一種陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，包括襯底和位于所述襯底上的公共電極層，還包括位于所述襯底表面的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層并聯(lián)連接。本實(shí)用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中公共電極的電阻大、導(dǎo)致的陣列基板的串?dāng)_和greenish等問題，不同于現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板采用單層透明導(dǎo)電薄膜的公共電極，本實(shí)用新型的技術(shù)方案增加了一層導(dǎo)電層，使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，以減少公共電極的電阻值，進(jìn)而減少陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提升了顯示裝置的畫面質(zhì)量。
【專利說明】—種陣列基板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimension Switch, ADS),其核心技術(shù)特性描述為:通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高薄膜晶體管液晶顯不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(PushMura)等優(yōu)點(diǎn)。針對不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0003]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中HADS模式液晶面板陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中液晶面板的陣列基板包括:襯底1、公共電極401、柵極402、柵極絕緣層403、半導(dǎo)體層404、第一鈍化層405、源極406a、漏極406b、第二鈍化層407、像素電極408，其中，在公共電極所處區(qū)域的周邊區(qū)域，將作為公共電極的透明導(dǎo)電薄膜通過過孔與陣列基板周邊的公共電極金屬線連接，從而達(dá)到為陣列基板傳輸電信號的作用。
[0004]但是現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)在于:
[0005]在HADS的模式下，采用透明導(dǎo)電薄膜的公共電極的電阻大約在幾百歐至幾千歐，透明導(dǎo)電薄膜的電阻率高于金屬的電阻率，因此導(dǎo)致公共電極的電阻較大，進(jìn)而容易導(dǎo)致陣列基板的串?dāng)_和發(fā)綠(greenish)等現(xiàn)象，影響顯示裝置的畫面品質(zhì)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中公共電極的電阻大、導(dǎo)致的陣列基板的串?dāng)_和greenish等問題，本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，為減少陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提升顯示裝置的畫面質(zhì)量提供了可行的技術(shù)方案。
[0007]本實(shí)用新型提供一種陣列基板，包括:
[0008]一種陣列基板，包括襯底和位于所述襯底上的公共電極層，其特征在于，還包括與所述公共電極層位于不同層的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層并聯(lián)連接。
[0009]進(jìn)一步，所述導(dǎo)電層位于所述襯底的表面，所述公共電極層與所述導(dǎo)電層位于不同層。
[0010]進(jìn)一步，所述陣列基板還包括:
[0011]位于所述導(dǎo)電層上方的絕緣層；
[0012]位于所述絕緣層上方的柵極；
[0013]位于所述柵極上方的柵絕緣層；
[0014]位于所述柵絕緣層上方的有源層；[0015]位于所述有源層上方的源極和漏極；
[0016]位于所述源極和漏極上方的第一鈍化層；
[0017]位于所述第一鈍化層上方的像素電極；
[0018]位于所述像素電極上方的第二鈍化層；
[0019]位于所述第二鈍化層上方的公共電極層；
[0020]其中，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層通過過孔連接。
[0021 ] 再進(jìn)一步，所述導(dǎo)電層通過公共電極金屬線與所述公共電極層連接。
[0022]其中，所述導(dǎo)電層在所述襯底上的投影區(qū)域與所述柵極在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊。
[0023]進(jìn)一步，所述陣列基板還包括位于襯底表面的柵極，位于柵極表面的柵絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述柵絕緣層表面，所述公共電極層與所述導(dǎo)電層位于不同層。
[0024]其中，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬或透明導(dǎo)電材料。
[0025]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括如上任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0026]本實(shí)用新型提供一種陣列基板及顯示裝置，解決了現(xiàn)有技術(shù)中公共電極的電阻大、導(dǎo)致的陣列基板的串?dāng)_和greenish等問題，不同于現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板采用單層透明導(dǎo)電薄膜的公共電極，本實(shí)用新型的技術(shù)方案增加了一層導(dǎo)電層，使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，以減少公共電極的電阻值，進(jìn)而減少陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提升了顯示裝置的畫面質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板詳細(xì)結(jié)構(gòu)俯視示意圖；
[0030]本實(shí)用新型說明書附圖的具體標(biāo)號如下:
[0031]1-襯底、2-導(dǎo)電層、3-絕緣層、401-公共電極層、402-柵極、403-柵絕緣層、404-半導(dǎo)體層、405-第一鈍化層、406a-源極、406b_漏極、407-第二鈍化層、408-像素電極、409-柵線、5-過孔、6-fan-out 引線區(qū)、7_FPC、8_Cell test、9-D_IC、10-G0A、11-公共電
極金屬線。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為了更好地理解本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。
[0033]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底和位于所述襯底上的公共電極層，其特征在于，還包括與所述公共電極層位于不同層的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層并聯(lián)連接。
[0034]其中，所述陣列基板包括位于襯底表面的柵極和位于柵極表面的柵絕緣層。所述導(dǎo)電層可以位于所述襯底的表面，或者，所述導(dǎo)電層位于柵絕緣層表面，所述公共電極層與所述導(dǎo)電層位于不同層。
[0035]需要說明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中，導(dǎo)電層的位置不限于襯底的表面，也可以位于柵絕緣層的上方，但是導(dǎo)電層位于柵絕緣層的上方會增加與其它電極的耦合電容，而導(dǎo)電層位于襯底的表面可以減小稱合電容。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，所述陣列基板包括襯底1、位于所述襯底I上的公共電極層401和位于所述襯底I表面的導(dǎo)電層2，所述導(dǎo)電層2與所述公共電極層401并聯(lián)連接。導(dǎo)電層2位于所述襯底I的表面是指與襯底I直接接觸。
[0037]其中，所述公共電極層401與所述導(dǎo)電層2通過過孔5連接，使所述公共電極層401與所述導(dǎo)電層2的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)?；蛘撸鰧?dǎo)電層2通過位于公共電極層周邊的公共電極金屬線與所述公共電極層401連接。
[0038]本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板，在襯底表面形成導(dǎo)電層，使陣列基板上的公共電極與所述導(dǎo)電層通過過孔連接，使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，可以達(dá)到減小公共電極電阻的作用，進(jìn)而減小陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提高顯示裝置的畫面品質(zhì)。
[0039]具體地，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬或者透明導(dǎo)電材料。導(dǎo)電層具體采用何種材料不作限定，只需要考慮是否能夠使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，從而減小公共電極的電阻值，但是如果采用金屬時，為了不影響開口率，可將導(dǎo)電層設(shè)置于非顯示區(qū)域。
[0040]具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板上設(shè)有柵極，且所述導(dǎo)電層在所述襯底上的投影區(qū)域與所述柵極在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊，用于減小導(dǎo)電層對柵極的影響，避免對薄膜晶體管性能的影響。
[0041]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2所示，所述陣列基板包括:
[0042]襯底I ;
[0043]導(dǎo)電層2，形成于所述襯底I上；
[0044]位于所述導(dǎo)電層上方的絕緣層3，所述絕緣層3用于使所述導(dǎo)電層2與所述陣列基板上其他層狀組件絕緣，避免導(dǎo)電層對陣列基板的其它電極產(chǎn)生干擾；
[0045]位于所述絕緣層3上方的柵極402 ；
[0046]位于所述柵極402上方的柵絕緣層403 ；
[0047]位于所述柵絕緣層403上方的半導(dǎo)體層404，即有源層；
[0048]位于所述半導(dǎo)體層404上方的源極406a和漏極406b ；
[0049]位于所述源極406a和漏極406b上方的第一鈍化層405 ；
[0050]位于所述第一鈍化層405上方的像素電極408 ；
[0051]位于所述像素電極408上方的第二鈍化層407 ；
[0052]位于所述第二鈍化層407上方的公共電極層401 ；
[0053]其中，所述導(dǎo)電層2與所述公共電極層401通過過孔連接。
[0054]過孔5，穿過所述絕緣層3、第一鈍化層405和第二鈍化層407 ；
[0055]其中，所述陣列基板包括公共電極401，所述公共電極401與所述導(dǎo)電層2通過過孔5連接，使所述公共電極401與所述導(dǎo)電層2的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)；且導(dǎo)電層2在所述襯底I上的投影區(qū)域與所述柵極402在所述襯底I上的投影區(qū)域不交疊。[0056]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板詳細(xì)結(jié)構(gòu)俯視示意圖，如圖3所示，在所述襯底I上形成有導(dǎo)電層2、柵線409，其中，導(dǎo)電層2在所述襯底I上的投影區(qū)域與所述柵線409在所述襯底I上的投影區(qū)域不交疊。此外，如圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例所述陣列基板在所述襯底I上還包括有:fan-out引線區(qū)6、FPC (柔性電路板)7、Cell test (液晶盒測試單元)8、D-1C (數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路)9、G0A (柵極驅(qū)動單元)10、位于公共電極層周邊的公共電極金屬線11。
[0057]所述導(dǎo)電層2在所述襯底上的投影區(qū)域與所述柵極在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊，由于該導(dǎo)電層2在像素區(qū)域內(nèi)與像素電極408交疊，所以形成了一個額外的像素電極與導(dǎo)電層的電容，可以增加存儲電容Cst的電容值。
[0058]本實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板。
[0059]本實(shí)用新型實(shí)施例所述顯示裝置，能夠減少陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提升了顯示裝置的畫面質(zhì)量。
[0060]對應(yīng)地，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0061]步驟S1、在襯底上形成導(dǎo)電層，并在所述導(dǎo)電層上方形成絕緣層；
[0062]步驟S2、
[0063]在所述絕緣層上方形成柵極；
[0064]所述柵極上方形成柵絕緣層；
[0065]所述柵絕緣層上方形成有源層；
[0066]所述有源層上方形成源極和漏極；
[0067]所述源極和漏極上方形成第一鈍化層；
[0068]所述第一鈍化層上方形成像素電極；
[0069]所述像素電極上方形成第二鈍化層；
[0070]所述第二鈍化層上方形成公共電極；
[0071 ] 其中，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層通過過孔連接。
[0072]通過所述過孔連接所述公共電極層與所述導(dǎo)電層，使所述公共電極層與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0073]可以在所述電路基板上預(yù)先形成導(dǎo)電層和絕緣層，然后在后續(xù)的陣列基板的制造工藝中，通過過孔將導(dǎo)電層與其周邊的公共電極金屬線連接起來，使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)，可以達(dá)到減小公共電極電阻的作用，進(jìn)而減小陣列基板的串?dāng)_和greenish等現(xiàn)象，提高顯示裝置的畫面品質(zhì)。具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例所述的陣列基板的制作方法，所述電路基板包括柵極，將所述導(dǎo)電層形成在所述襯底上，并使該導(dǎo)電層的投影區(qū)域與所述柵極在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊，從而減小柵線和公共電極的負(fù)載。
[0074]具體地，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法，所述方法采用HADS模式，在該模式下，所述制作方法包括:
[0075]步驟S1、在襯底I上沉積并制作出導(dǎo)電層的圖形，所述導(dǎo)電層采用透明導(dǎo)電薄膜制成；
[0076]在形成導(dǎo)電層的圖形時，可使導(dǎo)電層在所述襯底上的投影區(qū)域與陣列基板預(yù)先設(shè)計(jì)的柵線圖形在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊，并且使導(dǎo)電層在所述襯底上的投影區(qū)域與陣列基板預(yù)先設(shè)計(jì)的柵極圖形在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊；
[0077]步驟S2、在所述導(dǎo)電層上形成絕緣層；
[0078]步驟S3、在所述絕緣層上依次形成柵極、柵絕緣層、有源層、源漏極、第一鈍化層、像素電極、第二鈍化層和公共電極；
[0079]具體包括:
[0080]步驟S301、沉積并制作柵極金屬圖案；
[0081]步驟S302、沉積柵絕緣層；
[0082]步驟S303、沉積a-Si半導(dǎo)體層和源漏電極層,通過構(gòu)圖工藝形成有源層和源漏電極；
[0083]步驟S304、沉積第一鈍化層；在第一鈍化層上形成像素電極和第二鈍化層；
[0084]步驟S4、在第二鈍化層上通過構(gòu)圖工藝形成公共電極，并在所述陣列基板中的第二鈍化層、第一鈍化層和絕緣層中形成過孔；
[0085]通過所述過孔連接所述公共電極與所述導(dǎo)電層，使所述公共電極與所述導(dǎo)電層的等效電阻為并聯(lián)結(jié)構(gòu)。
[0086]本實(shí)施例中的透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電層也可以采用金屬層代替，但金屬層圖案只能在非顯示區(qū)域或者黑矩陣區(qū)域形成。
[0087]以上僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，當(dāng)然，本實(shí)用新型還可以有其他多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型做出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底和位于所述襯底上的公共電極層，其特征在于，還包括與所述公共電極層位于不同層的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層并聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層位于所述襯底的表面，所述公共電極層與所述導(dǎo)電層位于不同層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 位于所述導(dǎo)電層上方的絕緣層； 位于所述絕緣層上方的柵極； 位于所述柵極上方的柵絕緣層； 位于所述柵絕緣層上方的有源層； 位于所述有源層上方的源極和漏極； 位于所述源極和漏極上方的第一鈍化層； 位于所述第一鈍化層上方的像素電極； 位于所述像素電極上方的第二鈍化層； 位于所述第二鈍化層上方的公共電極層； 其中，所述導(dǎo)電層與所述公共電極層通過過孔連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層通過公共電極金屬線與所述公共電極層連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層在所述襯底上的投影區(qū)域與所述柵極在所述襯底上的投影區(qū)域不交疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于襯底表面的柵極，位于柵極表面的柵絕緣層，所述導(dǎo)電層位于所述柵絕緣層表面，所述公共電極層與所述導(dǎo)電層位于不同層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬或透明導(dǎo)電材料。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK203551921SQ201320582781
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月18日
【發(fā)明者】張?jiān)? 秦緯, 韓承佑, 馬若玉 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司