頂柵型tft陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，公開(kāi)了一種頂柵型TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置。該顯示面板的黑矩陣形成在陣列基板上，位于TFT的下方，并與像素電極具有交疊區(qū)域，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，有效減小了黑矩陣的增加尺寸，增加了顯示面板的開(kāi)口率，保證了顯示裝置的顯示特性。
【專利說(shuō)明】頂柵型TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種頂柵型TFT陣列基板及其制造方法、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是一種重要的平板顯示設(shè)備，它的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數(shù)據(jù)線以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱TFT)和像素電極。在顯示過(guò)程中，TFT作為開(kāi)關(guān)控制對(duì)液晶施加驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，從而控制液晶的旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的顯示。通常在彩膜基板上形成有黑矩陣，其與陣列基板上的非顯示區(qū)域位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示區(qū)域漏光，影響顯示質(zhì)量。
[0003]結(jié)合圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中多采用4Mask工藝形成底柵型TFT陣列基板，具體的，首先通過(guò)第一次Mask在襯底基板10上形成柵電極3 ;之后在柵電極3上形成柵絕緣層70 ；之后通過(guò)第二次Mask形成源電極4、漏電極5和有源層圖案6，有源層圖案6 —般半導(dǎo)體圖案61和摻雜半導(dǎo)體圖案62，半導(dǎo)體61形成TFT的溝道9 ;然后在源電極4和漏電極5上形成鈍化層80，并通過(guò)第三次Mask形成鈍化層過(guò)孔11 ;最后通過(guò)第四次Mask形成像素電極7，且像素電極7通過(guò)鈍化層過(guò)孔11與漏電極5連接。
[0004]同時(shí)，對(duì)于常白模式的TFT-1XD，顯示一幅黑畫(huà)面時(shí)，非顯示區(qū)域產(chǎn)生的漏光現(xiàn)象，會(huì)使圖像的對(duì)比度下降，現(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)在彩膜基板上與TFT對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置黑矩陣，來(lái)克服非顯示區(qū)域漏光的問(wèn)題。另外，液晶在受到信號(hào)線和像素電極之間的橫向電場(chǎng)作用時(shí)，在像素邊緣會(huì)發(fā)生顛倒傾斜取向缺陷，該缺陷會(huì)降低圖像對(duì)比度，而且有時(shí)候也會(huì)引起殘像。因此，需要增加黑矩陣的尺寸，使得彩膜基板上的黑矩陣(BM)和TFT陣列基板上的像素電極ITO有一定的交疊區(qū)域，才能保證不會(huì)漏光。但是由于彩膜基板和陣列基板對(duì)盒時(shí)會(huì)存在對(duì)準(zhǔn)偏差，所以彩膜基板上的黑矩陣一般會(huì)做得更大些，導(dǎo)致黑矩陣和陣列基板上的像素電極具有很大的交疊區(qū)域，一般在IOum左右，才能保證不會(huì)漏光，但是這樣卻嚴(yán)重減小了 TFT-1XD顯示屏的開(kāi)口率，不利于提高顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種頂柵型TFT陣列基板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中為防止顯示區(qū)域的邊緣漏光，增大黑矩陣時(shí)，造成顯示面板的開(kāi)口率嚴(yán)重減小的問(wèn)題。
[0006]本發(fā)明還提供一種顯示面板，用以解決顯示面板的開(kāi)口率小的問(wèn)題。
[0007]同時(shí)，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，用以解決顯示裝置顯示屏的圖像對(duì)比度低的問(wèn)題。
[0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種頂柵型TFT陣列基板，其包括襯底基板、形成在襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元；像素單元包括頂柵型TFT和像素電極，所述陣列基板還包括形成在襯底基板上的黑矩陣；所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。
[0009]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括陣列基板，其中，所述陣列基板采用如上所述的頂柵型TFT陣列基板。
[0010]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，其中，所述顯示面板采用如上所述的顯示面板。
[0011]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種頂柵型TFT陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成頂柵型TFT和像素電極的步驟，還包括在襯底基板上形成黑矩陣的步驟，其中，所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。
[0012]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0013]上述技術(shù)方案中，通過(guò)在陣列基板上形成黑矩陣，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，有效減小了黑矩陣的增加尺寸，增加了顯示面板的開(kāi)口率，保證了顯示裝置的顯示特性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)中底柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中頂柵型TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3表示圖2沿B-B方向的局部剖視圖；
[0018]圖4-圖8表示本發(fā)明實(shí)施例中頂柵型TFT陣列基板的制造過(guò)程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0020]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的“上” “下”只是參考附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，不作為限定用語(yǔ)。
[0021]實(shí)施例一
[0022]結(jié)合圖2和圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種頂柵型TFT陣列基板，其包括襯底基板10、形成在襯底基板10上的柵線20和數(shù)據(jù)線30，以及由柵線20和數(shù)據(jù)線30限定的像素單元I，像素單元I包括頂柵型TFT2和像素電極7。其中，TFT2 (以下內(nèi)容中的TFT均指頂柵型TFT)包括依次形成在襯底基板10上的有源層圖案6、源電極4和漏電極5、柵絕緣層70、柵電極3以及鈍化層80，有源層6包括位于源電極4和漏電極5之間的TFT溝道
9。像素電極7通過(guò)鈍化層過(guò)孔11與漏電極5連接。對(duì)于頂柵型TFT陣列基板，柵絕緣層70和鈍化層80可以保護(hù)TFT溝道9不受外界光線的影響，保證TFT2的特性。其中，有源層6可以僅包括硅半導(dǎo)體層或金屬氧化物半導(dǎo)體層61。而為了改善有源層6和源/漏電極4和5之間的接觸電阻，一般都會(huì)在半導(dǎo)體層61和源/漏電極4和5之間形成一層導(dǎo)電性較好的摻雜半導(dǎo)體層62 (又稱歐姆接觸層)，用于減小TFT2的漏電流，優(yōu)化TFT2的開(kāi)關(guān)特性。
[0023]本實(shí)施例中的TFT陣列基板還包括形成在襯底基板10上的黑矩陣8，且黑矩陣8與陣列基板上非顯示區(qū)域的位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示區(qū)域漏光，提供顯示面板的圖像對(duì)比度。并設(shè)置黑矩陣8位于TFT2的下方，保護(hù)TFT溝道9不會(huì)受到液晶顯示面板背光源的影響。為了防止顯示區(qū)域的邊緣出現(xiàn)漏光，還需設(shè)置黑矩陣8與像素電極7具有交疊區(qū)域A。由于黑矩陣8形成在陣列基板上，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒(包括黑矩陣8和TFT2位置的對(duì)準(zhǔn))時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，可以有效減小黑矩陣8的增加尺寸，提高像素單元的開(kāi)口率。
[0024]本實(shí)施例中，交疊區(qū)域A的寬度可以達(dá)到l-2um，相比于在彩膜基板上形成黑矩陣，需要設(shè)置黑矩陣與像素電極交疊IOum左右，大大減小了黑矩陣的尺寸。
[0025]本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)在陣列基板上形成黑矩陣，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，有效減小了黑矩陣的增加尺寸，增加了顯示面板的開(kāi)口率，保證了顯示裝置的顯示特性。
[0026]實(shí)施例二
[0027]本實(shí)施例中提供一種顯示面板，具體為液晶顯示面板，其包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，以及填充在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有薄膜晶體管和像素電極。薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)器件，用于控制產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的顯示。
[0028]其中，陣列基板采用實(shí)施例一中的頂柵型TFT陣列基板，即顯示面板的黑矩陣形成在陣列基板上，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光的同時(shí)，有效減小了黑矩陣的增加尺寸，增加了顯示面板的開(kāi)口率。
[0029]實(shí)施例三
[0030]本實(shí)施例中提供一種顯示裝置，具體為液晶顯示裝置，所述顯示裝置的顯示面板采用實(shí)施例二中的顯示面板，顯示面板開(kāi)口率的增加，提高了顯示裝置顯示屏的對(duì)比度，保證了顯示裝置的畫(huà)面顯示品質(zhì)。
[0031]實(shí)施例四
[0032]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本實(shí)施例中提供一種頂柵型TFT陣列基板的制造方法，其包括在襯底基板上形成頂柵型TFT、像素電極和黑矩陣的步驟。其中，黑矩陣與陣列基板上非顯示區(qū)域的位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示區(qū)域漏光，提高顯示面板的圖像對(duì)比度。并設(shè)置黑矩陣位于TFT的下方，保護(hù)TFT溝道不會(huì)受到液晶顯示面板的背光源的影響。為了防止顯示區(qū)域的邊緣漏光，還需設(shè)置黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域A。由于黑矩陣形成在陣列基板上，克服了陣列基板和彩膜基板對(duì)盒時(shí)出現(xiàn)的對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題，在增加黑矩陣的尺寸保證顯示區(qū)域的邊緣不會(huì)漏光時(shí)，可以有效減小黑矩陣的增加尺寸，增加了像素單元的開(kāi)口率。
[0033]本實(shí)施例中，交疊區(qū)域A的寬度可以達(dá)到l-2um，相比于在彩膜基板上形成黑矩陣，需要設(shè)置黑矩陣與像素電極交疊IOum左右，大大減小了黑矩陣的尺寸。
[0034]結(jié)合圖2、圖4-圖8所示，下面將具體介紹在襯底基板上形成頂柵型TFT、像素電極和黑矩陣的過(guò)程:
[0035]首先，在襯底基板10上依次形成黑色不透光層薄膜40、有源層薄膜50和源漏金屬層薄膜60，如圖4所示。
[0036]之后，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝(S卩IMask)形成包括黑矩陣8以及頂柵型TFT的溝道9、源電極4和漏電極5的圖案，結(jié)合圖5-圖7所示；
[0037]之后，在源電極4和漏電極5上依次形成柵絕緣層薄膜70和柵金屬層薄膜(圖中未示出)，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝(即IMask)形成包括柵電極3的圖案，結(jié)合圖8所示；
[0038]然后，在柵電極3上形成鈍化層薄膜80，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝(即IMask)形成包括鈍化層過(guò)孔11的圖案，結(jié)合圖2所示；
[0039]最后，在鈍化層過(guò)孔11上形成透明導(dǎo)電金屬層薄膜(圖中未示出)，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝(即IMask)形成包括像素電極7的圖案，且像素電極7通過(guò)鈍化層過(guò)孔11與TFT2的漏電極5連接。
[0040]上述制備頂柵型TFT陣列基板的工藝中，雖然增加了黑矩陣的制作工藝，但仍只需采用4Mask工藝就可以完成頂柵型TFT陣列基板的制備，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中TFT陣列基板的4Mask制備工藝,并沒(méi)有增加制作工藝，降低了生產(chǎn)成本。
[0041 ] 其中，有源層50可以僅包括硅半導(dǎo)體層或金屬氧化物半導(dǎo)體層51，結(jié)合圖4所示。而為了改善有源層50和源漏金屬層60之間的接觸電阻，一般都會(huì)在半導(dǎo)體層51和源漏金屬層60之間形成一層導(dǎo)電性較好的摻雜半導(dǎo)體層52 (又稱歐姆接觸層)，用于減小TFT2的漏電流，優(yōu)化TFT2的開(kāi)關(guān)特性。
[0042]結(jié)合圖4-圖7所示，本實(shí)施例中采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包括黑矩陣8以及頂柵型TFT的溝道9、源電極4和漏電極5的圖案的步驟，具體可以包括:
[0043]首先，在源漏金屬層60上涂覆一層光刻膠90，如圖4所示；
[0044]之后，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版對(duì)光刻膠90進(jìn)行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域101、第一光刻膠半保留區(qū)域102和第二光刻膠半保留區(qū)域103，其中，光刻膠完全保留區(qū)域101至少對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極所在區(qū)域，第一光刻膠半保留區(qū)域102至少對(duì)應(yīng)于位于源電極和漏電極之間的溝道區(qū)域，第二光刻膠半保留區(qū)域103至少對(duì)應(yīng)于黑矩陣與像素電極交疊的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域，結(jié)合圖5所示；
[0045]之后，通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層薄膜60、摻雜半導(dǎo)體層52、半導(dǎo)體層51和黑色不透光層薄膜40，形成黑矩陣8和有源層圖案6，結(jié)合圖6所示；
[0046]之后，通過(guò)灰化工藝去除第一光刻膠半保留區(qū)域102和第二光刻膠半保留區(qū)域103的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層，該灰化工藝還會(huì)對(duì)光刻膠完全保留區(qū)域101的光刻膠起到一個(gè)減薄的作用，結(jié)合圖6所示；
[0047]之后，通過(guò)第二次刻蝕工藝完全刻蝕掉第一光刻膠半保留區(qū)域102的源漏金屬層60、摻雜半導(dǎo)體層52和部分半導(dǎo)體層51，暴露出該區(qū)域的半導(dǎo)體層51，形成位于源電極和漏電極之間的溝道9，結(jié)合圖7所示；
[0048]之后，通過(guò)第三次刻蝕工藝完全刻蝕掉第二光刻膠半保留區(qū)域103的源漏金屬層60、摻雜半導(dǎo)體層52和半導(dǎo)體層51，暴露出該區(qū)域的黑色不透光層薄膜40，形成黑矩陣8，結(jié)合圖7所示；[0049]最后，剝離剩余的光刻膠，形成包括源電極4和漏電極5的圖案，結(jié)合圖7所示。
[0050]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種頂柵型TFT陣列基板，包括襯底基板、形成在襯底基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元；像素單元包括頂柵型TFT和像素電極，其特征在于，還包括形成在襯底基板上的黑矩陣；所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂柵型TFT陣列基板，其特征在于，所述交疊區(qū)域的寬度為l-2um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的頂柵型TFT陣列基板，其特征在于，頂柵型TFT包括依次形成在襯底基板上的有源層圖案、源電極和漏電極、柵絕緣層和柵電極，其中，有源層包括位于源電極和漏電極之間的溝道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的頂柵型TFT陣列基板，其特征在于，有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層；其中，摻雜半導(dǎo)體層位于半導(dǎo)體層上方，并與源電極和漏電極的位置對(duì)應(yīng)。
5.一種顯示面板，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的頂柵型TFT陣列基板。
6.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板采用權(quán)利要求5所述的顯示面板。
7.一種頂柵型TFT陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成頂柵型TFT和像素電極的步驟，其特征在于，還包括在襯底基板上形成黑矩陣的步驟，其中，所述黑矩陣與像素電極具有交疊區(qū)域，并位于頂柵型TFT的下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述交疊區(qū)域的寬度為l-2um。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，在襯底基板上形成頂柵型TFT、像素電極和黑矩陣的步驟具體包括: 在襯底基板上依次形成黑色不透光層、有源層和源漏金屬層，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包括黑矩陣以及頂柵型TFT的溝道、源電極和漏電極的圖案； 在源電極和漏電極上依次形成柵絕緣層和柵金屬層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成包括柵電極的圖案； 在柵電極上形成鈍化層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過(guò)孔的圖案； 在所述鈍化層過(guò)孔上形成透明導(dǎo)電金屬層，通過(guò)第四次構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖案，且所述像素電極通過(guò)所述鈍化層過(guò)孔與頂柵型TFT的漏電極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述有源層包括半導(dǎo)體層和摻雜半導(dǎo)體層，且所述摻雜半導(dǎo)體層位于所述半導(dǎo)體層的上方； 所述在襯底基板上依次形成黑色不透光層、有源層、源漏金屬層，采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成包括所述黑矩陣以及頂柵型TFT的溝道、源電極和漏電極的圖案的步驟具體包括: 在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠； 采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜版對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，使光刻膠形成光刻膠不保留區(qū)域、光刻膠完全保留區(qū)域、第一光刻膠半保留區(qū)域和第二光刻膠半保留區(qū)域，其中，光刻膠完全保留區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極所在區(qū)域，第一光刻膠半保留區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于位于源電極和漏電極之間的溝道區(qū)域，第二光刻膠半保留區(qū)域至少對(duì)應(yīng)于黑矩陣與像素電極交疊的區(qū)域，光刻膠不保留區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域； 通過(guò)第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層、摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層和黑色不透光層，形成包括黑矩陣和有源層圖案的圖案； 通過(guò)灰化工藝去除第一光刻膠半保留區(qū)域和第二光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏金屬層； 通過(guò)第二次刻 蝕工藝完全刻蝕掉第一光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層、摻雜半導(dǎo)體層和部分半導(dǎo)體層，暴露出該區(qū)域的半導(dǎo)體層，形成位于源電極和漏電極之間的溝道； 通過(guò)第三次刻蝕工藝完全刻蝕掉第二光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層、摻雜半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層，暴露出該區(qū)域的黑色不透光層，形成黑矩陣； 剝離剩余的光刻膠，形成包括源電極和漏電極的圖案。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103592801SQ201310582613
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年11月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月19日
【發(fā)明者】郭霄, 呂鳳珍, 儲(chǔ)松南, 張新霞 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司