通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片的制作方法
【專利摘要】本實用新型所設(shè)計的一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，該通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片50%Cut?on＝7550±200nm，50%Cut?off＝13900±400nm；7750～13400nm?Tavg≥85%；2000～7000nm、14500～19000nm?Tavg≤1%。
【專利說明】通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外測溫儀由光學系統(tǒng)、探測器、信號放大器及信號處理、顯示輸出等部分組成。光學系統(tǒng)匯聚其視場內(nèi)的目標紅外能量(熱量)，視場的大小由測溫儀的光學零件及其位置確定。紅外能量聚焦在探測器上并轉(zhuǎn)變?yōu)橄鄳?yīng)的電信號。該信號經(jīng)過放大器和信號處理電路，并按照儀器內(nèi)的算法和目標發(fā)射率校正后轉(zhuǎn)變?yōu)楸粶y目標的溫度值。
[0003]紅外測溫儀的探測器是實現(xiàn)紅外能量(熱能)轉(zhuǎn)換電信號的關(guān)鍵，由于各種生物所發(fā)出來的紅外能量(熱量)是不同的，所以在日常使用中為了觀察某種特定生物的溫度值，人們往往會在探測器中添加紅外濾光片，通過紅外濾光片可以使探測器只接受特定波段的紅外能量，保證紅外測溫儀的測溫結(jié)果，用于測溫和成像。
[0004]但是，目前的通過帶為7550_13900nm的紅外測溫濾光片，其信噪比低，精度差，不能滿足市場發(fā)展的需要。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片。
[0006]為了達到上述目的，本實用新型所設(shè)計的通過帶為7550_13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:41 Inm厚度的Ge層、271nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、187nm厚度的Ge層、346nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、194nm厚度的Ge層、293nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、289nm厚度的ZnS層、26Inm厚度的Ge層、39Inm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、23 Inm厚度的ZnS層、302nm厚度的Ge層、404nm厚度的ZnS層、353nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、259nm厚度的Ge層、31Onm厚度的ZnS層、382nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、373nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、276nm厚度的Ge層、33 Inm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的ZnS層、281nm厚度的Ge層、751nm厚度的ZnS層、366nm厚度的Ge層、462nm厚度的ZnS層、439nm厚度的Ge層、806nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、963nm厚度的ZnS層、427nm厚度的Ge層、311nm厚度的ZnS層、410nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、546nm厚度的Ge層和358nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge層、290nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、1953nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、607nm厚度的Ge層、2262nm厚度的ZnS層、982nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、63 Inm厚度的ZnS層、1257nm厚度的Ge層、1587nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、558nm厚度的ZnS層、292nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、2315nm厚度的ZnS層、897nm厚度的Ge層、195nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、590nm厚度的ZnS層、1263nm厚度的Ge層、1976nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、298nm厚度的ZnS層、477nm厚度的Ge層和1175nm厚度的ZnS 層。
[0007]上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。
[0008]本實用新型所得到的通過帶為7550_13900nm的紅外測溫濾光片，其在溫度測量過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片50%Cut on = 7550±200nm，50%Cut off = 13900±400nm ;7750 ~13400nm Tavg ≥ 85% ；2000 ~7000nm、14500 ~19000nm Tavg ≤ 1%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。
【具體實施方式】
[0011]下面通過實施例結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。
[0012]實施例1:
[0013]如圖1、圖2所示，本實施例描述的通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、ZnS為第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層I和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge層、27Inm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、187nm厚度的Ge層、346nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、194nm厚度的Ge層、293nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、289nm厚度的ZnS層、261nm厚度的Ge層、39 Inm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、23 Inm厚度的ZnS層、302nm厚度的Ge層、404nm厚度的ZnS層、353nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、259nm厚度的Ge層、31Onm厚度的ZnS層、382nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、373nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、276nm厚度的Ge層、33Inm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的ZnS層、281nm厚度的Ge層、751nm厚度的ZnS層、366nm厚度的Ge層、462nm厚度的ZnS層、439nm厚度的Ge層、806nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、963nm厚度的ZnS層、427nm厚度的Ge層、311nm厚度的ZnS層、410nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、546nm厚度的Ge層和358nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge層、290nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、1953nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、607nm厚度的Ge層、2262nm厚度的ZnS層、982nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、63 Inm厚度的ZnS層、1257nm厚度的Ge層、1587nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、558nm厚度的ZnS層、292nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、2315nm厚度的ZnS層、897nm厚度的Ge層、195nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、590nm厚度的ZnS層、1263nm厚度的Ge層、1976nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、298nm厚度的ZnS層、477nm厚度的Ge層和1175nm厚度的ZnS層。
【權(quán)利要求】
1.一種通過帶為7550-13900nm的紅外測溫濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、ZnS為第一鍍膜層和以Ge、ZnS為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征是:所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:411nm厚度的Ge層、271nm厚度的ZnS層、356nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、187nm厚度的Ge層、346nm厚度的ZnS層、156nm厚度的Ge層、322nm厚度的ZnS層、159nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、194nm厚度的Ge層、293nm厚度的ZnS層、167nm厚度的Ge層、317nm厚度的ZnS層、163nm厚度的Ge層、289nm厚度的ZnS層、26 Inm厚度的Ge層、39 Inm厚度的ZnS層、180nm厚度的Ge層、23 Inm厚度的ZnS層、302nm厚度的Ge層、404nm厚度的ZnS層、353nm厚度的Ge層、312nm厚度的ZnS層、259nm厚度的Ge層、310nm厚度的ZnS層、382nm厚度的Ge層、347nm厚度的ZnS層、373nm厚度的Ge層、302nm厚度的ZnS層、276nm厚度的Ge層、33 Inm厚度的ZnS層、350nm厚度的Ge層、390nm厚度的ZnS層、388nm厚度的Ge層、57 Inm厚度的ZnS層、28Inm厚度的Ge層、751nm厚度的ZnS層、366nm厚度的Ge層、462nm厚度的ZnS層、439nm厚度的Ge層、806nm厚度的ZnS層、178nm厚度的Ge層、963nm厚度的ZnS層、427nm厚度的Ge層、311nm厚度的ZnS層、410nm厚度的Ge層、489nm厚度的ZnS層、546nm厚度的Ge層和358nm厚度的ZnS層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有:145nm厚度的Ge層、290nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、1953nm厚度的ZnS層、357nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、607nm厚度的Ge層、2262nm厚度的ZnS層、982nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、63Inm厚度的ZnS層、1257nm厚度的Ge層、1587nm厚度的ZnS層、105nm厚度的Ge層、558nm厚度的ZnS層、292nm厚度的Ge層、145nm厚度的ZnS層、134nm厚度的Ge層、2315nm厚度的ZnS層、897nm厚度的Ge層、195nm厚度的ZnS層、312nm厚度的Ge層、590nm厚度的ZnS層、1263nm厚度的Ge層、1976nm厚度的ZnS層、168nm厚度的Ge層、298nm厚度的ZnS層、477nm厚度的Ge層和1175nm厚度的ZnS層。
【文檔編號】G02B5/20GK203551819SQ201320777758
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月29日
【發(fā)明者】王繼平, 呂晶, 余初旺 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司