因此，在形成像素電極8時(shí)，適當(dāng)?shù)厥褂醚谀；蛘呖梢栽诒诮Y(jié)構(gòu)體4的上部預(yù)先形成剝離用膜并在電極膜形成之后將其去除。絕緣膜7是用于防止在共通電極5和像素電極8之間、或者上述電極與其他電路元件之間產(chǎn)生不必要的短路而設(shè)置的，利用SiN等材料并通過(guò)公知的CVD法等而形成。
[0044]通過(guò)上述構(gòu)成，在像素電極8的尤其是在壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面形成的部分和覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12的共通電極5的部分之間，產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于施加在像素電極8上的電壓的強(qiáng)度的并具有與CF基板I以及TFT基板2平行的方向成分的電場(chǎng)，通過(guò)該電場(chǎng)使液晶層6中的液晶的分子的取向方向在水平面內(nèi)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而被驅(qū)動(dòng)。如上所述的液晶顯示裝置通常被稱(chēng)為IPS方式或者橫電場(chǎng)方式，并被公認(rèn)為是可以進(jìn)行寬視角顯示的裝置。另外，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100進(jìn)行通常黑色的顯示，即在未對(duì)液晶層6施加電場(chǎng)時(shí)使的光透射率為最小(黑色顯示)，通過(guò)施加電場(chǎng)來(lái)增加光的透射率。
[0045]圖2是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置100中的像素構(gòu)成的平面圖。如該圖所示，像素10為大概矩形，雖未圖示但由柵極信號(hào)線和漏極信號(hào)線包圍的區(qū)域形成。其中，該圖表示的是形成在TFT基板2上的構(gòu)造，并省略了絕緣膜7、13的圖示。
[0046]而且，在本實(shí)施方式中，壁結(jié)構(gòu)體4以?shī)A持像素的形式連續(xù)地形成在像素的左右兩端側(cè)。另外，像素10的開(kāi)口部18，即占據(jù)像素10的發(fā)光部調(diào)整來(lái)自背光燈的光線的透射率而透過(guò)的區(qū)域，是被形成在壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面的像素電極8夾持并在與覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12的共通電極之間形成橫電場(chǎng)的區(qū)域，如圖中虛線所示。為了避免因來(lái)自背光燈的光線的泄漏引起的對(duì)比度以及色純度的下降，將像素10中的開(kāi)口部18以外部分的非開(kāi)口部作為上述遮光區(qū)域。壁結(jié)構(gòu)體4的一部分成為從與開(kāi)口部17鄰接的區(qū)域突出的突出部19。SP，突出部19的側(cè)面位于非開(kāi)口部。另外，通孔15是將像素電極8和TFT的漏極電極(或者源電極)連接的結(jié)構(gòu)。另外，之前所示圖1是表示圖2的I 一 I線的剖面圖。
[0047]圖3是表示圖2的II1-1II線的剖面圖。如該圖所示，在壁結(jié)構(gòu)體4的突出部19的正上方，在CF基板I的保護(hù)層OC的更上一層形成有間隔膜20，正由于間隔膜20的厚度的高度，CF基板I的表面局部變高。另外，壁結(jié)構(gòu)體4在突出部19處與形成在CF基板I上的間隔膜20的表面接觸，由此來(lái)限定CF基板I與TFT基板2之間的間隙的寬度。即，壁結(jié)構(gòu)體4的突出部19以外的大半部分不與CF基板I接觸，正由于間隔膜20的厚度部分，其隔開(kāi)有間隙。
[0048]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過(guò)突出部19和間隔膜20在俯視時(shí)重合的微小范圍的接觸，來(lái)限定CF基板I和TFT基板2間的距離，剩余下的大半范圍則允許有向表面的法線方向的撓曲。由此，即使在由于低溫而使液晶層6的體積產(chǎn)生收縮的情況下，也可以利用CF基板I的撓曲將該體積變化吸收，從而使液晶層6不會(huì)成為明顯的減壓環(huán)境，從而，可以防止低溫沖擊氣泡的發(fā)生。
[0049]間隔膜20的原材料，在本實(shí)施方式中采用的是聚酰亞胺等的有機(jī)樹(shù)脂膜。對(duì)于相關(guān)原材料，由于間隔膜20產(chǎn)生微小彈性變形，因此，在利用ODF方式的液晶顯示裝置100的制造中粘合CF基板I和TFT基板2時(shí)，具有防止壁結(jié)構(gòu)體4因局部作用大的應(yīng)力而產(chǎn)生破損的效果。但是，間隔膜20的原材料并不局限于有機(jī)樹(shù)脂膜。另外，代替間隔膜20，也可以將相互鄰接的色彩不同的濾色層CF(因此，通過(guò)其他工藝制造)的端部進(jìn)行重合來(lái)在CF基板I的表面上局部地形成高度高的部分。該情況下，具有不需要單獨(dú)再制造間隔膜20的工藝的優(yōu)點(diǎn)。
[0050]圖4是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的變形例的剖面圖。其中，該圖是對(duì)應(yīng)圖3的附圖，與圖3同樣是表示圖2的II1-1II線的剖面圖。本變形例中，在突出部19的側(cè)面以及頂面沒(méi)有形成像素電極8以及共通電極5。其理由如下。即，當(dāng)使用ODF方式制造液晶顯示裝置100時(shí)，粘合CF基板I和TFT基板2時(shí)的壓力集中到與CF基板I和TFT基板2接觸的壁結(jié)構(gòu)體4的突出部19處，該壓力作為將壁結(jié)構(gòu)體4向垂直方向壓縮的力而作用。此時(shí)，對(duì)形成在壁結(jié)構(gòu)體4側(cè)面的膜也作用有朝向膜的面內(nèi)方向的壓縮力，因此，當(dāng)該膜是與壁結(jié)構(gòu)體4的粘合力較弱，或者是不易產(chǎn)生彈性變形而表現(xiàn)出脆性等抗變形弱的膜時(shí)，則可能存在該膜發(fā)生破損而從壁結(jié)構(gòu)體4剝離，并作為異物混入液晶層6中的問(wèn)題。另外，在本實(shí)施方式中，如之前說(shuō)明的像素電極8以及共通電極5是ITO等的金屬氧化物，由于抗變形弱，因此，沒(méi)有預(yù)先在突出部19的側(cè)面形成。
[0051]圖5是表示本實(shí)施方式的液晶顯示裝置100的又一變形例的剖面圖。該圖也是對(duì)應(yīng)圖3的附圖，與圖3同樣是表示圖2的II1-1II線的剖面圖。本變形例中，像素電極8、共通電極5、再加上作為SiN等無(wú)機(jī)膜的絕緣膜13都沒(méi)有形成在突出部19的側(cè)面，在利用ODF方式制造時(shí)，防止上述這些膜的破損以及剝離。
[0052]但是，在上述的說(shuō)明中，對(duì)按照每一個(gè)像素一個(gè)位置的比例來(lái)設(shè)置突出部19與間隔膜20接觸部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了說(shuō)明。但是并不局限于此，也可以按照對(duì)多個(gè)像素一個(gè)位置的比例等，突出部19與間隔膜20接觸部分的數(shù)量和配置不必與像素形成一對(duì)一的關(guān)系，例如也可以相對(duì)于多個(gè)像素設(shè)置一個(gè)壁結(jié)構(gòu)體4的局部的高度高的部分。
[0053]圖6以及圖7是示意性地表示連接的3個(gè)像素的構(gòu)成的平面圖。圖6所示的示例中，對(duì)鄰接的3個(gè)像素分別以一個(gè)的比例來(lái)設(shè)置突出部19。另外一方面，設(shè)于CF基板I的間隔膜20僅設(shè)置在圖中陰影線所示的部分，因此，成為相對(duì)3個(gè)像素以一個(gè)位置的比例使突出部19和間隔膜20接觸。另一方面，在圖7所示的示例中，相鄰的3個(gè)像素中僅在I個(gè)像素上設(shè)置了突出部19，因此，成為相對(duì)3個(gè)像素以一個(gè)位置的比例使突出部19和間隔膜20接觸。其中，圖7中所示的間隔膜20為向像素的短邊方向延伸的帶狀的平面形狀，但只要是形成在與突出部19對(duì)應(yīng)的位置任何形狀都可以，例如圖6所示的形狀也沒(méi)有問(wèn)題。
[0054]突出部19和間隔膜20接觸部分的個(gè)數(shù)以及配置是任意的，但是該部分配置的個(gè)數(shù)越多、越密集則CF基板I和TFT基板2之間的間隙就不會(huì)產(chǎn)生變動(dòng)，則發(fā)生低溫沖擊氣泡的可能性就變大。另一方面，如果該部分的個(gè)數(shù)越少、越稀疏地進(jìn)行配置，則CF基板I (或者TFT基板2)就容易撓曲，液晶層6的厚度就容易發(fā)生變化，因此，所顯示的圖像發(fā)生不均勻的可能性就變大。因此，突出部19和間隔膜20接觸部分的個(gè)數(shù)以及配置應(yīng)對(duì)應(yīng)所要制造的產(chǎn)品選擇最適宜的方案。另外，關(guān)于配置而言，突出部19和間隔膜20接觸部分可以規(guī)則地進(jìn)行配置(例如，格子狀配置)，也可以不規(guī)則地進(jìn)行配置。
[0055]但是，以上對(duì)根據(jù)突出部19和間隔膜20接觸部分的個(gè)數(shù)以及配置密度，低溫沖擊氣泡的發(fā)生可能性以及圖像不均勻的發(fā)生可能性會(huì)產(chǎn)生變化進(jìn)行了描述。更準(zhǔn)確地說(shuō)，如果突出部19和間隔膜20接觸部分(無(wú)論規(guī)則還是不規(guī)則)在圖像顯示區(qū)域(圖像形成的區(qū)域)內(nèi)均等地進(jìn)行配置，則根據(jù)圖像顯示區(qū)域內(nèi)的CF基板I和TFT基板2接觸部分(其相當(dāng)于突出部19和間隔膜20接觸部分)的面積的大小，低溫沖擊氣泡的發(fā)生可能性以及圖像不均勻的發(fā)生可能性會(huì)產(chǎn)生變化。
[0056]另外，本實(shí)施方式中，突出部19以及間隔膜20的形成方法沒(méi)有特別的限定，但通常使用光刻法來(lái)形成上述部分比較合理。另外，當(dāng)通過(guò)光刻法作成微細(xì)構(gòu)造時(shí)，根據(jù)其分解能力，可形成的微細(xì)構(gòu)造存在最少限度。因此，如圖3所示在將間隔膜20配置在突出部19的正上方的結(jié)構(gòu)中，突出部19和間隔膜20的接觸面積存在無(wú)法再小的最低值。
[0057]于是，如圖8所示，通過(guò)將突出部19的寬度方向的中心位置B與間隔膜20的寬度方向的中心位置C錯(cuò)開(kāi)，使突出部19的頂面和間隔膜20在偏離的位置接觸，由此，可以將突出部19和間隔膜20的接觸面積調(diào)整到比圖3所示的結(jié)構(gòu)更小。
[0058]接著，說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施方式。圖9是示意性地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的液晶顯示裝置200的像素構(gòu)成的平面圖。該圖與之前的第一實(shí)施方式100的圖2相對(duì)應(yīng)。另外，液晶顯示裝置200中除了像素10整體為平面形狀該點(diǎn)不同之外，其他均與第一實(shí)施方式的液晶顯示裝置100相同，因此，對(duì)共通的部分賦予相同的符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0059]如該圖所示，液晶顯示裝置200中的像素10在其長(zhǎng)度方向的中央附近彎曲，并以相對(duì)于像素10的長(zhǎng)度方向的配置方向(圖中上下方向)使壁結(jié)構(gòu)體4以及副壁結(jié)構(gòu)體12所成角度為互相相反的方式而具有區(qū)域Dl以及區(qū)域D2。因此，形成在壁結(jié)構(gòu)體4的側(cè)面的像素電極8以及覆蓋副壁結(jié)構(gòu)體12的共通電極5的部分，也是在區(qū)域Dl以及區(qū)域D2以相互相反的角度進(jìn)行配置。另外，虛線所示的開(kāi)口部18的形狀也和像素10整體的形狀相同，為在其長(zhǎng)度方向的中央附近彎曲的形狀。
[0060]圖示的結(jié)構(gòu)作為所謂的多疇構(gòu)造而被人們熟知，通過(guò)將在區(qū)域Dl和區(qū)域D2上產(chǎn)生的電場(chǎng)設(shè)為反向?qū)ΨQ(chēng)，來(lái)用于將各個(gè)區(qū)域的液晶的旋轉(zhuǎn)角度變成互相反向?qū)ΨQ(chēng)的結(jié)構(gòu)。由此，將從特定方向觀察液晶顯示裝置100時(shí)發(fā)生的非意圖著色在區(qū)域Dl和區(qū)域D2中相互抵消，則可進(jìn)行寬視角的高品質(zhì)的圖像顯示。
[0061](實(shí)施例)
[0062]上述第一實(shí)施方式中，使用圖7以及圖8所示的結(jié)構(gòu)試做了各種各樣的液晶顯示裝置100。此時(shí)，在將CF基板I和TFT基板2之間的接觸面積率，以CF基板I和TFT基板2接觸部分的面積(即，突出部19和間隔膜20接觸部分的面積)相對(duì)于圖像顯示區(qū)域的面積的比例進(jìn)行定義時(shí)，使接觸面積率在0.005%~0.76%范圍內(nèi)變化，另外，使間隔膜20的厚度在0.2 μ m~0.7 μ m間變化。另外，對(duì)上述試做的各個(gè)液晶顯示裝置100，為了評(píng)價(jià)其相對(duì)于低溫沖擊氣泡發(fā)生的耐性，而實(shí)施了下面的低溫沖擊氣泡試驗(yàn)。另外，為了評(píng)價(jià)CF基板I和TFT基板2的間隙的大小的維持性能，而實(shí)施了下面的反復(fù)按壓試驗(yàn)。
[0063](低溫沖擊氣泡試驗(yàn))
[0064]將液晶顯示裝置100在_20°C下保持24小時(shí)之后，在_20°C的環(huán)境下將直徑Ilmm的鋼球從IOcm的距離自由落下沖擊液晶顯示裝置100，通過(guò)目視來(lái)評(píng)價(jià)低溫沖擊氣泡發(fā)生的有無(wú)。
[0065](反復(fù)按壓試驗(yàn))
[0066]對(duì)液晶顯示裝置100的 表面的直徑IOmm的范圍，將105N的負(fù)荷以200N/s的速度反復(fù)施加負(fù)荷5次，通過(guò)目視來(lái)評(píng)價(jià)卸載I分鐘后的壓痕產(chǎn)生的有無(wú)。
[0067]表1表示了上述試做的各個(gè)液晶顯示裝置100的接觸面積率和間隔膜的膜厚、低溫沖擊氣泡試驗(yàn)以及反復(fù)按壓試驗(yàn)的結(jié)果。各個(gè)結(jié)果中，OK表示沒(méi)有觀察到低溫沖擊氣泡或者壓痕的發(fā)生，NG表示觀察到低溫沖擊氣泡或者壓痕的發(fā)生。其中，序號(hào)10所示的試做例是沒(méi)有形成間隔膜20的結(jié)構(gòu)，其壁結(jié)構(gòu)體4的頂面整體與CF基板I接觸。
[0068]表1
[0069]
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于，具有: 第一基板； 與所述第一基板相對(duì)設(shè)置的第二基板； 設(shè)于所述第一基板與所述第二基板之間的液晶層； 形成在所述第一基板上的壁結(jié)構(gòu)體； 設(shè)置在所述壁結(jié)構(gòu)體的至少側(cè)面的像素電極； 形成在所述第一基板上的共通電極， 還具備包含所述像素電極和所述共通電極的多個(gè)像素， 在所述第二基板的表面局部地設(shè)置有高度高的部分，通過(guò)使所述高度高的部分與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸，而使得所述第一基板和所述第二基板接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述高度高的部分為局部地形成在所述第二基板上的間隔膜。
3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述高度高的部分通過(guò)將形成在所述第二基板上的鄰接的濾色膜的端部重合而形成。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述壁結(jié)構(gòu)體具有與所述像素的開(kāi)口部不鄰接的突出部，所述高度高的部分在所述突出部與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述突出部的側(cè)面沒(méi)有形成所述像素電極以及所述共通電極。
6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其特征在于，在所述突出部的側(cè)面沒(méi)有形成間隔所述像素電極和所述共通電極的絕緣膜。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素的數(shù)量和所述高度高的部分與所述壁結(jié)構(gòu)體接觸部分的數(shù)量不同。
8.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述突出部的寬度方向的中心位置與所述間隔膜的寬度方向的中心位置錯(cuò)開(kāi)進(jìn)行設(shè)置。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素為在其長(zhǎng)度方向的中央附近彎曲的形狀。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK103576365SQ201310332841
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月3日
【發(fā)明者】平塚崇人, 伊東理, 大谷美晴, 石垣利昌, 園田大介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器