梯度聚合物結(jié)構(gòu)和方法【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光學(xué)制品，所述光學(xué)制品包含含有機(jī)硅的組合物。所述有機(jī)硅組合物包括具有第一折光率的第一區(qū)域和具有第二折光率的第二區(qū)域。所述第一折光率不同于所述第二折光率?！緦＠f(shuō)明】梯度聚合物結(jié)構(gòu)和方法[0001]相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用[0002]本專利申請(qǐng)要求2012年2月9日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.61/596,959的權(quán)益，該臨時(shí)專利申請(qǐng)以引用方式并入，如同在本文完整示出一樣?！?br>技術(shù)領(lǐng)域：
】[0003]本發(fā)明整體涉及梯度聚合物結(jié)構(gòu)及相關(guān)方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0004]諸如光學(xué)發(fā)射器、光學(xué)檢測(cè)器、光學(xué)放大器等光學(xué)器件可經(jīng)由光學(xué)表面發(fā)射或接收光。對(duì)于各種這樣的器件，光學(xué)表面可以是或可以包括電子組件或可能對(duì)環(huán)境條件敏感的其他組件。諸如光電子器件（通常包括發(fā)光二極管（LED)、激光二極管和光傳感器）的某些光學(xué)器件可包括固態(tài)電子組件，如果不進(jìn)行保護(hù)，這些固態(tài)電子組件可能易受電短路或來(lái)自環(huán)境條件的其他損害的影響。如果不進(jìn)行保護(hù)，即使是可能不會(huì)立即受到影響的光學(xué)器件也可能隨時(shí)間而劣化。此外，此類光學(xué)器件可包括光學(xué)表面，諸如發(fā)射或檢測(cè)光的光學(xué)表面，相比于空氣或其他環(huán)境氣體可具有相對(duì)高的折光率的光學(xué)表面?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0005]已開(kāi)發(fā)了一種光學(xué)制品，諸如可以為聚合物結(jié)構(gòu)或可以包括聚合物結(jié)構(gòu)的光學(xué)制品，可以用作防御環(huán)境因素的封裝件以及折光率梯度中的至少一者的光學(xué)制品，所述折光率梯度有利于從光學(xué)器件的相對(duì)高折光率的光學(xué)表面過(guò)渡到空氣。在多種例子中，光學(xué)制品為含有機(jī)硅的組合物。在一些實(shí)施例中，含硅組合物為含有機(jī)硅的熱熔融組合物。本文描述的多種例子和實(shí)施例的"熱熔融"組合物可以為反應(yīng)性的或非反應(yīng)性的。反應(yīng)性熱熔融材料為可以化學(xué)固化的熱固性產(chǎn)品，其在固化之后具有高強(qiáng)度，并在室溫下耐流動(dòng)（即高粘度）。熱熔融組合物的粘度往往隨著溫度的變化而顯著變化，從相對(duì)低的溫度（例如在室溫或低于室溫）下的高度粘稠變化到當(dāng)溫度向足夠高于工作溫度（諸如室溫）的目標(biāo)溫度增加時(shí)的相當(dāng)?shù)偷恼扯?。在多種例子中，目標(biāo)溫度為200°C。由于相比于在室溫或室溫附近，組合物在升高的溫度（例如在約50至200°C的溫度）下的粘性明顯更低，因此通常在升高的溫度（例如高于室溫的溫度，例如高于50°C的溫度）下將反應(yīng)性或非反應(yīng)性熱熔融組合物施加到基板。在一些情況下，在升高的溫度下將熱熔融組合物以可流動(dòng)的物質(zhì)施加到基板，然后僅通過(guò)冷卻使其快速"再固化"。其他施加方法包括在室溫下將熱熔融材料的片材施加到例如基板或覆板上，之后進(jìn)行加熱。[0006]在多種例子中，聚合物結(jié)構(gòu)為例如在室溫下為固體的組合物或包含所述組合物，并且可以為層狀聚合物結(jié)構(gòu)。在多種其他例子中，聚合物結(jié)構(gòu)包含折光率大于約1.4的組合物。在另外其他例子中，聚合物結(jié)構(gòu)包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物。當(dāng)聚合物結(jié)構(gòu)包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物時(shí)，該嵌段共聚物在一些例子中具有至少20,000g/m〇l的重均分子量。在一些例子中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可包含以線性嵌段排列的40至90摩爾％的式[R^SiO^]的二硅氧基單元，每個(gè)線性嵌段平均具有10至400個(gè)二硅氧基單元[R^SiO^]。在其他例子中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物還可以包含以非線性嵌段排列的10至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元，每個(gè)非線性嵌段具有至少500g/mol的重均分子量。在另外其他例子中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可包含0.5至25摩爾％的硅醇基團(tuán)[=SiOH]。在這些式中，R1獨(dú)立地為Q至(：3(|烴基，而R2獨(dú)立地為Q至(：2(|烴基。另外，在多種例子中，至少30%的非線性嵌段可與另一非線性嵌段交聯(lián)。在其他多種例子中，非線性嵌段可在納米域中聚集。在另外其他例子中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的每個(gè)線性嵌段可連接到至少一個(gè)非線性嵌段。相比于本領(lǐng)域已知的各種層狀聚合物結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的層狀聚合物結(jié)構(gòu)可具有改進(jìn)的厚度控制?！緦＠綀D】【附圖說(shuō)明】[0007]圖1為具有第一和第二區(qū)域的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0008]圖2為具有濃度梯度的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0009]圖3為具有第一和第二層的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0010]圖4為具有第一和第二層的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0011]圖5為具有三個(gè)層的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0012]圖6為具有濃度梯度的規(guī)格化的光學(xué)制品的側(cè)面輪廓。[0013]圖7為光學(xué)組合件的抽象例子。[0014]圖8為光學(xué)組合件的抽象例子。[0015]圖9A和9B為層合到LED上的萘基-T-PhMe(實(shí)例7)和34重量％Ph-T-PDMS(實(shí)例11)的照片。[0016]圖10A和10B為層狀組合物的照片。[0017]圖11為用于制備光學(xué)制品的流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】[0018]圖1為規(guī)格化的光學(xué)制品100的側(cè)面輪廓，諸如聚合物結(jié)構(gòu)，諸如可用作光學(xué)組合件（如下）中的封裝件。如圖所示，光學(xué)制品100為平板（厚度未示出），但多種光學(xué)制品100可成型為其他形狀和形式，諸如透鏡等。在一個(gè)例子中，光學(xué)制品100包含含有機(jī)硅的組合物102或由含有機(jī)硅的組合物102構(gòu)成，如本文所詳細(xì)公開(kāi)。光學(xué)制品100的含有機(jī)硅的組合物102中包括第一區(qū)域104和第二區(qū)域106。第一區(qū)域104具有第一折光率，而第二區(qū)域106具有不同于第一折光率的第二折光率。在第一區(qū)域104與第二區(qū)域106之間，第一區(qū)域104和第二區(qū)域106限定了從第一區(qū)域104延伸到第二區(qū)域106的梯度，諸如折光率梯度。根據(jù)其使用情況的需要或要求，可選擇具有不同第一和第二折光率的光學(xué)制品100。[0019]雖然為了圖解的目的將區(qū)域104、106顯示為具有明顯可辨別的二維高度108和寬度110,但是區(qū)域104U06以及本文所公開(kāi)的其他區(qū)域相對(duì)于光學(xué)制品100通?？梢愿』蚋蟆＞唧w地講，雖然區(qū)域104U06的寬度110可與光學(xué)制品的寬度共延或基本上共延，但是區(qū)域104、106的高度108可相對(duì)較小。在梯度的間隔尺寸較小的多種例子中，包含相同或基本上相同的折光率的區(qū)域104U06的高度可以僅為一個(gè)分子或幾個(gè)分子。應(yīng)當(dāng)理解，隨著區(qū)域104、106和本文所公開(kāi)的其他例子中的所有區(qū)域的高度108減小，更多的區(qū)域可包括在組合物102中以限定更高間隔尺寸的梯度，其中每個(gè)區(qū)域具有不同的折光率。在具有連續(xù)折光率梯度的組合物102中，所述區(qū)域的高度108可幾乎為無(wú)窮小。[0020]在多種示例性例子中，組合物102的區(qū)域104、106具有大于1.4的折光率，并且可以具有大于1.44、1.5、1.54或者大于1.55的折光率，諸如使用ASTMD542測(cè)得。在一些例子中，組合物具有大于2.5的折光率。在其他實(shí)施例中，組合物102的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域104、106具有約1.4至約2.5的折光率，例如約1.5至約2.5、約1.7至約2.4、約1.4至約1.7或約1.9至約2.3的折光率。[0021]示例性光學(xué)制品100通過(guò)本文所公開(kāi)的可能機(jī)制而在不同的區(qū)域104、106中具有不同的折光率。所得的折光率梯度可在多種例子中為漸變的，或可以包括突變。所得的折光率可源于在每個(gè)區(qū)域104U06中使用不同的組合物（例如，在一個(gè)區(qū)域中的包含[Me2Si02/2]線性部分和[PhSi03/2]樹(shù)脂部分的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組合物，以及在不同區(qū)域中的包含PhMeSi02/2]線性部分和[PhSi03/2]樹(shù)脂部分的不同的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組合物）；可源于在每個(gè)區(qū)域104U06中相同組合物的不同濃度；可源于在每個(gè)區(qū)域內(nèi)組合物的某些組分的濃度或摩爾量的梯度或者從一個(gè)區(qū)域至下一區(qū)域的梯度（例如，式[R^SiO^]的二硅氧基單元和/或式[R2Si03/2])的三硅氧基單元的摩爾百分比的梯度）；可源于在一個(gè)區(qū)域中存在/不存在添加劑或來(lái)自組合物的合成的副產(chǎn)物（例如，源自摻入本文所述的樹(shù)脂-1有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的線性組分的合成的PhMe-環(huán)狀副產(chǎn)物）以及在不同區(qū)域中存在/不存在不同的添加劑或來(lái)自組合物的合成的副產(chǎn)物（例如，第一區(qū)域可包含穩(wěn)定劑（諸如本文所述的穩(wěn)定劑），而第二區(qū)域可包含與第一區(qū)域中所含的穩(wěn)定劑不同的穩(wěn)定劑或者可完全不含穩(wěn)定劑）；可源于在每個(gè)區(qū)域中存在于組合物中的某些特征的尺寸或類型的差異（例如，第一區(qū)域可含有給定尺寸或尺寸分布的層狀特征，而第二區(qū)域可含有給定尺寸或尺寸分布的球形特征）；或者在一個(gè)區(qū)域中的組合物相對(duì)于在第二區(qū)域中的組合物之間的前述差異的任何組合。在每個(gè)區(qū)域104、106中不同組合物的使用者可來(lái)自相對(duì)于彼此固定的不同材料的層。在一些實(shí)施例中，如本文所用的術(shù)語(yǔ)"一個(gè)區(qū)域"或"多個(gè)區(qū)域"可泛指通過(guò)樹(shù)脂-線性嵌段共聚物的非線性嵌段的聚集而形成的"納米域"。納米域的形態(tài)可以為形狀規(guī)則的或不規(guī)則的。例如，納米域的形態(tài)可以為球形、圓柱形、管形，并在一些情況中為如上所述的層狀。[0022]在多種例子中，光學(xué)制品100的厚度為約0.5微米至五（5)毫米（例如50至約100微米、約50至約75微米、約60至約90微米、約75至約100微米、約0.3至約1.5毫米、約0.5至約1.3毫米、約1至約1.5毫米或約0.75至約1.5毫米）。[0023]圖2為包含含有機(jī)硅的組合物202的規(guī)格化的光學(xué)制品200的側(cè)面輪廓。組合物202具有第一區(qū)域204和第二區(qū)域206,第一區(qū)域204具有第一折光率，第二區(qū)域206具有不同于第一折光率的第二折光率。第一區(qū)域204具有第一組合物，第一組合物與第二區(qū)域206的第二組合物相比包含不同濃度的組合物202。如圖所示，在第一區(qū)域204和第二區(qū)域206中組合物202的濃度由虛線208表示，從而表明第二區(qū)域206相比于第一區(qū)域具有更高濃度的組合物202。在這樣的例子中，第二區(qū)域206相比于第一區(qū)域204將具有更高的折光率。[0024]組合物202的濃度可基于在給定體積的區(qū)域204、206中的材料總量中組合物202的百分比。在多種例子中，該濃度基于二硅氧基單元、三硅氧基單元和硅醇基團(tuán)中的至少一者的存在，如本文所公開(kāi)。在一個(gè)例子中，組合物包含二硅氧基單元和三硅氧基單元的梯度。在另一個(gè)例子中，組合物包含二硅氧基單元、三硅氧基單元和硅醇基團(tuán)的梯度。在又一個(gè)例子中，組合物包含三硅氧基單元和硅醇基團(tuán)的梯度。在再一個(gè)例子中，組合物包含二硅氧基單元和硅醇基團(tuán)的梯度。在這些例子中，還可以想到二硅氧基和/或三硅氧基單元上的取代基的梯度。例如，二硅氧基單元上的甲基和苯基取代基的濃度可存在梯度，使得沿著例如有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物組合物的線性部分的不同區(qū)段存在相比于苯基更高的甲基濃度。此外，折光率不同的有機(jī)硅組合物可用于制備組合物梯度。例如，折光率為1.43的苯基-T-PDMS樹(shù)脂-線性物可與折光率為1.56的苯基-T-PhMe樹(shù)脂-線性物組合（例如，成層）以產(chǎn)生梯度。可被組合以產(chǎn)生梯度的其他組合物包括但不限于萘基-T-PhMe樹(shù)脂線性物與苯基-T-PhME樹(shù)脂線性物（例如45重量％的？11-1'-120(1?PhMe)或苯基-T-PDMS(例如34重量％中的任何一者。此類例子可提供從高折光率光學(xué)器件（諸如LED)至空氣表面的相對(duì)平穩(wěn)的過(guò)渡?？杉右越M合以產(chǎn)生梯度的另外其他組合物包括含氟樹(shù)脂線性組合物（例如45重量％的甲基-T樹(shù)脂和55重量％的99dp三氟丙基硅氧烷），諸如2012年3月9日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.61/608,732中所公開(kāi)的那些，該專利的整個(gè)公開(kāi)內(nèi)容以引用方式并入，如同在本文完整示出一樣。[0025]圖3為包含含有機(jī)硅的組合物302的規(guī)格化的光學(xué)制品300的側(cè)面輪廓。組合物302具有第一區(qū)域304和第二區(qū)域306,第一區(qū)域304具有第一折光率，第二區(qū)域306具有不同于第一折光率的第二折光率。如圖所示，第一區(qū)域304為材料的第一層308的組件，而第二區(qū)域306為材料的第二層310的組件。第一層308和第二層310彼此接觸，但是在諸如本文所公開(kāi)的替代性例子中，層308、310可諸如通過(guò)替代性材料或組合物而彼此分開(kāi)。在多種例子中，第一區(qū)域304與第一層308共延，并且第二區(qū)域306與第二區(qū)域310共延。如圖所示，第一層308和第二層310分別限定第一主平面312和第二主平面314,所述第一和第二主平面相對(duì)于彼此平行。[0026]如圖所示，層308、310均為含有機(jī)硅的組合物（共同由組合物302表示），但各自具有不同的化學(xué)性質(zhì)（例如固化化學(xué)性質(zhì)）。在兩個(gè)層均為組合物302的例子中，在兩個(gè)層308、310之間組合物302的各種性質(zhì)可以不同，以便提供不同的折光率，但仍然為本文所公開(kāi)的含有機(jī)硅的組合物302。[0027]層308、310可根據(jù)本領(lǐng)域已知的多種方法相對(duì)于彼此固定。如圖所示，層308、310具有在層308、310之間的分界線312。在這樣的例子中，層308、310可以以在層308、310之間提供極少混合或不提供混合的方式相對(duì)于彼此固定。這樣的布置可作為一個(gè)整體在光學(xué)制品300中提供相對(duì)急劇的折光率變化，諸如可用于促進(jìn)穿過(guò)光學(xué)制品300的光的內(nèi)反射。[0028]圖4為包含含有機(jī)硅的組合物402的規(guī)格化的光學(xué)制品400的側(cè)面輪廓。組合物402具有第一區(qū)域404和第二區(qū)域406,第一區(qū)域404具有第一折光率，第二區(qū)域406具有不同于第一折光率的第二折光率。如圖所示，第一區(qū)域404為材料的第一層408的組件，而第二區(qū)域406為材料的第二層410的組件。[0029]與光學(xué)制品300相反，光學(xué)制品400的層408、410在第三區(qū)域/層412中組合，所述第三區(qū)域/層412為第一層408和第二層410的組合。這樣的第三區(qū)域412可通過(guò)施加熱或溶劑（例如具有比甲苯更高的沸點(diǎn)的溶劑，諸如均三甲苯和二甲苯）或者混合各個(gè)層408、410的每一個(gè)的一部分而形成。在第三區(qū)域412內(nèi)，構(gòu)成各個(gè)層408、410的材料可相對(duì)于彼此具有不同的濃度，從而在第三區(qū)域412內(nèi)產(chǎn)生梯度。在第三區(qū)域412內(nèi)的這種梯度可根據(jù)第一層408和第二層410的組合物的混合方式而為規(guī)則的或不規(guī)則的。第三區(qū)域412內(nèi)的一種或多種折光率可以為相同的，或?yàn)榈谝粚?04與第二層406的折光率之間的某值。[0030]圖5為包含含有機(jī)硅的組合物502的規(guī)格化的光學(xué)制品500的側(cè)面輪廓。組合物502具有第一區(qū)域504、第二區(qū)域506和第三區(qū)域508,第一區(qū)域504具有第一折光率，第二區(qū)域506具有不同于第一折光率的第二折光率，第三區(qū)域508具有不同于第一和第二折光率的第三折光率。如圖所示，第一區(qū)域504為材料的第一層510的組件，第二區(qū)域506為材料的第二層512的組件，而第三區(qū)域?yàn)椴牧系牡谌龑?14的組件。[0031]層510、512、514可根據(jù)本文所公開(kāi)的方法而相對(duì)于彼此固定，并且區(qū)域504、506、508可根據(jù)本文的公開(kāi)內(nèi)容而與它們各自的層510、512、514相關(guān)。在多種例子中，第一區(qū)域504、第二區(qū)域506和第三區(qū)域508產(chǎn)生漸變的梯度，其中第一折光率小于第二折光率，而第二折光率小于第三折光率。在替代性例子中，可諸如通過(guò)使第二折光率大于第一和第三折光率中的任一者而在組合物502內(nèi)轉(zhuǎn)變梯度。如層510、512、514所示，夾層可在整個(gè)具有多個(gè)另外層的光學(xué)制品500中使用。[0032]圖6為包含含有機(jī)硅的組合物602的規(guī)格化的光學(xué)制品600的側(cè)面輪廓。組合物602具有第一區(qū)域604和第二區(qū)域606,第一區(qū)域604具有第一折光率，第二區(qū)域606具有不同于第一折光率的第二折光率。組合物600還包括在第一區(qū)域604與第二區(qū)域606之間的梯度區(qū)域608。梯度區(qū)域可包括連續(xù)梯度。連續(xù)梯度諸如通過(guò)延伸穿過(guò)第一區(qū)域604和第二區(qū)域606可延伸超過(guò)所標(biāo)記的梯度區(qū)域608。在多種例子中，梯度區(qū)域608從光學(xué)制品600的第一主表面610延伸到光學(xué)制品600的第二主表面612。在這樣的例子中，第一區(qū)域604和第二區(qū)域606可包括延伸穿過(guò)組合物602的連續(xù)梯度的一部分。[0033]在一些特定的例子中，組合物102的區(qū)域104、106(為了簡(jiǎn)潔起見(jiàn)，在本文提及組合物102和相關(guān)區(qū)域104U06時(shí)，這種提及應(yīng)被理解為包括本文所公開(kāi)的組合物和區(qū)域的一些或全部）在一個(gè)區(qū)域中包含Ph-T-PhMe，而在另一區(qū)域中包含Ph-T-PhMe。在一些例子中，這兩個(gè)區(qū)域彼此直接接觸。在一些例子中，含Ph-T-PhMe的區(qū)域之一為高折光率Ph-T-PhMe區(qū)域。如本文所用，術(shù)語(yǔ)"高折光率"是指約1.5至約1.58(例如約1.55至約1.58或約1.56至約1.58)的折光率。在其他例子中，將Ph-T-PhMe層之一固化。在一些例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域之一具有約50至約100微米（例如約50至約75微米、約60至約90微米或約75至約100微米）的厚度。在其他例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域之一具有約0.3至約1.5毫米（例如約0.5至約1.3毫米、約1至約1.5毫米或約0.75至約1.5毫米）的厚度。在另外其他例子中，Ph-T-PhMe之一包含熒光體。[0034]在一些例子中，組合物102的區(qū)域104、106在一個(gè)區(qū)域中包含Ph-T-PhMe，在另一區(qū)域中包含Ph-T-PDMS。在一些例子中，這兩個(gè)區(qū)域彼此直接接觸。在一些例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域?yàn)楦哒酃饴蔖h-T-PhMe區(qū)域。在一些例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域具有約50至約100微米（例如約50至約75微米、約60至約90微米或約75至約100微米）的厚度。在其他例子中，Ph-T-PDMS區(qū)域具有約0.3至約1.5毫米（例如約0.5至約1.3毫米、約1至約1.5毫米或約0.75至約1.5毫米）的厚度。在另外其他例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域包含熒光體。[0035]在一些例子中，組合物102的區(qū)域104、106在一個(gè)區(qū)域中包含Ph-T-PhMe，在另一區(qū)域中包含Np-T-PhMe。在一些例子中，這兩個(gè)區(qū)域彼此直接接觸。在一些例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域?yàn)楦哒酃饴蔖h-T-PhMe區(qū)域。在一些例子中，Np-T-PhMe區(qū)域?yàn)槌哒酃饴蔔p-T-PhMe區(qū)域。如本文所用，術(shù)語(yǔ)"超高折光率"是指大于1.58(例如大于1.65、大于1.75、約1.6至約2.5、約1.75至約2或約1.65至約2)的折光率。在其他例子中，Ph-T-PhMe區(qū)域具有約〇.3至約1.5毫米（例如約0.5至約1.3毫米、約1至約1.5毫米或約0.75至約1.5毫米）的厚度。在其他例子中，Np-T-PhMe區(qū)域具有約50至約100微米（例如約50至約75微米、約60至約90微米或約75至約100微米）的厚度。在另外其他例子中，Np-T-PhMe層包含熒光體。[0036]光學(xué)纟目合件[0037]本文所公開(kāi)的光學(xué)組合件可具有多種構(gòu)造。例如，光學(xué)組合件可僅包括光學(xué)器件和光學(xué)制品（諸如用作封裝件的層狀聚合物結(jié)構(gòu)）?；蛘?，光學(xué)組合件本身可被理解為包含具有如上所述的折光率梯度的組合物的光學(xué)制品。[0038]光學(xué)組合件可用在多種已知的應(yīng)用中，諸如在光伏面板和其他光能產(chǎn)生裝置、光耦合器、光學(xué)網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)傳輸、儀表面板和開(kāi)關(guān)、門(mén)控光源、轉(zhuǎn)彎和停止信號(hào)、家用電器、VCR/DVD/立體聲/音頻/視頻裝置、玩具/游戲設(shè)備、安全設(shè)備、開(kāi)關(guān)、建筑照明、引導(dǎo)標(biāo)示(信道字母）、機(jī)器視覺(jué)、零售展示、應(yīng)急照明、霓虹光源和光源泡更換、手電筒、重點(diǎn)照明全彩視頻、單色留言板中、在交通、鐵路和航空應(yīng)用中、在移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理（PDA)、數(shù)碼相機(jī)、手提電腦中、在醫(yī)療器械、條形碼掃描儀、色彩&貨幣傳感器、編碼器、光學(xué)開(kāi)關(guān)、光纖通信，以及它們的組合中。[0039]光學(xué)器件可包括相干光源（諸如本領(lǐng)域已知的各種激光）以及不相干光源（諸如發(fā)光二極管（LED)和各種類型的發(fā)光二極管，包括半導(dǎo)體LED、有機(jī)LED、聚合物L(fēng)ED、量子點(diǎn)LED、紅外LED、可見(jiàn)光LED(包括色光和白光）、紫外LED)，以及它們的組合。[0040]圖7為光學(xué)組合件700(諸如固態(tài)光源）的抽象例子。光學(xué)組合件包括封裝件702，所述封裝件至少部分地由具有梯度的含硅組合物制成，諸如光學(xué)制品100、200、300、400、500、600中的任一者。封裝件702封裝光學(xué)器件704,諸如LED，光學(xué)器件各自具有光學(xué)表面706并各自位于基板708上。封裝件702可以為片材的形式。片材可以為大致平坦的（諸如在以下光學(xué)組合件800中），或者可以為透鏡或其他通常不平坦的構(gòu)造的形式，諸如相對(duì)于封裝件702所示。[0041]在一些實(shí)施例中，本文所述的實(shí)施例的光源為傳播所有輻射波長(zhǎng)（包括紫外（UV)福射、可見(jiàn)光和紅外（IR)福射）的片材。在一些實(shí)施例中，封裝件702傳播可見(jiàn)光，可見(jiàn)光包括波長(zhǎng)大于350nm的光。[0042]光學(xué)器件704被構(gòu)造成從光學(xué)表面706發(fā)出光，諸如通常垂直于光學(xué)表面706。封裝件702可通過(guò)將組合物熱壓和壓縮模塑至光學(xué)器件704來(lái)形成，如在具有圓頂狀腔體的模具中所示。如圖所示的光學(xué)組合件700還包括電極和/或電耦合器710和來(lái)自光學(xué)器件704的電線接頭712。如圖所示，封裝件702的組合物與光學(xué)器件704直接接觸，使得至少在一個(gè)位置中封裝件702和光學(xué)器件704之間沒(méi)有其他組合物或材料。在多種替代例子中，可將一種或多種另外的材料設(shè)置在封裝件702和光學(xué)器件704之間。[0043]封裝件702包括基于本文所公開(kāi)的至少一種光學(xué)制品的梯度。如圖所示，相對(duì)于光學(xué)表面706在遠(yuǎn)側(cè)的第一區(qū)域714具有第一折光率，而相對(duì)于光學(xué)表面706在近側(cè)的第二區(qū)域716具有不同于第一折光率的第二折光率。在一個(gè)例子中，由于光學(xué)表面706的折光率可相對(duì)較高，因此第二折光率可高于第一折光率，諸如根據(jù)本文所公開(kāi)的各種折光率關(guān)系。[0044]圖8為可包括在固態(tài)光源中或可形成固態(tài)光源的光學(xué)組合件800的抽象例子。封裝件802覆蓋光學(xué)器件804(諸如LED)。封裝件802為透光片材形式的固體有機(jī)硅組合物。光學(xué)器件804具有光學(xué)表面806,在操作LED期間從該光學(xué)表面發(fā)出光。應(yīng)當(dāng)注意，光學(xué)組合件并不限于固態(tài)光源。在某些例子中，光學(xué)器件804為光學(xué)檢測(cè)器，而光學(xué)表面806接收而不是發(fā)出光。如圖所示的光學(xué)器件804電耦合至電極（未示出）并且電耦合在電極之間，所述電極分別位于第一基板808和相對(duì)于第一基板808至少部分分離的第二基板810上。[0045]與光學(xué)組合件700-樣，封裝件802包括基于本文所公開(kāi)的至少一種光學(xué)制品的梯度。如圖所不，相對(duì)于光學(xué)表面806在遠(yuǎn)側(cè)的第一區(qū)域812具有第一折光率，而相對(duì)于光學(xué)表面806在近側(cè)的第二區(qū)域814具有不同于第一折光率的第二折光率。在一個(gè)例子中，由于光學(xué)表面806的折光率可相對(duì)較高，因此第二折光率可高于第一折光率。[0046]光學(xué)組合件700、800僅為示例性的而非限制性的。各種固態(tài)光源、光學(xué)檢測(cè)器和其他光學(xué)組合件可根據(jù)各種方法用本文所公開(kāi)的材料形成。光學(xué)組合件可形成為各種規(guī)格并用于各種目的中的任何一種。[0047]光學(xué)組合件也可以包括通常與光學(xué)組合件相關(guān)的與前述封裝件不同的本領(lǐng)域已知的一個(gè)或多個(gè)層或組件。例如，光學(xué)組合件可包括一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動(dòng)器、光學(xué)器件、散熱器、外殼、透鏡、電源、固定裝置、電線、電極、電路等等。[0048]光學(xué)組合件通常還包括也不同于光學(xué)制品的基板和/或覆板?；蹇蔀楣鈱W(xué)組合件的后表面提供保護(hù)，而覆板可為光學(xué)組合件的前表面提供保護(hù)?；搴透舶蹇梢韵嗤蚩梢圆煌?，并且各自可以獨(dú)立地包含本領(lǐng)域已知的任何合適的材料。基板和/或覆板可以是柔軟且柔韌的，或者可以是堅(jiān)硬且剛性的。作為另外一種選擇，基板和/或覆板可以包括堅(jiān)硬且剛性的部分，并且同時(shí)包括柔軟且柔性的部分?；搴?或覆板可以是透光的，可以是不透明的，或者可以是不透光的（即，可以是光不可通過(guò)的）。通常，覆板是透光的。在一個(gè)實(shí)施例中，基板和/或覆板包括玻璃。在另一個(gè)實(shí)施例中，基板和/或覆板包括金屬箔、聚酰亞胺、乙烯-醋酸乙烯共聚物和/或有機(jī)含氟聚合物（包括但不限于乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE))、Tedlar?、聚酯/Tedlar?、Tedlar?/聚酯/Tedlar?、單獨(dú)的或涂覆有硅和氧化材料（Si〇x)的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯（PET)，以及它們的組合。在一個(gè)實(shí)施例中，基板還可定義為PET/SiOx-PET/Al基板，其中X的值為1至4。[0049]基板和/或覆板可以是承重的或非承重的，并且可以包括在光學(xué)組合件的任何部分中。通常，基板為承重的?；蹇梢允枪鈱W(xué)組合件的"底層"，其通常設(shè)置在發(fā)光二極管后面并充當(dāng)機(jī)械支承件?；蛘?，光學(xué)組合件可包括第二或另外的基板和/或覆板?；蹇梢允枪鈱W(xué)組合件的底層，而第二基板可以是頂層并充當(dāng)覆板。通常，第二基板（例如，充當(dāng)覆板的第二基板）是透光的（例如可見(jiàn)光、紫外光和/或紅外光）并且設(shè)置在基板的頂部。第二基板可用于保護(hù)光學(xué)組合件不受環(huán)境條件（諸如雨、雪和熱）的影響。在一個(gè)實(shí)施例中，第二基板充當(dāng)覆板，并且是透光的剛性玻璃面板，并且用來(lái)保護(hù)光學(xué)組合件的前表面。[0050]此外，光學(xué)組合件還可以包括也不同于光學(xué)制品的一個(gè)或多個(gè)粘結(jié)層。所述一個(gè)或多個(gè)粘結(jié)層可設(shè)置在基板上，以將發(fā)光二極管粘附至基板。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)組合件不包括基板并且不包括粘結(jié)層。粘結(jié)層可以是對(duì)紫外光、紅外光和/或可見(jiàn)光透明的。然而，粘結(jié)層可以是不透光的或不透明的。粘結(jié)層可以是粘性的，并且可以是凝膠、粘膠、液體、糊劑、樹(shù)脂或固體。在一個(gè)實(shí)施例中，粘結(jié)層為膜。[0051]此外，光學(xué)組合件可包含熒光體。熒光體不受特別限制并且可以包括本領(lǐng)域中已知的任何熒光體。在一個(gè)實(shí)施例中，熒光體由主體材料和激活劑制成，例如銅激活硫化鋅和銀激活硫化鋅。合適但非限制性的主體材料包括鋅、鎘、錳、鋁、硅或各種稀土金屬的氧化物、氮化物和氮氧化物、硫化物、硒化物、齒化物或硅酸鹽。另外的合適的熒光體包括但不限于Zn2Si04:Mn(硅鋅礦）、ZnS:Ag+(Zn，Cd)S:Ag、ZnS:Ag+ZnS:Cu+Y202S:Eu、ZnO:Zn、KCl、ZnS:Ag，Cl或ZnS:Zn、（KF，MgF2):Mn、(Zn，Cd)S:Ag或（Zn，Cd)S:Cu、Y202S:Eu+Fe203,ZnS:Cu，Al、ZnS:Ag+C〇-〇n_Al203、(KF，MgF2):Mn、（Zn，Cd)S:Cu，Cl、ZnS:Cu或ZnS:Cu，Ag、MgF2:Mn、（Zn，Mg)F2:Mn、Zn2Si04:Mn，As、ZnS:Ag+(Zn，Cd)S:Cu、Gd202S:Tb、Y202S:Tb、Y3Al5012:Ce、Y2Si05:Ce、Y3Al5012:Tb、ZnS:Ag，Al、ZnS:Ag、ZnS:Cu，Al或ZnS:Cu，Au，Al、（Zn，Cd)S:Cu，Cl+(Zn，Cd)S:Ag，Cl、Y2Si05:Tb、Y20S:Tb、Y3(A1，Ga)5012:Ce、Y3(A1，Ga)5012:Tb、InB03:Tb、InB03:Eu、InB03:Tb+InB03:Eu、InB03:Tb+InB03:Eu+ZnS:Ag、（Ba，Eu)Mg2Al16027、（Ce，Tb)MgAln019、BaMgAl10017:Eu,Mn>BaMg2Al16027:Eu(II>BaMgAl10017:Eu,Mn>BaMg2Al16027:Eu(II,Mn(II>Ce0.67Tb033MgAln019:Ce，Tb、Zn2Si04:Mn,Sb203、CaSi03:Pb,Mn、CaW04(白鎢礦）、CaW04:Pb、MgW04、（Sr,Eu,Ba,Ca)5(P04)3Cl、Sr5Cl(P04)3:Eu(II、（Ca,Sr,Ba)3(P04)2Cl2:Eu、(Sr,Ca,Ba)10(P04)6C12:Eu>Sr2P207:Sn(II>Sr6P5B020:Eu>Ca5F(P04)3:Sb>(Ba,TI2P207:Ti>3Sr3(P04)2.SrF2:Sb，Mn、Sr5F(P04)3:Sb，Mn、Sr5F(P04)3:Sb,Mn、LaP04:Ce，Tb、（La,Ce，Tb)P04、(La,Ce,Tb)P04:Ce,Tb>Ca3(P04)2.CaF2:Ce,Mn>(Ca,Zn,Mg)3(P04)2:Sn>(Zn,Sr)3(P04)2:Mn>(Sr，Mg)3(P04)2:Sn、（Sr,Mg)3(P04)2:Sn(II、Ca5F(P04)3:Sb,Mn、Ca5(F,Cl)(P04)3:Sb，Mn、(Y，Eu)203、Y203:Eu(III、Mg4(F)Ge06:Mn、Mg4(F)(Ge，Sn)06:Mn、Y(P，V)04:Eu、YV04:Eu、Y202S:Eu、3.5Mg0·0·5MgF2·Ge02:Mn、Mg5As20n:Mn、SrAl207:Pb、LaMgAln019:Ce、LaP04:Ce、SrAl12019:Ce>BaSi205:Pb>SrFB203:Eu(II>SrB407:Eu>Sr2MgSi207:Pb>MgGa204:Μη(II>Gd202S:Tb、Gd202S:Eu、Gd202S:Pr、Gd202S:Pr，Ce，F(xiàn)、Y202S:Tb、Y202S:Eu、Y202S:Pr、Zn(0.5)Cd(0·4)S:Ag、Zn(0·4)Cd(0·6)S:Ag、CdW04、CaW04、MgW04、Y2Si05:Ce、YA103:Ce、Y3A15012:Ce、Y3(Al，Ga)5012:Ce、CdS:In、ZnO:Ga、ZnO:Zn、（Zn，Cd)S:Cu，A1、ZnS:Cu，Al，Au、ZnCdS:Ag，Cu、ZnS:Ag、蒽，EJ-212,Zn2Si04:Mn、ZnS:Cu、NaI:Tl、CsI:Tl、LiF/ZnS:Ag、LiF/ZnSCu，Al，Au，以及它們的組合。[0052]熒光體可存在于光學(xué)組合件的任何部分中。在一個(gè)實(shí)施例中，熒光體存在于透鏡中。在另一個(gè)實(shí)施例中，熒光體存在于層中或上述一個(gè)或多個(gè)區(qū)域中，也就是說(shuō)，存在于含有機(jī)硅的組合物本身中，如下文更詳細(xì)地描述。熒光體可存在于光學(xué)制品中。[0053]使用包括將含有機(jī)硅的組合物施加到表面的步驟的方法形成諸如透光片材形式的光學(xué)制品。在多種例子中，表面為光學(xué)器件的光學(xué)表面之一，并且所得的透光片材作為光學(xué)組合件的組合件的一部分原位形成。在此類例子中，可以按多種固體形式將含有機(jī)硅的組合物施加到光學(xué)表面，如下文詳細(xì)公開(kāi)。在多種另外的例子中，不考慮光學(xué)組合件而形成透光片材。在此類例子中，透光片材可由下文所公開(kāi)的各種含有機(jī)硅的組合物形成，之后，可在可能使用透光片材的多種情況中（包括但不必定限于光學(xué)組合件）施加透光片材。[0054]含有機(jī)硅的組合物為固體（下文稱為"固體組合物"）。固體組合物為如本領(lǐng)域所理解的"固體"。例如，固體組合物具有結(jié)構(gòu)剛性、抗形狀變化或體積變化，并且不是液體或凝膠。在一個(gè)例子中，固體組合物為膜?；蛘?，固體組合物可為粒料、類球體、帶狀物、片材、立方體、粉末（例如，平均粒度不超過(guò)500μm的粉末，包括平均粒度為約5至約500μm、約10至約100μm、約10至約50μm、約30至約100μm、約50至約100μm、約50至約250μm、約100至約500μm、約150至約300μm或約250至約500μm的粉末）等。固體組合物的尺寸不受特別限制。換言之，膜、片材、粒料等可具有任何尺寸。在多種實(shí)施例中，固體組合物如2011年12月30日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.61/581，852、2012年12月30日提交的PCT申請(qǐng)吣.？(：17^52012/071011、2012年1月16日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)吣.61/586,988以及2013年1月16日提交的PCT申請(qǐng)No.PCT/US2013/021707中所述，所有專利明確地以引用方式并入本文。[0055]固體組合物通常具有兩個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg)，一個(gè)與軟嵌段組分相關(guān)，一個(gè)與硬嵌段組分相關(guān)。如本文所用，使用差示掃描量熱儀（DSC)評(píng)估Tg。例如，可使用TAInstrumentsQ2000(DSC)測(cè)量玻璃化轉(zhuǎn)變（Tg)。通常，使用氦氣作為吹掃氣體（25mL/分鐘）以20°C/分鐘加熱10mg樣品。通常使用在外推切線的一半處的梯級(jí)中點(diǎn)來(lái)計(jì)算Tg。通常，固體組合物的兩個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度中的較高者為-30至200、0至130、25至150或40至120°C。在高于兩個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度中的較高者的溫度下，固體組合物軟化并流動(dòng)。在多種實(shí)施例中，固體組合物的兩個(gè)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度中的較低者為-130°C至25°C、-130°C至0°C、-130°C至-10°C。[0056]鉬合物[0057]本文所述的實(shí)施例的光學(xué)制品包含含有機(jī)硅的組合物或由含有機(jī)硅的組合物構(gòu)成。含有機(jī)硅的組合物包括樹(shù)脂-線性組合物中的至少一種。在一些特定例子中，樹(shù)脂-線性組合物包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物含有：[0058]40至90摩爾％的式[#如02/2]的二硅氧基單元；[0059]10至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；[0060]0·5至25摩爾％的硅醇基團(tuán)[三SiOH];[0061]其中：[0062]R1獨(dú)立地為Q至C3(l烴基；[0063]R2獨(dú)立地為Q至C2(l烴基；[0064]其中：[0065]所述二硅氧基單元[R^SiO^]以線性嵌段排列，每個(gè)線性嵌段平均具有10至400個(gè)二硅氧基單元[R^SiO^]，[0066]所述三娃氧基單元[R2Si03/2]以具有至少500g/mol的分子量的非線[0067]性嵌段排列，所述非線性嵌段的至少30%彼此交聯(lián)并主要以納米[0068]域聚集在一起，每個(gè)線性嵌段連接到至少一個(gè)非線性嵌段；并且有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/m〇l的重均分子量，并在25°C下為固體。[0069]本文所述的例子的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物稱為"樹(shù)脂-線性"有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，并包含獨(dú)立地選自（R3Si01/2)、（R2Si02/2)、（RSi03/2)或（Si04/2)硅氧基單元的硅氧基單元，其中R可以為任何有機(jī)基團(tuán)。這些硅氧基單元通常分別被稱為M、D、T和Q單元。這些硅氧基單元可以按多種方式組合以形成環(huán)狀、直鏈或支鏈的結(jié)構(gòu)。取決于有機(jī)聚硅氧烷中的硅氧基單元的數(shù)量和類型，所得的聚合物結(jié)構(gòu)的化學(xué)和物理性質(zhì)有所變化。例如，"線性"有機(jī)聚硅氧烷通常主要含D或（R2Si02/2)硅氧基單元，該單元可產(chǎn)生作為具有不同粘度的流體的聚二有機(jī)硅氧烷，這取決于聚二有機(jī)硅氧烷中的D單元的數(shù)量所指示的"聚合度"或DP。"線性"有機(jī)聚硅氧烷通常具有低于25°C的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg)。當(dāng)大多數(shù)硅氧基單元選自T或Q硅氧基單元時(shí)，得到"樹(shù)脂"有機(jī)聚硅氧烷。當(dāng)主要采用T硅氧基單元來(lái)制備有機(jī)聚硅氧烷時(shí)，所得的有機(jī)硅氧烷通常稱為"樹(shù)脂"或"倍半硅氧烷樹(shù)脂"。增加有機(jī)聚硅氧烷中的T或Q硅氧基單元的量通常導(dǎo)致聚合物具有增加的硬度和/或玻璃狀性質(zhì)。"樹(shù)脂"有機(jī)聚硅氧烷因此具有較高的Tg值，例如硅氧烷樹(shù)脂通常具有大于40°C，如大于50°C、大于60°C、大于70°C、大于80°C、大于90°C或大于100°C的Tg值。在一些實(shí)施例中，硅氧烷樹(shù)脂的Tg為約60°C至約100°C，，如約60°C至約80°C、約50°C至約100°C、約50°C至約80°C或約70°C至約100°C。[0070]如本文所用，"有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物"或"樹(shù)脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物"是指含有"線性"D硅氧基單元以及與之組合的"樹(shù)脂"T硅氧基單元的有機(jī)聚硅氧烷。在一些實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷共聚物是與"無(wú)規(guī)"共聚物相對(duì)的"嵌段"共聚物。因此，本文所述的"樹(shù)脂-有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物"是指包含D和T硅氧基單元的有機(jī)聚硅氧烷，其中D單元（即[R^SiO^]單元）主要鍵合在一起以形成在一些實(shí)施例中平均具有10至400個(gè)D單元（例如約10至約400個(gè)D單元、約10至約300個(gè)D單元、約10至約200個(gè)D單元、約10至約100個(gè)D單元、約50至約400個(gè)D單元、約100至約400個(gè)D單元、約150至約400個(gè)D單元、約200至約400個(gè)D單元、約300至約400個(gè)D單元、約50至約300個(gè)D單元、約100至約300個(gè)D單元、約150至約300個(gè)D單元、約200至約300個(gè)D單元、約100至約150個(gè)D單元、約115至約125個(gè)D單元、約90至約170個(gè)D單元或約110至約140個(gè)D單元）的聚合物鏈，其在本文稱為"線性嵌段"。[0071]T單元（即[R2Si03/2])主要彼此鍵合而形成支化聚合物鏈，其被稱為"非線性嵌段"。在一些實(shí)施例中，當(dāng)提供固體形式的嵌段共聚物時(shí)，大量的這些非線性嵌段可進(jìn)一步聚集而形成"納米域"。在一些實(shí)施例中，這些納米域形成與具有D單元的線性嵌段所形成的相分開(kāi)的相，以使得形成富含樹(shù)脂的相。在一些實(shí)施例中，二硅氧基單元[R^SiO^]以線性嵌段排列，每個(gè)線性嵌段平均具有10至400個(gè)二硅氧基單元[R^SiO^](如約10至約400個(gè)D單元、約10至約300個(gè)D單元、約10至約200個(gè)D單元、約10至約100個(gè)D單元、約50至約400個(gè)D單元、約100至約400個(gè)D單元、約150至約400個(gè)D單元、約200至約400個(gè)D單元、約300至約400個(gè)D單元、約50至約300個(gè)D單元、約100至約300個(gè)D單元、約150至約300個(gè)D單元、約200至約300個(gè)D單元、約100至約150個(gè)D單元、約115至約125個(gè)D單元、約90至約170個(gè)D單元或約110至約140個(gè)D單元），并且三硅氧基單元[的噸/2]以分子量為至少50(^/111〇1的非線性嵌段排列，并且至少30(%的非線性嵌段彼此交聯(lián)。[0072]上述式可替代性地被描述為[1?1與02/丄[1^丨03/2]13，其中下標(biāo)3和13表示有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的硅氧基單元的摩爾分?jǐn)?shù)。在這些式中，a可為0.4至0.9,或者0.5至0.9，或者0.6至0.9。另外，在這些式中，b可為0.1至0.6,或者0.1至0.5,或者0.1至0.4。[0073]上面的二硅氧基單元的式中的R1獨(dú)立地為Q至C3(l烴基。該烴基可以獨(dú)立地為烷基、芳基或烷芳基。如本文所用，烴基也包括鹵素取代的烴基，其中鹵素可以為氯、氟、溴或它們的組合。R1可以是(^至(：3(|烷基，或者R1可以是(^至(：18烷基?；蛘逺1可以是(^至(：6燒基，如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基?；蛘逺1可以是甲基。R1可以是芳基，如苯基、萘基或蒽基?；蛘?，R1可以是上述烷基或芳基的任何組合?；蛘?，R1是苯基、甲基或兩者的組合。[0074]上面的三硅氧基單元的式中的各R2獨(dú)立地為Q至C2(l烴基。如本文所用，烴基也包括鹵素取代的烴基，其中鹵素可以為氯、氟、溴或它們的組合。R2可以是芳基，如苯基、萘基、蒽基?；蛘撸琑2可以是烷基，如甲基、乙基、丙基或丁基?；蛘撸琑2可以是上述烷基或芳基的任何組合?；蛘?，R2是苯基或甲基。[0075]有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物可含有另外的硅氧基單元，諸如Μ硅氧基單元、Q硅氧基單元、其他獨(dú)特的D或Τ硅氧基單元（如具有非R1或R2的有機(jī)基團(tuán)），只要該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物含有如上所述的二硅氧基和三硅氧基單元摩爾分?jǐn)?shù)。換言之，由下標(biāo)a和b所指定的摩爾分?jǐn)?shù)之和不一定必須總和為1。a+b的和可小于1以允許可能存在于該有機(jī)硅氧燒嵌段共聚物中的其他娃氧基單兀的量。例如，a+b的和可大于0.6、大于0.7、大于0.8、大于0.9、大于0.95或大于0.98或0.99。[0076]在一個(gè)例子中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物基本上由上述重量百分比的式R^SiO^的二硅氧基單元和式R2Si03/2的三硅氧基單元組成，同時(shí)還包含0.5至25摩爾％的硅醇基團(tuán)[=SiOH]，其中R1和R2如上所述。因而，在該例子中，a+b之和（當(dāng)用摩爾分?jǐn)?shù)來(lái)表示該共聚物中的二硅氧基和三硅氧基單元的量時(shí)）大于0.95,或者大于0.98。此外，在該例子中，術(shù)語(yǔ)"基本上由…組成"描述有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物不含未在本文中描述的其他娃氧燒單元。[0077]如本文所述，式[R^SiO^U^SiO^b以及使用摩爾分?jǐn)?shù)的相關(guān)式，不限制二硅氧基R^SiO^和三硅氧基R2Si03/2單元在有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的結(jié)構(gòu)順序。相反，這些式為描述這兩種單元在有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的相對(duì)量提供非限制性的表示法，依照上文通過(guò)下標(biāo)a和b描述的摩爾分?jǐn)?shù)。有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的各種硅氧基單元的摩爾分?jǐn)?shù)以及硅醇含量可通過(guò)29SiNMR技術(shù)測(cè)定。[0078]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含40至90摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元，例如50至90摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元；60至90摩爾％的式[R^SiO%]的二硅氧基單元；65至90摩爾％的式[R^SiO%]的二硅氧基單元；70至90摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元；或80至90摩爾％的式[R^SiO%]二硅氧基單元；40至80摩爾％的式[#如02/2]的二硅氧基單元；40至70摩爾％的式[#如02/2]的二硅氧基單元；40至60摩爾％的式[R^SiO^]的二硅氧基單元；40至50摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元；50至80摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元；50至70摩爾％的式[R^SiO^]的二硅氧基單元；50至60摩爾％的式[R^SiO^]的二硅氧基單元；60至80摩爾％的式?jīng)r如02/2]的二硅氧基單元；60至70摩爾％的式[#與02/2]的二硅氧基單元；或70至80摩爾％的式[R^SiOm]二硅氧基單元。[0079]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含10至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元，例如10至20摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；10至30摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；10至35摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；10至40摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；10至50摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；20至30摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；20至35摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；20至40摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；20至50摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；20至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；30至40摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；30至50摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；30至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；40至50摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元；或40至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元。[0080]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含0.5至25摩爾％的硅醇基團(tuán)[ΞSiOH](例如0.5至5摩爾％、0.5至10摩爾％、0.5至15摩爾％、0.5至20摩爾％、5至10摩爾％、5至15摩爾％、5至20摩爾％、5至25摩爾％、10至15摩爾％、10至20摩爾％、10至25摩爾％、15至20摩爾％、15至25摩爾％或20至25摩爾％)。在有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的樹(shù)脂組分上存在的硅醇基團(tuán)可允許有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物在升高的溫度下進(jìn)一步反應(yīng)或固化或允許其交聯(lián)。非線性嵌段的交聯(lián)可通過(guò)多種化學(xué)機(jī)理和/或部分來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的非線性嵌段的交聯(lián)可由該有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的非線性嵌段中存在的殘余硅醇基團(tuán)縮合而引起。[0081]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的二硅氧基單元[R^SiO^]以線性嵌段排列，所述線性嵌段平均具有10至400個(gè)二硅氧基單元，例如約10至約400個(gè)二硅氧基單元；約10至約300個(gè)二硅氧基單元；約10至約200個(gè)二硅氧基單元；約10至約100個(gè)二硅氧基單元；約50至約400個(gè)二硅氧基單元；約100至約400個(gè)二硅氧基單元；約150至約400個(gè)二硅氧基單元；約200至約400個(gè)二硅氧基單元；約300至約400個(gè)二硅氧基單元；約50至約300個(gè)二硅氧基單元；約100至約300個(gè)二硅氧基單元；約150至約300個(gè)二硅氧基單元；約200至約300個(gè)二硅氧基單元；約100至約150個(gè)二硅氧基單元；約115至約125個(gè)二硅氧基單元；約90至約170個(gè)二硅氧基單元或約110至約140個(gè)二硅氧基單元。[0082]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中的非線性嵌段具有至少500g/mol例如至少1000g/mol、至少2000g/mol、至少3000g/mol或至少4000g/mol的數(shù)均分子量；或具有約500g/mol至約4000g/mol、約500g/mol至約3000g/mol、約500g/mol至約2000g/mol、約500g/mol至約1000g/mol、約1000g/mol至2000g/mol、約1000g/mol至約1500g/mol、約1000g/mol至約1200g/mol、約1000g/mol至3000g/mol、約1000g/mol至約2500g/mol、約1000g/mol至約4000g/mol、約2000g/mol至約3000g/mol或約2000g/mol至約4000g/mol的分子量。[0083]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物中至少30%的非線性嵌段彼此交聯(lián)，例如至少40%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；至少50%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；至少60%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；至少70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；或至少80%的非線性嵌段彼此交聯(lián)。在其他實(shí)施例中，約30%至約80%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約30%至約70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約30%至約60%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約30%至約50%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約30%至約40%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約40%至約80%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約40%至約70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約40%至約60%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約40%至約50%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約50%至約80%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約50%至約70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約55%至約70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約50%至約60%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；約60%至約80%的非線性嵌段彼此交聯(lián)；或約60%至約70%的非線性嵌段彼此交聯(lián)。[0084]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/mol的重均分子量（凡)，或者至少40,000g/mol的重均分子量、或者至少50,000g/mol的重均分子量、或者至少60,000g/mol的重均分子量、或者至少70,000g/mol的重均分子量、或者至少80,000g/mol的重均分子量。在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物具有約20,000g/mol至約250,000g/mol或約100,000g/mol至約250,000g/mol的重均分子量（Mw)，或者約40,000g/mol至約100,000g/mol的重均分子量、或者約50,000g/mol至約100,000g/mol的重均分子量、或者約50,000g/mol至約80,000g/mol的重均分子量、或者約50,000g/mol至約70,000g/mol的重均分子量、或者約50,000g/mol至約60,000g/mol的重均分子量。在其他實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的重均分子量為40,000至100,000、50,000至90,000、60,000至80,000、60,000至70,000、100,000至500,000、150,000至450,000、200,000至400,000、250,000至350,000或250,000至300,000g/mol。在另外其他實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有40,000至60,000、45,000至55,000或約50,000g/mol的重均分子量。[0085]在一些實(shí)施例中，本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有約15,000至約50,000g/mol、約15,000至約30,000g/mol、約20,000至約30,000g/mol或約20,000至約25,000g/mol的數(shù)均分子量（Mn)。[0086]在一些實(shí)施例中，將前述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物例如通過(guò)以下方式以固體形式分離：澆注嵌段共聚物在有機(jī)溶劑（如苯、甲苯、二甲苯或它們的組合）中的溶液的膜，并使溶劑蒸發(fā)。在這些條件下,可作為含有約50重量％至約80重量％固體例如約60重量％至約80重量％、約70重量％至約80重量％或約75重量％至約80重量％固體的有機(jī)溶劑中的溶液提供前述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物。在一些實(shí)施例中，溶劑為甲苯。在一些實(shí)施例中，此類溶液將具有在25°C下約1500厘沲至約4000厘沲的粘度，例如在25°C下約1500厘沲至約3000厘沲、約2000厘沲至約4000厘沲或約2000厘沲至約3000厘沲的粘度。[0087]在干燥或形成固體后，嵌段共聚物的非線性嵌段進(jìn)一步聚集在一起形成"納米域"。如本文所用，"主要聚集"意指有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的大部分非線性嵌段存在于固體組合物的某些區(qū)域，即本文所述的"納米域"。如本文所用，"納米域"是指固體嵌段共聚物組合物內(nèi)的那些相區(qū)，所述相區(qū)在固體嵌段共聚物組合物內(nèi)已相分離，并且至少一個(gè)維度尺寸為1至100納米。該納米域形狀方面可有所變化，只要該納米域的至少一個(gè)維度尺寸為1至100納米。因而，該納米域的形狀可以是規(guī)則的或不規(guī)則的。該納米域可以是球形、圓柱形、管形，以及在一些情形中為層狀。[0088]在又一個(gè)實(shí)施例中，如上所述的固體有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物含有第一相和不相容的第二相，該第一相主要含有如上文所定義的二硅氧基單元[R^SiO^]，該第二相主要含有如上文所定義的三硅氧基單元[R2Si03/2]，非線性嵌段充分聚集成與第一相不相容的納米域。[0089]當(dāng)固體組合物由本文所述的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的可固化組合物形成時(shí)，在一些實(shí)施例中，該固體組合物還包含有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂（如，不是嵌段共聚物的一部分的游離樹(shù)脂），有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂還主要聚集在納米域內(nèi)。[0090]本發(fā)明固體嵌段共聚物中的硅氧基單元和三硅氧基單元的結(jié)構(gòu)順序以及納米域的表征，可用某些分析技術(shù)明確測(cè)定，如透射電子顯微鏡（TEM)技術(shù)、原子力顯微技術(shù)(AFM)、小角度中子散射、小角度X射線散射和掃描電子顯微技術(shù)。[0091]或者，該嵌段共聚物中的二硅氧基單元和三硅氧基單元的結(jié)構(gòu)順序以及納米域的形成，可通過(guò)表征由來(lái)源于本發(fā)明有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的涂層的某些物理性質(zhì)來(lái)暗示。例如，本發(fā)明有機(jī)硅氧烷共聚物可提供可見(jiàn)光光學(xué)透射率大于95%的涂層。本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到，僅在可見(jiàn)光能夠通過(guò)這樣一種介質(zhì)且不被尺寸大于150納米的粒子（或如本文所用的域）衍射時(shí)是該光學(xué)透明度可能的（而不是兩相的折光率匹配）。當(dāng)粒度或域進(jìn)一步降低時(shí)，該光學(xué)透明度可進(jìn)一步改善。因而，源于本發(fā)明的有機(jī)硅氧烷共聚物的涂層可具有至少95%的可見(jiàn)光透光率，例如至少96%、至少97%、至少98%、至少99%或100%的可見(jiàn)光透光率。如本文所用，術(shù)語(yǔ)"可見(jiàn)光"包括350nm以上波長(zhǎng)的光。[0092]本發(fā)明的固體組合物可包含相分離的"軟"鏈段和"硬"鏈段，其分別來(lái)自于線性D單元的嵌段和非線性T單元嵌段的聚集體。這些相應(yīng)的軟鏈段和硬鏈段可通過(guò)不同的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg)來(lái)測(cè)定或推斷。因此，線性鏈段可被描述為通常具有低Tg(例如小于25°C，或者小于〇°C，或者甚至小于-20°C)的"軟"鏈段。線性鏈段通常在多種條件下保持"流體"狀行為。相反，非線性嵌段可被描述為具有較高的！；值（例如大于30°C，或者大于40°C，或者甚至大于50°C)的"硬鏈段"。[0093]本發(fā)明的樹(shù)脂-線性有機(jī)聚硅氧烷嵌段共聚物的優(yōu)點(diǎn)在于它們可加工數(shù)次，因?yàn)榧庸囟龋═jjnI)低于最終固化該有機(jī)娃氧燒嵌段共聚物所需的溫度（Tg?)，即TjjnI〈Tg?。然而，當(dāng)！大于T時(shí)，有機(jī)硅氧烷共聚物將會(huì)固化并實(shí)現(xiàn)高的溫度穩(wěn)定性。因而，本發(fā)明樹(shù)脂-線性有機(jī)聚硅氧烷嵌段共聚物提供"可再加工"的顯著優(yōu)點(diǎn)以及通常與有機(jī)硅相關(guān)的有益效果，例如疏水性、高的溫度穩(wěn)定性、抗潮/抗UV性。[0094]在一個(gè)實(shí)施例中，將線性軟嵌段硅氧烷單元，如，聚合度（dp)>2(如，dp>10、(^>50、(^>100、(^>150、或(^為約2至約150、(^為約50至約150、或(^為約70至約150)的線性軟嵌段硅氧烷單元接枝至具有高于室溫的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的線性或樹(shù)脂的"硬嵌段"硅氧烷單元。在相關(guān)的實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物（如，硅醇封端的有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物）與硅烷（例如甲基三乙酰氧基硅烷和/或甲基三肟硅烷）反應(yīng)，然后與硅醇官能化的苯基倍半硅氧烷樹(shù)脂反應(yīng)。在另外其他實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含一個(gè)或多個(gè)軟嵌段（如，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度<25°C的嵌段）和一個(gè)或多個(gè)線性硅氧烷"預(yù)聚物"嵌段，在一些實(shí)施例中，該預(yù)聚物嵌段包含作為側(cè)鏈的芳基（如，聚（苯基甲基硅氧烷））。在另一個(gè)實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含的PhMe-D含量>20摩爾％(如，>30摩爾％、>40摩爾％、>50摩爾％、或約20至約50摩爾％、約30至約50摩爾％、或約20至約30摩爾％)丨11]^-0(^>2(如，(^>10、(^>50、(^>100、(^>150、或(^為約2至約150、(^為約50至約150、或(1?為約70至約150);和/或？112-0/]^2-0>20摩爾％(如，>30摩爾％、>40摩爾％、>50摩爾％、或約20至約50摩爾％、約30至約50摩爾％、或約20至約30摩爾％)，其中Ph2-D/Me2-D的摩爾比為約3/7。在一些實(shí)施例中，Ph2-D/Me2-D摩爾比為約1/4至約1/2,如，約3/7至約3/8。在另外其他實(shí)施例中，有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物包含一個(gè)或多個(gè)硬嵌段（如，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度>25°C的嵌段）和一個(gè)或多個(gè)線性或樹(shù)脂硅氧烷，例如苯基倍半硅氧烷樹(shù)脂，其可用于形成非粘性膜。[0095]在一些實(shí)施例中，包含樹(shù)脂-線性有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物的固體組合物還包含超強(qiáng)堿催化劑。參見(jiàn)例如2012年12月14日提交的PCT專利申請(qǐng)No.PCT/US2012/069701和2012年12月14日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)No.61/570,477,所述專利申請(qǐng)的全文以引用方式并入，如同在本文完整示出一樣。術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"和"超強(qiáng)堿催化劑"在本文中可互換使用。在一些實(shí)施例中，包含超強(qiáng)堿催化劑的固體組合物與沒(méi)有超強(qiáng)堿催化劑的類似組合物相比表現(xiàn)出增強(qiáng)的固化速率、改善的機(jī)械強(qiáng)度和提高的熱穩(wěn)定性。[0096]術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"在本文用于指代具有非常高的堿度的化合物，如二異丙基氨基鋰。術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"還涵蓋導(dǎo)致具有新特性的新堿性物質(zhì)的兩種（或更多種）堿的混合物所產(chǎn)生的堿。術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"并不一定意指熱力學(xué)上和/或動(dòng)力學(xué)上比另一者更強(qiáng)的堿。相反，在一些實(shí)施例中，其表示通過(guò)合并若干不同堿的特性而產(chǎn)生堿性試劑。術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"還涵蓋具有相對(duì)于1，8-雙（二甲氨基）萘更高的絕對(duì)質(zhì)子親和力（APA=245.3千卡/mol)和固有氣相堿度（GB=239千卡/mol)的任何物質(zhì)。[0097]超強(qiáng)堿的非限制性例子包括有機(jī)超強(qiáng)堿、有機(jī)金屬超強(qiáng)堿和無(wú)機(jī)超強(qiáng)堿。[0098]有機(jī)超強(qiáng)堿包括但不限于含氮化合物。在一些實(shí)施例中，含氮化合物還具有低親核性和相對(duì)溫和的使用條件。超強(qiáng)堿的非限制性例子包括磷腈、脒、胍和多環(huán)聚胺。有機(jī)超強(qiáng)堿還包括在雜原子上的氫被替換為反應(yīng)性金屬的化合物，如在氧上（不穩(wěn)定的醇鹽）或在氮上（金屬酰胺，如二異丙基氨基鋰）。在一些實(shí)施例中，超強(qiáng)堿催化劑為脒化合物。[0099]在一些實(shí)施例中，術(shù)語(yǔ)"超強(qiáng)堿"是指具有至少兩個(gè)氮原子和在水中測(cè)得的為約0.5至約11的pKb的有機(jī)超強(qiáng)堿。例如，pKb在水中測(cè)得為約0.5至約10、約1至約5、約6至約11、約3至約5、約0.5至約3或約2至約5。就pKa而言，在一些實(shí)施例中，超強(qiáng)堿具有在水中測(cè)得的為約3至約13.5的pKa。例如，？1(3在水中測(cè)得為約5至約10、約5至約10、約8至約13.5、約6至約8、約10至約12或約9至約12。例如，1，4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷（也稱為DABC0)具有2.97和8.82的pKa(因?yàn)槠浒瑑蓚€(gè)氮）；以及1，8-二氮雜二環(huán)[5.4.0]十一碳_7_烯（也稱為DBU)具有約12的pKa。參見(jiàn)例如http://evans.harvard.edu/pdf/evans_pka_table.pdf〇[0100]有機(jī)金屬超強(qiáng)堿包括但不限于有機(jī)鋰和有機(jī)鎂（格式試劑）化合物。在一些實(shí)施例中，有機(jī)金屬超強(qiáng)堿的位阻達(dá)到使其成為非親核性的所必要的程度。[0101]超強(qiáng)堿還包括有機(jī)超強(qiáng)堿、有機(jī)金屬超強(qiáng)堿和/或無(wú)機(jī)超強(qiáng)堿的混合物。這樣的混合超強(qiáng)堿的非限制性例子為Schlosser堿（或Lochmann-Schlosser堿），其為正丁基鋰和叔丁醇鉀的組合。正丁基鋰和叔丁醇鉀的組合形成混合的比任何一種單獨(dú)的試劑具有更大反應(yīng)性并具有與叔丁醇鉀相比明顯不同的性質(zhì)的聚集體。[0102]無(wú)機(jī)超強(qiáng)堿包括具有小、高度帶電的陰離子的類鹽化合物。無(wú)機(jī)超強(qiáng)堿的非限制性例子包括氮化鋰以及堿和堿土金屬氫化物，包括氫化鉀和氫化鈉。這樣的物質(zhì)由于強(qiáng)陽(yáng)離子-陰離子相互作用而可溶于所有溶劑，但這些材料的表面為高度反應(yīng)性的并且可以使用漿液。[0103]在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，超強(qiáng)堿催化劑為有機(jī)超強(qiáng)堿，例如如上所述或本領(lǐng)域已知的任何有機(jī)超強(qiáng)堿。[0104]在又一個(gè)實(shí)施例中，超強(qiáng)堿催化劑包含：[0105]1，8-二氮雜二環(huán)[5.4.0]i-一碳-7-烯（DBU)，（CAS號(hào)6674-22-2)[0106]1，5,7-三氮雜二環(huán)[4.4.0]癸-5-烯（TBD)，（CAS號(hào)5807-14-7)[0107]1，4-二氮雜二環(huán)[2.2.2]辛烷（DABC0)，（CAS號(hào)280-57-9)[0108]1，1，3,3-四甲基胍（TMG)，（CAS號(hào)80-70-6)[0109]1，5-二氮雜二環(huán)[4.3.0]-5_壬烯（DBN)，（CAS號(hào)3001-72-7)[0110]7-甲基-1，5,7-三氮雜二環(huán)[4.4.0]癸-5-烯（MTBD)，（CAS號(hào)84030-20-6)[0111]或它們的組合。[0112]其每一個(gè)的結(jié)構(gòu)如下所示：[0113]【權(quán)利要求】1.一種光學(xué)制品，包含：含有機(jī)硅的組合物，其包括第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一折光率；和第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有不同于所述第一折光率的第二折光率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)硅的組合物包含：第一組合物，所述第一組合物具有所述第一折光率并對(duì)應(yīng)于所述第一區(qū)域；和第二組合物，所述第二組合物具有所述第二折光率并對(duì)應(yīng)于所述第二區(qū)域，所述第二組合物不同于所述第一組合物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)制品，其中所述第一組合物具有第一材料濃度，并且所述第二組合物具有不同于所述第一濃度的第二材料濃度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)制品，其中所述材料包含：二硅氧基單元、三硅氧基單元和/或硅醇基團(tuán)之一；添加劑；來(lái)自所述第一和/或第二組合物的合成的副產(chǎn)物；或它們的組合。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)制品，其中所述材料包含層狀和/或球形的特征。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)制品，其中所述材料包含不規(guī)則形狀的和/或圓柱形的特征。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)制品，其中所述材料為第一材料，并且其中所述第一和第二組合物還具有不同于所述第一材料的第二材料，其中所述第一和第二濃度基于所述第一材料相對(duì)于所述第二材料的濃度。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)制品，其中所述第一和第二材料各自選自包含下列各項(xiàng)的組：二硅氧基單元、三硅氧基單元和/或硅醇基團(tuán)；添加劑；來(lái)自所述第一和/或第二組合物的合成的副產(chǎn)物；或它們的組合。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)制品，其中所述第一和第二材料各自選自包含層狀和/或球形的特征的組。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)制品，其中所述第一和第二材料各自選自包含不規(guī)則形狀的和/或圓柱形的特征的組。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)制品，其中所述第一區(qū)域?yàn)橄薅ǖ谝恢髌矫娴牡谝粚拥闹辽僖徊糠?，并且所述第二區(qū)域?yàn)橄薅ǖ诙髌矫娴牡诙拥闹辽僖徊糠?，其中所述第一和第二主平面相?duì)于彼此基本上平行。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)制品，其中所述第一層與所述第二層接觸。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)制品，還包括具有第三折光率的第三區(qū)域，所述第三區(qū)域位于所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間，所述第三折光率具有在所述第一折光率的值與所述第二折光率的值之間的值。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)制品，其中所述第三區(qū)域包含第三組合物，所述第三組合物為所述第一組合物和所述第二組合物的組合。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)制品，其中所述第三組合物至少部分地通過(guò)將熱施加到所述第一和第二組合物而形成。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的光學(xué)制品，其中所述第三組合物包含所述第一和第二組合物的混合物。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光學(xué)制品，其中所述第三組合物至少部分地通過(guò)將溶劑施加到至少所述第一組合物而形成。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)硅的組合物還包括具有第三組合物的第三層，所述第三組合物具有第三折光率，其中所述第三層具有相對(duì)于所述第一和第二主平面基本上平行的第三主平面。19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)硅的組合物在所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域之間具有折光率濃度梯度。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)娃的組合物形成具有第一主表面和第二主表面的片材，其中所述第一區(qū)域鄰近所述第一主表面，并且所述第二區(qū)域鄰近所述第二主表面。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光學(xué)制品，其中所述濃度梯度從所述第一主表面延伸到所述第二主表面。22.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)硅的組合物包括樹(shù)脂-線性組合物。23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)制品，其中所述含有機(jī)硅的組合物包括熱烙融含有機(jī)娃的組合物。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光學(xué)制品，其中所述樹(shù)脂-線性組合物包含有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物，所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物含有：40摩爾％至90摩爾％的式[R^SiOm]的二硅氧基單元，10摩爾％至60摩爾％的式[R2Si03/2]的三硅氧基單元，0·5摩爾％至25摩爾％的硅醇基團(tuán)[ξSiOH];其中：R1獨(dú)立地為Q至C3(l烴基，R2獨(dú)立地為Q至C2(l烴基；其中：所述二硅氧基單元[R^SiO^]以線性嵌段排列，每個(gè)線性嵌段平均具有10至400個(gè)二硅氧基單元[#與02/2]，所述三硅氧基單元[R2Si03/2]以具有至少500g/mol的分子量的非線性嵌段排列，所述非線性嵌段的至少30%彼此交聯(lián)并主要以納米域聚集在一起，每個(gè)線性嵌段連接到至少一個(gè)非線性嵌段；并且所述有機(jī)硅氧烷嵌段共聚物具有至少20,000g/m〇l的重均分子量，并在25°C下為固體。25.-種光學(xué)組合件，包括：根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光學(xué)制品；以及具有光學(xué)表面的光學(xué)器件，其中所述光學(xué)制品被構(gòu)造成根據(jù)所述第一和第二折光率來(lái)折射入射到所述光學(xué)表面的光。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的光學(xué)組合件，其中所述光學(xué)制品為封裝件。27.-種用于制備根據(jù)權(quán)利要求1-24中任一項(xiàng)所述的光學(xué)制品的方法，包括：形成含有機(jī)硅的組合物的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一折光率；以及形成含有機(jī)硅的組合物的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有不同于所述第一折光率的第二折光率。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中形成所述第一區(qū)域包括形成具有所述第一折光率的第一組合物，其中形成所述第二區(qū)域包括形成具有所述第二折光率的第二組合物，所述第二組合物不同于所述第一組合物，并且所述方法還包括：相對(duì)于所述第二組合物固定所述第一組合物。29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中形成所述第一區(qū)域和形成所述第二區(qū)域同時(shí)進(jìn)行。30.-種用于制備根據(jù)權(quán)利要求25或26所述的光學(xué)組合件的方法，包括：形成含有機(jī)硅的熱熔體的第一區(qū)域，所述第一區(qū)域具有第一折光率；形成含有機(jī)硅的熱熔體的第二區(qū)域，所述第二區(qū)域具有不同于所述第一折光率的第二折光率；以及相對(duì)于光學(xué)器件的光學(xué)表面固定含有機(jī)硅的組合物，其中所述含有機(jī)硅的組合物被構(gòu)造成根據(jù)所述第一和第二折光率來(lái)折射入射到所述光學(xué)表面的光。【文檔編號(hào)】G02B1/04GK104220902SQ201380015908【公開(kāi)日】2014年12月17日申請(qǐng)日期:2013年2月7日優(yōu)先權(quán)日:2012年2月9日【發(fā)明者】尼子雅章,G·B·加德納,S·斯維爾吉田真宗申請(qǐng)人:道康寧公司,道康寧東麗株式會(huì)社