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      像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板的制作方法

      文檔序號(hào):2707298閱讀:129來源:國知局
      像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板。該像素結(jié)構(gòu)包括:柵線和數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元,所述像素單元包括:像素驅(qū)動(dòng)單元、公共電極和像素電極,所述像素驅(qū)動(dòng)單元與所述像素電極電連接,所述公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,所述像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,所述公共電極圖形和所述像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,所述公共電極圖形與相鄰的所述像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻,且能夠更好的抵消色畸變,增強(qiáng)色彩純度。
      【專利說明】像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯不面板
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】,特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板。
      【背景技術(shù)】
      [0002]液晶顯示面板(Liquid Crystal Display,簡稱:IXD)通過有選擇性地改變?cè)O(shè)置在上基板和下基板之間的液晶的透光性來顯示圖像。根據(jù)施加在液晶上電場(chǎng)的方向,液晶顯示面板可以大致分為垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示面板和水平電場(chǎng)施加型液晶顯示面板。
      [0003]通常,扭曲向列(Twisted Nematic,簡稱:TN)型液晶顯示面板為垂直電場(chǎng)施加型液晶顯示面板,TN型液晶顯示面板中,下基板上形成的像素電極和上基板上形成的公共電極之間產(chǎn)生垂直電場(chǎng)。TN型液晶顯示面板具有開口率大的優(yōu)點(diǎn),但是存在顯示圖像視角(=90° )過窄的缺陷。為了解決TN型液晶顯示面板顯示圖像視角過窄的缺陷,現(xiàn)有技術(shù)中提出了一種能夠擴(kuò)寬視角的平面轉(zhuǎn)換(in-plane switching,簡稱:IPS)型液晶顯示面板,該IPS型液晶顯不面板為水平電場(chǎng)施加型液晶顯不面板,IPS型液晶顯不面板中,在下基板上形成相互平行的像素電極和公共電極,像素電極和公共電極之間形成水平電場(chǎng)。IPS型液晶顯示面板中的像素結(jié)構(gòu)由單疇模式改進(jìn)為雙疇模式,目的是為了改善單疇模式在某些特定角度的灰階逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中IPS型陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖,如圖1所示,該像素結(jié)構(gòu)可包括:柵線I和數(shù)據(jù)線2,柵線I和數(shù)據(jù)線2限定像素單元3,像素單元3內(nèi)形成有薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱:TFT) 4、公共電極5和像素電極6。數(shù)據(jù)線2呈“人”字形設(shè)置,條狀的公共電極5和條狀的像素電極6相互間隔且平行設(shè)置,并呈“人”字形排列在像素單元3內(nèi)。條狀的公共電極5通過公共電極連接圖形7連接,條狀的像素電極6通過像素電極連接圖形8連接。如圖1所示,像素結(jié)構(gòu)工作時(shí),液晶分子(圖1中虛線所示)9初始取向近似平行于公共電極5和像素電極6。當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過數(shù)據(jù)線2輸入后,公共電極5和像素電極6之間形成一個(gè)水平電場(chǎng),該水平電場(chǎng)方向與液晶分子9初始取向方向形成一個(gè)大于45°的夾角,從而使初始的液晶分子9在同一平面內(nèi)沿著水平電場(chǎng)方向扭轉(zhuǎn)形成液晶分子(如圖1中實(shí)線所示)10。通過調(diào)整數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的大小,可以控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)程度,進(jìn)而可達(dá)到調(diào)制透過率的效果。
      [0004]但是,如圖1所示,當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過數(shù)據(jù)線2輸入后,液晶分子10的取向接近于水平方向,因此對(duì)于IPS型液晶顯示面板來說只能形成上下方向的寬視角,當(dāng)用戶從左右方向觀看該IPS型液晶顯示面板時(shí),會(huì)出現(xiàn)顏色不均勻的現(xiàn)象。同理,當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)電壓通過數(shù)據(jù)線輸入后,液晶分子的取向接近于垂直方向,對(duì)于IPS型液晶顯示面板來說只能形成左右方向的寬視角,當(dāng)用戶從上下方向觀看該IPS型液晶顯示面板時(shí),會(huì)出現(xiàn)顯示顏色不均勻的現(xiàn)象。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0005]本實(shí)用新型提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板,用于實(shí)現(xiàn)四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻。
      [0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種像素結(jié)構(gòu),包括:柵線和數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元,所述像素單元包括:像素驅(qū)動(dòng)單元、公共電極和像素電極,所述像素驅(qū)動(dòng)單元與所述像素電極電連接,所述公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,所述像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,所述公共電極圖形和所述像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,所述公共電極圖形與相鄰的所述像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。
      [0007]可選地,所述公共電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu),所述像素電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
      [0008]可選地,多個(gè)所述公共電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列,多個(gè)所述像素電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列。
      [0009]可選地,所述公共電極還包括:第一公共電極連接圖形和第二公共電極連接圖形,所述公共電極圖形之間通過所述第一公共電極連接圖形連接,相鄰像素單元內(nèi)的公共電極圖形之間通過所述第二公共電極圖形連接。
      [0010]可選地,所述像素電極還包括:像素電極連接圖形,所述像素電極圖形之間通過所述像素電極連接圖形連接。
      [0011]可選地,位于最外側(cè)且靠近所述柵線的所述像素電極圖形上設(shè)置有凸出部,所述凸出部與所述柵線之間的重疊部分形成存儲(chǔ)電容。
      [0012]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種陣列基板,包括:襯底基板和位于所述襯底基板上的上述像素結(jié)構(gòu)。
      [0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供了一種液晶顯示面板,包括:相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和上述陣列基板,所述彩膜基板和所述陣列基板之間設(shè)置有液晶分子。
      [0014]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
      [0015]本實(shí)用新型提供的像素結(jié)構(gòu)、陣列基板和液晶顯示面板的技術(shù)方案中,公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,公共電極圖形和像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,公共電極圖形與相鄰的像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng),采用上述像素結(jié)構(gòu)在液晶顯示面板的上、下、左、右四個(gè)方向液晶分子均會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),當(dāng)用戶觀看液晶顯示面板時(shí)可以從上、下、左、右四個(gè)方向觀看到顯示圖像,實(shí)現(xiàn)了四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻,且能夠更好的抵消色畸變,增強(qiáng)色彩純度。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中IPS型陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的示意圖;
      [0017]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0018]圖3為圖2中像素結(jié)構(gòu)的工作原理示意圖;
      [0019]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0020]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法、陣列基板和液晶顯示面板。進(jìn)行詳細(xì)描述。[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2所示,該像素結(jié)構(gòu)包括:柵線I和數(shù)據(jù)線2,柵線I和數(shù)據(jù)線2限定像素單元3,像素單元3包括:像素驅(qū)動(dòng)單元4、公共電極5和像素電極6,像素驅(qū)動(dòng)單元4與像素電極6電連接,公共電極5包括至少一個(gè)公共電極圖形,像素電極6包括至少一個(gè)像素電極圖形,公共電極圖形和像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,公共電極圖形與相鄰的像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。
      [0022]多個(gè)公共電極圖形之間可依次嵌套且間隔設(shè)置,本實(shí)施例中,優(yōu)選地,公共電極5包括二個(gè)公共電極圖形,該二個(gè)公共電極圖形包括:公共電極圖形51和公共電極圖形52,公共電極圖形51和公共電極圖形52依次嵌套且間隔設(shè)置。多個(gè)像素電極圖形之間依次嵌套且間隔設(shè)置,本實(shí)施例中,優(yōu)選地,像素電極6包括二個(gè)像素電極圖形,該二個(gè)像素電極圖形包括:像素電極圖形61和像素電極圖形62,像素電極圖形61和像素電極圖形62依次嵌套且間隔設(shè)置。本實(shí)施例中,公共電極圖形51位于中心位置,像素電極圖形61圍繞位于公共電極圖形51設(shè)置,公共電極圖形52圍繞像素電極圖形61設(shè)置,像素電極圖形62圍繞公共電極圖形52設(shè)置。
      [0023]公共電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu),像素電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。如圖2所示,公共電極圖形51和公共電極圖形52均為環(huán)狀結(jié)構(gòu),像素電極圖形61和像素電極圖形52均為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地,環(huán)狀結(jié)構(gòu)為方環(huán)結(jié)構(gòu)。
      [0024]多個(gè)公共電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列,多個(gè)像素電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列。本實(shí)施例中,由于公共電極圖形和像素電極圖形的數(shù)量均為二個(gè),因此如圖2所示,公共電極圖形51和公共電極圖形52以一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列,像素電極圖形61和像素電極圖形62以一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列。在實(shí)際應(yīng)用中,多個(gè)公共電極圖形還可以多個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列,多個(gè)像素電極圖形還可以多個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列。優(yōu)選地,公共電極圖形的數(shù)量與像素電極圖形的數(shù)量相同。則如圖2所示,公共電極圖形形成的“回”字形結(jié)構(gòu)的數(shù)量與像素電極圖形形成的“回”字形結(jié)構(gòu)的數(shù)量相同。本實(shí)施例中每個(gè)像素單元3中的公共電極5和像素電極6形成四疇結(jié)構(gòu)。
      [0025]特別地,當(dāng)公共電極圖形51的數(shù)量為一個(gè)且像素電極圖形61的數(shù)量為一個(gè)時(shí),一個(gè)公共電極圖形51和一個(gè)像素電極圖形61形成一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu),該公共電極圖形51和像素電極圖形61之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。
      [0026]可選地,公共電極5還包括:第一公共電極連接圖形53和第二公共電極連接圖形54,公共電極圖形之間通過第一公共電極連接圖形53連接,相鄰像素單元3內(nèi)的公共電極圖形之間通過第二公共電極圖形54連接。如圖2所示,公共電極圖形51和公共電極圖形52通過第一公共電極連接圖形53連接,從而使得多個(gè)公共電極圖形連接成一個(gè)整體圖形。第一公共電極連接圖形53設(shè)置于公共電極圖形的一側(cè)(圖中所示的右側(cè)),第二公共電極連接圖形54設(shè)置于公共電極圖形的另一側(cè)(圖中所示的左側(cè)),且公共電極圖形51、公共電極圖形52、第一公共電極連接圖形53和第二公共電極圖形54 —體成型。
      [0027]可選地,像素電極6還包括:像素電極連接圖形63,像素電極圖形之間通過像素電極連接圖形63連接。如圖2所示,像素電極圖形61和像素電極圖形62通過像素電極連接圖形63連接,從而使得多個(gè)像素電極圖形連接成一個(gè)整體圖形。像素電極連接圖形63設(shè)置于像素電極圖形的一側(cè)(圖中所示的下側(cè)),且像素電極圖形61、像素電極圖形62和像素電極連接圖形63—體成型。像素電極連接圖形63的數(shù)量可以為一個(gè)或者多個(gè),優(yōu)選地,像素電極連接圖形63的數(shù)量為一個(gè),設(shè)置一個(gè)像素電極連接圖形63可以有效降低信號(hào)串?dāng)_。
      [0028]可選地,位于最外側(cè)且靠近柵線I的像素電極圖形62上設(shè)置有凸出部64,凸出部64與柵線I之間的重疊部分形成存儲(chǔ)電容,存儲(chǔ)電容可以為像素電極6提供充足的電壓。優(yōu)選地,凸出部64與像素電極圖形62 —體成型。
      [0029]本實(shí)施例中,柵線I和數(shù)據(jù)線2正交設(shè)置。柵線I的形狀為直線形,數(shù)據(jù)線2的形狀為直線形,且柵線I和數(shù)據(jù)線2之間相互絕緣。
      [0030]本實(shí)施例中,公共電極5位于像素電極6的下方。可選地,公共電極還可以位于像素電極的上方,此種情況未具體畫出。
      [0031]本實(shí)施例中的像素結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于IPS型液晶顯示面板或者超高維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimension Switch,簡稱:ADS)型液晶顯示面板。當(dāng)像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于IPS型液晶顯示面板時(shí),電場(chǎng)為水平電場(chǎng);當(dāng)像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于ADS型液晶顯示面板時(shí),電場(chǎng)為多維電場(chǎng)。
      [0032]像素驅(qū)動(dòng)單元4可以為TFT,該TFT位于像素單元3的四個(gè)角中的任意一個(gè)角上,本實(shí)施例中,例如:TFT位于右下角。將TFT設(shè)置于像素單元3的四個(gè)角中的任意一個(gè)角上,均不會(huì)影響TFT本身的作用以及整個(gè)像素單元3的結(jié)構(gòu)。該TFT包括:柵極、有源層、源極和漏極,其中,柵極和柵線I連接,源極與數(shù)據(jù)線2連接,漏極和像素電極6通過過孔電連接。則像素結(jié)構(gòu)中各層結(jié)構(gòu)之間的一種位置關(guān)系可以為:柵極和柵線同層設(shè)置;柵極和柵線上方形成柵絕緣層;公共電極位于柵絕緣層上;公共電極上方形成公共電極絕緣層;有源層位于柵極上方的公共電極絕緣層上;數(shù)據(jù)線、源極和漏極同層設(shè)置,源極和漏極位于有源層上;數(shù)據(jù)線、源極和漏極上方形成有鈍化層,漏極上方的鈍化層上形成有過孔;像素電極位于鈍化層上,且通過過孔與漏極連接。上述像素結(jié)構(gòu)中各層結(jié)構(gòu)之間的位置關(guān)系僅為一種示例,在實(shí)際應(yīng)用中像素結(jié)構(gòu)中的各層結(jié)構(gòu)之間還可以采用其它位置關(guān)系,例如:公共電極可以與柵極和柵線同層設(shè)置,則柵絕緣層位于柵極、柵線和公共電極之上,而有源層位于柵極上方的柵絕緣層上,此種結(jié)構(gòu)無需再設(shè)置公共電極絕緣層。像素結(jié)構(gòu)中各層結(jié)構(gòu)之間的其它位置關(guān)系不再一一列舉。
      [0033]下面通過圖3對(duì)圖2中提供的像素結(jié)構(gòu)的工作原理進(jìn)行詳細(xì)描述。圖3為圖2中像素結(jié)構(gòu)的工作原理示意圖,如圖2和圖3所示,當(dāng)數(shù)據(jù)線2上未施加數(shù)據(jù)信號(hào)電壓時(shí),液晶分子(圖2中虛線所示)11的長軸方向按照取向角方向排列,即液晶分子的初始取向按照取向角方向排列;當(dāng)數(shù)據(jù)線2上施加數(shù)據(jù)信號(hào)電壓時(shí),相鄰的公共電極圖形52和像素電極圖形62之間產(chǎn)生電場(chǎng),該電場(chǎng)使得液晶分子11偏轉(zhuǎn)以形成液晶分子(如圖2中實(shí)線所示)12,在液晶顯示面板的上、下、左、右四個(gè)方向液晶分子11均會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)以形成液晶分子12,在上、下、左、右四個(gè)方向均存在偏轉(zhuǎn)后的液晶分子12。通過調(diào)整數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的大小,可以控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)程度,進(jìn)而可達(dá)到調(diào)制透過率的效果。本實(shí)施例中,在一個(gè)像素單元內(nèi)公共電極和像素電極形成四疇結(jié)構(gòu),當(dāng)用戶觀看該液晶顯示面板時(shí)可以從上、下、左、右四個(gè)方向觀看到顯示圖像,實(shí)現(xiàn)了四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻,且能夠更好的抵消色畸變,增強(qiáng)色彩純度。
      [0034]本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案中,公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,公共電極圖形和像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,公共電極圖形與相鄰的像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng),采用上述像素結(jié)構(gòu)在液晶顯示面板的上、下、左、右四個(gè)方向液晶分子均會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),當(dāng)用戶觀看液晶顯示面板時(shí)可以從上、下、左、右四個(gè)方向觀看到顯示圖像,實(shí)現(xiàn)了四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻,且能夠更好的抵消色畸變,增強(qiáng)色彩純度。
      [0035]本實(shí)用新型實(shí)施例二提供了一種陣列基板,該陣列基板包括:襯底基板和位于襯底基板上的像素結(jié)構(gòu)。其中,像素結(jié)構(gòu)可采用上述實(shí)施例一提供的像素結(jié)構(gòu),此處不再具體描述。
      [0036]本實(shí)用新型實(shí)施例三提供了一種液晶顯示面板,包括:相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和陣列基板,彩膜基板和陣列基板之間設(shè)置有液晶分子,陣列基板可采用上述實(shí)施例二提供的陣列基板,此處不再具體描述。
      [0037]本實(shí)施例中,液晶顯示面板可以為IPS型液晶顯示面板或者ADS型液晶顯示面板。
      [0038]本實(shí)用新型實(shí)施例四提供了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法,該方法包括:形成柵線、數(shù)據(jù)線、像素驅(qū)動(dòng)單元、公共電極和像素電極,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元,所述像素驅(qū)動(dòng)單元、所述公共電極和所述像素電極位于所述像素單元內(nèi),所述像素驅(qū)動(dòng)單元與所述像素電極電連接,所述公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,所述像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,所述公共電極圖形和所述像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,公共電極圖形與相鄰的所述像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。
      [0039]可選地,形成柵線、數(shù)據(jù)線、像素驅(qū)動(dòng)單元、公共電極和像素電極具體可包括:首先,形成柵線、數(shù)據(jù)線、像素驅(qū)動(dòng)單元和公共電極;然后形成像素電極。
      [0040]下面以一個(gè)具體的實(shí)例對(duì)本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
      [0041]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖,如圖4所示,該方法包括:
      [0042]步驟101、形成柵線和柵極,柵極與柵線連接。
      [0043]具體可包括:沉積柵金屬層,通過構(gòu)圖工藝形成柵線和柵極。
      [0044]步驟102、形成柵絕緣層,所述柵絕緣層位于柵線和柵極之上。
      [0045]具體可包括:在柵線和柵極上方沉積一層?xùn)沤^緣層。
      [0046]步驟103、在柵絕緣層上形成公共電極。
      [0047]具體可包括:在柵絕緣層上沉積公用電極材料層,通過構(gòu)圖工藝形成公共電極。
      [0048]步驟104、在公共電極上形成公共電極絕緣層。
      [0049]具體可包括:在公共電極上沉積一層公共電極絕緣層。
      [0050]步驟105、在公共電極絕緣層上形成有源層,有源層位于柵極上方。
      [0051 ] 具體可包括:在公共電極絕緣層上沉積有源層材料層,通過構(gòu)圖工藝形成有源層。
      [0052]步驟106、在有源層上方形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極,源極與數(shù)據(jù)線連接。
      [0053]具體可包括:在有源層上方沉積源漏金屬層,通過構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
      [0054]步驟107、在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上方形成鈍化層。
      [0055]具體可包括:在數(shù)據(jù)線、源極和漏極上方沉積一層鈍化層。
      [0056]步驟108、在漏極上方的鈍化層上形成過孔。
      [0057]具體可包括:通過構(gòu)圖工藝在漏極上方的鈍化層上形成過孔。[0058]步驟109、在鈍化層上方形成像素電極,該像素電極通過過孔與漏極連接。
      [0059]具體可包括:在鈍化層上方形成像素電極材料層,通過構(gòu)圖工藝形成像素電極,像素電極填充于過孔中以使像素電極與漏極連接。
      [0060]上述各步驟的執(zhí)行順序可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)需要進(jìn)行變更,例如:可先執(zhí)行形成有源層的步驟,而后再執(zhí)行形成公共電極的步驟。
      [0061]采用圖4中所示的執(zhí)行順序制造出的像素結(jié)構(gòu)僅為一種示例,實(shí)際應(yīng)用中若像素結(jié)構(gòu)中的各層結(jié)構(gòu)之間的位置關(guān)系變更,則相應(yīng)地制造方法也要進(jìn)行相應(yīng)的變更以制造出變更后的像素結(jié)構(gòu),例如:若公共電極與柵極和柵線同層設(shè)置時(shí),可在形成柵線和柵極的同時(shí)形成公共電極,其余結(jié)構(gòu)及其相應(yīng)的制造方法不再一一列舉。
      [0062]本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制造方法可用于制造上述實(shí)施例一提供的像素結(jié)構(gòu),對(duì)像素結(jié)構(gòu)的描述可參見上述實(shí)施例一,此處不再贅述。
      [0063]本實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制造的方法制造出的像素結(jié)構(gòu)中,公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,公共電極圖形和像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,公共電極圖形與相鄰的像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng),采用上述像素結(jié)構(gòu)在液晶顯示面板的上、下、左、右四個(gè)方向液晶分子均會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn),當(dāng)用戶觀看液晶顯示面板時(shí)可以從上、下、左、右四個(gè)方向觀看到顯示圖像,實(shí)現(xiàn)了四個(gè)方向的寬視角顯示,從而使得四個(gè)方向的顯示顏色均勻,且能夠更好的抵消色畸變,增強(qiáng)色彩純度。
      [0064]可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種像素結(jié)構(gòu),包括:柵線和數(shù)據(jù)線,所述柵線和所述數(shù)據(jù)線限定像素單元,所述像素單元包括:像素驅(qū)動(dòng)單元、公共電極和像素電極,所述像素驅(qū)動(dòng)單元與所述像素電極電連接,其特征在于,所述公共電極包括至少一個(gè)公共電極圖形,所述像素電極包括至少一個(gè)像素電極圖形,所述公共電極圖形和所述像素電極圖形相互嵌套且間隔設(shè)置,所述公共電極圖形與相鄰的所述像素電極圖形之間形成使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述公共電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu),所述像素電極圖形為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求 2所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,多個(gè)所述公共電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列,多個(gè)所述像素電極圖形以至少一個(gè)“回”字形結(jié)構(gòu)排列。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述公共電極還包括:第一公共電極連接圖形和第二公共電極連接圖形,所述公共電極圖形之間通過所述第一公共電極連接圖形連接,相鄰像素單元內(nèi)的公共電極圖形之間通過所述第二公共電極圖形連接。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,所述像素電極還包括:像素電極連接圖形,所述像素電極圖形之間通過所述像素電極連接圖形連接。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的像素結(jié)構(gòu),其特征在于,位于最外側(cè)且靠近所述柵線的所述像素電極圖形上設(shè)置有凸出部,所述凸出部與所述柵線之間的重疊部分形成存儲(chǔ)電容。
      7.—種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板和位于所述襯底基板上的上述權(quán)利要求I至6任一所述的像素結(jié)構(gòu)。
      8.一種液晶顯示面板,其特征在于,包括:相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和陣列基板,所述彩膜基板和所述陣列基板之間設(shè)置有液晶分子,所述陣列基板采用上述權(quán)利要求7所述的陣列基板。
      【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK203502712SQ201320670480
      【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月28日
      【發(fā)明者】劉國冬, 胡明 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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