用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔離系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，包括：一真空腔體，該真空腔體內(nèi)至少包括該光刻設(shè)備的掩模、投影物鏡及工件；一真空?qǐng)?zhí)行裝置，用于對(duì)該真空腔體進(jìn)行抽氣；一真空檢測(cè)裝置，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控該真空腔的真空度；一形狀記憶合金金屬密封圈，用于密封該真空腔體。
【專利說明】用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔離系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一集成電路裝備制造領(lǐng)域，尤其涉及一種用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔尚系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成對(duì)應(yīng)于所述IC的單層的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。圖案成像是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。常規(guī)的光刻設(shè)備包括:所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將全部圖案尸次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂掃描機(jī):在所述掃描機(jī)中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案形成到襯底上。
[0003]高精度和高分辨率作為光刻技術(shù)當(dāng)前瞄準(zhǔn)的目標(biāo)需要光刻設(shè)備的各部件之間相互精確定位，例如保持圖案形成裝置(例如掩模)的掩模版臺(tái)、投影系統(tǒng)和保持襯底的襯底臺(tái)。除了例如掩模版臺(tái)和襯底臺(tái)的定位外，投影系統(tǒng)也面臨這種需要。在當(dāng)前設(shè)備中的投影系統(tǒng)包括承載結(jié)構(gòu)，例如透鏡座架(透射光的情形)或反射鏡框架(反射光的情形)，和包括多個(gè)光學(xué)元件，例如透鏡元件、反射鏡等。
[0004]通常在光刻機(jī)系統(tǒng)中，由于結(jié)構(gòu)振動(dòng)將會(huì)導(dǎo)致圖像的短期誤差，同時(shí)由于運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)(如微動(dòng)臺(tái)、反射鏡)的 MA (Moving Average)和 MSD(Moving Standard Deviat1n)的伺服位置誤差將導(dǎo)致的圖像畸變。降低和控制對(duì)整機(jī)動(dòng)態(tài)性能，將誤差降低到一個(gè)較低的水平。聲噪載荷(Acoustics Load)定義為空氣的壓力隨時(shí)間的變化作用在物鏡和主基板等內(nèi)部世界上的效應(yīng)。根據(jù)在光刻機(jī)在客戶端的測(cè)試表明，在干凈的空氣環(huán)境下傳播的聲音和噪音對(duì)內(nèi)部世界的擾動(dòng)占總的振動(dòng)干擾約40%的比例，如圖所示。其光刻機(jī)聲噪試驗(yàn)測(cè)試值范圍再75-90dB左右。
[0005]而在EUVL (極紫外光刻)中由于內(nèi)部環(huán)境為真空，其聲音和噪音傳播的媒介不存在，真空環(huán)境將有效阻隔聲音和噪音對(duì)內(nèi)部世界的擾動(dòng)，目前近似認(rèn)為幾乎沒有。EUVL整機(jī)真空環(huán)境系統(tǒng)的建立，針對(duì)于這一干擾源和評(píng)估因素中具有改善和積極的意義。由此比較可得到，在DUVL中聲噪載荷對(duì)內(nèi)部世界的影響。在EUVL中轉(zhuǎn)化為對(duì)外部真空腔和外框架的擾動(dòng)，這些擾動(dòng)將經(jīng)過主動(dòng)減振器的衰減得到抑制。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)所使用的EUVL針對(duì)聲音和噪音對(duì)內(nèi)部世界的擾動(dòng)所使用的解決方法之一就是利用共振器消除干擾。單個(gè)共振器可看成由幾個(gè)聲學(xué)作用不同的聲學(xué)元件構(gòu)成。開口管內(nèi)及管口附近空氣隨聲波而振動(dòng)，是一個(gè)聲質(zhì)量元件，空腔內(nèi)的壓力隨空氣變化，是一個(gè)聲順兀件。而空腔內(nèi)的空氣在一定程度內(nèi)隨聲波而振動(dòng)，也具有一定的聲質(zhì)量?？諝庠陂_口壁面的振動(dòng)摩擦，由于粘滯阻尼和導(dǎo)熱的作用，會(huì)使聲能損耗，它的聲學(xué)作用是個(gè)聲阻。當(dāng)入射聲波的頻率接近共振器的固有頻率時(shí)，孔頸的空氣柱產(chǎn)生強(qiáng)烈振動(dòng)，在振動(dòng)過程中，由于克服摩擦阻力而消耗聲能。反之，當(dāng)入射聲波頻率遠(yuǎn)離共振器固有頻率時(shí)，共振器振動(dòng)很弱，因此聲吸收作用很小，可見共振器吸聲系數(shù)隨頻率而變化，最高吸聲系數(shù)出現(xiàn)在共振頻率處。
[0007]如專利US20090161085中所記載，采用上述共鳴器原理，設(shè)計(jì)了如下三種共鳴器。A為普通的共鳴器，通過改變腔體體積和管道長度和尺寸可以調(diào)節(jié)吸聲頻段；B在A的基礎(chǔ)上，通過有源器件AE可以動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)腔體體積或者系統(tǒng)阻尼，從而動(dòng)態(tài)地改變共鳴器吸聲特性；C與B差不多，但是體積大大減小了，具有更大的頻率調(diào)節(jié)范圍。物鏡系統(tǒng)對(duì)噪聲比較敏感，共鳴器吸收掩模臺(tái)的噪聲后，將會(huì)減小物鏡的振動(dòng)響應(yīng)，該裝置同樣適用于工件臺(tái)。共鳴器布置在氣浴管道出口處，吸收風(fēng)扇噪聲或外界環(huán)境等產(chǎn)生的噪聲。將共鳴器布置在物鏡支架附近，朝外放置，降低支架的噪聲和振動(dòng)響應(yīng)。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)所使用的EUVL針對(duì)聲音和噪音對(duì)內(nèi)部世界的擾動(dòng)所使用的另一種解決方法是有源消聲法。一般來說，傳統(tǒng)的噪聲控制方法對(duì)控制中高頻噪聲較為有效，而對(duì)低頻噪聲的控制效果不大，如果要做到很好的控制，將比較昂貴，甚至不可能。原因是涉及波長很長，如果用無源控制，吸聲材料要很厚，消聲器要很大，彈性材料(用于隔振)要很軟，很厚。早在20世紀(jì)30年代，就萌發(fā)了有源控制的概念，由于電子設(shè)備和控制理論的限制，這種系統(tǒng)也無法推廣。近30年，有源噪聲和控制成為聲學(xué)，特別是噪聲控制理論發(fā)展是有源控制成為可能。其原理主要是用換能器發(fā)出反相噪聲以抵消原有噪聲，從而達(dá)到噪聲降低的目的，控制噪聲則用電子方法從原有噪聲的測(cè)量中取得，如此而已。這個(gè)簡(jiǎn)單概念用了大半個(gè)世紀(jì)，還要繼續(xù)努力才能實(shí)現(xiàn)。有源控制只適用于低頻(500 Hz以下)，高頻在空間相位變化大，就不容易控制了。
[0009]有源噪聲控制是利用一個(gè)或多個(gè)次級(jí)噪聲源發(fā)出噪聲以抑制原有噪聲。次級(jí)噪聲源使用電子線路和揚(yáng)聲器，其發(fā)出的噪聲功率須大于原有噪聲源的噪聲功率，才能實(shí)現(xiàn)控制。控制機(jī)理有以下三種。
[0010]首先是抵消。次級(jí)噪聲源產(chǎn)生與原有噪聲反相的噪聲將其抵消。這可稱為“反聲”，平常對(duì)有源噪聲控制常以此解釋。這種方法只能在一定范圍內(nèi)有效，在有些地方噪聲會(huì)增大，在管道內(nèi)一維系統(tǒng)則無困難。另外，對(duì)一關(guān)閉的大型動(dòng)力設(shè)備的排氣口外，也可加反相次聲源以減少在室外發(fā)射的噪聲。在戶外用反聲完全消除原始噪聲不可能，但可降低低頻噪聲十分貝左右。第二種機(jī)理是改變?cè)荚肼曉吹妮椛涮匦?。在一巨大原始噪聲源旁放一噪聲功率相同的反相次?jí)聲源，整個(gè)發(fā)射噪聲功率都大為減少。這不是抵消，次級(jí)聲源加入后，與原始聲源組成偶極聲源。次級(jí)聲源的作用是使原始聲源的輻射阻抗變成主要是聲抗，而聲阻很小。
[0011]如專利US20090195763中，設(shè)計(jì)了多種類型有源消聲器，以用于降低噪聲對(duì)光刻機(jī)系統(tǒng)的影響。由于工件臺(tái)掩模臺(tái)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生聲波，氣流和其他擾動(dòng)，可能會(huì)對(duì)投影系統(tǒng)產(chǎn)生影響，通過布置一系列揚(yáng)聲器，以減小這些擾動(dòng)對(duì)設(shè)備的影響。通過傳感器SE探測(cè)系統(tǒng)氣浴管道中的噪聲，通過控制系統(tǒng)CON驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器ACT，產(chǎn)生次級(jí)噪聲，抵消原噪聲，降低氣浴噪聲產(chǎn)生的影響。多個(gè)傳感器和多個(gè)揚(yáng)聲器通過一個(gè)控制系統(tǒng)控制，降低噪聲對(duì)物鏡的影響?；A(chǔ)框架等外部結(jié)構(gòu)在激勵(lì)下會(huì)輻射噪聲，有源消聲系統(tǒng)布置在主機(jī)板附近吸收噪聲，以降低噪聲對(duì)主機(jī)板的影響。通過在水平校準(zhǔn)器PSE附近布置傳聲器，通過控制系統(tǒng)，可以降低噪聲對(duì)測(cè)量儀器的影響。通過在垂直校準(zhǔn)STA附近布置傳聲器，通過控制系統(tǒng)，可以降低噪聲對(duì)測(cè)量儀器的影響。
[0012]又如US6549264B2所述，提出一種建立在光刻系統(tǒng)上的真空密封腔，其對(duì)于掩膜片、投影光學(xué)系統(tǒng)、晶圓等不同結(jié)構(gòu)有不同的支撐腔，且壓強(qiáng)不同。通過隔板將大真空體積劃分為幾個(gè)小真空體積，中間通過柔性解耦來實(shí)現(xiàn)隔振。這樣有利于控制光刻系統(tǒng)中灰塵污染及碳污染，可提高光刻機(jī)的隔振能力便于實(shí)現(xiàn)一個(gè)用于光刻系統(tǒng)中的真空腔及密封組件。由外圍組件32及內(nèi)部框架34組成的真空設(shè)備隔離了外部環(huán)境的噪音和振動(dòng)，此真空裝備有三個(gè)壓強(qiáng)不同的區(qū)域。密封組件75、78分別連接托盤40與內(nèi)部腔34、腔34與外圍腔32，從而將掩膜區(qū)域31與光學(xué)區(qū)域33隔離，同樣方法將光學(xué)區(qū)域與晶圓區(qū)域隔開。光束穿過的狹縫很小足以保證不同區(qū)域的壓強(qiáng)不同。利用泵97、98、99以保證真空腔的真空度。但該方案結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜，實(shí)行可靠性低。金屬密封的一般特性橡膠密封圈的主要缺點(diǎn)是不耐烘烤且在室溫下放氣量大，所以許多要求高溫烘烤(>200攝氏度)和只準(zhǔn)使用低蒸氣壓(室溫時(shí)蒸氣壓〈10~_10 Pa)材料的超高真空系統(tǒng)裝置，不能使用橡膠密封，而需用金屬密封圈密封。
[0013]形狀記憶合金(shape memory alloy,縮寫為SM)作為一種新型功能性材料,其最顯著的特性是形狀記憶效應(yīng).1932年在研究AuCd合金時(shí)首次發(fā)現(xiàn)，但直到1963年在Nili合金中再一次發(fā)現(xiàn)才引起了人們的廣泛重視，并由此開始了廣泛研究和應(yīng)用。隨后人們逐漸發(fā)現(xiàn)了 SMA的其他重要特性.如超彈性效應(yīng)、彈性模量溫度變化特性和良好的阻尼性能等。一般金屬材料受到外力作用后，首先發(fā)生彈性變形，達(dá)到屈服后，產(chǎn)生塑性變形，當(dāng)外力撤除后就會(huì)留下永久變形。而SMA材料在產(chǎn)生塑性變形以后，若加熱升溫到某一確定溫度后，能夠回復(fù)到受力前的形狀，這種現(xiàn)象叫做形狀記憶效應(yīng)(shape memroy effect,縮寫為SME)，它是SMA最顯著的特性。SMA的形狀記憶效應(yīng)是由于它的熱彈性馬氏體相變特性，只要溫度下降到馬氏體相變溫度點(diǎn)(Ms)馬氏體晶核就會(huì)生成，并且急速長到能觀察到的一定大?。浑S著溫度的進(jìn)一步下降。已生成的馬氏體會(huì)繼續(xù)長大，同時(shí)還可有新的馬氏體形核，并長大。溫度下降到Mf點(diǎn)，馬氏體長到最終大小，再繼續(xù)冷卻，馬氏體不再長大。反之，當(dāng)試樣處于全部馬氏體狀態(tài)后加熱，溫度上升到奧氏體相變開始溫度點(diǎn)(As)后，馬氏體開始收縮.加熱到Af，溫度點(diǎn)，還處于可以觀察到的大小的馬氏體就突然完全消失。在馬氏體隨著溫度的變化而發(fā)生馬氏體大小和量的變化時(shí)，宏觀上則表現(xiàn)為SMA的形狀變化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明的目的在于提供可靠性高、成本較低的真空聲噪隔離系統(tǒng)。
[0015]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，包括:一真空腔體，該真空腔體內(nèi)至少包括該光刻設(shè)備的掩模、投影物鏡及工件；一真空?qǐng)?zhí)行裝置，用于對(duì)該真空腔體進(jìn)行抽氣；一真空檢測(cè)裝置，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控該真空腔的真空度；一形狀記憶合金金屬密封圈，用于密封該真空腔體。
[0016]更進(jìn)一步地，該真空腔體被該光刻設(shè)備的主基板分為主真空腔和工件臺(tái)真空腔。
[0017]更進(jìn)一步地，該真空?qǐng)?zhí)行裝置包括第一級(jí)抽真空裝置，該第一級(jí)抽真空裝置為干泵。該真空?qǐng)?zhí)行裝置包括第二級(jí)抽真空裝置，該第二級(jí)抽真空裝置為渦輪分子泵或冷凝泵。
[0018]更進(jìn)一步地，該真空檢測(cè)裝置還包括真空規(guī)和檢漏儀。
[0019]更進(jìn)一步地，該形狀記憶合金金屬密封圈為鈦-鎳合金或銅基合金。該銅基合金由銅-鋅-鋁合金組成或由銅-鋁-鎳合金組成。該形狀記憶合金金屬密封圈的橫截面為一 “O”字型、“C”字型或“9”字型。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明通過一種中低真空(10Pa以下)環(huán)境的創(chuàng)建，來解決和降低光刻機(jī)聲噪問題(預(yù)計(jì)降低30dB左右)，進(jìn)而改善和提高對(duì)曝光分系統(tǒng)和測(cè)量分系統(tǒng)的精度。同時(shí)低真空的技術(shù)進(jìn)步效果，例如，減少污染，提高激光干涉儀重復(fù)性等附加特點(diǎn)。
[0021]此外，本發(fā)明還包含采用一種低釋氣性的形狀記憶合金材料作為真空腔之間的金屬密封圈。通金屬密封圈有兩個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn):1放氣遠(yuǎn)比橡膠少；2用它密封的系統(tǒng)和裝置可以在高溫下烘烤去氣，因此能滿足超高真空的要求。金屬密封也有很多缺點(diǎn):I金屬密封圈彈性差，需要很大的密封力才能保障可靠的真空密封；2重復(fù)使用性很差，有些金屬密封圈只能使用一次。本專利采用的形狀記憶合金材料作為金屬密封圈，具有優(yōu)點(diǎn):1.釋氣性低；2.耐烘烤，3.可重復(fù)使用，使用成本低；利用形狀記憶合金是一種在加熱升溫后能完全消除其在較低的溫度下發(fā)生的變形，恢復(fù)其變形前原始形狀的特性?？刹捎肨1-Ni鈦鎳合金和銅基記憶合金(如Cu-Zn-Al，Cu-Al-Ni)形狀記憶合金材料。其中，Ti鈦和Ni鎳都是真空釋氣性較低的材料，Ti鈦合金在高真空條件下可以使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。
[0023]圖1是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離控制流程框圖；
圖3是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)的框架結(jié)構(gòu)布局概念圖；
圖4是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)的立體圖；
圖5是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)的主真空腔模塊結(jié)構(gòu)圖；
圖6是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)的工件臺(tái)真空腔模塊結(jié)構(gòu)圖；
圖7是形狀記憶合金密封圈的截面圖；
圖8是真空框架內(nèi)部結(jié)構(gòu)布局圖；
圖9是真空框架內(nèi)部隔離間隙布局圖；
圖10是本發(fā)明所涉及的真空聲噪隔離系統(tǒng)第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。本發(fā)明中將使用的技術(shù)術(shù)語如下: 光源系統(tǒng)，Source, SO
這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括:紫外(UV)輻射(例如具有約365、248，143，157或126 nm的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。
[0025]照射系統(tǒng)，Illuminator,ILL
所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型光學(xué)元件，或所有這些元件的組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射束。
[0026]照射器ILL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會(huì)考慮將該源作為光刻設(shè)備的組成部件，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和域擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器ILL.在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部件(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器幾、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作福射系統(tǒng)。
[0027]所述照射器幾可以包括配置用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整裝置AD。通常，可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為a —外部和a-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器幾通常包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO，所述照射器提供經(jīng)過調(diào)節(jié)的輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。
[0028]投影系統(tǒng)Projector Box, PO
這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”應(yīng)廣義地解釋為包括各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射型光學(xué)系統(tǒng)、反射型光學(xué)系統(tǒng)、和反射折射型光學(xué)系統(tǒng)、磁性型光學(xué)系統(tǒng)、電磁型光學(xué)系統(tǒng)和靜電型光學(xué)系統(tǒng)，或所有這些系統(tǒng)的組合，如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語“投影系統(tǒng)”同義。
[0029]如這里所述的，設(shè)備是透射型的(例如采用透射式的掩模)。可選的，設(shè)備可以是反射型的(例如采用如上述的可編程反射鏡陣列，或采用反射式掩模)。
[0030]這里使用的術(shù)語“透鏡”可以認(rèn)為是一個(gè)或多種光學(xué)元件的組合體，包括折射型光學(xué)部件、反射型光學(xué)部件、磁學(xué)型光學(xué)部件、電磁型光學(xué)部件和靜電型光學(xué)部件。
[0031]真空環(huán)境系統(tǒng)Vacuum System, SV
真空環(huán)境系統(tǒng)SV，用于控制投影曝光區(qū)域的環(huán)境壓力(真空度)、溫度和污染物。如圖1本專利技術(shù)方案一種光刻機(jī)設(shè)備架構(gòu)所示，實(shí)現(xiàn)真空環(huán)境的設(shè)計(jì)思路:形成封閉的空間，真空框架之間采用密封，采用兩級(jí)真空泵抽氣，其中第一級(jí)為干泵，第二級(jí)為真空泵(如渦輪分子泵或低溫冷凝泵)。同時(shí)采用真空規(guī)和檢漏儀對(duì)環(huán)境真空度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。將光刻機(jī)內(nèi)部及物鏡周邊真空度控制在10Pa以下。此外，其內(nèi)部框架同外部框架(外部真空腔體)之間留有一定的間隙在1mm以上，平均間隔距離在10mm左右。也可采用多個(gè)真空泵并聯(lián)(圖中未示出)，對(duì)真空腔進(jìn)行抽吸，以縮短達(dá)到指定真空度的實(shí)現(xiàn)時(shí)間。
[0032]真空減振框架系統(tǒng)Frame System, SF
通常在光刻機(jī)系統(tǒng)中，由于結(jié)構(gòu)振動(dòng)將會(huì)導(dǎo)致圖像的短期誤差，同時(shí)由于運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)(如微動(dòng)臺(tái)、反射鏡)的 MA (Moving Average)和 MSD(Moving Standard Deviat1n)的伺服位置誤差將導(dǎo)致的圖像畸變。降低和控制對(duì)整機(jī)動(dòng)態(tài)性能，將誤差降低到一個(gè)較低的水平。支撐結(jié)構(gòu)/框架減震系統(tǒng)SF，用于衰減至少部分所述投影系統(tǒng)的振動(dòng)。
[0033]掩模Reticle
這里所使用的術(shù)語“圖案形成裝置”應(yīng)被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上期望的圖案完全相符，例如，圖案包含相移特征或所謂的輔助特征。通常，被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng)，例如集成電路。
[0034]圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述傾斜的反射鏡把圖案賦予到被反射鏡陣列反射的輻射束。
[0035]掩模運(yùn)動(dòng)臺(tái)Reticle Stage, RS
所述支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的或其他夾持技術(shù)來保持圖案形成裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái)，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語“掩模版”或“掩?！倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語“圖案形成裝置”同義。
[0036]娃片運(yùn)動(dòng)臺(tái)Wafer Stage, WS
硅片運(yùn)動(dòng)臺(tái)(工件臺(tái))的功能是攜帶硅片并運(yùn)動(dòng)到指定的位置(工位處)進(jìn)行相應(yīng)工序的操作。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)或“襯底支撐件”(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái)或“掩模支撐件”)的類型二在這種“多臺(tái)”的機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)，或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其他臺(tái)和I或支撐結(jié)構(gòu)用于曝光的同時(shí)，在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)和/或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步驟。
[0037]對(duì)準(zhǔn)裝置Alignment, WA
對(duì)準(zhǔn)裝置的功能是完成對(duì)硅片和掩模的水平位置對(duì)準(zhǔn)。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并被圖案形成裝置圖案化。己經(jīng)穿過圖案形成裝置(例如，掩模)MA之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到襯底w的目標(biāo)部分C上。通過第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束PB的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個(gè)位置傳感器(圖1中未明確示出)用于將圖案形成裝置MA相對(duì)于所述輻射束PB的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT的移動(dòng)。類似的，襯底臺(tái)WT或襯底支撐的移動(dòng)可以通過利用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精確定位)來實(shí)現(xiàn)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)，所述支撐結(jié)構(gòu)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連，或可以是固定的。可以使用圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml，M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Pl，P2來對(duì)準(zhǔn)圖案形成裝置MA和襯底Wo雖然所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占用專用的目標(biāo)部分，它們可以設(shè)置在目標(biāo)部分(熟知的劃線對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)之間的位置上。類似的，在提供多于一個(gè)管芯到圖案形成裝置(例如，掩模)MA的情形中，圖案形成裝置對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以設(shè)置在管芯之間。
[0038]浸沒式裝置頂光刻設(shè)備也可以是其中的襯底的至少一部分被具有相對(duì)高的折射率的液體(例如，水)覆蓋以填充位于投影系統(tǒng)和襯底之間位置的類型。浸沒液體可以用于光刻設(shè)備中的其他位置，例如，圖案形成裝置(例如，掩模)和投影系統(tǒng)之間。浸沒技術(shù)能夠用來增大投影系統(tǒng)的孔徑數(shù)值。這里用到的術(shù)語“浸沒”不是指的一種結(jié)構(gòu)，例如襯底，必須進(jìn)入到液體中，而是僅表示在曝光時(shí)液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
[0039]基本掃描和步進(jìn)概念和掩t旲娃片同步:
圖示的裝置可以以至少一種下面的模式進(jìn)行應(yīng)用:
1.在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束PB的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，將支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT或“掩模支撐”和襯底臺(tái)WT或“襯底支撐”保持為基本靜止(即，單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng)，使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
[0040]2.在掃描模式中，在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT或“掩模支撐”和襯底臺(tái)WT或“襯底支撐”同步地進(jìn)行掃描(即，單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT或“襯底支撐”相對(duì)于掩模臺(tái)MT或“掩模支撐”的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
[0041]3.在另一個(gè)模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺(tái))MT或“掩模支撐”保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束PB的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí)，對(duì)所述襯底臺(tái)WT成“襯底支撐”進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺(tái)WT或“襯底支撐”的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻中。
[0042]也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。
[0043]本發(fā)明旨在提供高精度提高的光刻設(shè)備。圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例1的光刻設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，其包括:照射系統(tǒng)(Illuminat1n, ILL),構(gòu)造成調(diào)節(jié)福射束和福射源SO (例如，紫外福射或其他適當(dāng)?shù)母Ｉ?；圖案支撐和攜帶結(jié)構(gòu)(Reticle Stage, RS),構(gòu)造成支撐和攜帶圖案(例如掩模Reticle)形成的裝置，并與構(gòu)造成根據(jù)特定參數(shù)精確定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連。所述圖案形成裝置能將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺(tái)或工件臺(tái)(Wafer Stage, WS)，構(gòu)造成保持襯底，例如涂覆有抗蝕劑的晶片(Wafer)，并與構(gòu)造成根據(jù)特定參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連；投影系統(tǒng)(Project System, PO)，例如折射式投影透鏡系統(tǒng)，構(gòu)造成將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分，所述投影系統(tǒng)配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上:框架減震系統(tǒng)(System Frame, SF ),用于衰減至少部分所述投影系統(tǒng)的振動(dòng)。裝置系統(tǒng)還包括真空環(huán)境系統(tǒng)(System Vacuum/Environment, SV)，用于控制投影曝光區(qū)域的環(huán)境壓力(真空度)、溫度和污染物。由于上述結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)公開的技術(shù)方案，因此在圖1中沒有示出上述部件。
[0044]該真空聲噪隔離系統(tǒng)包括一種內(nèi)部框架組(主基板)4是指主動(dòng)減振隔振器支撐的用以安裝和固定投影物鏡6、調(diào)平調(diào)焦分系統(tǒng)、對(duì)準(zhǔn)分系統(tǒng)、光柵尺等分系統(tǒng)和功能模塊的所有框架。包括主動(dòng)減振器(AM):在光刻機(jī)中，將內(nèi)部世界框架放置在真空腔7中，支撐內(nèi)部世界框架的主動(dòng)減振器安裝在真空腔外，二者之間的連接桿穿過真空腔壁。利用氣浮結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)連接桿和真空腔壁之間的密封，同時(shí)保證連接桿相對(duì)于真空腔壁可以實(shí)現(xiàn)六自由度運(yùn)動(dòng)。外部世界包括外部框架組及其對(duì)應(yīng)接口安裝的分系統(tǒng)，外部框架組是指主動(dòng)減振隔振器以外用以安裝和固定照明模塊、環(huán)境分系統(tǒng)、娃片傳輸分系統(tǒng)、掩模傳輸分系統(tǒng)、工件臺(tái)分系統(tǒng)和掩模臺(tái)分系統(tǒng)的所有框架。照明模塊、環(huán)境分系統(tǒng)、硅片傳輸分系統(tǒng)、掩模傳輸分系統(tǒng)、工件臺(tái)分系統(tǒng)和掩模臺(tái)分系統(tǒng)分別安裝在外部框架組上。該真空腔7形成封閉的空間，真空框架之間采用密封，采用兩級(jí)真空泵抽氣，其中第一級(jí)為干泵11，第二級(jí)為真空泵8 (如渦輪分子泵或冷凝泵)。同時(shí)采用真空規(guī)9和檢漏儀10對(duì)環(huán)境真空度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。將光刻機(jī)內(nèi)部及物鏡周邊真空度控制在10Pa以下，以此方式將光刻機(jī)真空腔內(nèi)的聲噪控制在50dB以下。此外，其內(nèi)部框架同外部框架(外部真空腔體)之間留有一定的間隙在1mm以上，平均間隔距離在10mm左右。在另一種較佳實(shí)施方式中，也可采用多個(gè)真空泵并聯(lián)(圖中未示出)，對(duì)真空腔進(jìn)行抽吸，以縮短達(dá)到指定真空度的實(shí)現(xiàn)時(shí)間。
[0045]如圖2所示，為真空聲噪控制流程框圖，它是一個(gè)反饋控制系統(tǒng)，將設(shè)計(jì)內(nèi)部噪音環(huán)境201經(jīng)誤差補(bǔ)償后依次經(jīng)過控制裝置202，執(zhí)行裝置203以及控制流程204獲得實(shí)際內(nèi)部噪音環(huán)境208。該反饋系統(tǒng)通過傳感裝置205 (聲噪傳感器和真空規(guī))實(shí)時(shí)測(cè)量內(nèi)部聲噪和背景真空度，程序算法根據(jù)聲噪傳感器和真空規(guī)實(shí)時(shí)測(cè)量數(shù)值207，將通過執(zhí)行裝置203(真空泵和電機(jī))來控制內(nèi)部真空度(10Pa以下)，其誤差量作為信號(hào)提供給運(yùn)算放大器，控制真空泵及電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，使得真空度控制在聲噪在50dB以下，反饋控制調(diào)節(jié)使得系統(tǒng)趨于穩(wěn)定。
[0046]如圖3真空框架結(jié)構(gòu)布局概念圖所示，真空框架需要為曝光系統(tǒng)、掩模和工件提供高真空環(huán)境空間。四個(gè)真空框架將真空腔室分為了由下而上四個(gè)真空腔室模塊，工件臺(tái)真空框架601、工件臺(tái)真空腔框架500、主真空腔框架501和掩模臺(tái)真空框架602。中間設(shè)置主基板510，投影物鏡6安裝在主基板510之上，并將內(nèi)部空間區(qū)域隔成兩塊:主真空腔300和工件臺(tái)真空腔400。主基板510上表面以上的真空腔為主真空腔300，主基板510下表面以下的真空腔為工件臺(tái)真空腔400。主真空腔模塊內(nèi)壁、掩模臺(tái)真空框架602和主基板510上表面構(gòu)成了主真空腔(封閉空間)300 ;工件臺(tái)真空腔模塊、工件臺(tái)真空框架500和主基板510下表面形成了工件臺(tái)真空腔(封閉空間)400。
[0047]利用真空泵310對(duì)主真空腔300和工件臺(tái)真空腔400進(jìn)行抽氣，使封閉的空間形成真空環(huán)境，真空度控制在10Pa以下，以此方式將光刻機(jī)真空腔內(nèi)的聲噪控制在50dB以下。考慮整機(jī)架構(gòu)中內(nèi)外世界的隔離和主動(dòng)減振器的運(yùn)動(dòng)自由度的范圍，主真空腔和工件臺(tái)真空腔之間沒有設(shè)置密封，存在的間隙(如果主真空腔和工件臺(tái)真空腔之間設(shè)有密封，則主基板會(huì)和框架直接接觸，影響主動(dòng)減振器的作用)，利用密封圈S1、S2、S3 (金屬密封圈、低釋氣性橡膠密封圈)進(jìn)行對(duì)真空腔結(jié)構(gòu)進(jìn)行密封。兩個(gè)真空模塊定位和連接方式分別為直徑為的銷釘和若干螺栓固定。通過定位裝置將主真空模塊和工件臺(tái)真空模塊進(jìn)行定位(保證裝配的重復(fù)性精度)，然后用螺栓鎖緊。
[0048]如圖4、圖8和圖9所示，真空框架系統(tǒng)的整體外套真空腔，由4部分組成，由底向上包括:工件臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)601、工件臺(tái)真空腔體500、主真空腔體501和掩模臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)602。工件臺(tái)真空腔體500置于支撐立柱504和支撐前板505之上。工件臺(tái)真空腔500由整體母材鍛造后機(jī)床統(tǒng)削成形，支撐立柱504和支撐前板505為焊接成形結(jié)構(gòu)。主真空腔體置501于工件臺(tái)真空腔體500之上，掩模臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)602置于主真空腔體501之上，以上四個(gè)模塊相互之間采用真空密封。在工件臺(tái)真空腔500內(nèi)部布置有主動(dòng)減振器520(VM三組)，主基板510置于主動(dòng)減振器520之上。同時(shí)主基板510起到了兩個(gè)真空腔隔離密封的作用，如視圖1所示。在510主基板之上設(shè)置有被動(dòng)隔振裝置5，物鏡6置于被動(dòng)隔振裝置5之上。
[0049]在物鏡頂部和底部設(shè)有兩處聲噪測(cè)量裝置，用于實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)光刻機(jī)內(nèi)部時(shí)間聲噪情況。在控制點(diǎn)前一定距離用傳感器(傳聲器，加速度計(jì)等)拾取噪聲數(shù)值，經(jīng)過控制器(一般常用數(shù)字式濾波器)將其調(diào)制到預(yù)計(jì)當(dāng)噪聲傳播到控制點(diǎn)一段距離后應(yīng)具有的特性。
[0050]照明系統(tǒng)置于主真空框架501內(nèi)。工件臺(tái)真空腔500 (主基板以下)部分和工件臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)601組成了工件臺(tái)真空腔空間區(qū)域。工件臺(tái)真空腔500 (主基板以上)部分、主真空腔體501、和掩模臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)組成了主真空腔空間區(qū)域。在工件臺(tái)真空腔體500和主真空腔體501上布置有若干真空泵310，對(duì)內(nèi)部真空空間區(qū)域進(jìn)行抽排，保持環(huán)境處于真空狀態(tài)100 Pa以下。此外真空泵也可布置在工件臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)601和掩模臺(tái)真空框架結(jié)構(gòu)602的合適空間區(qū)域，圖紙未不出。娃片/基板傳輸系統(tǒng)701和掩模傳輸系統(tǒng)702通過真空閥703和Load_Lock系統(tǒng)傳輸物料
如圖5所示，為主真空腔模塊501，其中其上表面511，包含有至少一道密封圈槽(圖示為兩道)。上表面511是主真空腔和掩模臺(tái)模塊之間的真空密封面。上表面511密封槽內(nèi)裝有O型截面、C型截面、或9型截面的金屬密封圈522。金屬密封圈522的材料采用一種低釋氣性的形狀記憶合金材料作為真空腔之間的密封圈?？刹捎肨1-Ni合金和銅基記憶合金(如Cu-Zn-Al，Cu-Al-Ni)形狀記憶合金材料。其中，Ti鈦和Ni鎳都是真空釋氣性較低的材料，Ti鈦合金在高真空條件下可以使用。形狀記憶合金密封圈的使用方法為:在初次使用后，在真空腔體打開取出密封圈，將其加入到相應(yīng)溫度(100-1000攝氏度范圍)，利用溫度使得形狀記憶合金恢復(fù)其合金初始形狀。再在常溫條件下，將其作為密封圈，再次裝入到真空腔體之間的密封槽中使用。
[0051]如圖5所示，此外主真空腔模塊501整體呈四邊形圍欄結(jié)構(gòu)，在四周包含多處加強(qiáng)筋板541。還包含真空泵安裝接口 531和相應(yīng)位置，和照明模塊吊裝接口的凸臺(tái)562。其下表面521是主真空腔模塊500和工件臺(tái)真空腔密封的界面。
[0052]如圖6所示，為工件臺(tái)真空腔500，其中上表面511包含有至少一道密封圈槽(圖示為兩道)。上表面541是主真空腔和掩模臺(tái)模塊之間的真空密封面。上表面511密封槽內(nèi)裝有(圖8所示)O型截面、C型截面、或9型截面的金屬密封圈522。金屬密封圈522的材料采用一種低釋氣性的形狀記憶合金材料作為真空腔之間的密封圈?？刹捎肨1-Ni合金和銅基記憶合金(如Cu-Zn-Al，Cu-Al-Ni)形狀記憶合金材料。其中，Ti鈦和Ni鎳都是真空釋氣性較低的材料，Ti鈦合金在高真空條件下可以使用。
[0053]如圖6所示，工件臺(tái)真空腔500模塊整體呈四邊形圍欄結(jié)構(gòu)，在四周包含多處541加強(qiáng)筋板和立柱，還包含真空泵531安裝接口和相應(yīng)位置，和主動(dòng)減振模塊532安裝接口的凸臺(tái)。以及至少一處的銷定位接口 570，用于提高重復(fù)安裝精度。工件臺(tái)真空腔500模塊內(nèi)壁還包含隔離密封臺(tái)階面580的特征。工件臺(tái)真空腔模塊其下表面(圖中未示出)是工件臺(tái)真空腔和工件臺(tái)模塊的密封界面。
[0054]如圖9所示，主基板510將真空腔室分成了兩大部分:主真空腔和工件臺(tái)真空腔。主基板510上表面以上為主真空腔，主基板510下表面以下為工件臺(tái)真空腔，如圖9所示。因?yàn)橹髡婵涨缓凸ぜ_(tái)真空腔對(duì)真空度的要求不同，所以必須對(duì)兩個(gè)真空腔室進(jìn)行隔離，但不能進(jìn)行完全密封。如果要實(shí)現(xiàn)兩個(gè)真空腔之間的完全密封，則主基板會(huì)和基礎(chǔ)框架直接接觸，會(huì)影響主動(dòng)減振器的作用。所謂主真空腔和工件臺(tái)真空腔的隔離指的是主基板和工件臺(tái)真空腔(垂向空間)之間留有5mm-10mm的間隙,并非完全密封。5mm-10mm間隙比真空隔離評(píng)估所要求尺寸小，同時(shí)又比主動(dòng)減振器520的垂向運(yùn)動(dòng)范圍大，是一個(gè)合理可行的間隙尺寸。此外在水平向空間預(yù)留了 10mm-20mm的間隙(上表面最小間隙20mm，下表面局部10mm)，以保證主基板在裝配進(jìn)入工件臺(tái)真空腔體內(nèi)的最小自由間隙。
[0055]如圖10所示，圖10為本專利技術(shù)方案一種光刻機(jī)設(shè)備架構(gòu)(方案二)，實(shí)現(xiàn)一種中低真空環(huán)境的方法和裝置:形成封閉的空間。此外，其內(nèi)部框架同外部框架(外部真空腔體)之間留有一定的間隙在1mm以上，平均間隔距離在10mm左右。真空框架之間采用密封，采用一級(jí)真空泵抽氣，真空泵為干式真空泵(羅茨式真空泵)。同時(shí)采用真空規(guī)和檢漏儀對(duì)環(huán)境真空度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控。將光刻機(jī)內(nèi)部物鏡周邊真空度控制再(10Pa以下)。
如圖10本專利技術(shù)方案一種光刻機(jī)設(shè)備架構(gòu)(方案二)所示，也可采用多個(gè)真空泵串聯(lián)、并聯(lián)或混合聯(lián)(圖中未示出)，對(duì)真空腔進(jìn)行抽吸，以縮短達(dá)到指定真空度的實(shí)現(xiàn)時(shí)間。
[0056]本說明書中所述的只是本發(fā)明的較佳具體實(shí)施例，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對(duì)本發(fā)明的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思通過邏輯分析、推理或者有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于光刻設(shè)備的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，包括: 一真空腔體，所述真空腔體內(nèi)至少包括所述光刻設(shè)備的掩模、投影物鏡及工件； 一真空?qǐng)?zhí)行裝置，用于對(duì)所述真空腔體進(jìn)行抽氣； 一真空檢測(cè)裝置，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控所述真空腔的真空度； 一形狀記憶合金金屬密封圈，用于密封所述真空腔體。
2.如權(quán)利要求1所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述真空腔體被所述光刻設(shè)備的主基板分為主真空腔和工件臺(tái)真空腔。
3.如權(quán)利要求1所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述真空?qǐng)?zhí)行裝置包括第一級(jí)抽真空裝置，所述第一級(jí)抽真空裝置為干泵。
4.如權(quán)利要求3所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述真空?qǐng)?zhí)行裝置還包括第二級(jí)抽真空裝置，所述第二級(jí)抽真空裝置為渦輪分子泵或冷凝泵。
5.如權(quán)利要求1所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述真空檢測(cè)裝置包括真空規(guī)和檢漏儀。
6.如權(quán)利要求1所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述形狀記憶合金金屬密封圈為鈦-鎳合金或銅基合金。
7.如權(quán)利要求7所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述銅基合金由銅-鋅-鋁合金組成或由銅-招-鎳合金組成。
8.如權(quán)利要求1所述的真空聲噪隔離系統(tǒng)，其特征在于，所述形狀記憶合金金屬密封圈的橫截面為一 “O”字型、“C”字型或“9”字型。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104345575SQ201310334088
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月2日
【發(fā)明者】吳飛, 鐘亮, 彭巍, 王茜, 俞蕓, 王璟 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司