像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置，其中，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極和第二電極，第一電極包括多個(gè)第一電極部以及位于相鄰的第一電極部之間的多個(gè)第一縫隙，第二電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第二電極部以及位于相鄰的第二電極部之間的多個(gè)第二縫隙，第一電極部的向下垂直投影與第二電極部的向下垂直投影存在交疊，第二電極包括第三電極部，每個(gè)第二電極部與相鄰的第二電極部通過(guò)一個(gè)第三電極部連接。本發(fā)明的陣列基板，包括本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的陣列基板。本發(fā)明的技術(shù)方案減小了存儲(chǔ)電容，將第二電極進(jìn)行狹縫圖案化的設(shè)計(jì)，在減小存儲(chǔ)電容的基礎(chǔ)上，保持了較高的透過(guò)率、工藝良率。
【專利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay, TFT-1XD)技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)技術(shù)的進(jìn)步，液晶顯示器件生產(chǎn)成本降低、制造工藝的日益完善，TFT-1XD已經(jīng)取代了陰極射線管顯示成為平板顯示領(lǐng)域的主流技術(shù)。
[0003]由于生活水平的日益提高，客戶對(duì)顯示器件的要求也進(jìn)一步提高，高刷新頻率，高顯示品質(zhì)的顯示器件成為主流，同時(shí)為加強(qiáng)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，降低顯示器件成本也成為廣大生產(chǎn)廠商的必然選擇。
[0004]IXD顯示分為扭曲向列型(TN)、垂直場(chǎng)切換型(VA)、平面場(chǎng)切換型(IPS)、高級(jí)超維場(chǎng)切換型(ADS)等顯示方式。其中TN、VA利用垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶轉(zhuǎn)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)灰階的控制，通常需要在下基板(陣列基板)和上基板(彩色濾光片基板)的表面加垂直電場(chǎng)，液晶在垂直電場(chǎng)的作用下進(jìn)行旋轉(zhuǎn)并呈現(xiàn)為我們需要的狀態(tài)。然而，垂直電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的LCD顯示視角較窄，即在不同的方向觀察時(shí)，不同灰階下的畫(huà)面會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)現(xiàn)象，例如當(dāng)客戶在側(cè)方向觀看時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)畫(huà)面中的人物的面部顏色發(fā)生顯著的色偏變化，此時(shí)灰階翻轉(zhuǎn)現(xiàn)象的發(fā)生嚴(yán)重的影響了客戶的視覺(jué)體驗(yàn)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)更高的產(chǎn)品附加值。
[0005]為解決這一問(wèn)題，先后開(kāi)發(fā)出了平面場(chǎng)切換型顯示器件和高級(jí)超維場(chǎng)切換型顯示器件，平面場(chǎng)切換型顯示技術(shù)利用處于同一水平面上的電極產(chǎn)生水平方向的電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶旋轉(zhuǎn)，由于該模式下液晶主要沿水平方向進(jìn)行取向，故在其他各個(gè)方向觀看時(shí)光學(xué)延遲量較小，即不容易產(chǎn)生灰階反轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)更好的色彩品質(zhì)；高級(jí)超維場(chǎng)切換型在平面電場(chǎng)的基礎(chǔ)上增加了一部分垂直方向的電場(chǎng)，從而驅(qū)動(dòng)更多的液晶進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，提高了面板透過(guò)率，降低了背光模組生產(chǎn)成本。高級(jí)超維場(chǎng)切換型顯示器件的像素結(jié)構(gòu)中，需要存在一個(gè)較大的存儲(chǔ)電容。為進(jìn)一步提高產(chǎn)品品質(zhì)特別是動(dòng)態(tài)畫(huà)面的成像質(zhì)量，高頻驅(qū)動(dòng)顯示器件受到更多生產(chǎn)廠商的青睞，由于高級(jí)超維場(chǎng)切換型顯示器件的像素結(jié)構(gòu)中存在較大的存儲(chǔ)電容(storage capacitance),故其在高頻驅(qū)動(dòng)時(shí)其掃描線需要更高的負(fù)載，由此需要增加掃描線的寬度，但這樣勢(shì)必將減小開(kāi)口率，進(jìn)而引起背光模組成本上升。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)電容較小，同時(shí)保持了較高的透過(guò)率、工藝良率的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及顯示裝置。
[0007]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極和位于第一電極下方的第二電極，第一電極與第二電極之間不導(dǎo)通，所述第一電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第一電極部以及位于相鄰的第一電極部之間的多個(gè)第一縫隙，所述第二電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第二電極部以及位于相鄰的第二電極部之間的多個(gè)第二縫隙，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影存在交疊，所述第二電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第三電極部，每個(gè)第二電極部的一端與相鄰的第二電極部的一端通過(guò)一個(gè)所述第三電極部連接。
[0008]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第三電極部與所述第一電極的第一電極部平行。
[0009]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影之間的夾角的取值范圍為大于3度且小于21度。
[0010]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影之間的夾角為11度。
[0011]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電極的所有第一電極部通過(guò)第一連接條并聯(lián)，第二電極部的所有第三電極部和第二電極部通過(guò)第二連接條并聯(lián)。
[0012]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，第一縫隙的寬度在3-6um之間，第一縫隙與第二縫隙等寬。
[0013]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
[0014]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第二電極為像素電極，所述第一電極為公共電極。
[0015]本發(fā)明的陣列基板，包括本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的陣列基板。
[0017]本發(fā)明的技術(shù)方案減小了存儲(chǔ)電容，將第二電極進(jìn)行狹縫圖案化的設(shè)計(jì)，在減小存儲(chǔ)電容的基礎(chǔ)上，保持了較高的透過(guò)率、工藝良率。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中的第一電極和第二電極的俯視圖，示出了第一電極和第二電極的結(jié)構(gòu)以及之間的位置關(guān)系；
[0019]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)中第一電極和第二電極的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]本發(fā)明的技術(shù)方案為減小存儲(chǔ)電容，將第二電極進(jìn)行狹縫圖案化的設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)在減小存儲(chǔ)電容的基礎(chǔ)上，保持了較高的透過(guò)率、工藝良率。
[0021]如圖1所示，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，包括第一電極I和位于第一電極I下方的第二電極2，第一電極I與第二電極2之間不導(dǎo)通，第一電極I包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第一電極部11以及位于相鄰的第一電極部11之間的多個(gè)第一縫隙12，第二電極2包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第二電極部21以及位于相鄰的第二電極部21之間的多個(gè)第二縫隙22，第一電極I的每一第一電極部11的向下垂直投影與第二電極2的第二電極部21的向下垂直投影存在交疊，第二電極2包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第三電極部23，每個(gè)第二電極部21的一端與相鄰的第二電極部21的一端通過(guò)一個(gè)第三電極部23連接。
[0022]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，每個(gè)第三電極部23沿一個(gè)第二縫隙22的對(duì)角線延伸，每個(gè)第三電極部23連接一個(gè)第二縫隙22的兩相對(duì)角。
[0023]發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，第一電極I的第一電極部11與第二電極2的第二電極部21之間形成存儲(chǔ)電容，因?yàn)榈谝浑姌O1、第二電極2均包括縫隙，這樣第一電極I的向下垂直投影與第二電極2的向下垂直投影的交疊部分的面積就大大減少，由此較現(xiàn)有技術(shù)，存儲(chǔ)電容就大大減小，同時(shí)每個(gè)第二電極部21的一端與相鄰的第二電極部21的一端通過(guò)一個(gè)第三電極部23連接，即本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)采用Z型電極設(shè)計(jì)，得到一個(gè)較高的透過(guò)率。
[0024]發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第三電極部23與第一電極I的第一電極部11平行。
[0025]發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第一電極I的第一電極部11的向下垂直投影與第二電極2的第二電極部21的向下垂直投影之間的夾角的取值范圍為大于3度且小于21度。
[0026]優(yōu)選的，發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第一電極I的第一電極部11的向下垂直投影與第二電極2的第二電極部21的向下垂直投影之間的夾角是11度。
[0027]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第一電極I的所有第一電極部11通過(guò)第一連接條13并聯(lián)，第二電極部2的所有第三電極部23和所有第二電極部21通過(guò)第二連接條24并聯(lián)。
[0028]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第一縫隙12的寬度在3-6um之間，第一縫隙12與第二縫隙22等寬。
[0029]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的實(shí)施例，其中，第一電極I為像素電極，第二電極3為公共電極。
[0030]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)其他實(shí)施例中，第二電極2可以為像素電極，第一電極I為公共電極。
[0031 ] 本發(fā)明的陣列基板，包括本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)。
[0032]本發(fā)明的顯示裝置，包括本發(fā)明的陣列基板。
[0033]如圖2所示，一種現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)中，第一電極I的第一電極部11的向下垂直投影與第二電極2的第二電極部21的向下垂直投影之間的夾角是9度。
[0034]現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)透過(guò)率較小，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)采用Z型公共電極設(shè)計(jì)，可以得到一個(gè)較高的透過(guò)率；同時(shí)存儲(chǔ)電容降低，工藝能力有所提高。
[0035]假設(shè)原有的高級(jí)超維場(chǎng)切換型顯示結(jié)構(gòu)的透過(guò)率、電容為100%。工藝偏差允許范圍為lum。
[0036]根據(jù)模擬實(shí)驗(yàn)所得數(shù)據(jù)，上述現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)，透過(guò)率為82%，存儲(chǔ)電容為更早的現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的45%，工藝能力參數(shù)為0.4um。
[0037]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，透過(guò)率為95%，存儲(chǔ)電容為更早的現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)的50%，工藝能力參數(shù)為0.4um。
[0038]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括第一電極和位于第一電極下方的第二電極，其特征在于，第一電極與第二電極之間不導(dǎo)通，所述第一電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第一電極部以及位于相鄰的第一電極部之間的多個(gè)第一縫隙，所述第二電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第二電極部以及位于相鄰的第二電極部之間的多個(gè)第二縫隙，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影存在交疊，所述第二電極包括多個(gè)條狀且平行等距排列的第三電極部，每個(gè)第二電極部的一端與相鄰的第二電極部的一端通過(guò)一個(gè)所述第三電極部連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三電極部與所述第一電極的第一電極部平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影之間的夾角的取值范圍為大于3度且小于21度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極的第一電極部的向下垂直投影與第二電極的第二電極部的向下垂直投影之間的夾角為11度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極的所有第一電極部通過(guò)第一連接條并聯(lián)，第二電極部的所有第三電極部和第二電極部通過(guò)第二連接條并聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一縫隙的寬度在3-6um之間，第一縫隙與第二縫隙等寬。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電極為像素電極，所述第一電極為公共電極。
9.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103676353SQ201310646412
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月4日
【發(fā)明者】王強(qiáng)濤, 林允植, 崔賢植, 嚴(yán)允晟 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司