掩膜版及濾光板的制造方法
【專利摘要】一種掩膜版及濾光板的制造方法，該掩膜版用于形成濾光板上的遮光圖案層或濾光層，遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口，濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層，該掩膜版包括基板和位于基板上的遮光層，遮光層具有透光區(qū)域及遮光區(qū)域，所述透光區(qū)域與遮光圖案或子畫素濾光層的位置對應(yīng)，所述遮光區(qū)域與遮光圖案層中的第一開口或濾光層中子畫素濾光層之間的間隙的位置對應(yīng)，所述透光區(qū)域包括圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域具有設(shè)有多個第二開口的遮光部，所述圖案區(qū)域與濾光板上副間隔柱的位置對應(yīng)。利用本發(fā)明的掩膜版解決了在形成濾光板的具有段差的主間隔柱和副間隔柱時，容易出現(xiàn)副間隔柱剝離的問題。
【專利說明】掩膜版及濾光板的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜版及一種濾光板的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]圖1是現(xiàn)有一種液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，液晶顯示裝置包括陣列基板1、濾光板2、位于陣列基板1和濾光板2之間的液晶層(未標(biāo)識其中，濾光板2上形成有遮光圖案層21和濾光層22。為了使液晶層中的液晶可以很好的固定在一定的空間內(nèi)，避免液晶的流動造成顯示不均勻的問題，在陣列基板1和濾光板2之間形成多個間隔柱(此。^)如狀61'，簡稱？3) 3，通過間隔柱3限定液晶注入的空間，保持電場均勻，避免影響液晶的灰階顯示。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中采用光阻制作間隔柱3，液晶顯示裝置發(fā)展初期，各個間隔柱3的高度相同，但是會出現(xiàn)以下問題:光阻材料的彈性較小，因此間隔柱3的彈性也相應(yīng)較小。然而，實際工作中，液晶顯示裝置的溫度不恒定，會發(fā)生變化。在液晶顯示裝置溫度較高的情況下，間隔柱3發(fā)生延伸變形，但是該延伸變形很難恢復(fù)，由于各個間隔柱3變形的不均勻，會造成液晶盒厚不均勻，從而造成液晶顯示裝置色彩不均勻，影響顯示效果。
[0004]為了解決以上問題，現(xiàn)有技術(shù)中采用在濾光板上制作具有段差的主間隔柱和副間隔柱。所謂主間隔柱與副間隔柱之間具有段差是指:副間隔柱的上表面低于主間隔柱的上表面。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)中制作具有段差的主間隔柱和副間隔柱的方法主要包括兩種，分別為半色調(diào)掩膜法(他“-如加此吐，簡稱！1110和灰階掩膜法此吐，簡稱仍10。然而，利用半色調(diào)掩膜法或灰階掩膜法形成主間隔柱和副間隔柱時，由于光阻層上用于形成副間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量，遠小于光阻層上用于形成主間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量，造成在后續(xù)顯影工序中經(jīng)常出現(xiàn)副間隔柱剝離的現(xiàn)象。特別是隨著液晶顯示裝置分辨率的提高，間隔柱小型化成為技術(shù)趨勢，此種剝離現(xiàn)象愈發(fā)明顯，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的問題是:在形成濾光板的具有段差的主間隔柱和副間隔柱時，容易出現(xiàn)副間隔柱剝離。
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種掩膜版，用于形成濾光板上的遮光圖案層或濾光層，所述遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口，所述濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層；
[0008]所述掩膜版包括基板和位于所述基板上的遮光層，所述遮光層具有透光區(qū)域和遮光區(qū)域；
[0009]所述透光區(qū)域與遮光圖案或子畫素濾光層的位置對應(yīng)，所述遮光區(qū)域與遮光圖案層中的第一開口或濾光層中子畫素濾光層之間的間隙的位置對應(yīng)，所述透光區(qū)域包括圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域具有設(shè)有多個第二開口的遮光部，所述圖案區(qū)域與濾光板上副間隔柱的位置對應(yīng)。
[0010]可選的，所述第二開口為多邊形或多邊形環(huán)。
[0011]可選的，所述第二開口的最小線幅為仏!!!?3^ %所述第二開口與遮光部邊界之間的最小距離為1 ^ 0?5 ^ %相鄰兩個所述第二開口之間的距離為1 ^ 0?5 9 I
[0012]可選的，所述遮光部為多邊形、且邊長為16 ^?50 4 111。
[0013]可選的，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口排列成陣列。
[0014]可選的，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口均為矩形、且排列成矩形陣列。
[0015]可選的，所述圖案區(qū)域中至少有一個所述第二開口為多邊形環(huán)，所述多邊形環(huán)將所述圖案區(qū)域中的其他第二開口包圍。
[0016]可選的，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口均為多邊形環(huán)，且相鄰兩個多邊形環(huán)中，一個多邊形環(huán)將另一個多邊形環(huán)包圍。
[0017]可選的，所述多邊形環(huán)為矩形環(huán)，所述其他第二開口中至少有一個第二開口為矩形，且所述矩形的各邊與矩形環(huán)的內(nèi)圈的各邊平行。
[0018]在本發(fā)明所提供掩膜版的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供了一種濾光板的制造方法，包括:
[0019]提供基底；
[0020]在所述基底上形成負(fù)性光阻層；
[0021]利用上述任一所述的掩膜版對所述光阻層進行圖案化，形成遮光圖案層或濾光層，所述遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口，所述濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層，且所述遮光圖案或子畫素濾光層上對應(yīng)所述圖案區(qū)域的位置形成有凹坑；
[0022]形成高度相等的主間隔柱和副間隔柱，且所述副間隔柱位于所述凹坑上方。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0024]通過在掩膜版的透光區(qū)域增加圖案區(qū)域，在利用掩膜版形成濾光板上的遮光圖案層或濾光層時，可以在遮光圖案層或濾光層上對應(yīng)圖案區(qū)域的位置形成凹坑，在遮光圖案層或濾光層上形成高度相等的主間隔柱和副間隔柱，且使副間隔柱位于凹坑上方之后，可以使得主間隔柱與副間隔柱之間存在段差。由于主間隔柱的高度與副間隔柱的高度相等，因此利用光阻制作主間隔柱和副間隔柱時，光阻層上用于形成副間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量，與光阻層上用于形成主間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量幾乎相同，因而在曝光之后的顯影工序中不會出現(xiàn)副間隔柱剝離的現(xiàn)象。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是現(xiàn)有一種液晶顯示裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2是本發(fā)明的第一實施例中掩膜版的俯視圖；
[0027]圖3是沿圖2中—方向的剖面圖；
[0028]圖4是圖2所示掩膜版中圖案區(qū)域的放大圖；
[0029]圖5是本發(fā)明的第二實施例中掩膜版上圖案區(qū)域的示意圖；
[0030]圖6是本發(fā)明的第三實施例中掩膜版上圖案區(qū)域的示意圖；
[0031]圖7是本發(fā)明的第一實施例中濾光板的俯視圖；
[0032]圖8是本發(fā)明的第一實施例中濾光板的制作流程示意圖，且圖8 (0)是沿圖7中88方向的剖面圖；
[0033]圖9是本發(fā)明的第四實施例中掩膜版的俯視圖；
[0034]圖10是沿圖9中X方向的剖面圖；
[0035]圖11是本發(fā)明的第二實施例中濾光板的俯視圖；
[0036]圖12是本發(fā)明的第二實施例中濾光板的制作流程示意圖，且圖12 ((1)是沿圖11中00方向的剖面圖。

【具體實施方式】
[0037]為了解決在形成濾光板的具有段差的主間隔柱和副間隔柱時，容易出現(xiàn)副間隔柱剝離的問題，本發(fā)明提供了一種用于形成遮光圖案層或濾光層的掩膜版，該掩膜版與現(xiàn)有用于形成遮光圖案層或濾光層的掩膜版的區(qū)別在于:前者在掩膜版的透光區(qū)域增加了圖案區(qū)域，這樣可以在遮光圖案層或濾光層上對應(yīng)圖案區(qū)域的位置形成凹坑，在遮光圖案層或濾光層上形成高度相等的主間隔柱和副間隔柱，且使副間隔柱位于凹坑上方之后，可以使得主間隔柱與副間隔柱之間存在段差。由于主間隔柱的高度與副間隔柱的高度相等，因此光阻層上用于形成副間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量，與光阻層上用于形成主間隔柱的區(qū)域所收到的曝光量幾乎相同，因而在曝光之后的顯影工序中不會出現(xiàn)副間隔柱剝離的現(xiàn)象。
[0038]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。
[0039]技術(shù)術(shù)語解釋:
[0040]線幅:第二開口為多邊形時，線幅是指多邊形的頂點到該頂點的對邊的垂直距離；第二開口為多邊形環(huán)(是指該環(huán)的內(nèi)圈和外圈均為多邊形)時，外圈多邊形的頂點到內(nèi)圈多邊形中與該頂點相對的邊的垂直距離。
[0041]舉例來講，所述多邊形為矩形時，線幅是指矩形的邊長；所述多邊形為相鄰邊不垂直的平行四邊形時，線幅是指兩個平行邊之間的距離；所述多邊形為正八邊形時，線幅是指正八邊形的內(nèi)切圓的直徑；所述多邊形為三角形時，線幅是指三角形的高；所述多邊形環(huán)為矩形環(huán)(是指該環(huán)的內(nèi)圈和外圈均為矩形),且內(nèi)圈矩形的各邊與外圈矩形的各邊平行時，線幅是指內(nèi)圈矩形和外圈矩形之間的距離；所述多邊形環(huán)為正八邊形環(huán)(是指該環(huán)的內(nèi)圈和外圈均為正八邊形),且內(nèi)圈正八邊形的各邊與外圈正八邊形的各邊平行時，線幅是指內(nèi)圈正八邊形和外圈正八邊形之間的距離。
[0042]第一實施例
[0043]本實施例的掩膜版用于形成濾光板上的遮光圖案層，所述遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口。
[0044]如圖3所示，掩膜版1包括基板10和位于基板10上的遮光層20，結(jié)合圖2所示，遮光層20具有透光區(qū)域210及遮光區(qū)域220，其中，透光區(qū)域210與所述遮光圖案的位置對應(yīng)，遮光區(qū)域220與所述第一開口的位置對應(yīng)。透光區(qū)域210包括圖案區(qū)域2103，結(jié)合圖4所示，圖案區(qū)域2103具有設(shè)有多個第二開口 212的遮光部211。在本實施例中，圖案區(qū)域2103中所有第二開口 212均為長寬不等的矩形，第二開口 212的數(shù)量為16個，且圖案區(qū)域2108中的所有第二開口 212排列成長寬不等的矩形陣列。
[0045]在利用掩膜版1對負(fù)性光阻層進行曝光時，通過圖案區(qū)域2103照射到負(fù)性光阻層上的曝光量，小于通過透光區(qū)域210中圖案區(qū)域2103以外區(qū)域照射到負(fù)性光阻層上的曝光量，使得負(fù)性光阻層上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置的上表面，低于負(fù)性光阻層上對應(yīng)圖案區(qū)域2103以外區(qū)域的位置的上表面，即在負(fù)性光阻層上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置形成凹坑。且該凹坑的深度等于濾光板上的主間隔柱和副間隔柱之間的段差。
[0046]繼續(xù)參照圖4所示，在本實施例中，第二開口 212的最小線幅(11(即為最小邊長)為 III?39 111 (包括端點),第二開口 212與遮光部邊界21之間的最小距離(12為1 9 111?
5 4！11 (包括端點)，即矩形陣列最外圍的第二開口 212與遮光部邊界21匕之間的距離(12為1 III ~ 5 III，相鄰兩個第二開口 212之間的距離(13也為1 9 III?5 9 III (包括端點
[0047]另外，在本實施例中，遮光部211為長寬不等的矩形，且遮光部211的邊長(14為16 4 ?。?！?50^ ?。。?包括端點使得后續(xù)在負(fù)性光阻層上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置上，即在負(fù)性光阻層的凹坑上形成副間隔柱時，在副間隔柱底部尺寸與現(xiàn)有技術(shù)相同的前提下，副間隔柱的底部不會占滿整個凹坑，這樣在利用掩膜版曝光形成副間隔柱時更便于掩膜版的對準(zhǔn)。
[0048]在本實施例中，基板10的材料為石英，遮光層20的材料為鉻。
[0049]第二實施例
[0050]本實施例與第一實施例之間的區(qū)別在于:如圖5所示，圖案區(qū)域2103中的所有第二開口 212為正方形，第二開口 212的數(shù)量為16個，且圖案區(qū)域2103中的所有第二開口212排列成正方形陣列；遮光部211為正方形。
[0051]在本實施例中，第二開口 212的最小線幅(11 (即為邊長)為1 9 111?3 9 111 (包括端點),第二開口 212與遮光部邊界2113之間的最小距離(12為仏!!!?5 9！11 (包括端點)，即正方形陣列最外圍的第二開口 212與遮光部邊界21匕之間的距離(12為1 ^ ?5 ^ %相鄰兩個第二開口 212之間的距離(13也為仏！:！?仏(包括端點兄另外，遮光部211的邊長(14為16 9 III?50 9 III (包括端點
[0052]第三實施例
[0053]本實施例與第一實施例之間的區(qū)別在于:如圖6所示，圖案區(qū)域2103中具有三個第二開口，分別為第二開口 2123、第二開口 2126和第二開口 212(3，第二開口 2123和第二開口 2126均為矩形環(huán)，第二開口 212(3為矩形，第二開口 2123將第二開口 2126包圍，且兩個矩形環(huán)等間距設(shè)置，即，兩個矩形環(huán)呈“回”字形設(shè)置；第二開口 212。又被第二開口 2126包圍，且第二開口 212。的各邊與第二開口 2126的內(nèi)圈的各邊平行，即，矩形與矩形環(huán)呈“回”字形設(shè)置；遮光部211為矩形。
[0054]在本實施例中，第二開口 2123和第二開口 2126的最小線幅(11(即為內(nèi)圈矩形和外圈矩形之間的距離)為仏III?39 ?。?！(包括端點),第二開口 212(3的最小線幅(11 (即為最短邊長)也為III?39 111 (包括端點),第二開口 2123與遮光部邊界2113之間的距離(12為1 0 III?5 9 III (包括端點)，第二開口 212&和第二開口 212)3之間的距離(13為19111?59111(包括端點),第二開口 2126和第二開口 212(3之間的距離(13也為仏III?59 111(包括端點兄另外，在本實施例中，遮光部211為長寬不等的矩形，且遮光部211的邊長(14為16 ^ 0?50卩III (包括端點
[0055]需說明的是，本發(fā)明用于形成遮光圖案層的掩膜版中，圖案區(qū)域的第二開口的數(shù)量、形狀及排列方式并不能僅僅局限于上述實施例。在一個實施例中，圖案區(qū)域中至少有一個第二開口為多邊形環(huán)，該多邊形環(huán)將圖案區(qū)域中的其他第二開口包圍。例如，圖案區(qū)域中的所有第二開口均為多邊形環(huán)，且相鄰兩個多邊形環(huán)中，一個多邊形環(huán)將另一個多邊形環(huán)包圍，換言之，所有多邊形環(huán)排列成多環(huán)陣列。在其他實施例中，圖案區(qū)域中的所有第二開口還可以排列成矩形陣列、多環(huán)陣列以外的陣列形式。
[0056]另外，圖案區(qū)域中第二開口的最小線幅，第二開口與遮光部邊界之間的最小距離，相鄰兩個第二開口之間的距離也不應(yīng)僅僅局限于上述實施例，只要使得在利用掩膜版對負(fù)性光阻層進行曝光時，能夠在負(fù)性光阻層上對應(yīng)圖案區(qū)域的位置形成凹坑即可。根據(jù)濾光板上主間隔柱和副間隔柱之間的段差大小，可以相應(yīng)調(diào)整圖案區(qū)域中第二開口的最小線幅，第二開口與遮光部邊界之間的最小距離，以及相鄰兩個第二開口之間的距離。
[0057]另外，圖案區(qū)域中遮光部的邊長也不應(yīng)僅僅局限于上述實施例。可以根據(jù)副間隔柱的預(yù)計底部尺寸來對遮光部的邊長作出相應(yīng)調(diào)整。
[0058]在本發(fā)明所提供用于形成濾光板上的遮光圖案層的掩膜版的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供了一種濾光板的制造方法。在本發(fā)明的第一實施例中，該方法包括:
[0059]如圖8
[0060]利用上述任一實施例的掩膜版1對光阻層403進行圖案化，如圖8 (^)并結(jié)合圖7所示，形成遮光圖案層40，遮光圖案層40具有遮光圖案41和位于遮光圖案41之間的第一開口 42，在光阻層403上對應(yīng)透光區(qū)域210的位置形成遮光圖案41，且遮光圖案41上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置形成有凹坑410，在光阻層403上對應(yīng)遮光區(qū)域220的位置形成第一開口 42 ；
[0061]如圖8 (0)并結(jié)合圖7所不，在基底30及遮光圖案層40上形成濾光層，濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層50，子畫素濾光層50為島狀，子畫素濾光層50填充在第一開口 42內(nèi)，且與遮光圖案41具有一定的交疊區(qū)域；
[0062]在遮光圖案41上形成高度相等的主間隔柱61和副間隔柱62，且副間隔柱62位于凹坑410內(nèi)。
[0063]繼續(xù)參照圖8匕)和6)所示，在利用掩膜版1對光阻層403進行圖案化時，通過圖案區(qū)域2103照射到光阻層403上的曝光量，小于通過透光區(qū)域210中圖案區(qū)域2103以外區(qū)域照射到光阻層403上的曝光量，使得光阻層403上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置的上表面32，低于光阻層403上對應(yīng)圖案區(qū)域2103以外區(qū)域的位置的上表面51，即在光阻層403上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置形成凹坑410，且凹坑410的深度為厶1在具體實施例中，厶(1為 0.2 卩 III ?0.6 卩 III。
[0064]由于主間隔柱61和副間隔柱62高度相等，且主間隔柱61和副間隔柱62均位于遮光圖案41上方，而副間隔柱62位于遮光圖案41表面的凹坑410內(nèi)，使得主間隔柱61的上表面也高于副間隔柱62的上表面，且主間隔柱61的上表面與副間隔柱62的上表面之間的段差也為八己。
[0065]主間隔柱61和副間隔柱62均是利用光阻制成，而主間隔柱61和副間隔柱62的高度，與對光阻層進行圖案化時光阻層所接受的曝光量有關(guān)，由于主間隔柱61的高度與副間隔柱62的高度相等，因此光阻層上用于形成副間隔柱62的區(qū)域所收到的曝光量，與光阻層上用于形成主間隔柱61的區(qū)域所收到的曝光量幾乎相同，因而在后續(xù)顯影工序中不會出現(xiàn)副間隔柱62剝離的現(xiàn)象。
[0066]在本實施例中，濾光層為如8濾光層，濾光層的形成方法可以參考現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0067]在本實施例中，用來形成主間隔柱和副間隔柱的掩膜版可以為現(xiàn)有技術(shù)中用來形成多個高度相同的間隔柱的掩膜版。
[0068]在本實施例中，參照圖7和圖8 (0)所示，在遮光圖案41的凹坑410上形成副間隔柱62時，在副間隔柱62的底部尺寸與現(xiàn)有技術(shù)相同的前提下，副間隔柱62的底部未占滿整個凹坑410，這樣在利用掩膜版對光阻層進行曝光以形成副間隔柱62時更便于掩膜版的對準(zhǔn)。
[0069]在其他實施例中，也可以是先在基底上形成濾光層，且濾光層的各個子畫素濾光層為島狀，再利用本發(fā)明的掩膜版形成遮光圖案層，遮光圖案層的第一開口暴露出子畫素濾光層，主間隔柱和副間隔柱形成在遮光圖案與子畫素濾光層未交疊區(qū)域的上方，且副間隔柱位于遮光圖案的凹坑內(nèi)。
[0070]在其他實施例中，也可以是先在基底上形成濾光層，且濾光層的各個子畫素濾光層為條狀，再利用本發(fā)明的掩膜版形成遮光圖案層，遮光圖案層的第一開口暴露出子畫素濾光層，主間隔柱和副間隔柱形成在遮光圖案與子畫素濾光層交疊區(qū)域的上方，且副間隔柱位于遮光圖案的凹坑內(nèi)。
[0071]第四實施例
[0072]上述實施例中的掩膜版是用于形成濾光板上的遮光圖案層，而本實施例中的掩膜版是用于形成濾光板上的濾光層，所述濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層。
[0073]本實施例與上述實施例之間的區(qū)別在于:結(jié)合圖9和圖10所示，遮光層20具有透光區(qū)域210及遮光區(qū)域220，其中，透光區(qū)域210與子畫素濾光層的位置對應(yīng)，遮光區(qū)域220與濾光層中子畫素濾光層之間的間隙位置對應(yīng)，透光區(qū)域210包括圖案區(qū)域210^圖案區(qū)域2103具有設(shè)有多個第二開口 212的遮光部211。
[0074]在本實施例中，透光區(qū)域210為長寬不等的矩形，且該矩形的短邊為28 ^ 0?90卩III (包括端點
[0075]在本發(fā)明所提供用于形成濾光板上的濾光層的掩膜版的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還提供了一種濾光板的制造方法。在本發(fā)明的第二實施例中，該方法包括:
[0076]如圖12 (￡1)所示，提供基底30 ；在基底30上形成遮光圖案層40，遮光圖案層40具有遮光圖案41和位于遮光圖案41之間的第一開口 42 ；
[0077]如圖12 (^)所示，在基底30及遮光圖案層40上形成負(fù)性光阻層503 ；利用本實施例的掩膜版1對光阻層503進行圖案化，如圖12 (0并結(jié)合圖11所示，形成濾光層，濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層50，子畫素濾光層50為條狀，在光阻層503上對應(yīng)透光區(qū)域210的位置形成子畫素濾光層50，且子畫素濾光層50上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置形成有凹坑51，在光阻層503上對應(yīng)遮光區(qū)域220的位置形成子畫素濾光層50之間的間隙；
[0078]如圖12 ((1)并結(jié)合圖11所示，在子畫素濾光層50與遮光圖案41交疊區(qū)域的上方形成高度相等的主間隔柱61和副間隔柱62，且副間隔柱62位于凹坑51內(nèi)。
[0079]繼續(xù)參照圖12 (10和(0)所示，在利用掩膜版1對光阻層503進行圖案化時，通過圖案區(qū)域2103照射到光阻層503上的曝光量，小于通過透光區(qū)域210中圖案區(qū)域2103以外區(qū)域照射到光阻層503上的曝光量，使得光阻層503上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置的上表面32，低于光阻層503上對應(yīng)圖案區(qū)域2103以外區(qū)域的位置的上表面51，即在光阻層503上對應(yīng)圖案區(qū)域2103的位置形成凹坑51，且凹坑51的深度為厶1由于主間隔柱61和副間隔柱62高度相等，故主間隔柱61的上表面與副間隔柱62的上表面之間的段差也為八己。
[0080]在本實施例中，濾光層為如8濾光層，在形成主間隔柱和副間隔柱之前，可以先利用本發(fā)明的掩膜版形成I？顏色的子畫素濾光層，再利用本發(fā)明的掩膜版先后形成6顏色的子畫素濾光層、8顏色的子畫素濾光層。
[0081]在其他實施例中，也可以是先利用本發(fā)明的掩膜版在基底上形成濾光層，且濾光層的各個子畫素濾光層為條狀，再形成遮光圖案層，遮光圖案層的第一開口暴露出子畫素濾光層，主間隔柱和副間隔柱形成在遮光圖案與子畫素濾光層交疊區(qū)域的上方，且副間隔柱與子畫素濾光層上凹坑的位置對應(yīng)。
[0082]在本發(fā)明中，各實施例采用遞進式寫法，重點描述與前述實施例的不同之處，各實施例中的相同結(jié)構(gòu)及制作方法參照前述實施例的相同部分，在此不再贅述。
[0083]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種掩膜版，用于形成濾光板上的遮光圖案層或濾光層，所述遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口，所述濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層，其特征在于: 所述掩膜版包括基板和位于所述基板上的遮光層，所述遮光層具有透光區(qū)域和遮光區(qū)域； 所述透光區(qū)域與遮光圖案或子畫素濾光層的位置對應(yīng)，所述遮光區(qū)域與遮光圖案層中的第一開口或濾光層中子畫素濾光層之間的間隙的位置對應(yīng)，所述透光區(qū)域包括圖案區(qū)域，所述圖案區(qū)域具有設(shè)有多個第二開口的遮光部，所述圖案區(qū)域與濾光板上副間隔柱的位置對應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第二開口為多邊形或多邊形環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第二開口的最小線幅為1^0?34 %所述第二開口與遮光部邊界之間的最小距離為1 ^ 0?5 ^ %相鄰兩個所述第二開口之間的距離為1 9 III?5 9 III。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮光部為多邊形、且邊長為16 口 III ?50 口 III。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口排列成陣列。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口均為矩形、且排列成矩形陣列。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述圖案區(qū)域中至少有一個所述第二開口為多邊形環(huán)，所述多邊形環(huán)將所述圖案區(qū)域中的其他第二開口包圍。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述圖案區(qū)域中的所有第二開口均為多邊形環(huán)，且相鄰兩個多邊形環(huán)中，一個多邊形環(huán)將另一個多邊形環(huán)包圍。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版，其特征在于，所述多邊形環(huán)為矩形環(huán)，所述其他第二開口中至少有一個第二開口為矩形，且所述矩形的各邊與矩形環(huán)的內(nèi)圈的各邊平行。
10.一種濾光板的制造方法，其特征在于，包括: 提供基底； 在所述基底上形成負(fù)性光阻層； 利用權(quán)利要求1至9任一項所述的掩膜版對所述光阻層進行圖案化，形成遮光圖案層或濾光層，所述遮光圖案層具有遮光圖案和位于遮光圖案之間的第一開口，所述濾光層具有多個間隔排列的子畫素濾光層，且所述遮光圖案或子畫素濾光層上對應(yīng)所述圖案區(qū)域的位置形成有凹坑； 形成高度相等的主間隔柱和副間隔柱，且所述副間隔柱位于所述凹坑上方。
【文檔編號】G03F7/00GK104423084SQ201310407873
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月9日
【發(fā)明者】唐文靜, 陳穎明, 范剛洪 申請人:上海儀電顯示材料有限公司