像素陣列的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種像素陣列，包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、第一有源元件、第二有源元件、第一像素電極以及第二像素電極。第一有源元件與第二有源元件分別與對應(yīng)的其中一條掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電性連接。第一像素電極通過一接觸開口與第一有源元件電性連接。第二像素電極通過所述接觸開口與第二有源元件電性連接。本發(fā)明在相同的工藝能力下可以提供較高的解析度并維持良好的開口率。
【專利說明】像素陣列
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種像素陣列，尤其涉及一種用于薄膜晶體管液晶顯示器(thin-film-transistor liquid-crystal display, TFT-LCD)面板的像素陣列。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來隨著平面顯示技術(shù)的成熟，薄膜晶體管液晶顯示器基于其低消耗功率、高畫質(zhì)、空間利用效率佳、無輻射、重量輕以及體積小等優(yōu)點(diǎn)而成為近年來顯示器產(chǎn)品的主流。在薄膜晶體管液晶顯示器的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，由于漏極所處的膜層與像素電極之間存在許多介電層(例如絕緣層、平坦層等)，因此通常會在像素陣列中設(shè)計接觸開口(contacthole)，使漏極與像素電極之間電性導(dǎo)通而讓像素信號可順利地由漏極傳至像素電極。
[0003]然而，此TFT-1XD的結(jié)構(gòu)設(shè)計會因?yàn)楣に嚈C(jī)臺、工廠工藝能力等因素而影響接觸開口的設(shè)計原則(design rule),進(jìn)而影響開口率(aperture ratio)的大小。尤其當(dāng)工藝能力有限而無法縮小接觸開口時，隨著產(chǎn)品往高解析度提升，接觸開口的配置將影響顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的開口率。有鑒于此，TFT-1XD結(jié)構(gòu)中的像素陣列設(shè)計仍具有改良的空間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種像素陣列，在相同的工藝能力下可以提供較高的解析度并維持良好的開口率。
[0005]本發(fā)明提供一種像素陣列包括多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、第一有源元件、第二有源元件、第一像素電極以及第二像素電極。第一有源元件與第二有源元件分別與對應(yīng)的其中一條掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電性連接。第一像素電極通過一接觸開口與第一有源元件電性連接。第二像素電極通過該接觸開口與第二有源元件電性連接。
[0006]基于上述，在本發(fā)明的像素陣列中，相鄰的像素電極通過同一個接觸開口與對應(yīng)的有源元件電性連接。通過這種共用接觸開口的電性連接方式，在維持相同工藝能力的前提下，可以設(shè)計出具有較高解析度(pixel per inch, PPI)的顯示器產(chǎn)品，并可以降低接觸開口的面積對像素陣列基板的開口率的影響。
[0007]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0009]圖1B是圖1A的像素陣列的等效電路圖。
[0010]圖1C是圖1A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。
[0011]圖2A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0012]圖2B是圖2A的像素陣列的等效電路圖。
[0013]圖2C是圖2A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。[0014]圖3A是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0015]圖3B是圖3A的像素陣列的等效電路圖。
[0016]圖3C是圖3A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。
[0017]圖4A是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0018]圖4B是圖4A的像素陣列的等效電路圖。
[0019]圖4C是圖4A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。
[0020]圖5A是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0021]圖5B是圖5A的像素陣列的等效電路圖。
[0022]圖5C是圖5A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。
[0023]圖6A是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0024]圖6B是圖6A的像素陣列的等效電路圖。
[0025]圖6C是圖6A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。
[0026]圖7是依照本發(fā)明的第七實(shí)施例的像素陣列俯視圖。
[0027]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0028]100,200,300,400,500,600,700:像素陣列基板
[0029]110:基板
[0030]130:絕緣層
[0031]171、172、173、174、175:像素結(jié)構(gòu)
[0032]CH1、CH2、CH3、CH4、CH5:通道層
[0033]Cst:存儲電容器
[0034]D1、D2、D3、D4、D5:漏極
[0035]DLUDL2:數(shù)據(jù)線
[0036]G1、G2、G3、G4、G5:柵極
[0037]PI1、PI2、PI3、PI4、PI5:像素電極
[0038]S1、S2、S3、S4、S5:源極
[0039]SL1、SL2、SL3:掃描線
[0040]ST1、ST2、ST3、ST4:間隙
[0041]T1、T2、T3、T4、T5:有源元件
[0042]W:接觸開口
【具體實(shí)施方式】
[0043]圖1A是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖1B是圖1A的像素陣列的等效電路圖。圖1C是圖1A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖1Α、圖1B與圖1C，像素陣列基板100包括基板110、多條掃描線SLl與SL2、絕緣層130、多條數(shù)據(jù)線DLl (為了清楚說明，圖中僅繪示一條)、覆蓋層150以及多個像素結(jié)構(gòu)171與172。為了清楚說明，圖1Α、圖1B與圖1C中僅繪示出其中兩個在Y方向上相鄰的像素結(jié)構(gòu)171與172，然本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解像素陣列基板100中實(shí)際上包括多個像素結(jié)構(gòu)，且像素結(jié)構(gòu)排列成陣列。
[0044]基板110的材質(zhì)可以是玻璃、石英或是塑膠，基板110主要是用以承載上述元件。[0045]掃描線SLl與SL2配置于基板110上，而絕緣層130覆蓋掃描線SLl與SL2。數(shù)據(jù)線DLl與DL2配置于絕緣層130上并且數(shù)據(jù)線DLl與DL2的延伸方向與掃描線SLl與SL2的延伸方向不相同。覆蓋層150覆蓋數(shù)據(jù)線DLl以及DL2。
[0046]像素結(jié)構(gòu)171包括有源元件Tl以及與有源元件Tl電性連接的像素電極PI1，同樣地，像素結(jié)構(gòu)172包括有源元件T2以及與有源元件T2電性連接的像素電極PI2。有源元件Tl由對應(yīng)的掃描線SLl驅(qū)動并連接于對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLl。有源元件T2由對應(yīng)的掃描線SL2驅(qū)動并與有源元件Tl連接于同一條數(shù)據(jù)線DL1。請參照圖1B，像素結(jié)構(gòu)171與172還可包括存儲電容器Cstl、Cst2。詳細(xì)而言，本實(shí)施例的有源元件Tl包括柵極G1、通道層CH1、源極SI以及漏極D1。在本實(shí)施例中，柵極G1、掃描線SL1、源極SI以及漏極Dl的材料可以是金屬，例如鋁(Al)、鎢(W)、鑰(Mo)、鉭(Ta)、鉻(Cr)等金屬或其合金。柵極Gl與掃描線SLl是由同一膜層所形成，源極S1、漏極Dl以及數(shù)據(jù)線DLl則是由同一膜層所形成，掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DLl由不同膜層所形成。柵極Gl與掃描線SLl可以在同一道光掩模工藝中制作，同樣地，源極S1、漏極Dl以及數(shù)據(jù)線DLl也可以在同一道光掩模工藝中制作。前述的絕緣層130介于這兩個膜層之間。存儲電容器Cstl的一端與有源元件Tl電性連接，且另一端電性連接至共用電壓Vcom。存儲電容器Cst2的一端與有源元件T2電性連接，且另一端電性連接至共用電壓Vcom。
[0047]覆蓋層150覆蓋數(shù)據(jù)線DLl與DL2以及有源元件Tl與T2，且覆蓋層150具有接觸開口 W。應(yīng)注意，在本實(shí)施例中，接觸開口 W與掃描線SLl以及SL2重疊，然本發(fā)明并未限定接觸開口 W的大小，接觸開口 W也可以不與掃描線SLl以及SL2重疊。本實(shí)施例中，絕緣層130與覆蓋層150的材料可以是無機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)、有機(jī)材料或是由包含多種絕緣材料的堆疊層制作而成。
[0048]像素電極PIl位于覆蓋層150上并且通過接觸開口 W接觸漏極Dl，像素電極PI2位于覆蓋層150上并且通過接觸開口 W接觸漏極D2，像素電極PIl、PI2于接觸開口 W內(nèi)未彼此接觸。像素電極PI1、PI2的材料可以是透明導(dǎo)電材料，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物或招鋅氧化物(aluminum zone oxide, ΑΖ0)。詳細(xì)而言,將掃描線SLl與SL2配置在相對于像素電極PIl或PI2的同一側(cè)，便可拉近掃描線SLl與SL2在Y方向上的距離，從而使得相鄰的像素電極PIl與PI2可通過單一接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件Tl的漏極Dl以及有源元件T2的漏極D2電性連接。相較于公知的像素陣列結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例的像素陣列使用較少數(shù)量的接觸開口 W，進(jìn)而可提升開口率。
[0049]詳細(xì)而言，請參照圖1C，接觸開口 W暴露出有源元件Tl的漏極Dl以及有源元件T2的漏極D2。請再參照圖1C，像素電極PII與像素電極PI2分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PIl與像素電極PI2之間具有間隙ST1，且像素電極PIl與像素電極PI2通過間隙STl彼此電性隔離。間隙STl的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。在本實(shí)施例中，通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，可以使具有本實(shí)施例的像素陣列基板100的顯示器產(chǎn)品具有較高的解析度(PPI)，并可以降低接觸開口 W的面積對像素陣列基板100的開口率的影響。
[0050]圖2A是依照本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖2B是圖2A的像素陣列的等效電路圖。圖2C是圖2A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖2A、圖2B與圖2C，像素陣列基板200與像素陣列基板100實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述，兩者的主要差異如下。在第二實(shí)施例中，有源元件T2與有源元件T4是由同一條掃描線SL2驅(qū)動，并分別與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLl以及DL2電性連接。換言之，有源元件T4與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL2電性連接，有源元件T4包括柵極G4、源極S4、漏極D4以及通道層CH4，且像素電極PI4與有源元件T4電性連接，且有源元件T4與電容器Cst4電性連接。另外，在本實(shí)施例中，接觸開口 W與數(shù)據(jù)線DLl以及DL2重疊，然本發(fā)明并未限定接觸開口 W的大小。詳細(xì)而言，將數(shù)據(jù)線DLl與DL2配置在對應(yīng)于像素電極PI2或PI4的同一側(cè)，便可拉近數(shù)據(jù)線DLl與DL2在X方向上的距離，從而使得相鄰的像素電極PI2與PI4可通過相同的接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件T2的漏極D2以及有源元件T4的漏極D4電性連接。
[0051]詳細(xì)而言，請參照圖2C，接觸開口 W暴露出有源元件T2的漏極D2、有源元件T4的漏極D4以及數(shù)據(jù)線DLl與DL2。請再參照圖2C，像素電極PI2與像素電極PI4分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PI2與像素電極PI4之間具有間隙ST2，且數(shù)據(jù)線DLl與DL2的一部分位于間隙ST2中，其中，像素電極PI2與像素電極PI4通過間隙ST2彼此電性隔離。間隙ST2的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。同樣地，通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，可以使具有本實(shí)施例的像素陣列基板200的顯示器產(chǎn)品具有較高的解析度(PPI)，并可以降低接觸開口 W的面積對像素陣列基板200的開口率的影響。
[0052]圖3A是依照本發(fā)明的第三實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖3B是圖3A的像素陣列的等效電路圖。圖3C是圖3A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖3A、圖3B與圖3C，像素陣列基板300與像素陣列基板100實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述，兩者的主要差異如下。在第三實(shí)施例中，有源元件T2與有源元件T4是由同一條掃描線SL2驅(qū)動，并分別與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLl以及DL2電性連接。換言之，有源元件T4與掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL2電性連接，有源元件T4包括柵極G4、源極S4、漏極D4以及通道層CH4，且像素電極PI4與有源元件T4電性連接，且有源元件T4與電容器Cst4電性連接。值得一提的是，相對于像素陣列基板200而言，本實(shí)施例的像素陣列基板300的接觸開口 W未與數(shù)據(jù)線DLl以及DL2重疊。類似地，相鄰的像素電極PI2與PI4可通過相同的接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件T2的漏極D2以及有源元件T4的漏極D4電性連接。
[0053]詳細(xì)而言，請參照圖3C，接觸開口 W暴露出有源元件T2的漏極D2以及有源元件T4的漏極D4。請再參照圖3C，像素電極PI2與像素電極PI4分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PI2與像素電極PI4之間具有間隙ST2，且像素電極PI2與像素電極PI4通過間隙ST2彼此電性隔離。間隙ST2的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。同樣地，通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，可以使具有本實(shí)施例的像素陣列基板300的顯示器產(chǎn)品具有較高的解析度(PPI)，并可以降低接觸開口 W的面積對像素陣列基板300的開口率的影響。
[0054]圖4A是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖4B是圖4A的像素陣列的等效電路圖。圖4C是圖4A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖4A、圖4B與圖4C，像素陣列基板400與像素陣列基板100實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述，兩者的主要差異如下。在第四實(shí)施例中，相鄰的四個像素結(jié)構(gòu)171、172、173與174彼此共用接觸開口 W。詳細(xì)而言，有源元件Tl與T2分別由掃描線SLl與SL2驅(qū)動，并與同一條數(shù)據(jù)線DLl電性連接；有源元件T3與T4分別由掃描線SLl與SL2驅(qū)動，并與同一條數(shù)據(jù)線DL2電性連接。換言之，有源元件Tl與T3是由同一條掃描線SLl驅(qū)動，并分別與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLl以及DL2電性連接；且有源元件T2與T4由同一條掃描線SL2驅(qū)動，并分別與數(shù)據(jù)線DLl與DL2電性連接。另外，有源元件T3與掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DL2電性連接，有源元件T3包括柵極G3、源極S3、漏極D3以及通道層CH3，且像素電極PI3與有源元件T3電性連接，且有源元件T3與電容器Cst3電性連接。將數(shù)據(jù)線DLl與DL2配置在相對于像素電極PIl或PI3的同一側(cè)，將掃描線SLl與SL2配置在相對于像素電極PIl或PI2的同一側(cè)，拉近數(shù)據(jù)線DLl與DL2在X方向上的距離并拉近掃描線SLl與SL2在Y方向上的距離，從而使得相鄰的像素電極PI1、PI2、PI3與PI4可通過單一接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件Tl的漏極D1、有源元件T2的漏極D2、有源元件T3的漏極D3以及有源元件T4的漏極D4電性連接。
[0055]另外，在本實(shí)施例中，接觸開口 W與數(shù)據(jù)線DLl與DL2重疊，如圖4C所示，接觸開口 W暴露出有源元件Tl的漏極Dl、有源元件T2的漏極D2、有源元件T3的漏極D3、有源元件T4的漏極D4以及數(shù)據(jù)線DLl與DL2，然本發(fā)明并未限定接觸開口 W的大小。請再參照圖4A及圖4C，像素電極PI1、PI2、PI3與PI4分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PIl與像素電極PI2之間具有間隙ST1，像素電極PI2與像素電極PI4之間具有間隙ST2，且像素電極PI3與像素電極PI4之間具有間隙ST3，而數(shù)據(jù)線DLl與DL2的一部分位于間隙ST2中。其中，像素電極PI1、PI2通過間隙STl彼此電性隔離，像素電極PI2、PI4通過間隙ST2彼此電性隔離，且像素電極PI3、PI4通過間隙ST3彼此電性隔離。間隙ST1、ST2與ST3的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，在維持相同工藝能力的前提下，能將具有本實(shí)施例的像素陣列基板400的顯示器產(chǎn)品(例如手機(jī)、平板顯示器、電視或筆記本電腦)的解析度由315ppi提升至335ppi。
[0056]圖5A是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖5B是圖5A的像素陣列的等效電路圖。圖5C是圖5A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖5A、圖5B與圖5C，像素陣列基板500與像素陣列基板100實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述，兩者的主要差異如下。在第五實(shí)施例中，相鄰的四個像素結(jié)構(gòu)171、172、173與174彼此共用接觸開口 W。詳細(xì)而言，有源元件Tl與T2分別由掃描線SLl與SL2驅(qū)動，并與同一條數(shù)據(jù)線DLl電性連接；有源元件T3與T4分別由掃描線SLl與SL2驅(qū)動，并與同一條數(shù)據(jù)線DL2電性連接。換言之，有源元件Tl與T3是由同一條掃描線SLl驅(qū)動，并分別與對應(yīng)的數(shù)據(jù)線DLl以及DL2電性連接；且有源元件T2與T4分別由同一條掃描線SL2驅(qū)動，并分別與數(shù)據(jù)線DLl與DL2電性連接。另外，有源元件T3與掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DL2電性連接，有源元件T3包括柵極G3、源極S3、漏極D3以及通道層CH3，且像素電極PI3與有源元件T3電性連接，且有源元件T3與電容器Cst3電性連接。將掃描線SLl與SL2配置在相對于像素電極PIl或PI2的同一側(cè)，拉近掃描線SLl與SL2在Y方向上的距離，從而使得相鄰的像素電極PU、PI2、PI3與PI4可通過相同的接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件Tl的漏極Dl、有源元件T2的漏極D2、有源元件T3的漏極D3以及有源元件T4的漏極D4電性連接。
[0057]值的一提的是，相對于像素陣列基板400而言，本實(shí)施例的像素陣列基板500的接觸開口 W未與數(shù)據(jù)線DLl以及DL2重疊。如圖5C所示，接觸開口 W暴露出有源元件Tl的漏極D1、有源元件T2的漏極D2、有源元件T3的漏極D3以及有源元件T4的漏極D4，然本發(fā)明并未限定接觸開口 W的大小。請再參照圖5A及圖5C，像素電極PI1、PI2、PI3與PI4分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PII與像素電極PI2之間具有間隙ST1，像素電極PI2與像素電極PI4之間具有間隙ST2，且像素電極PI3與像素電極PI4之間具有間隙ST3。其中，像素電極PI1、PI2通過間隙STl彼此電性隔離，像素電極PI2、PI4通過間隙ST2彼此電性隔離，且像素電極PI3、PI4通過間隙ST3彼此電性隔離。間隙ST1、ST2與ST3的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，在維持相同工藝能力的前提下，能將具有本實(shí)施例的像素陣列基板500的顯示器產(chǎn)品(例如手機(jī)、平板顯示器、電視或筆記本電腦)的解析度由315ppi提升至335ppi。
[0058]圖6A是依照本發(fā)明的第六實(shí)施例的像素陣列俯視圖。圖6B是圖6A的像素陣列的等效電路圖。圖6C是圖6A的像素陣列基板沿線段1-1’的局部剖面圖。請同時參照圖6A、圖6B與圖6C，像素陣列基板600與像素陣列基板100實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述。本發(fā)明的第六實(shí)施例與上述三個實(shí)施例較為不同，其主要差異如下。在本實(shí)施例中，相鄰的三個像素結(jié)構(gòu)173、174與175彼此共用接觸開口 W，而在X方向與Y方向上相鄰的有源元件T3、T4與T5與同一條數(shù)據(jù)線DL2電性連接，并分別由掃描線SLl、SL2以及SL3驅(qū)動。有源元件T5包括柵極G5、源極S5、漏極D5以及通道層CH5，且像素電極PI5與有源元件T5電性連接，且有源元件T5與電容器Cst5電性連接。將掃描線SL1、SL2與SL3配置在對應(yīng)于像素電極PI3或PI4的同一側(cè)，拉近掃描線SL1、SL2與SL3在Y方向上的距離，從而使得相鄰的像素電極PI3、PI4與PI5可通過相同的接觸開口 W分別與對應(yīng)的有源元件T3的漏極D3、有源元件T4的漏極D4以及有源元件T5的漏極D5電性連接。值得一提的是，本實(shí)施例的像素陣列基板600的接觸開口 W為矩形，但本發(fā)明不限于此，接觸開口 W的形狀可視需求而做適當(dāng)?shù)淖兏?，例如為L形。
[0059]詳細(xì)而言，請參照圖6C，接觸開口 W與數(shù)據(jù)線DL2重疊，接觸開口 W暴露出有源元件T3的漏極D3、有源元件T4的漏極D4以及有源元件T5的漏極D5以及數(shù)據(jù)線DL2。請再參照圖6A及圖6C，像素電極PI3、PI4與PI5分別覆蓋接觸開口 W的側(cè)表面的一部分。于接觸開口 W內(nèi)，像素電極PI3與像素電極PI4之間具有間隙ST3，且像素電極PI4與像素電極P15之間具有間隙ST4，而數(shù)據(jù)線DL2的一部分位于間隙ST4中。其中，像素電極P13、P14通過間隙ST3彼此電性隔離，且像素電極PI4、PI5通過間隙ST4彼此電性隔離。間隙ST3與ST4的寬度可為2微米至20微米，較佳為2微米至10微米，且更佳為2微米至8微米。同樣地，通過這種共用接觸開口 W的電性連接方式，可以使具有本實(shí)施例的像素陣列基板600的顯示器產(chǎn)品具有較高的解析度(PPI)，并可以降低接觸開口 W的面積對像素陣列基板600的開口率的影響。
[0060]圖7是依照本發(fā)明的第七實(shí)施例的像素陣列俯視圖。像素陣列基板700與像素陣列基板600實(shí)質(zhì)上相似，因此相同元件以相同符號表示且不再贅述。此外，像素陣列基板700與像素陣列基板600的唯一差異在于像素電極PI3、PI4與PI5所共用的接觸開口 W的形狀。在像素陣列基板700中，共用的接觸開口 W為L形。同樣地，通過這種共用接觸開口W的電性連接方式，可以使具有本實(shí)施例的像素陣列基板700的顯示器產(chǎn)品具有較高的解析度(PPI)，并可以降低接觸開口 W的面積對像素陣列基板700的開口率的影響。
[0061]綜上所述，在本發(fā)明的像素陣列中，可通過將相鄰的像素電極所對應(yīng)的掃描線或數(shù)據(jù)線或兩者配置于同一側(cè)，拉近掃描線或數(shù)據(jù)線彼此的距離，從而使相鄰的像素電極通過相同的接觸開口分別與對應(yīng)的有源元件電性連接。通過這種共用接觸開口的電性連接方式，在維持相同工藝能力的前提下，可以設(shè)計出具有較高解析度(PPI)的顯示器產(chǎn)品，并可以降低接觸開口的面積對像素陣列基板的開口率的影響。本發(fā)明的像素陣列可應(yīng)用于液晶顯示器，例如是扭曲向列型液晶顯示器、垂直排列型液晶顯示器、聚合物穩(wěn)定配向型液晶顯示器、邊緣場開關(guān)型液晶顯示器或橫向電場效應(yīng)型液晶顯示器等，亦可應(yīng)用于電激發(fā)光型顯示器，例如是有機(jī)發(fā)光二極體顯示器等，然本發(fā)明不限于此，任何需要搭配像素陣列使用的顯示器均可采用本發(fā)明的各實(shí)施例所揭示的像素陣列。
[0062]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素陣列，包括: 多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線； 一第一有源元件以及一第二有源元件，分別與對應(yīng)的其中一條掃描線以及其中一條數(shù)據(jù)線電性連接； 一第一像素電極，通過一接觸開口與該第一有源元件電性連接；以及 一第二像素電極，通過該接觸開口與該第二有源元件電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，還包括一覆蓋層，且該接觸開口形成在該覆蓋層中，以使該第一像素電極以及該第二像素電極通過該接觸開口分別與該第一有源元件以及該第二有源元件電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該第一有源元件以及該第二有源元件分別與不相同的兩條掃描線電性連接，且該第一有源元件以及該第二有源元件與同一條數(shù)據(jù)線電性連接。
4.如權(quán)利要求3所述的像素陣列，其中該接觸開口為單一開口，且該接觸開口與所述兩條掃描線重疊。
5.如權(quán)利要求3所述的像素陣列，其中于該接觸開口內(nèi)，該第一像素電極與該第二像素電極之間具有一間隙，其中該間隙的寬度為2微米至10微米。
6.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該第一有源元件以及該第二有源元件分別與同一條掃描線電性連接，且該第一有源元件以及該第二有源元件分別與不相同的兩條數(shù)據(jù)線電性連接。
7.如權(quán)利要求6所述的像素陣列，其中該接觸開口未與所述兩條數(shù)據(jù)線重疊。
8.如權(quán)利要求6所述的像素陣列，其中該接觸開口與所述兩條數(shù)據(jù)線重疊。
9.如權(quán)利要求6所述的像素陣列，其中于該接觸開口內(nèi)，該第一像素電極與該第二像素電極之間具有一間隙，其中該間隙的寬度為2微米至10微米。
10.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，還包括: 一第三有源元件，與對應(yīng)的其中一條掃描線以及對應(yīng)的其中一條數(shù)據(jù)線電性連接；以及 一第三像素電極，通過該接觸開口與該第三有源元件電性連接。
11.如權(quán)利要求10所述的像素陣列，其中: 該第一有源元件、該第二有源元件以及第三有源元件分別與不相同的三條掃描線電性連接，且該第一有源元件、該第二有源元件以及第三有源元件與同一條數(shù)據(jù)線電性連接。
12.如權(quán)利要求10所述的像素陣列，還包括: 一第四有源元件，與對應(yīng)的其中一條掃描線以及對應(yīng)的其中一條數(shù)據(jù)線電性連接；以及 一第四像素電極，通過該接觸開口與該第四有源元件電性連接。
13.如權(quán)利要求12所述的像素陣列，其中: 該第一有源元件以及該第二有源元件分別與不相同的兩條掃描線電性連接，且該第一有源元件以及該第二有源元件與同一條數(shù)據(jù)線電性連接； 該第三有源元件以及該第四有源元件分別與不相同的兩條掃描線電性連接，且該第三有源元件以及該第四有源元件與同一條數(shù)據(jù)線電性連接；該第一有源元件以及該第三有源元件分別與同一條掃描線電性連接，且該第一有源元件以及該第三有源元件分別與不相同的兩條數(shù)據(jù)線電性連接；且 該第二有源元件以及該第四有源元件分別與同一條掃描線電性連接，且該第一有源元件以及該第三有源元件分別與不相同的兩條數(shù)據(jù)線電性連接。
14.如權(quán)利要求10所述的像素陣列，其中該接觸開口為矩形或L形。
【文檔編號】G02F1/1343GK103616785SQ201310706041
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月8日
【發(fā)明者】鄭和宜, 黃馨諄, 鄭景升 申請人:友達(dá)光電股份有限公司