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      掩膜板的制作方法

      文檔序號(hào):2706125閱讀:376來(lái)源:國(guó)知局
      掩膜板的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,公開(kāi)了一種掩膜板,包括掩膜面及與所述掩膜面相對(duì)的非掩膜面,其特征在于,所述非掩膜面為由四周至中心凹陷的曲面。本實(shí)用新型通過(guò)在掩膜板制作程序中,對(duì)掩膜板的非掩膜面進(jìn)行研磨,使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向內(nèi)凹陷呈曲面,以達(dá)到對(duì)自重導(dǎo)致的彎曲進(jìn)行補(bǔ)償,使掩膜面接近于平面,從而達(dá)到曝光后的光刻膠圖形關(guān)鍵尺寸值在整體區(qū)域精細(xì)化、均勻化的效果。
      【專利說(shuō)明】掩膜板
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種掩膜板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在大尺寸薄膜晶體管液晶顯示領(lǐng)域中常用接近式曝光機(jī)結(jié)合掩膜板對(duì)圖層進(jìn)行曝光構(gòu)圖,現(xiàn)有的掩膜板如圖1所示,掩膜板的掩膜面和非掩膜面都是平面,在掩膜面上制作與待曝光區(qū)域相應(yīng)的圖形。由于掩膜板尺寸以及厚度較大,導(dǎo)致掩膜板自身重量增加。在接近式曝光中,以6代線為例,掩膜板大小850mmX 1200mmX 10mm,重22.5kg,掩膜板與待曝光基板的間距(Gap)較小(IOOum?300um),如圖2所示,由于支撐件I在掩膜板2 (S為掩膜面)邊緣,掩膜板2由于自重發(fā)生彎曲,掩膜板2周邊到待曝光基板的間距與掩膜板2中心到待曝光基板的間距差別最大至80um。由于間距的不等造成在待曝光基板上形成的光刻膠圖形的關(guān)鍵尺寸(即線寬)的不穩(wěn)定,導(dǎo)致在待曝光基板上形成的柱狀物的高度不一致,即形成的柱狀物高度呈中間高四周低的分布趨勢(shì),同時(shí)掩膜板2的中心區(qū)域離待曝光基板太近,容易被待曝光基板上的微小顆粒劃傷的可能性也會(huì)增大。
      [0003]近年提出的負(fù)壓式補(bǔ)正方式以及掩膜板的支撐件傾斜向上設(shè)置(支撐件與掩膜板連接的面傾斜向上設(shè)置,相當(dāng)于抬高并水平拉伸掩膜板)的補(bǔ)正方式可以解決由于掩膜板自身重量產(chǎn)生的彎曲。這兩種方式均可以在一定程度上對(duì)彎曲程度進(jìn)行一定的補(bǔ)正,但補(bǔ)正力度還存在不足,對(duì)掩膜板自身重量產(chǎn)生的彎曲不能完全補(bǔ)正,如圖3所示,根據(jù)掩膜板2的受力示意圖,支撐件I與掩膜板2連接的面傾斜向上設(shè)置,支撐件I對(duì)掩膜板2的拉力f可分解為豎直和水平方向上的兩個(gè)力fl和f2,相當(dāng)于抬高并水平拉伸掩膜板2,減輕了掩膜板2向下彎曲的程度。補(bǔ)正后周邊到待曝光基板的間距與掩膜板2中心到待曝光基板的間距仍然有30um的差距。
      [0004]通常掩膜板在制作時(shí)對(duì)表面進(jìn)行平坦式研磨,然后再進(jìn)行鉻膜的濺射。但這種掩膜板在大尺寸接近式曝光機(jī)中使用時(shí)存在以上弊端,如由于掩膜板自身重量發(fā)生彎曲,使得掩膜板與待曝光基板的圖面間距不等導(dǎo)致形成的光刻膠圖形出現(xiàn)扭曲,對(duì)關(guān)鍵尺寸精細(xì)化以及均勻化造成區(qū)域性影響。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0005](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
      [0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是:如何有效補(bǔ)償掩膜板在用于曝光時(shí)由于重力導(dǎo)致的彎曲。
      [0007](二)技術(shù)方案
      [0008]為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供了一種掩膜板,包括掩膜面及與所述掩膜面相對(duì)的非掩膜面,所述非掩膜面為由四周至中心凹陷的曲面。
      [0009]其中,所述非掩膜面關(guān)于經(jīng)過(guò)所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直線中心對(duì)稱。[0010]其中,所述曲面的中心深度不超過(guò)所述掩膜板邊緣厚度的15%。。
      [0011]其中,所述掩膜板的邊緣厚度為7?15mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200?1400mm,掩膜板寬度為850?1220mm,掩膜板重量為15?60kg,所述曲面凹陷深度為70?90 μ m。
      [0012]其中,所述掩膜板的邊緣厚度為10mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200mm,掩膜板寬度為850mm,掩膜板重量為22.5kg,所述曲面凹陷深度為80 μ m。
      [0013](三)有益效果
      [0014]本實(shí)用新型通過(guò)在掩膜板制作程序中,對(duì)掩膜板的非掩膜面進(jìn)行研磨,使得掩膜板的非掩膜面由四周向中心向內(nèi)凹陷呈曲面,以達(dá)到對(duì)自重導(dǎo)致的彎曲進(jìn)行補(bǔ)償,使掩膜面接近于平面,從而達(dá)到曝光后的光刻膠圖形關(guān)鍵尺寸值在整體區(qū)域精細(xì)化、均勻化的效
      果O
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種掩膜板示意圖;
      [0016]圖2是在接近式曝光過(guò)程中現(xiàn)有的掩膜板由于自重向下彎曲的示意圖;
      [0017]圖3是對(duì)圖2的曝光過(guò)程中對(duì)彎曲進(jìn)行補(bǔ)償后的示意圖;
      [0018]圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例的一種掩膜板示意圖;
      [0019]圖5是圖4中掩膜板在曝光過(guò)程中對(duì)彎曲進(jìn)行補(bǔ)償后的示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本實(shí)用新型,但不用來(lái)限制本實(shí)用新型的范圍。
      [0021]實(shí)施例1
      [0022]本實(shí)施例掩膜板如圖4所示,所述掩膜板具有掩膜面S及與掩膜面S相對(duì)的非掩膜面S',其中非掩膜面S'為由四周至中心向內(nèi)凹陷呈曲面。由于越向中心,掩膜板越薄,掩膜板的自重也相對(duì)減輕。
      [0023]如圖5所示,在掩膜板用于曝光時(shí)(在曝光時(shí),通常掩膜板的掩膜面S朝下)由于自重減輕,掩膜面S向下彎曲的程度也相對(duì)減輕,掩膜面S趨近于水平的平面,從而達(dá)到曝光后的光刻膠圖形的關(guān)鍵尺寸值在整體區(qū)域精細(xì)化、均勻化的效果。
      [0024]進(jìn)一步地,呈曲面的非掩膜面S ’關(guān)于經(jīng)過(guò)掩膜面S中心且垂直于該面S的直線中心對(duì)稱,即該曲面為中心對(duì)稱曲面,這樣掩膜面會(huì)形成更接近于水平面的平面,且表面也更平整,從而使得曝光后的光刻膠圖形的關(guān)鍵尺寸值在整體區(qū)域更加精細(xì)化、均勻化。
      [0025]由于非掩膜面由四周至中心向內(nèi)凹陷呈曲面,整個(gè)掩膜板呈凹透鏡形狀,會(huì)導(dǎo)致透過(guò)掩膜板的光發(fā)散。因此,曲面中心深度最好不超過(guò)掩膜板邊緣厚度的15%。,光透過(guò)掩膜板后,光的發(fā)散程度很小,使得透過(guò)掩膜板的光線對(duì)曝光后的光刻膠圖形關(guān)鍵尺寸值的影響忽略不計(jì)。
      [0026]其中,所述掩膜板的邊緣厚度為7?15mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200?1400mm,掩膜板寬度為850?1220mm,掩膜板重量為15?60kg,曲面凹陷深度為70?90 μ m。凹陷深度為微米數(shù)量級(jí),邊緣厚度為毫米數(shù)量級(jí),因此光透過(guò)掩膜板的發(fā)散現(xiàn)象不明顯,從而不會(huì)影響曝光后的光刻膠圖形關(guān)鍵尺寸。[0027]實(shí)際運(yùn)用中發(fā)現(xiàn)當(dāng)掩膜板的邊緣厚度為10mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200mm,掩膜板寬度為850mm,掩膜板重量為22.5kg,曲面凹陷深度為80 μ m時(shí),掩膜板的掩膜面更接近于平面。
      [0028]以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型,而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制,有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇,本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
      【權(quán)利要求】
      1.一種掩膜板,包括掩膜面及與所述掩膜面相對(duì)的非掩膜面,其特征在于,所述非掩膜面為由四周至中心凹陷的曲面。
      2.如權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述非掩膜面關(guān)于經(jīng)過(guò)所述掩膜面中心且垂直于所述掩膜面的直線中心對(duì)稱。
      3.如權(quán)利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述曲面的中心深度不超過(guò)所述掩膜板邊緣厚度的15%。。
      4.如權(quán)利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的邊緣厚度為7?15mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200?1400mm,掩膜板寬度為850?1220mm,掩膜板重量為15?60kg,所述曲面凹陷深度為70?90 μ m。
      5.如權(quán)利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板的邊緣厚度為10mm,掩膜板長(zhǎng)度為1200mm,掩膜板寬度為850mm,掩膜板重量為22.5kg,所述曲面凹陷深度為80 μ m。
      【文檔編號(hào)】G03F1/20GK203444236SQ201320526670
      【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2013年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月27日
      【發(fā)明者】宋萍, 陸相晚 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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