用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法
【專利摘要】提供了一種用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。所述陣列基板包括：在基板上的柵極線（GL），所述基板包括顯示區(qū)域和位于各個側(cè)邊處的第一到第四非顯示區(qū)域；像素區(qū)域；在GL上的柵極絕緣層（GIL）；在GIL上并且與GL交叉的多條數(shù)據(jù)線；與數(shù)據(jù)線平行并與各條GL連接的多條柵極輔助線；在第三非顯示區(qū)域中的輔助線，所述輔助線具有在GIL下面的第一層和在GIL上的第二層，第一層通過GIL中的第一輔助接觸孔與第二層接觸；在每個像素區(qū)域中并與GL和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和與每個薄膜晶體管連接的像素電極。
【專利說明】用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法
[0001]本申請要求2013年4月30日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請10-2013-0047868的優(yōu)先權(quán)，為了所有目的在此援引該專利申請的全部內(nèi)容作為參考。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及方法，尤其涉及一種用于通過減小左右兩側(cè)的非顯示區(qū)域而具有窄邊框的液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]近來，隨著液晶顯示(IXD)裝置變得越來越輕薄且需要更低的功耗，IXD裝置已廣泛用作陰極射線管型顯示裝置的替代品。
[0004]因為包括薄膜晶體管(TFT )作為開關(guān)元件的IXD裝置，即“有源矩陣IXD( AM-1XD ) ”裝置，具有高分辨率和顯示運動圖像的理想特性，所以已廣泛使用AM-1XD裝置。
[0005]一般來說，IXD裝置的制造工藝包括用于形成TFT和像素電極的陣列基板工藝、用于形成濾色器和公共電極的濾色器基板工藝、以及在陣列基板與濾色器基板之間形成液晶層的盒(cell)工藝。
[0006]圖1是現(xiàn)有液晶面板的分解透視圖。如圖1中所示，液晶面板包括陣列基板10、濾色器基板20和液晶層30。陣列基板10和濾色器基板20彼此相對，在它們之間夾持液晶層30。
[0007]陣列基板10包括第一基板12、柵極線14、數(shù)據(jù)線16、薄膜晶體管(TFT)Tr和像素電極18。柵極線14和數(shù)據(jù)線16形成在第一基板12上且彼此交叉以界定像素區(qū)域P。TFTTr形成在柵極線14和數(shù)據(jù)線16的交叉部分處。像素電極18形成在像素區(qū)域P中并與TFTTr連接。
[0008]濾色器基板20包括第二基板22、黑矩陣25、濾色器層26和公共電極28。黑矩陣25形成在第二基板22上并具有格子(lattice)形狀。黑矩陣25對應(yīng)于第一基板12的非顯示區(qū)域。第一基板12的非顯示區(qū)域包括柵極線14和數(shù)據(jù)線16以及TFT Tr0濾色器層26對應(yīng)于像素區(qū)域P并包括紅色R、綠色G和藍(lán)色B濾色器圖案26a、26b和26c。公共電極28形成在黑矩陣25和濾色器層26上。公共電極28與像素電極18產(chǎn)生電場，從而通過電場驅(qū)動液晶層30。
[0009]沿第一和第二基板12和22的邊緣形成密封圖案(未示出)。密封圖案防止液晶層30溢出。此外，可在第一基板12與液晶層30之間以及第二基板22與液晶層30之間形成第一和第二取向?qū)?alignment layers)(未示出)?？稍诘谝缓偷诙?2和22之一的外表面上形成偏振片(未示出)。在第一基板12的下方設(shè)置背光單元(未示出)以給液晶面板提供光。
[0010]在第一基板10上形成用于驅(qū)動像素的驅(qū)動單元(未示出)。驅(qū)動單元安裝在印刷電路板(PCB)上。PCB可分為柵極PCB和數(shù)據(jù)PCB，其中柵極PCB與柵極線14 一端處的柵極焊盤(pad)(未示出)連接，數(shù)據(jù)PCB與數(shù)據(jù)線16 —端處的數(shù)據(jù)焊盤(未示出)連接。
[0011]例如，圖2是具有印刷電路板(PCB)的現(xiàn)有技術(shù)IXD裝置I的平面圖，如圖2中所示，在顯示區(qū)域DA的外側(cè)處劃定有(彼此相對的)第一和第二非顯示區(qū)域NA1、NA2以及(彼此相對的)第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4。
[0012]數(shù)據(jù)PCB50安裝在第一和第二非顯示區(qū)域NA1、NA2之一處。圖2顯示了在第一非顯示區(qū)域NAl處的數(shù)據(jù)PCB50。PCB50通過多個數(shù)據(jù)柔性印刷電路(FPC) 62與數(shù)據(jù)焊盤連接。在第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4之一處安裝包括驅(qū)動集成電路(IC) 71的多個柵極FPC61，但不具有柵極PCB。FPC61與柵極線15 —端處的柵極焊盤(圖1)連接。
[0013]具有上面結(jié)構(gòu)的IXD裝置I廣泛用于各種領(lǐng)域，如TV、監(jiān)視器、筆記本計算機、移動電話和PDA。
[0014]另一方面，對具有輕重量和纖薄外形的窄邊框的需求增加。因此，需要發(fā)展例如通過減小第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4的寬度而具有窄邊框的LCD裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015]因此，本發(fā)明涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或多個問題的用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板及其制造方法。
[0016]本發(fā)明的一個目的是提供一種具有窄邊框的陣列基板及其制造方法。
[0017]在下面的描述中將列出本發(fā)明的優(yōu)點、目的和特征，這些優(yōu)點、目的和特征的一部分通過下面描述對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的，或者可從本發(fā)明的實施領(lǐng)會到。通過說明書、權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。
[0018]為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體和概括描述的，提供了一種用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板，包括:在基板上的多條柵極線，所述基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域的各個側(cè)邊處的第一到第四非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中界定有多個像素區(qū)域；在所述柵極線上的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉；與所述數(shù)據(jù)線平行并與各條柵極線連接的多條柵極輔助線；在所述第三非顯示區(qū)域中的輔助線，所述輔助線包括在所述柵極絕緣層下面的第一層和在所述柵極絕緣層上的第二層，所述第一層通過所述柵極絕緣層中的第一輔助接觸孔與所述第二層接觸；在每個像素區(qū)域中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管與所述柵極線和數(shù)據(jù)線連接；和在每個像素區(qū)域中的像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管連接。
[0019]在另一方面中，提供了一種制造用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括:在基板上設(shè)置多條柵極線，所述基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域的各個側(cè)邊處的第一到第四非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中界定有多個像素區(qū)域；在所述柵極線上設(shè)置柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上設(shè)置多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉；設(shè)置與所述數(shù)據(jù)線平行并與各條柵極線連接的多條柵極輔助線；在所述第三非顯示區(qū)域中設(shè)置輔助線，所述輔助線包括在所述柵極絕緣層下面的第一層和在所述柵極絕緣層上的第二層，所述第一層通過所述柵極絕緣層中的第一輔助接觸孔與所述第二層接觸；在每個像素區(qū)域中設(shè)置與所述柵極線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和在每個像素區(qū)域中設(shè)置與所述薄膜晶體管連接的像素電極。
[0020]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對本發(fā)明要求保護的內(nèi)容提供進(jìn)一步的解釋。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說明書一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0022]圖1是現(xiàn)有液晶面板的分解透視圖；
[0023]圖2是具有印刷電路板(PCB)的現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示(IXD)裝置的平面圖；
[0024]圖3是根據(jù)一實施方式的IXD裝置的平面圖；
[0025]圖4是根據(jù)一實施方式的IXD裝置的平面圖；
[0026]圖5是顯示根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的一部分的平面圖；
[0027]圖6是圖5中的“B”部分的放大圖；
[0028]圖7是圖3中的“A”部分的放大圖；
[0029]圖8是沿圖6中的線VII1-VIII’的剖面圖；
[0030]圖9是沿圖6中的線IX-1X’的剖面圖；
[0031]圖10是沿圖7中的線X-X’的剖面圖；
[0032]圖11是根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的剖面圖；
[0033]圖12是顯示根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的一部分的平面圖；
[0034]圖13是根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的剖面圖；
[0035]圖14是沿圖12中的線XIV-XIV’的剖面圖；
[0036]圖15是沿圖12中的線XV-XV’的剖面圖；
[0037]圖16是沿圖13中的線XV1-XVI ’的剖面圖；
[0038]在整個附圖和詳細(xì)描述中，除非另有說明，否則相同的附圖標(biāo)記應(yīng)當(dāng)理解為指代相同的元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、圖示和簡便起見，可能放大了這些元件的相對尺寸和繪圖。

【具體實施方式】
[0039]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。在下面的描述中，當(dāng)確定與本發(fā)明相關(guān)的公知功能或構(gòu)造的詳細(xì)描述會不必要地使本發(fā)明的要點變模糊時，將省略其詳細(xì)描述。所描述的處理步驟和/或操作的過程是例子，然而，步驟和/或操作的次序并不限于在此列出的次序，可以如本領(lǐng)域公知的一樣進(jìn)行變化，但必須以特定順序進(jìn)行的步驟和/操作除外。在整個說明書中相似的參考標(biāo)記表示相似的元件。僅是為了便于撰寫說明書而選擇在下面的描述中使用的各個元件的名稱，因而可能與實際產(chǎn)品中使用的名稱不同。
[0040]在本發(fā)明的描述中，當(dāng)描述一結(jié)構(gòu)位于另一結(jié)構(gòu)“上或上方”或者“下或下方”時，該描述應(yīng)當(dāng)解釋為包括其中結(jié)構(gòu)彼此接觸的情況以及其中在二者之間設(shè)置第三結(jié)構(gòu)的情況。
[0041 ] 下面，將參照附圖詳細(xì)描述實施方式。
[0042]圖3是根據(jù)一實施方式的液晶顯示(IXD)裝置的平面圖。
[0043]如圖3中所示，可在用于IXD裝置101的陣列基板110中劃定顯示區(qū)域DA和位于顯示區(qū)域DA外側(cè)的第一到第四非顯示區(qū)域NAl到NA4。印刷電路板(PCB) 190可通過包括數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(IC)172的第一柔性印刷電路(FPC)162與位于顯示區(qū)域DA上側(cè)的第一非顯示區(qū)域NAl連接。包括柵極驅(qū)動IC173的第二 FPC163可與位于顯示區(qū)域DA下側(cè)的第二非顯示區(qū)域NA2連接。換句話說，第二 FPC163可安裝在與第一非顯示區(qū)域NAl相對的第二非顯示區(qū)域NA2處。
[0044]在分別位于顯示區(qū)域DA左右側(cè)的第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4處可以不設(shè)置PCBjga IC或FPC，從而與圖2的現(xiàn)有陣列基板相比，可減小第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4中至少一個的寬度。換句話說，該實施方式的陣列基板具有比現(xiàn)有技術(shù)更窄的邊框。
[0045]PCB190或數(shù)據(jù)驅(qū)動IC172可通過第三非顯示區(qū)域M3或第四非顯示區(qū)域NA4中的多條輔助線(未示出)的一部分與柵極驅(qū)動IC173連接。輔助線例如可以是用于在數(shù)據(jù)驅(qū)動IC172與柵極驅(qū)動IC173之間電連接的玻上布線(log line)，或者是用于向公共電極施加公共電壓的輔助公共線。
[0046]此外，為了進(jìn)一步減小第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4的寬度，多條輔助線可以具有包含絕緣層的多層結(jié)構(gòu)，該絕緣層例如是柵極絕緣層或鈍化層，并且該多層結(jié)構(gòu)中的層可以彼此電連接。
[0047]另一方面，參照圖4，圖4是根據(jù)一實施方式的IXD裝置的平面圖，當(dāng)IXD裝置用于TV或監(jiān)視器而作為大尺寸顯示裝置時，PCB190可通過包括柵極驅(qū)動IC172的FPC162與第一和第二非顯示區(qū)域NAl、NA2之一連接，柵極驅(qū)動IC173可直接安裝在第一和第二非顯示區(qū)域NAl、NA2之一處的陣列基板110上。圖4顯示了第一非顯示區(qū)域NAl中的PCB190和第二非顯示區(qū)域NA2中的柵極驅(qū)動IC173。
[0048]在圖4的陣列基板中，PCB190或數(shù)據(jù)驅(qū)動IC172可通過第三非顯示區(qū)域AN3或第四非顯示區(qū)域NA4中的多條輔助線(未示出)與柵極驅(qū)動IC173連接。
[0049]參照圖3和4，因為數(shù)據(jù)焊盤(未示出)和柵極焊盤(未示出)可分別形成在第一和第二非顯示區(qū)域NAl、NA2處，其中數(shù)據(jù)焊盤可與包括數(shù)據(jù)驅(qū)動IC172的第一 FPC162連接，柵極焊盤可與柵極驅(qū)動IC173或包括柵極驅(qū)動IC173的第二 FPC163連接，所以第一和第二非顯示區(qū)域NA1、NA2的垂直寬度可與現(xiàn)有陣列基板的第一和第二非顯示區(qū)域大致相似。然而，因為在第三非顯示區(qū)域AN3或第四非顯示區(qū)域NA4中可以不需要用于柵極焊盤的區(qū)域，所以可減小第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4的水平寬度。結(jié)果，該實施方式的陣列基板具有比現(xiàn)有技術(shù)更窄的邊框。
[0050]該窄邊框結(jié)構(gòu)是由陣列基板的元件導(dǎo)致的。下面，更詳細(xì)地描述該陣列基板。
[0051]關(guān)于第二 FPC163，圖3和圖4中的IXD裝置不同。因此，針對圖3的陣列基板進(jìn)行解釋。
[0052]圖5是顯示根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的一部分的平面圖。圖6是圖5中的“B”部分的放大圖。圖7是圖3中的“A”部分的放大圖。
[0053]參照圖3和5 — 7，在根據(jù)本發(fā)明一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的顯示區(qū)域DA中，彼此間隔第一距離的第一和第二柵極線對113a、113b可以以比第一距離更大的第二距離形成。第一距離可被控制以防止在圖案化工藝中在第一和第二柵極線113a、113b之間出現(xiàn)電短路，第二距離可大致與像素區(qū)域P1、P2的長軸(major axis)的長度相同。第一距離例如可以大約為2到5微米(μ m)。
[0054]多條數(shù)據(jù)線130可形成為與柵極線113彼此交叉，在數(shù)據(jù)線130和柵極線113之間具有柵極絕緣層(未示出)。由第一和第二柵極線113a、113b及數(shù)據(jù)線130包圍的區(qū)域可被界定為單位像素P。在單位像素P中，可沿水平方向(例如柵極線113的延伸方向)布置第一和第二像素區(qū)域P1、P2。換句話說，第一和第二柵極線113a、113b可位于第一和第二像素區(qū)域P1、P2的上側(cè)和下側(cè)，第一和第二像素區(qū)域P1、P2可位于相鄰的兩條數(shù)據(jù)線130之間。
[0055]可在第一和第二像素區(qū)域P1、P2每一個中形成薄膜晶體管(TFT) Tr以作為開關(guān)元件。TFT Tr可包括柵極電極114、柵極電極114上的柵極絕緣層(未示出)、柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層(未示出)以及半導(dǎo)體層上的源極和漏極電極133、136，其中半導(dǎo)體層可包括本征非晶娃(intrinsic amorphous silicon)的有源層(未示出)和摻雜雜質(zhì)的非晶娃(impurity-doped amorphous silicon)的歐姆接觸層(未示出)。源極和漏極電極133、136可彼此間隔布置。柵極電極114可與第一和第二柵極線113a、113b之一連接，源極電極133可與數(shù)據(jù)線130連接。
[0056]可選擇地，TFT Tr可包括柵極電極、柵極絕緣層、氧化物半導(dǎo)體層、蝕刻阻擋部、源極電極和漏極電極。此外，TFT Tr可包括:多晶硅半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、對應(yīng)于有源層的柵極電極、包括分別暴露歐姆接觸區(qū)域的半導(dǎo)體接觸孔的層間絕緣層、以及分別通過半導(dǎo)體接觸孔與歐姆接觸區(qū)域接觸的源極和漏極電極，其中多晶硅半導(dǎo)體層包括有源區(qū)域和位于有源區(qū)域兩側(cè)的歐姆接觸區(qū)域(其中可被摻雜雜質(zhì))。在包括多晶硅半導(dǎo)體層的陣列基板中，柵極線可形成在柵極絕緣層上，數(shù)據(jù)線可形成在層間絕緣層上。
[0057]在第一和第二像素區(qū)域P1、P2每一個中可形成與TFT Tr的漏極電極136連接的像素電極153。
[0058]在TFT Tr上方可形成有鈍化層(未示出)。在一個例子中，鈍化層可包括暴露漏極電極136的漏極接觸孔145，像素電極153可形成在鈍化層上并可通過漏極接觸孔145與漏極電極136接觸。
[0059]另一方面，盡管未示出，但可在像素電極153的上方或下方形成覆蓋整個顯示區(qū)域DA的公共電極，且在該公共電極與像素電極153之間具有絕緣層。公共電極可通過公共接觸孔與公共線139連接。在一個例子中，像素電極153和公共電極中的上面的一個可具有開口，像素電極153和公共電極中的下面的一個可具有板形。結(jié)果，可通過像素電極153與公共電極之間感應(yīng)產(chǎn)生的邊緣電場驅(qū)動LCD裝置中的液晶層。
[0060]在第三非顯示區(qū)域NA3中可形成有多條輔助線170。輔助線170可彼此間隔布置。
[0061]作為一個例子，輔助線170可包括:用于電連接第二非顯示區(qū)域NA2中的柵極驅(qū)動IC173與第一非顯示區(qū)域NAl中的柵極驅(qū)動IC的玻上布線(log line)，和/或用于向公共電極或公共線139施加公共電壓的輔助公共線。
[0062]輔助線170可以具有包含至少一個絕緣層的多層結(jié)構(gòu)，該至少一個絕緣層例如是柵極絕緣層和鈍化層。多層結(jié)構(gòu)中的層可具有相同的平面形狀并通過絕緣層中的第一輔助接觸孔“chi”彼此接觸。
[0063]可與數(shù)據(jù)線130平行的柵極輔助線138可穿過單位像素P的中心。例如，柵極輔助線138可位于第一和第二像素區(qū)域P1、P2之間。
[0064]柵極輔助線138和公共線139可彼此交替布置。一個單位像素P可包括柵極輔助線138而不包括公共線139，而可沿水平方向與該一個單位像素P相鄰的另一個單位像素P可包括公共線139而不包括柵極輔助線138。
[0065]柵極輔助線138可通過柵極接觸孔“gch”與各條柵極線113連接。柵極輔助線138的數(shù)量可大于或等于柵極線113的數(shù)量。例如，柵極輔助線138的數(shù)量可以是柵極線113的N倍，N是正整數(shù)。
[0066]在一實施方式中，公共線139可形成在柵極輔助線組之間，每個柵極輔助線組例如包括幾條到幾十條柵極輔助線138。公共線139可與柵極輔助線138平行并也可穿過單位像素P?？赏ㄟ^每個柵極輔助線組中的柵極輔助線138的數(shù)量控制公共線139的數(shù)量。此外，多個柵極輔助線組可在柵極輔助線138的數(shù)量上具有差別。在數(shù)據(jù)線130之間形成柵極輔助線138之后，可在數(shù)據(jù)線130之間未設(shè)置柵極輔助線138的地方形成公共線139。
[0067]圖5顯示了具有六條柵極輔助線138的柵極輔助線組的例子。在一個例子中，從左側(cè)到右側(cè)，可按照第一數(shù)據(jù)線D1、第一柵極輔助線GA1、第二數(shù)據(jù)線D2、第二柵極輔助線GA2、第三數(shù)據(jù)線D3、第三柵極輔助線GA3、第四數(shù)據(jù)線D4、第四柵極輔助線GA4、第五數(shù)據(jù)線D5、第五柵極輔助線GA5、第六數(shù)據(jù)線D6、第六柵極輔助線GA6、第七數(shù)據(jù)線D7、公共線139(Vcom)、第八數(shù)據(jù)線D8、第七柵極輔助線GA7和第九數(shù)據(jù)線D9的順序布置這些線?？梢詫τ谒钄?shù)量的數(shù)據(jù)線D和柵極輔助線GA繼續(xù)該圖案。本發(fā)明并不限于該圖案。此外，盡管圖5的例子顯示了九條數(shù)據(jù)線Dl - D9和七條柵極輔助線GAl — GA7，但本發(fā)明并不限于此。
[0068]在陣列基板110中，由第一和第二柵極線113a、113b及數(shù)據(jù)線130包圍的區(qū)域可形成單位像素P，由柵極輔助線138和公共線139之一、第一和第二柵極線113a、113b以及數(shù)據(jù)線130包圍的區(qū)域可形成第一和第二像素區(qū)域P1、P2。
[0069]在一實施方式的陣列基板中，因為平行于數(shù)據(jù)線130的柵極輔助線138可與沿顯示區(qū)域DA的水平方向形成的各條柵極線113連接，所以可通過柵極輔助線138向柵極線113施加?xùn)艠O信號電壓。
[0070]因為柵極輔助線138的端部可位于顯示區(qū)域DA下部的第二非顯示區(qū)域NA2中，所以可將包括柵極焊盤的柵極焊盤部限定在第二非顯示區(qū)域NA2中，柵極焊盤部被形成以用于向柵極線130施加?xùn)艠O信號電壓。因此，柵極驅(qū)動IC173 (圖4)或包括柵極驅(qū)動IC173的第二 FPC163 (圖3)可安裝在第二非顯示區(qū)域NA2中。柵極驅(qū)動IC173可與柵極焊盤電連接。
[0071]因為在第三非顯示區(qū)域NA3或第四非顯示區(qū)域NA4中沒有安裝柵極驅(qū)動IC173(圖4)或包括柵極驅(qū)動IC173的第二 FPC163 (圖3)，所以與現(xiàn)有技術(shù)陣列基板(其中包括柵極驅(qū)動IC71 (圖2)的FPC61 (圖2)被安裝在第四非顯示區(qū)域NA4中)相比，實施方式的陣列基板110中的第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4的水平寬度減小。因此，本發(fā)明的用于IXD裝置101的陣列基板110具有比現(xiàn)有技術(shù)更窄的邊框結(jié)構(gòu)。
[0072]在一實施方式的陣列基板110中，一個像素區(qū)域Pl或P2可被界定為由兩條柵極線113、一條數(shù)據(jù)線130、以及柵極輔助線138和公共線139之一包圍的區(qū)域。另一方面，在現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板中，一個像素區(qū)域被界定為由兩條柵極線和兩條數(shù)據(jù)線包圍的區(qū)域。因此，一實施方式的陣列基板110可包括兩倍于現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的柵極線113和現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的一半的數(shù)據(jù)線130。結(jié)果，陣列基板110可需要較少的數(shù)據(jù)驅(qū)動1C。此外，因為陣列基板110可包括柵極輔助線138或公共線139以代替現(xiàn)有技術(shù)的數(shù)據(jù)線，所以陣列基板110可具有大致與現(xiàn)有技術(shù)陣列基板相同的開口率。
[0073]上述陣列基板110 (可通過兩倍于現(xiàn)有技術(shù)的柵極線113和現(xiàn)有技術(shù)的一半的數(shù)據(jù)線130驅(qū)動)可被稱為雙倍速率驅(qū)動型LCD裝置的陣列基板。
[0074]在現(xiàn)有IXD裝置中，使用分別顯示紅色R、綠色G和藍(lán)色B的三個相鄰的像素區(qū)域作為一個單位像素區(qū)域以顯示彩色圖像。因此，在現(xiàn)有技術(shù)IXD裝置中，數(shù)據(jù)線數(shù)量為柵極線數(shù)量的三倍。此外，因為現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置中的顯示區(qū)域的水平長度與垂直長度的比例為5:4到16:9，所以水平像素區(qū)域的數(shù)量為垂直像素區(qū)域的數(shù)量的至少1.25倍。因此，在現(xiàn)有技術(shù)LCD裝置中，數(shù)據(jù)線數(shù)量為柵極線數(shù)量的至少3.75倍。
[0075]另一方面，根據(jù)一實施方式的陣列基板中的柵極線數(shù)量可為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中的柵極線數(shù)量的兩倍，而根據(jù)一實施方式的陣列基板中的數(shù)據(jù)線數(shù)量可為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中的數(shù)據(jù)線數(shù)量的一半。
[0076]因此，柵極輔助線138和公共線139可位于數(shù)據(jù)線130之間，與現(xiàn)有技術(shù)陣列基板相比不會降低開口率。
[0077]例如，在全HD IXD裝置中，需要1080X 1920個單位像素區(qū)域，每個單位像素區(qū)域包括三個相鄰的像素區(qū)域。在該情形中，在現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中應(yīng)當(dāng)形成1080條柵極線和5760 (= 1920X3)條數(shù)據(jù)線。
[0078]然而，在雙倍速率驅(qū)動型IXD裝置的陣列基板中，可設(shè)置2160 (= 1080X2)條柵極線113和2880 (1920X3/2)條數(shù)據(jù)線130，以提供全HD LCD裝置。因此，代替2880條數(shù)據(jù)線，可形成與柵極線113的數(shù)量相等的2160條柵極輔助線138以及720條公共線139，而不會降低開口率。
[0079]結(jié)果，在本發(fā)明中，因為數(shù)據(jù)線130的減少量可大于柵極線113的增加量，所以可有足夠的空間用于柵極輔助線138。
[0080]在本發(fā)明的陣列基板110中，第三和第四非顯示區(qū)域NA3、NA4中每一個的寬度可被最小化，從而可獲得用于窄邊框型IXD裝置101的陣列基板110。此外，因為數(shù)據(jù)線130的數(shù)量可減少，所以柵極輔助線138不會降低開口率。
[0081]圖8是沿圖6中的線VII1-VIII’的剖面圖。圖9是沿圖6中的線IX-1X’的剖面圖。圖10是沿圖7中的線X-X’的剖面圖。為便于解釋，在每個像素區(qū)域Pl和P2中界定TFT Tr的開關(guān)區(qū)域TrA。
[0082]在根據(jù)一實施方式的用于窄邊框型IXD裝置101的陣列基板110中，彼此間隔第一距離的第一柵極線113a和第二柵極線113b對(圖4)可以以大于第一距離的第二距離形成在基板上。柵極線113可由一種或多種低電阻金屬材料形成。例如，柵極線113可由鋁(Al)、鋁合金(例如AINd)、銅(Cu)、銅合金、鑰(Mo)和/或鑰合金(例如MoTi)中的至少一個形成。
[0083]在每個開關(guān)區(qū)域TrA中，可形成與第一柵極線113a或第二柵極線113b連接的柵極電極114。例如，如圖6中所示，第一像素區(qū)域PI中的柵極電極114可從第二柵極線113b延伸，第二像素區(qū)域P2中的柵極電極114可從第一柵極線113a延伸。
[0084]在第三非顯示區(qū)域NA3中，多條輔助線170的下層170a可由與柵極線113相同的材料形成且與柵極線113形成在同一層?？蛇x擇地，輔助線170的下層170a可形成在第四非顯示區(qū)域NA4中。下層170a可布置成彼此間隔預(yù)定距離。
[0085]在柵極線113、柵極電極114和輔助線170的下層170a上可形成柵極絕緣層120。柵極絕緣層120可由無機絕緣材料(例如氧化硅和/或氮化硅)形成。
[0086]柵極絕緣層120可包括暴露第一和第二柵極線113a、113b的柵極接觸孔“gch”和暴露輔助線170的下層170a的第一輔助接觸孔“chi”?？蓪?yīng)于輔助線170的一個下層170a形成兩個或更多個第一輔助接觸孔“chi”。
[0087]在柵極絕緣層120上可形成對應(yīng)于柵極電極114的半導(dǎo)體層123。例如，半導(dǎo)體層123可包括本征非晶硅的有源層123a和摻雜雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層123b。此外，可在半導(dǎo)體層123上形成彼此間隔布置的源極電極133和漏極電極136。
[0088]TFT Tr可包括柵極電極114、柵極絕緣層120、半導(dǎo)體層123、源極電極133和漏極電極136。TFT Tr可為開關(guān)區(qū)域TrA中的開關(guān)元件。源極電極133可與數(shù)據(jù)線130 (圖5)連接。因此，TFT Tr可與柵極線113和數(shù)據(jù)線130電連接。
[0089]圖8顯示了包括本征非晶硅的有源層123a和摻雜雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層123b的半導(dǎo)體層123的一個例子。可選擇地，半導(dǎo)體層可包括單層多晶硅半導(dǎo)體層或單層氧化物半導(dǎo)體層，例如氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化錫鋅(ZTO)和/或氧化銦鋅(ΖΙ0)。
[0090]可在柵極絕緣層120上形成可由低電阻金屬材料形成的數(shù)據(jù)線130，以與第一和第二柵極線113a、113b交叉。例如，數(shù)據(jù)線130可由A1、A1合金、Cu、Cu合金、Mo和/或Mo合金中的至少一個形成。此外，柵極輔助線138和公共線139可由與數(shù)據(jù)線130相同或相似的材料形成并與數(shù)據(jù)線130形成在同一層。柵極輔助線138和公共線139可以選擇性地位于相鄰的數(shù)據(jù)線130之間。
[0091]在第三非顯示區(qū)域NA3中，可在柵極絕緣層120上形成對應(yīng)于下層170a的上層170b。例如，上層170b可具有大致與下層170a相同的平面形狀。
[0092]上層170b可通過柵極絕緣層120中的第一輔助接觸孔“chi”與下層170a連接。結(jié)果，雙層結(jié)構(gòu)的輔助線170可包括下層170a和上層170b。
[0093]可選擇地，如圖11中所示，輔助線270可具有三層結(jié)構(gòu)。在該示例結(jié)構(gòu)中，可在上層270b上形成鈍化層140，鈍化層140可包括暴露上層270b的第二輔助接觸孔“ch2”。在鈍化層140上可形成另一層270c作為第三層，該另一層270c可通過鈍化層140中的第二輔助接觸孔“ch2”與上層270b連接。結(jié)果，輔助線270可具有下層270a、上層270b和另一層270c的三層結(jié)構(gòu)。在該情形中，另一層270c由與顯示區(qū)域DA中的像素電極153相同的材料形成并與像素電極153形成在同一層，并且另一層270c具有大致與下層和上層270a、270b相同的平面形狀。
[0094]輔助線170 (或270)可具有雙層或三層結(jié)構(gòu)。然而，因為輔助線170的層可由與柵極線113、數(shù)據(jù)線130和像素電極153相同的材料形成并與它們形成在同一層，所以可以不需要額外的工藝。
[0095]通過這些結(jié)構(gòu)，可通過減小輔助線170的寬度且保持輔助線170的電阻，使第三非顯示區(qū)域NA3的寬度最小化。當(dāng)減小輔助線170的寬度以減小第三非顯示區(qū)域NA3的寬度時，可增加輔助線170的電阻。然而，在一實施方式中，因為輔助線170可具有雙層結(jié)構(gòu)或三層結(jié)構(gòu)，所以即使輔助線170的寬度減小，輔助線170的電阻也可以不增加。
[0096]另一方面，顯示區(qū)域DA中的柵極輔助線138通過柵極絕緣層120中的柵極接觸孔“gch”與柵極線113 —對一接觸。
[0097]在TFT Tr上可形成鈍化層140、數(shù)據(jù)線130、公共線139、柵極輔助線138和輔助線170，鈍化層140可由無機絕緣材料(例如氧化硅和/或氮化硅)或有機絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯(BCB)和/或光學(xué)壓克力(photo-acryl))形成。鈍化層140可包括暴露漏極電極136的漏極接觸孔145和暴露公共線139的公共接觸孔(未示出)。此外，如圖11中所示，當(dāng)輔助線170具有三層結(jié)構(gòu)時，鈍化層140可包括暴露上層270b的第二輔助接觸孔“ch2”。
[0098]在鈍化層140上，可在第一和第二像素區(qū)域P1、P2的每一個中單獨地形成像素電極153，像素電極153可由透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))形成。像素電極153可通過鈍化層140中的漏極接觸孔145與漏極電極136連接。
[0099]此外，如圖11中所示，當(dāng)在非顯示區(qū)域NA3中的輔助線具有三層結(jié)構(gòu)時，可在鈍化層140上形成可通過第二輔助接觸孔“ch2”與上層270b連接的另一層270c。
[0100]在用于邊緣電場開關(guān)模式IXD裝置的陣列基板中，可在像素電極153上方形成公共電極(未示出)，該公共電極可由透明導(dǎo)電材料例如ITO和/或IZO形成，并且在像素電極153與該公共電極之間夾有絕緣層。在一個例子中，鈍化層140中的公共接觸孔(未示出)可延伸進(jìn)絕緣層中以暴露公共線139，公共電極可通過公共接觸孔與公共線139連接。公共電極可包括多個第一開口和對應(yīng)于TFT Tr的第二開口，該多個第一開口與像素電極產(chǎn)生邊緣電場。
[0101]如上面參照圖3到11所述，在根據(jù)一實施方式的陣列基板中，F(xiàn)PC163或柵極驅(qū)動IC173可安裝在第二非顯示區(qū)域NA處(例如，不安裝在第三或第四非顯示區(qū)域NA3、NA4處)，因此第三或第四非顯示區(qū)域M3、NA4在顯示區(qū)域DA的水平方向上的寬度可被最小化。結(jié)果，陣列基板可具有窄邊框的優(yōu)點。
[0102]此外，盡管在第三非顯示區(qū)域NA3處可形成輔助線170以用于電連接第一非顯示區(qū)域NAl處的數(shù)據(jù)驅(qū)動IC172與第二非顯示區(qū)域NA2處的柵極驅(qū)動IC173，但輔助線170可具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)具有絕緣層，從而使得輔助線170占據(jù)的面積可被最小化。因此，邊框的寬度可進(jìn)一步變窄。
[0103]此外，盡管與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，本發(fā)明的陣列基板進(jìn)一步包括柵極輔助線138，但所述陣列基板中的數(shù)據(jù)線的數(shù)量可減少，從而對開口率沒有不利影響。
[0104]在上面的雙倍速率驅(qū)動型陣列基板中，柵極輔助線可與數(shù)據(jù)線設(shè)置在同一層上。然而，柵極輔助線可設(shè)置在與柵極線不同的層中。將參照圖12到16描述這些結(jié)構(gòu)。
[0105]圖12是顯示根據(jù)一實施方式的用于IXD裝置的陣列基板的一部分的平面圖。圖13是根據(jù)一實施方式的用于LCD裝置的陣列基板的非顯示區(qū)域的剖面圖。
[0106]如圖12和13中所示，用于窄邊框型IXD裝置的陣列基板可包括多條柵極輔助線(GAL) 203，所述多條柵極輔助線203可由一種或多種低電阻金屬材料形成并可沿顯示區(qū)域DA的第一方向彼此間隔布置。例如，低電阻金屬材料可包括Al,Al合金,Cu,Cu合金,Mo和/或Mo合金。盡管圖12示例顯示了七條柵極線GALl — GAL7，但本發(fā)明并不限于此。
[0107]此外，在非顯示區(qū)域NA的第三或第四非顯示區(qū)域NA3、NA4中可形成輔助線238的第一層(未示出)。第一層可由與柵極輔助線203相同的材料形成并與柵極輔助線203形成在同一層上。
[0108]在柵極輔助線203和第一層上，可在基板的整個表面上方形成絕緣材料的緩沖層(未示出)。
[0109]在緩沖層上，可沿與柵極輔助線203交叉的第二方向形成多條柵極線(GL)206，所述多條柵極線206可由一種或多種低電阻金屬材料形成。例如，低電阻金屬材料可包括Al,Al合金，Cu，Cu合金，Mo和/或Mo合金。此外，在緩沖層上可形成輔助線238的第二層(未示出)，該第二層可由與柵極線206相同的材料形成。第二層可對應(yīng)于第一層并可具有與第一層大致相同的平面形狀。此外，第二層可與第一層重疊。
[0110]可形成穿過緩沖層的柵極接觸孔“gch”，并且柵極接觸孔“gch”對應(yīng)于柵極輔助線203和柵極線206的交叉部分。結(jié)果，柵極線206可通過柵極接觸孔“gch”與柵極輔助線203接觸。此外，可形成穿過緩沖層并暴露第一層的至少一個第一輔助接觸孔“chi”。第二層可通過第一輔助接觸孔“chi”與第一層接觸。
[0111]在一個例子中，一條柵極線206可與一條柵極輔助線203接觸。換句話說，柵極線206可通過柵極接觸孔“ gch ”與柵極輔助線203在它們的交叉部分處一對一接觸。
[0112]例如，第一柵極線GLl可與第一柵極輔助線GALl接觸，第η柵極線GLn可與第η柵極輔助線GALn接觸。
[0113]數(shù)據(jù)線數(shù)量可為柵極線數(shù)量的三倍，水平像素區(qū)域的數(shù)量可大于垂直像素區(qū)域的數(shù)量。結(jié)果，柵極輔助線的數(shù)量可大于或等于柵極線的數(shù)量。
[0114]例如，對于接觸位置沒有限制，只要每條柵極線206與至少一條柵極輔助線203接觸即可。與一條柵極線206接觸的柵極輔助線203可以不與其他柵極線206接觸。
[0115]在緩沖層上，在像素區(qū)域P的開關(guān)區(qū)域(未示出)中可形成與柵極線206連接的柵極電極207。
[0116]在第二層、柵極線206和柵極電極207上可形成柵極絕緣層(未示出)。柵極絕緣層可包括暴露第三或第四非顯示區(qū)域ΝΑ3、ΝΑ4中的輔助線238的第二層的至少一個第二輔助接觸孔“ch2”。圖13顯示了其中第一和第二輔助接觸孔“chi”和“ch2”重疊的例子。然而，第一和第二輔助接觸孔“chi”和“ch2”可彼此間隔布置。
[0117]在柵極絕緣層上，可形成可由一種或多種低電阻金屬材料形成的多條數(shù)據(jù)線(DL)230。低電阻金屬材料可包括Al，Al合金，Cu，Cu合金，Mo和/或Mo合金。數(shù)據(jù)線230與柵極線206交叉并與柵極輔助線203重疊。由柵極線206和數(shù)據(jù)線230包圍的區(qū)域被界定為像素區(qū)域“P”。盡管圖12示例顯示了七條數(shù)據(jù)線DLl —DL7，但本發(fā)明并不限于此。
[0118]此外，在柵極絕緣層上，可對應(yīng)于輔助線238的第二層形成輔助線238的第三層，第三層可由與數(shù)據(jù)線230相同的材料形成。第三層可通過柵極絕緣層中的第二輔助接觸孔“ch2”與第二層接觸。
[0119]在柵極絕緣層上可形成對應(yīng)于柵極電極207的半導(dǎo)體層(未示出)。在半導(dǎo)體層上可形成源極電極233和漏極電極236，源極電極233和漏極電極236可彼此間隔布置。源極電極233可與數(shù)據(jù)線230連接。
[0120]作為開關(guān)元件的TFT Tr可包括柵極電極207、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源極電極233和漏極電極236。
[0121]在TFT Tr、數(shù)據(jù)線230和輔助線238的第三層上可形成第一鈍化層(未示出)，第一鈍化層可由無機絕緣材料例如氧化硅和/或氮化硅形成。此外，可在第一鈍化層上形成第二鈍化層(未示出)。第二鈍化層可由具有平坦頂面的有機絕緣材料(例如光學(xué)壓克力)形成。
[0122]在第二鈍化層上可形成公共電極(未示出)，公共電極可具有板形且可包括用于暴露TFT Tr的第一開口。公共電極可由透明導(dǎo)電材料例如ITO和/或IZO形成。
[0123]在公共電極上可形成第三鈍化層(未示出)，第三鈍化層可包括無機絕緣材料例如氧化硅和/或氮化硅。第三鈍化層、第二鈍化層和第一鈍化層可包括暴露TFT Tr的漏極電極236的漏極接觸孔265。
[0124]在第三鈍化層上可形成像素電極270，像素電極270可包括透明導(dǎo)電材料例如ITO和/或ΙΖ0。像素電極270可通過漏極接觸孔265與漏極電極236連接。像素電極270可包括至少一個具有條(bar)形的第二開口“op2”。結(jié)果，像素電極270和公共電極可產(chǎn)生邊緣電場。
[0125]例如，陣列基板可用于邊緣電場開關(guān)模式LCD裝置。然而，并不限于此。例如，可在第一鈍化層上形成像素電極，而沒有公共電極、第二鈍化層和第三鈍化層?？蛇x擇地，可在第一鈍化層上形成彼此交替布置的像素電極和公共電極，而沒有第二和第三鈍化層。
[0126]圖14是沿圖12中的線XIV-XIV’的剖面圖。圖15是沿圖12中的線XV-XV’的剖面圖。圖16是沿圖13中的線XV1-XVI’的剖面圖。
[0127]參照圖12到16，柵極輔助線203可在基板200上沿第一方向形成。柵極輔助線203可形成在顯示區(qū)域DA中。每條柵極輔助線203的一端可延伸到第二非顯示區(qū)域NA2中，從而可在柵極輔助線203的該端處形成柵極焊盤電極(未示出)。
[0128]此外，在第三或第四非顯示區(qū)域NA3、NA4中，可在基板200上形成輔助線238的第一層204。第一層204可由與柵極輔助線203相同的材料形成。
[0129]柵極輔助線203和第一層204中的每一個可由一種或多種低電阻金屬材料形成(例如Al，Al合金，Cu，Cu合金，Mo和/或Mo合金)，以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。圖14到16顯示了單層結(jié)構(gòu)的柵極輔助線203和第一層204。
[0130]在柵極輔助線203、柵極焊盤電極和第一層上，可在基板200的整個表面上方形成諸如氧化硅或氮化硅這樣的無機絕緣材料的緩沖層205。在顯示區(qū)域DA中可形成穿過緩沖層205的多個柵極接觸孔“gch”，以暴露柵極輔助線203。柵極接觸孔“gch”可形成在柵極輔助線203與柵極線206之間的交叉部分中。對應(yīng)于每條柵極輔助線203可具有一個各自的柵極接觸孔“gch”。如果在一條柵極輔助線203中有多個柵極接觸孔，則會產(chǎn)生柵極線間的電短路問題。
[0131]此外，在非顯示區(qū)域NA中可形成穿過緩沖層205的至少一個第一輔助接觸孔“chl”，以暴露輔助線238的第一層204。對應(yīng)于每個第一層204可形成一個或多個第一輔助接觸孔“chi”。
[0132]在緩沖層205上，可彼此間隔地形成柵極線206。柵極線206可由一種或多種低電阻金屬材料形成。例如，低電阻金屬材料包括Al, Al合金，Cu, Cu合金，Mo和/或Mo合金。柵極線206可沿與第一方向垂直的第二方向延伸，以與柵極輔助線203交叉。柵極線206可通過緩沖層205中的柵極接觸孔“gch”與柵極輔助線203接觸。
[0133]此外，在緩沖層205上可由與柵極線206相同的材料形成輔助線238的第二層209。第二層209可對應(yīng)于第一層204并可具有大致與第一層204相同的平面形狀。此外，第二層209與第一層204重疊。第二層209可通過緩沖層205中的第一輔助接觸孔“chl”與第一層204接觸。
[0134]此外，可在緩沖層205上和開關(guān)區(qū)域TrA中形成柵極電極207。柵極電極207可與柵極線206連接。
[0135]在柵極線206、柵極電極207和輔助線238的第二層209上可形成柵極絕緣層213?？纱┻^柵極絕緣層213而形成至少一個第二輔助接觸孔“ch2”，以暴露第二層209。
[0136]在柵極絕緣層213上可形成數(shù)據(jù)線230，數(shù)據(jù)線230可包括一種或多種低電阻金屬材料。低電阻金屬材料包括Al, Al合金,Cu, Cu合金,Mo和/或Mo合金。數(shù)據(jù)線230可與柵極線206交叉并與柵極輔助線203重疊。在第一非顯示區(qū)域NAl中在每條數(shù)據(jù)線230的一端處可形成數(shù)據(jù)焊盤電極(未示出)。
[0137]此外，在柵極絕緣層213上，可對應(yīng)于輔助線238的第二層209而形成輔助線238的第三層237。第三層237可由與數(shù)據(jù)線230相同的材料形成。第三層237可通過柵極絕緣層213中的第二輔助接觸孔“ch2”與第二層209接觸。第三層237可與第二層209重疊。結(jié)果，輔助線238可包括第一到第三層204、209和237、緩沖層205和柵極絕緣層213。
[0138]在開關(guān)區(qū)域TrA中，在柵極絕緣層213上可形成對應(yīng)于柵極電極207的半導(dǎo)體層220。
[0139]在半導(dǎo)體層220上，源極電極233和漏極電極236可形成為彼此間隔布置。源極電極233可與數(shù)據(jù)線230連接。
[0140]作為開關(guān)元件的TFT Tr可包括柵極電極207、柵極絕緣層213、半導(dǎo)體層220、源極電極233和漏極電極236。
[0141]圖14顯示了半導(dǎo)體層220的例子，半導(dǎo)體層220包括本征非晶硅的有源層220a和摻雜雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層220b?？蛇x擇地，半導(dǎo)體層可具有由氧化物半導(dǎo)體材料(例如IGZO，ZTO和/或ΖΙ0)形成的氧化物半導(dǎo)體層的單層結(jié)構(gòu)。
[0142]在TFT Tr、數(shù)據(jù)線230和輔助線238的第三層237上可形成第一鈍化層240。第一鈍化層240可包括無機絕緣材料，例如氧化硅和/或氮化硅。此外，在第一鈍化層240上可形成第二鈍化層250，第二鈍化層250可包括具有平坦頂面的有機絕緣材料，例如光學(xué)壓克力。
[0143]在第二鈍化層250上可形成公共電極260。公共電極260可由透明導(dǎo)電材料例如ITO和/或IZO形成。公共電極260可覆蓋顯示區(qū)域DA的整個表面，但可包括第一開口“opI”以暴露開關(guān)區(qū)域TrA中的TFT Tr0
[0144]在公共電極260上可形成第三鈍化層263。第三鈍化層263可由無機絕緣材料例如氧化硅和/或氮化硅形成。
[0145]第三鈍化層263、第二鈍化層250和第一鈍化層240可包括漏極接觸孔265以暴露TFT Tr的漏極電極236。
[0146]在第三鈍化層263上可形成像素電極270。像素電極270可由透明導(dǎo)電材料例如ITO和/或IZO形成。像素電極270可通過漏極接觸孔265與漏極電極236連接。像素電極270可包括具有條形的至少一個第二開口“op2”。結(jié)果，像素電極270和公共電極可產(chǎn)生邊緣電場。具有上面結(jié)構(gòu)的陣列基板可用于邊緣電場開關(guān)模式LCD裝置。然而，根據(jù)LCD裝置的模式，可對像素電極270和公共電極260進(jìn)行各種修改。
[0147]例如，可在第一鈍化層上形成像素電極，而沒有公共電極、第二鈍化層和第三鈍化層?？蛇x擇地，可在第一鈍化層上形成可彼此交替布置的像素電極和公共電極，而沒有第二和第三鈍化層。
[0148]在上面的陣列基板中，柵極輔助線203可設(shè)置成與數(shù)據(jù)線230重疊，從而不會產(chǎn)生由于柵極輔助線203導(dǎo)致的開口率降低。因此，陣列基板的開口率可被最大化。
[0149]另一方面，在將包括濾色器層的濾色器基板貼附到陣列基板(在二者之間具有液晶層)之后，可在第一和第二非顯示區(qū)域中安裝驅(qū)動1C，或者可通過FPC安裝PCB。結(jié)果，可獲得根據(jù)一實施方式的窄邊框型LCD裝置。
[0150]應(yīng)當(dāng)理解，頂側(cè)、底側(cè)、左側(cè)和右側(cè)的非顯示區(qū)域構(gòu)造可互換。例如，顯示區(qū)域的頂偵_底側(cè)可被最小化，或者四側(cè)中的任意側(cè)可被最小化?？墒褂闷渌麕缀闻帕校景l(fā)明并不限于四邊形。
[0151]盡管參照多個示例性的實施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員能設(shè)計出多個其他修改例和實施方式，這落在本發(fā)明的原理的范圍內(nèi)。例如，在說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在組成部件和/或主題組合構(gòu)造的配置中可進(jìn)行各種變化和修改。除了組成部件和/或配置中的變化和修改之外，可選擇的使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說也將是顯而易見的。
【權(quán)利要求】
1.一種用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板，包括: 在基板上的多條柵極線，所述基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域的各個側(cè)邊處的第一到第四非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中界定有多個像素區(qū)域； 在所述柵極線上的柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上的多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉； 與所述數(shù)據(jù)線平行并與各條柵極線連接的多條柵極輔助線； 在第三非顯示區(qū)域中的輔助線，所述輔助線包括在所述柵極絕緣層下面的第一層和在所述柵極絕緣層上的第二層，所述第一層通過所述柵極絕緣層中的第一輔助接觸孔與所述第二層接觸； 在每個像素區(qū)域中并與所述柵極和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和 在每個像素區(qū)域中并與所述薄膜晶體管連接的像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中: 所述數(shù)據(jù)線的一端延伸到所述第一非顯示區(qū)域中，在所述數(shù)據(jù)線的所述一端處具有數(shù)據(jù)焊盤電極；且 所述柵極輔助線的一端延伸到與所述第一非顯示區(qū)域相對的第二非顯示區(qū)域中，在所述柵極輔助線的所述一端處具有柵極焊盤電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極輔助線位于與所述數(shù)據(jù)線相同的層上并設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括: 鈍化層，所述鈍化層配置成覆蓋所述薄膜晶體管并包括接觸孔，所述接觸孔暴露所述薄膜晶體管的電極， 其中所述像素電極位于所述鈍化層上并通過所述接觸孔與所述薄膜晶體管的所述電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其中: 所述鈍化層進(jìn)一步包括暴露所述第二層的第二輔助接觸孔； 所述輔助線進(jìn)一步包括在所述鈍化層上的第三層；且 所述第三層通過所述第二輔助接觸孔與所述第二層接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其中所述第一層、第二層和第三層包括分別與所述柵極線、所述數(shù)據(jù)線和所述像素電極相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中: 所述像素區(qū)域包括沿所述柵極線延伸的方向彼此相鄰的第一和第二像素區(qū)域； 所述柵極線包括: 沿所述第一和第二像素區(qū)域的上側(cè)的第一柵極線；和 沿所述第一和第二像素區(qū)域的下側(cè)的第二柵極線； 所述數(shù)據(jù)線包括第一和第二數(shù)據(jù)線，從而使得所述第一和第二像素區(qū)域位于所述第一和第二數(shù)據(jù)線之間； 一條柵極輔助線被設(shè)置在所述第一和第二像素區(qū)域之間的邊界處；且所述一條柵極輔助線通過所述柵極絕緣層中的柵極接觸孔與所述第一和第二柵極線之一接觸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括: 在所述柵極絕緣層上且與所述數(shù)據(jù)線平行的公共線， 其中所述柵極輔助線和所述公共線選擇性地設(shè)置在相鄰兩個像素區(qū)域之間的邊界處以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述柵極輔助線的數(shù)量大于或等于所述柵極線的數(shù)量，從而使一條柵極線與至少一條柵極輔助線連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中: 在所述第一非顯示區(qū)域中，數(shù)據(jù)驅(qū)動IC與所述數(shù)據(jù)線的一端連接；且在與所述第一非顯示區(qū)域相對的第二非顯示區(qū)域中，柵極驅(qū)動IC與所述柵極輔助線的一端連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括: 在所述基板與所述柵極線之間的緩沖層， 其中所述柵極輔助線設(shè)置在所述基板與所述緩沖層之間，且 其中所述柵極線通過所述緩沖層中的柵極接觸孔與所述柵極輔助線連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中所述柵極輔助線與所述數(shù)據(jù)線重疊。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中: 所述輔助線進(jìn)一步包括在所述緩沖層下面的第三層；且 所述第三層通過所述緩沖層的第二輔助接觸孔與所述第一層接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，進(jìn)一步包括: 公共電極；和 在所述像素電極與所述公共電極之間的絕緣層， 其中，所述像素電極和所述公共電極中位于上面的一個包括至少一個開口。
15.一種制造用于窄邊框型液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括: 在基板上設(shè)置多條柵極線，所述基板包括顯示區(qū)域和位于所述顯示區(qū)域的各個側(cè)邊處的第一到第四非顯示區(qū)域，在所述顯示區(qū)域中界定有多個像素區(qū)域； 在所述柵極線上設(shè)置柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上設(shè)置多條數(shù)據(jù)線，所述數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉； 設(shè)置與所述數(shù)據(jù)線平行并與各條柵極線連接的多條柵極輔助線； 在所述第三非顯示區(qū)域中設(shè)置輔助線，所述輔助線包括在所述柵極絕緣層下面的第一層和在所述柵極絕緣層上的第二層，所述第一層通過所述柵極絕緣層中的第一輔助接觸孔與所述第二層接觸； 在每個像素區(qū)域中設(shè)置與所述柵極線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管；和 在每個像素區(qū)域中設(shè)置與所述薄膜晶體管連接的像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中: 所述數(shù)據(jù)線的一端延伸到所述第一非顯示區(qū)域中，在所述數(shù)據(jù)線的所述一端處具有數(shù)據(jù)焊盤電極；且 所述柵極輔助線的一端延伸到與所述第一非顯示區(qū)域相對的第二非顯示區(qū)域中，在所述柵極輔助線的所述一端處設(shè)置柵極焊盤電極。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述柵極輔助線設(shè)置在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上并設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括: 設(shè)置鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述薄膜晶體管并包括暴露所述薄膜晶體管的電極的接觸孔， 其中，所述像素電極設(shè)置在所述鈍化層上并通過所述接觸孔與所述薄膜晶體管的所述電極連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中: 設(shè)置所述鈍化層進(jìn)一步包括設(shè)置暴露所述第二層的第二輔助接觸孔； 設(shè)置所述輔助線進(jìn)一步包括在所述鈍化層上設(shè)置第三層；且 所述第三層通過所述第二輔助接觸孔與所述第二層接觸。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括: 在所述柵極絕緣層上設(shè)置與所述數(shù)據(jù)線平行的公共線， 其中，所述柵極輔助線和所述公共線選擇性地設(shè)置在相鄰兩個像素區(qū)域之間的邊界處以及相鄰兩條數(shù)據(jù)線之間。
【文檔編號】G02F1/1368GK104133331SQ201310689591
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2013年12月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月30日
【發(fā)明者】申東秀, 李敏職, 李秉炫, 韓叡瑟, 李姝娟 申請人:樂金顯示有限公司