一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，包括以下步驟：步驟202，設(shè)置第一標(biāo)記，第一標(biāo)記位于電路板內(nèi)層基板的上表面，第一標(biāo)記包括多個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格；步驟204，設(shè)置第二標(biāo)記，第二標(biāo)記位于電路板內(nèi)層基板的下表面，并與第一標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，第二標(biāo)記包括多個(gè)分別與第一方格相對(duì)應(yīng)的第二方格，且多個(gè)第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于第一方格；步驟206，對(duì)電路板內(nèi)層基板進(jìn)行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；步驟208，對(duì)比判斷，對(duì)比第一方格與第二方格的相對(duì)位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。通過(guò)本發(fā)明提供的技術(shù)方案，可使工作人員快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板曝光偏移方向及偏移尺寸，提高生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板內(nèi)層基板生產(chǎn)制造領(lǐng)域，更具體而言，涉及一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在PCB (印刷電路板)生產(chǎn)制程中，通常采用的曝光制程包括內(nèi)、外層線路制作以及阻焊漆制作三個(gè)部分。制程步驟都是先進(jìn)行感光膜壓制或涂裝感光乳劑，然后進(jìn)行曝光顯影等流程。在PCB圖形轉(zhuǎn)移曝光作業(yè)過(guò)程中，曝光對(duì)位精準(zhǔn)度是考究制程能力的關(guān)鍵因素。在生產(chǎn)過(guò)程中，由于使用的工具、板材尺寸差異、系統(tǒng)設(shè)計(jì)邏輯變化及曝光設(shè)備等因素，都會(huì)直接影響曝光對(duì)位精度，因此在量產(chǎn)前確認(rèn)曝光圖形對(duì)位是一道必要且十分重要的程序。
[0003]由于圖形轉(zhuǎn)移次外層、外層及阻焊層兩面曝光對(duì)位都是采用曝光機(jī)CCD (電荷耦合器件圖像傳感器)抓取PCB四角同一定位孔完成每一面曝光，通常檢查曝光圖形對(duì)準(zhǔn)的方法是在曝光完成后，以板內(nèi)通孔或盲孔或PAD (焊盤(pán))為基準(zhǔn)，確認(rèn)干膜上所曝光圖形是否在基準(zhǔn)中心范圍。但是PCB內(nèi)一層基板無(wú)對(duì)位孔或特征圖形，兩面曝光對(duì)位沒(méi)有一個(gè)共用的參照物。傳統(tǒng)曝光機(jī)在基板上下兩面同時(shí)架設(shè)底片進(jìn)行雙面同時(shí)曝光(LDI，即激光成像技術(shù):上下激光掃描做對(duì)位標(biāo)記先曝A面再翻轉(zhuǎn)曝B面)，由于板面上下底片架設(shè)位置及上下對(duì)位精度差異，導(dǎo)致兩面曝光圖形對(duì)準(zhǔn)度會(huì)有一定的偏移。目前使用的檢查兩面曝光對(duì)準(zhǔn)的方法是:如圖1所示，在電路板內(nèi)層基板Top層(頂層)與Bottom層(底層)的四角位置，各設(shè)置一個(gè)同心圓并且是一大一小套在里面，曝光蝕刻后確認(rèn)大圓與小圓之間的位置關(guān)系(通常檢測(cè)其是否相切)如圖2所示，以此來(lái)判定兩面曝光圖形對(duì)準(zhǔn)度是否在規(guī)定的范圍內(nèi)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)檢查電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)的方法，只能判斷兩面圖形對(duì)準(zhǔn)是否在規(guī)定的范圍內(nèi)，在對(duì)位偏移較大的情況下不利于工作人員及時(shí)查找PCB曝光偏移原因，從而影響生產(chǎn)效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。
[0006]為此，本發(fā)明的一個(gè)目的在于，提供一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，操作簡(jiǎn)單，可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供了一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，包括以下步驟:
[0008]步驟202，設(shè)置第一標(biāo)記，所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面，所述第一標(biāo)記包括多個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格；
[0009]步驟204，設(shè)置第二標(biāo)記，所述第二標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并與所述第一標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，所述第二標(biāo)記包括多個(gè)分別與所述第一方格相對(duì)應(yīng)的第二方格，且多個(gè)所述第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于所述第一方格；
[0010]步驟206，對(duì)所述電路板內(nèi)層基板進(jìn)行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；
[0011]步驟208，對(duì)比判斷，對(duì)比所述第一方格與所述第二方格的相對(duì)位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
[0012]本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，通過(guò)在電路板內(nèi)層基板的上表面和下表面分別設(shè)置相對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)記和第二標(biāo)記，在電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，檢查對(duì)比第二標(biāo)記與第一標(biāo)記的位置，即可看出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光后的偏移方向及偏移尺寸，具體來(lái)說(shuō)，首先，第一標(biāo)記和第二標(biāo)記均由方格構(gòu)成，每一構(gòu)成第一標(biāo)記的第一方格與一構(gòu)成第二標(biāo)記的第二方格相對(duì)應(yīng)，且構(gòu)成第二標(biāo)記的第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于第一方格，當(dāng)電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，第一方格和第二方格會(huì)分別留在電路板內(nèi)層基板的上表面和下表面，這樣，可以很容易觀察到第一方格與第二方格的相對(duì)位置，從而可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，另外，與現(xiàn)有技術(shù)使用的圓形特征圖形相比較，本發(fā)明采用方形特征圖形更容易檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，其次，因第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，可通過(guò)第二方格與第一方格構(gòu)成的不同的邊長(zhǎng)差，快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率，并可保證成品電路板的質(zhì)量。
[0013]綜上所述，本發(fā)明提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，操作簡(jiǎn)單，在對(duì)位偏移較大的情況下，仍可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0014]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，還具有如下附加技術(shù)特征:
[0015]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在步驟202中，所述第一標(biāo)記包括四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格；
[0016]在步驟204中，所述第二標(biāo)記包括四個(gè)分別與所述第一方格相對(duì)應(yīng)的第二方格。
[0017]在電路板內(nèi)層基板的上表面設(shè)置由四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格構(gòu)成的第一標(biāo)記、下表面設(shè)置由分別與第一方格對(duì)應(yīng)的四個(gè)第二方格構(gòu)成的第二標(biāo)記，且四個(gè)第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于第一方格，這樣設(shè)置，使得電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理后，通過(guò)對(duì)比第一方格與第二方格的相對(duì)位置即可判斷出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，因第二方格邊長(zhǎng)依次遞減，四個(gè)不等第二方格與四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格相比較即可形成四種邊長(zhǎng)差，可通過(guò)該邊長(zhǎng)差判斷兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，進(jìn)一步提聞生廣效率。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一標(biāo)記為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間設(shè)置有間隙。
[0019]第一標(biāo)記為方形圖形，使得四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格的布局簡(jiǎn)單，相鄰的兩第一方格之間設(shè)置有間隙，這樣，在對(duì)比第一方格與第二方格的相對(duì)位置，判斷電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時(shí)，使電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分。
[0020]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一標(biāo)記為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間等間隔設(shè)置。
[0021]第一標(biāo)記為方形圖形，使得四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格的布局簡(jiǎn)單，相鄰的兩第一方格之間等間隔設(shè)置，這樣，一方面，在對(duì)比第一方格與第二方格的相對(duì)位置，判斷電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時(shí)，使電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分，另一方面，相鄰第一方格之間等間隔設(shè)置，使得四個(gè)第一方格構(gòu)成的第一標(biāo)記更加美觀，更容易判斷偏移方向。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第二標(biāo)記為分別與四個(gè)所述第一方格中心相對(duì)應(yīng)的四個(gè)第二方格，四個(gè)所述第二方格的邊長(zhǎng)比各自對(duì)應(yīng)的所述第一方格的邊長(zhǎng)分別小lmil、2mil、3mil 和 4mil。
[0023]在電路板內(nèi)層基板兩面曝光后，通常情況下其偏移尺寸為Imil或2mil或3mil或4mil，因此，將四個(gè)第二方格的邊長(zhǎng)相對(duì)于與其對(duì)應(yīng)的第一方格的邊長(zhǎng)分別小lmil、2mil、3mil和4mil，可使工作人員在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，通過(guò)觀察邊長(zhǎng)差，直接得到偏移尺寸，從而可快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，進(jìn)而提高生產(chǎn)效率。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一標(biāo)記還包括設(shè)置在每一所述第一方格上的第一標(biāo)號(hào)；所述第二標(biāo)記還包括設(shè)置在每一所述第二方格上的第二標(biāo)號(hào)。
[0025]為了更快地使工作人員在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，快速判斷出電路板內(nèi)層基板曝光偏移尺寸，在等邊長(zhǎng)的第一方格和不同邊長(zhǎng)的第二方格上分別做標(biāo)號(hào)，使工作人員可直接通過(guò)標(biāo)號(hào)判斷偏移尺寸，進(jìn)一步加快了工作人員查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因。
[0026]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一標(biāo)號(hào)為依次設(shè)置在所述第一標(biāo)記中的每一所述第一方格上的I’、2’、3’和4’ ；
[0027]所述第二標(biāo)號(hào)為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為I’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格Imil的所述第二方格上的數(shù)字1、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為2’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格2mil的所述第二方格上的數(shù)字2、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為3’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格3mil的所述第二方格上的數(shù)字3、以及設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為4’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格4mil的所述第二方格上的數(shù)字4。
[0028]在四個(gè)第一方格上分別標(biāo)記I’、2’、3’和4’，在與第一方格中心對(duì)應(yīng)的第二方格上按各自與第一方格的邊長(zhǎng)差分別標(biāo)記1、2、3和4, 一方面,可判斷第一方格與第二方格是否對(duì)應(yīng)準(zhǔn)確，另一方面，可使工作人員無(wú)須測(cè)量即可判斷出電路板內(nèi)層基板的曝光偏移尺寸。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述電路板內(nèi)層基板呈矩形，所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板上表面的一角處。
[0030]將第一標(biāo)記設(shè)置在電路板內(nèi)層基板上表面的一角處，一方面，不會(huì)影響電路板內(nèi)層基板的正常使用，另一方面，可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高來(lái)看生產(chǎn)效率。
[0031]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在步驟202中，還設(shè)置有第三標(biāo)記，所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的兩個(gè)對(duì)角處，且所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同；
[0032]在步驟204中，還設(shè)置有第四標(biāo)記，所述第四標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面并與所述第三標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第四標(biāo)記與所述第二標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同。
[0033]在電路板內(nèi)層基板的上表面對(duì)角處設(shè)置第一標(biāo)記和第三標(biāo)記、下表面設(shè)置分別與第一標(biāo)記對(duì)應(yīng)的第二標(biāo)記和第四標(biāo)記，且第三標(biāo)記與第一標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同，第四標(biāo)記與所述第二標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同，這樣，一方面使得標(biāo)記的制作簡(jiǎn)單方便，另一方面，可更準(zhǔn)確的檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸，使得工作人員可更準(zhǔn)確地查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0034]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在步驟202中，還設(shè)置有第五標(biāo)記和第七標(biāo)記，所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的另外兩角處，所述第一標(biāo)記、所述第三標(biāo)記、所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同；
[0035]在步驟204中，還設(shè)置有第六標(biāo)記和第八標(biāo)記，所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并分別與所述第五標(biāo)記和第七標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第二標(biāo)記、所述第四標(biāo)記、所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同。
[0036]在電路板內(nèi)層基板的上表面的四個(gè)角處分別作標(biāo)記，并在電路板內(nèi)層基板的下表面的四個(gè)角處分別對(duì)應(yīng)上表面的標(biāo)記制作標(biāo)記，且位于電路板內(nèi)層基板的上表面的全部標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)相同，位于電路板內(nèi)層基板的下表面的全部標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)相同，這樣，可進(jìn)一步保證檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸的準(zhǔn)確性，進(jìn)而使得工作人員可快速地、準(zhǔn)確地查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0037]本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述部分中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038]本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0039]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電路板內(nèi)層基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖2是圖1中A部放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖3是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法的流程圖；
[0042]圖4是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的電路板內(nèi)層基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖5是圖4中B部放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖6是圖5中第一標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖7是圖5中第二標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例所述的電路板內(nèi)層基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0047]圖9是根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例所述的電路板內(nèi)層基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]其中，圖1和圖2中附圖標(biāo)記與部件名稱之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系為:
[0049]100’電路板內(nèi)層基板。
[0050]圖4至圖9中附圖標(biāo)記與部件名稱之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系為:
[0051]100電路板內(nèi)層基板，110第一標(biāo)記，120第二標(biāo)記，111第一方格，121第二方格?！揪唧w實(shí)施方式】
[0052]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0053]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的方式來(lái)實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0054]下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法。
[0055]如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例供的一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，用于檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，包括以下步驟:
[0056]步驟202，設(shè)置第一標(biāo)記110，所述第一標(biāo)記110位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面一角，所述第一標(biāo)記110包括多個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格111 ;
[0057]步驟204，設(shè)置第二標(biāo)記120，所述第二標(biāo)記120位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面，并與所述第一標(biāo)記110相對(duì)應(yīng)，所述第二標(biāo)記120包括多個(gè)分別與所述第一方格111相對(duì)應(yīng)的第二方格121，且多個(gè)所述第二方格121的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于所述第一方格111 ;
[0058]步驟206，對(duì)所述電路板內(nèi)層基板100進(jìn)行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理；
[0059]步驟208，對(duì)比判斷，對(duì)比所述第一方格111與所述第二方格121的相對(duì)位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
[0060]本發(fā)明一些實(shí)施例提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板100兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，通過(guò)在電路板內(nèi)層基板100的上表面和下表面分別設(shè)置相對(duì)應(yīng)的第一標(biāo)記110和第二標(biāo)記120,在電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，檢查對(duì)比第二標(biāo)記120與第一標(biāo)記110的位置，即可看出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光后的偏移方向及尺寸，具體來(lái)說(shuō)，首先，第一標(biāo)記I1和第二標(biāo)記120均由方格構(gòu)成,每一構(gòu)成第一標(biāo)記110的第一方格111與一構(gòu)成第二標(biāo)記120的第二方格121相對(duì)應(yīng)，且構(gòu)成第二標(biāo)記120的第二方格121的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于第一方格111，當(dāng)電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，第一方格111和第二方格121會(huì)分別留在電路板內(nèi)層基板100的上表面和下表面，這樣，可以很容易觀察到第一方格111與第二方格121的相對(duì)位置，從而可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向，另外，與現(xiàn)有技術(shù)使用的圓形特征圖形相比較，本發(fā)明采用方形特征圖形更容易檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向，其次，因第二方格121的邊長(zhǎng)依次遞減，這樣可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸，以便于工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率，并可保證成品電路板的質(zhì)量。
[0061]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第一標(biāo)記110為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格111構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格111之間設(shè)置有間隙。
[0062]具體地，如圖5所示，所述第一標(biāo)記110為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格111構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格111之間等間隔設(shè)置。
[0063]第一標(biāo)記110為方形圖形，使得四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格111的布局簡(jiǎn)單，相鄰的兩第一方格111之間設(shè)置有間隙，這樣，在對(duì)比第一方格111與第二方格121的相對(duì)位置，判斷電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時(shí),使電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分；相鄰第一方格111之間等間隔設(shè)置，使得四個(gè)第一方格111構(gòu)成的第一標(biāo)記110更加美觀，更容易判斷偏移方向。
[0064]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，所述第二標(biāo)記120為分別與四個(gè)所述第一方格111中心相對(duì)應(yīng)的四個(gè)第二方格121，四個(gè)所述第二方格121的邊長(zhǎng)比各自對(duì)應(yīng)的所述第一方格111 的邊長(zhǎng)分別小 lmil、2mil、3mil 和 4mil。
[0065]所述第一標(biāo)記110還包括設(shè)置在每一所述第一方格111上的第一標(biāo)號(hào)；
[0066]所述第二標(biāo)記120還包括設(shè)置在每一所述第二方格121上的第二標(biāo)號(hào)。
[0067]如圖6所示，所述第一標(biāo)號(hào)為依次設(shè)置在所述第一標(biāo)記110中的每一所述第一方格 111 上的 1’、2’、3’ 和 4’ ；
[0068]如圖7所示，所述第二標(biāo)號(hào)為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為I’的所述第一方格111且邊長(zhǎng)小于所述第一方格(111) Imil的所述第二方格121上的數(shù)字1、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為2’的所述第一方格111且邊長(zhǎng)小于所述第一方格(111) 2mil的所述第二方格121上的數(shù)字2、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為3’的所述第一方格111且邊長(zhǎng)小于所述第一方格(lll)3mil的所述第二方格121上的數(shù)字3、以及設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為4’的所述第一方格111且邊長(zhǎng)小于所述第一方格(lll)4mil的所述第二方格121上的數(shù)字4。
[0069]在電路板內(nèi)層基板100的上表面設(shè)置由四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格111構(gòu)成的第一標(biāo)記110、下表面設(shè)置由分別與第一方格111對(duì)應(yīng)的四個(gè)第二方格121構(gòu)成的第二標(biāo)記120,且四個(gè)第二方格121的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于第一方格111，這樣設(shè)置，使得電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理后，通過(guò)對(duì)比第一方格111與第二方格121的相對(duì)位置即可判斷出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向，因第二方格121邊長(zhǎng)依次遞減，四個(gè)不等邊長(zhǎng)的第二方格121與四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格111相比較即可形成四種邊長(zhǎng)差，可通過(guò)該邊長(zhǎng)差判斷兩面曝光偏移尺寸，且使用上述四種邊長(zhǎng)差即可判斷通常情況下內(nèi)層電路板兩面曝光的偏移尺寸，既節(jié)省了更多標(biāo)記的制作時(shí)間，提高了工作效率，又不會(huì)影響電路板內(nèi)層基板100的使用性能，同時(shí)可使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0070]第一標(biāo)記110為方形圖形，使得四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格111的布局簡(jiǎn)單，相鄰的兩第一方格111之間等間隔設(shè)置，這樣，在對(duì)比第一方格111與第二方格121的相對(duì)位置，判斷電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸及偏移方向時(shí),使電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸更容易區(qū)分。
[0071]在電路板內(nèi)層基板兩面曝光后，通常情況下其偏移尺寸為Imil或2mil或3mil或4mil，因此，將四個(gè)第二方格121的邊長(zhǎng)相對(duì)于與其對(duì)應(yīng)的第一方格111的邊長(zhǎng)分別小lmil、2mil、3mil和4mil，并在四個(gè)第一方格111上分別標(biāo)記1’、2’、3’和4’，在與第一方格111中心對(duì)應(yīng)的第二方格121上按各自與第一方格111的邊長(zhǎng)差分別標(biāo)記1、2、3和4,這樣，在電路板經(jīng)兩面曝光、圖像顯影及蝕刻處理后，一方面，可判斷第一方格111與第二方格121是否對(duì)應(yīng)準(zhǔn)確，另一方面，可使工作人員無(wú)須測(cè)量即可判斷出電路板內(nèi)層基板100的曝光偏移尺寸。
[0072]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，如圖4和圖5所示，所述電路板內(nèi)層基板100呈矩形，所述第一標(biāo)記110位于所述電路板內(nèi)層基板100上表面的一角處。
[0073]將第一標(biāo)記110設(shè)置在電路板內(nèi)層基板100上表面的一角處，既不會(huì)影響電路板內(nèi)層基板100的正常使用，又可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例，如圖8和圖5所示，在步驟202中，還設(shè)置有第三標(biāo)記，所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記110位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面的兩個(gè)對(duì)角處，且所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記110大小、結(jié)構(gòu)均相同；
[0075]在步驟204中，還設(shè)置有第四標(biāo)記，所述第四標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面并與所述第三標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第四標(biāo)記與所述第二標(biāo)記120大小、結(jié)構(gòu)均相同。
[0076]在電路板內(nèi)層基板100的上表面對(duì)角處設(shè)置第一標(biāo)記110和第三標(biāo)記、下表面設(shè)置分別與第一標(biāo)記110和第三標(biāo)記分別對(duì)應(yīng)的第二標(biāo)記120和第四標(biāo)記，可更準(zhǔn)確的檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸，使得工作人員可更準(zhǔn)確地查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0077]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)具體實(shí)施例，如圖9和圖5所示，在步驟202中，還設(shè)置有第五標(biāo)記和第七標(biāo)記，所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板100的上表面的另外兩角處，所述第一標(biāo)記、所述第三標(biāo)記、所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同；
[0078]在步驟204中，還設(shè)置有第六標(biāo)記和第八標(biāo)記，所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板100的下表面，并分別與所述第五標(biāo)記和第七標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第二標(biāo)記120、所述第四標(biāo)記、所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同。
[0079]在電路板內(nèi)層基板100的上表面的四個(gè)角處分別作標(biāo)記，并在電路板內(nèi)層基板100的下表面的四個(gè)角處分別對(duì)應(yīng)上表面的標(biāo)記制作標(biāo)記，且位于電路板內(nèi)層基板100的上表面的全部標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)相同，位于電路板內(nèi)層基板100的下表面的全部標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)相同，這樣，可進(jìn)一步保證檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板100經(jīng)兩面曝光等處理后的偏移方向和偏移尺寸的準(zhǔn)確性，進(jìn)而使得工作人員可快速地、準(zhǔn)確地查找出電路板內(nèi)層基板100曝光偏移原因，從而提高生產(chǎn)效率。
[0080]本發(fā)明提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板100兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，用于檢測(cè)電路板內(nèi)層基板100兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，其具體操作如下:
[0081]步驟一:標(biāo)記“I”的小方格其邊長(zhǎng)比Top層所對(duì)應(yīng)的小方格邊長(zhǎng)小lmil，:如圖6所示，在電路板內(nèi)層基板100的Top層四角位置各設(shè)計(jì)一個(gè)方形圖形，方形內(nèi)由四個(gè)第一方格111組成，各方格間保留適當(dāng)?shù)拈g距，該方形圖形可在完成曝光、顯影、蝕刻后只保留外圍邊框及四個(gè)第一方格111，其他覆銅部分全部蝕刻掉；
[0082]步驟二:如圖7所示,在Bottom層按照Top層設(shè)計(jì)的方形所在同心位置相對(duì)應(yīng)的各設(shè)計(jì)一個(gè)大小等同的方形，該方形由四個(gè)第二方格121組成，并分別標(biāo)記數(shù)字1、2、3、4，標(biāo)記“I”的第二方格121其邊長(zhǎng)比Top層所對(duì)應(yīng)的第一方格111邊長(zhǎng)小lmil，標(biāo)記“2”的第二方格121其邊長(zhǎng)比Top層所對(duì)應(yīng)的第一方格111邊長(zhǎng)小2mil，標(biāo)記“3”的第二方格121其邊長(zhǎng)比Top層所對(duì)應(yīng)的第一方格111邊長(zhǎng)小3mil，標(biāo)記“4”的第二方格121其邊長(zhǎng)比Top層所對(duì)應(yīng)的第一方格111邊長(zhǎng)小4mil，在蝕刻后第二方格121上標(biāo)記的數(shù)字也相應(yīng)的蝕刻出來(lái)，其它的與Top層一致；
[0083]步驟三:對(duì)電路板內(nèi)層基板100板進(jìn)行曝光、顯影和蝕刻處理；
[0084]將完成壓膜制程的電路板內(nèi)層基板100進(jìn)行曝光生產(chǎn)，曝光后進(jìn)行圖形顯影，將所需的線路及圖形顯示在板面所壓干膜之上，然后覆銅基板表面蝕刻出所需線路圖形，包括上述設(shè)計(jì)的特殊圖形。
[0085]步驟四:檢查PCB板兩面曝光圖形，判斷曝光偏移尺寸。
[0086]經(jīng)過(guò)蝕刻后，Top層和Bottom層會(huì)形成上述兩種方形圖形，可通過(guò)肉眼或者目鏡檢查兩面圖形對(duì)準(zhǔn)情況，從而確定其偏移尺寸。
[0087]檢查方法:兩面圖形重疊時(shí)檢查四個(gè)方格邊框是否有重影，以此來(lái)判斷兩面圖形對(duì)準(zhǔn)情況。當(dāng)PCB兩面圖形曝光完全對(duì)準(zhǔn)無(wú)偏差的情況下,位于Top層和Bottom層的四個(gè)第一方格111和第二方格121的中心點(diǎn)會(huì)重合；當(dāng)標(biāo)有數(shù)字“I”的小方格與Top層相應(yīng)小方格一端或兩端重合時(shí)，表不PCB板兩面曝光向重合的方向偏移Imil ;同理,當(dāng)標(biāo)有數(shù)字“2”、“3”、“4”的小方格和Top層對(duì)應(yīng)小方格一端或兩端重合時(shí)，表示PCB板兩面曝光向重合的方向偏移2mil、3mil和4mil。
[0088]綜上所述，本發(fā)明提供的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，操作簡(jiǎn)單，在對(duì)位偏移較大的情況下，仍可快速地檢測(cè)出電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，使工作人員快速查找出電路板內(nèi)層基板曝光偏移原因，提高生產(chǎn)效率。
[0089]在本說(shuō)明書(shū)的描述中，術(shù)語(yǔ)“多個(gè)”指兩個(gè)或兩個(gè)以上，術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“具體實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或?qū)嵗６?，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
[0090]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，用于檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光偏移方向及偏移尺寸，其特征在于，包括以下步驟: 步驟202，設(shè)置第一標(biāo)記，所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面，所述第一標(biāo)記包括多個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格； 步驟204，設(shè)置第二標(biāo)記，所述第二標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并與所述第一標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，所述第二標(biāo)記包括多個(gè)分別與所述第一方格相對(duì)應(yīng)的第二方格，且多個(gè)所述第二方格的邊長(zhǎng)依次遞減，并均小于所述第一方格； 步驟206，對(duì)所述電路板內(nèi)層基板進(jìn)行兩面曝光、圖形顯影及蝕刻處理； 步驟208，對(duì)比判斷，對(duì)比所述第一方格與所述第二方格的相對(duì)位置，判斷偏移方向及偏移尺寸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 在步驟202中，所述第一標(biāo)記包括四個(gè)等邊長(zhǎng)的第一方格； 在步驟204中，所述第二標(biāo)記包括四個(gè)分別與所述第一方格相對(duì)應(yīng)的第二方格。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 所述第一標(biāo)記為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間設(shè)置有間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 所述第一標(biāo)記為四個(gè)等邊長(zhǎng)的所述第一方格構(gòu)成的方形圖形，且相鄰的兩所述第一方格之間等間隔設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 所述第二標(biāo)記為分別與四個(gè)所述第一方格中心相對(duì)應(yīng)的四個(gè)第二方格，四個(gè)所述第二方格的邊長(zhǎng)比各自對(duì)應(yīng)的所述第一方格的邊長(zhǎng)分別小111111、2—1、3011和4011。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 所述第一標(biāo)記還包括設(shè)置在每一所述第一方格上的第一標(biāo)號(hào)； 所述第二標(biāo)記還包括設(shè)置在每一所述第二方格上的第二標(biāo)號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，所述電路板內(nèi)層基板還包括: 所述第一標(biāo)號(hào)為依次設(shè)置在所述第一標(biāo)記中的每一所述第一方格上的1’、2’、3’和4，； 所述第二標(biāo)號(hào)為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為1’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格111111的所述第二方格上的數(shù)字1、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為2’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格2-1的所述第二方格上的數(shù)字2、設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為3’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格3-1的所述第二方格上的數(shù)字3、以及設(shè)置在對(duì)應(yīng)于標(biāo)號(hào)為4’的所述第一方格且邊長(zhǎng)小于所述第一方格411111的所述第二方格上的數(shù)字4。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 所述電路板內(nèi)層基板呈矩形，所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板上表面的一角處。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于， 在步驟202中，還設(shè)置有第三標(biāo)記，所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的兩個(gè)對(duì)角處，且所述第三標(biāo)記與所述第一標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同； 在步驟204中，還設(shè)置有第四標(biāo)記，所述第四標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面并與所述第三標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第四標(biāo)記與所述第二標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)電路板內(nèi)層基板兩面曝光對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，在步驟202中，還設(shè)置有第五標(biāo)記和第七標(biāo)記，所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的上表面的另外兩角處，所述第一標(biāo)記、所述第三標(biāo)記、所述第五標(biāo)記和所述第七標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同； 在步驟204中，還設(shè)置有第六標(biāo)記和第八標(biāo)記，所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記位于所述電路板內(nèi)層基板的下表面，并分別與所述第五標(biāo)記和第七標(biāo)記相對(duì)應(yīng)，且所述第二標(biāo)記、所述第四標(biāo)記、所述第六標(biāo)記和所述第八標(biāo)記大小、結(jié)構(gòu)均相同。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104460249SQ201310444632
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】王偉, 陳德福 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 珠海方正科技高密電子有限公司, 方正信息產(chǎn)業(yè)控股有限公司