Tft陣列基板、顯示面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板、顯示面板和顯示裝置，其中TFT陣列基板包括基板、位于基板上的遮光導(dǎo)電層和位于遮光導(dǎo)電層上方的公共電極，該陣列基板包括多個(gè)像素，遮光導(dǎo)電層包含遮光元件，用于遮擋每個(gè)像素內(nèi)的TFT的溝道，包括多條沿第一方向延伸的第一公共電極線和沿第二方向延伸的第二公共電極線，第一公共電極線和第二公共電極線中的至少一條與公共電極電連接，第二公共電極線與第一公共電極線交錯形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，二者在垂直于陣列基板方向的投影覆蓋多個(gè)像素之間的間隙區(qū)域。上述陣列基板通過形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的第一公共電極線和第二公共電極線，且與公共電極電連接，提高了公共電極各處電壓的均衡性，改善了串?dāng)_和畫面閃爍問題。
【專利說明】TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器【技術(shù)領(lǐng)域】,更具體地說,涉及一種TFT(Thin Film Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管)陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板具有低輻射、低功耗、體積輕薄等諸多優(yōu)點(diǎn)，是目前顯示【技術(shù)領(lǐng)域】最為主流的一種顯示面板，廣視角是液晶顯示面板發(fā)展的一大趨勢。根據(jù)液晶分子排布方式的不同，廣視角液晶顯示面板可分為IPS(In-Plane Switching,平面轉(zhuǎn)換)型、FFS (FringeField Switching,邊緣場開關(guān))型、VA (Vertical Alignment,垂直定向)型。其中，F(xiàn)FS 型液晶顯示面板相比其它類型的廣視角液晶顯示面板具有高透光率、寬視角、交叉串?dāng)_小、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是領(lǐng)域內(nèi)研究的熱點(diǎn)。
[0003]FFS型液晶顯示面板的每個(gè)像素單元的架構(gòu)如圖1所示，公共電極101為整片的片電極，像素電極102為梳齒狀電極，柵極線103和數(shù)據(jù)線104縱橫交錯，二者交疊處具有TFTjTFT的源極與數(shù)據(jù)線104相連，漏極通過過孔與像素電極102相連，遮光層105設(shè)置于TFT所在區(qū)域，用于遮擋TFT。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中公共電極101通過采用ITO (Indium Tin Oxide,氧化銦錫)形成,且公共電極101的結(jié)構(gòu)為整片的片電極,ITO的片電阻為60?80Q/sq，造成公共電極101的阻值較大，這引起在電壓傳導(dǎo)過程中公共電極上的電壓分布不均衡，產(chǎn)生串?dāng)_和畫面閃爍的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置，以改善顯示面板的串?dāng)_和畫面閃爍的問題，提高顯示畫面質(zhì)量。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:
[0007]—種TFT陣列基板,包括:基板、位于所述基板上的遮光導(dǎo)電層和位于所述遮光導(dǎo)電層上方的公共電極，其中，所述陣列基板包括多個(gè)像素，所述遮光導(dǎo)電層包含遮光元件，用于遮擋每個(gè)所述像素內(nèi)的TFT的溝道，所述遮光導(dǎo)電層還包括:多條沿第一方向延伸的第一公共電極線和多條沿第二方向延伸的第二公共電極線；多條所述第一公共電極線和多條所述第二公共電極線中的至少一條與所述公共電極電連接，多條所述第一公共電極線與多條所述第二公共電極線交錯形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極線和所述第二公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影覆蓋所述多個(gè)像素之間的間隙區(qū)域。
[0008]優(yōu)選的，所述遮光導(dǎo)電層的材料為金屬。
[0009]優(yōu)選的，所述第一公共電極線和/或所述第二公共電極線通過過孔與所述公共電極電連接。
[0010]優(yōu)選的，所述第一公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與所述TFT陣列基板的柵極線交疊，且所述第二公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與所述TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線交疊。
[0011]優(yōu)選的，所述陣列基板上的多個(gè)像素包括紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素，所述紅色像素和所述藍(lán)色像素之間的所述第二公共電極線具有第一寬度，所述紅色像素和所述綠色像素之間的所述第二公共電極線具有第二寬度，所述綠色像素和所述藍(lán)色像素之間的所述第二公共電極線具有第三寬度，所述第一寬度、第二寬度和第三寬度中的至少一個(gè)大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
[0012]優(yōu)選的，所述第二寬度大于所述第一寬度和/或所述第三寬度大于所述第一寬度。
[0013]優(yōu)選的，所述第二寬度大于所述第三寬度。
[0014]優(yōu)選的，所述TFT陣列基板沿透光方向依次包括:所述遮光導(dǎo)電層、第一絕緣層、有源層、第二絕緣層、柵極線層、第三絕緣層、源漏極及數(shù)據(jù)線層、第四絕緣層、公共電極層、第五絕緣層和像素電極層，所述TFT陣列基板還包括:位于所述柵極線層的第一電極，所述第一電極與所述遮光導(dǎo)電層電連接，以與位于所述像素電極層的像素電極形成存儲電容。
[0015]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括以上任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
[0016]本發(fā)明還提供了一種顯示面板，包括TFT陣列基板、與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及夾雜在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶層；所述彩膜基板包括與所述TFT陣列基板上紅色像素對應(yīng)的紅色色阻、與所述TFT陣列基板上綠色像素對應(yīng)的綠色色阻、以及與所述TFT陣列基板上藍(lán)色像素對應(yīng)的藍(lán)色色阻，所述紅色色阻、綠色色阻、藍(lán)色色阻之間具有黑矩陣；所述第一公共電極線的寬度小于或等于彩膜基板上相鄰色阻之間的黑矩陣的寬度。
[0017]優(yōu)選的，所述紅色色阻與綠色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述紅色像素與綠色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述紅色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度大于或等于所述紅色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述綠色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度大于或等于綠色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度。
[0018]優(yōu)選的，所述紅色色阻與綠色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述紅色像素與綠色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述綠色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述綠色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述紅色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度大于或等于所述紅色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度。
[0019]本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括以上任一項(xiàng)所述的顯示面板。
[0020]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0021]本發(fā)明所提供的TFT陣列基板、顯示面板及顯示裝置，通過與原來用作遮擋TFT的遮光層在同一膜層中形成交錯成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的第一公共電極線和第二公共電極線，且使二者均與公共電極電連接，相當(dāng)于給公共電極并聯(lián)了一較小的電阻，從而使公共電極橫向和縱向的電流傳導(dǎo)更迅速，公共電極各處電壓的均衡性比現(xiàn)有技術(shù)提高，減輕了由公共電極電壓不均衡引起的顯示面板串?dāng)_和畫面閃爍的問題，提高了顯示畫面質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中FFS型液晶顯示面板的每個(gè)像素單元的俯視圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的TFT陣列基板所在的顯示面板的剖面圖；
[0025]圖3為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的TFT陣列基板的部分像素的俯視圖；
[0026]圖4為本發(fā)明實(shí)施例一所提供的TFT陣列基板的遮光導(dǎo)電層的俯視圖；
[0027]圖5為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的TFT陣列基板的遮光導(dǎo)電層的俯視圖；
[0028]圖6為本發(fā)明實(shí)施例二所提供的TFT陣列基板的剖面圖；
[0029]圖7為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的TFT陣列基板的剖面圖；
[0030]圖8為本發(fā)明實(shí)施例三所提供的TFT陣列基板的公共電極與像素電極之間的存儲電容的等效電路圖；
[0031]圖9為本發(fā)明實(shí)施例四所提供的顯示面板的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0033]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0034]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0035]實(shí)施例一
[0036]本實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板，尤其適合LTPS-TFT (Low TemperaturePoly-silicon Thin Film Transistor,低溫多晶娃薄膜場效應(yīng)晶體管)陣列基板。結(jié)合圖
2、圖3和圖4所示，其中，圖2為本實(shí)施例所提供的TFT陣列基板所在的顯示面板的剖面圖，圖3為本實(shí)施例所提供的TFT陣列基板的部分像素的俯視圖，圖4為本實(shí)施例所提供的TFT陣列基板的遮光導(dǎo)電層的俯視圖，該陣列基板20包括:基板200、遮光導(dǎo)電層201和公共電極209，陣列基板20包括多個(gè)像素300。
[0037]遮光導(dǎo)電層201位于基板200 —側(cè)的表面上，公共電極209位于遮光導(dǎo)電層201背離基板200的一側(cè)。
[0038]具體的，遮光導(dǎo)電層201包含用于遮擋每個(gè)像素內(nèi)的TFT的溝道的遮光元件(圖2中未示出),遮光導(dǎo)電層201還包括:多條第一公共電極線303和多條第二公共電極線304 ；第一公共電極線303沿第一方向延伸,第二公共電極線304沿第二方向延伸；多條第一公共電極線303與多條第二公共電極線304交錯形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，第一公共電極線303和第二公共電極線304在垂直于TFT陣列基板20方向上的投影覆蓋多個(gè)像素300之間的間隙區(qū)域；多條第一公共電極線303和多條第二公共電極線304中的至少一條與公共電極209電連接(即至少一條第一公共電極線303和/或至少一條第二公共電極線304與公共電極209電連接)。[0039]需要說明的是，本實(shí)施中多條第一公共電線303和多條第二公共電極線304之間優(yōu)選的電連接，因此僅通過電連接它們中的至少一條至公共電極209即可實(shí)現(xiàn)第一公共電極線303和第二公共電極線304所形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與公共電極209的電連接。
[0040]本實(shí)施例中，利用TFT陣列基板上原來用于遮擋TFT元件的遮光層，將該遮光層圖案進(jìn)一步延展成交錯的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，形成所述遮光導(dǎo)電層，并使該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與公共電極209電連接，從而使形成該網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的第一公共電極線303和第二公共電極線304的電位與公共電極209的電位相同；由于第一公共電極線303和第二公共電極線304形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電阻比片狀的公共電極209的電阻要小的多，這相當(dāng)于給公共電極209并聯(lián)了一個(gè)十分小的電阻，根據(jù)多個(gè)電阻并聯(lián)后，整體的電阻比其中任何一個(gè)電阻都小的原理，本實(shí)施例中，對于第一公共電極線303和第二公共電極線304所形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)與公共電極209電連接形成的整體電極來講，其電阻遠(yuǎn)小于原來公共電極的電阻，電流能夠更迅速、更容易的通過公共電極進(jìn)行傳導(dǎo)，從而提高了電壓在公共電極上分布的均衡性；從另一角度來講，第一公共電極線303和第二公共電極線304所形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的電阻相對于公共電極209非常小，電流更易在網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的遮光導(dǎo)電層201上傳導(dǎo)，這相當(dāng)于提高了公共電極209上的橫向電流和縱向電流的傳導(dǎo)效率，降低了公共電極209的橫向傳輸電阻和縱向傳輸電阻，提高了電壓在公共電極上分布的均衡性，使由公共電極電壓不均衡引起的顯示面板串?dāng)_和畫面閃爍的問題得到較大程度的緩解，顯著提高了顯示畫面質(zhì)量。
[0041]基于降低電阻的思想，本實(shí)施例中遮光導(dǎo)電層201的材料優(yōu)選的可采用電阻率小的材料，遮光導(dǎo)電層201的材料可為金屬。
[0042]本實(shí)施例對遮光導(dǎo)電層在TFT陣列基板中的膜層位置并不具體限定，由于不同類型的顯示面板(如:FFS(Fringe Field Switching,邊緣場開關(guān))型顯示面板、IPS(In-PlaneSwitching,平面轉(zhuǎn)換)型顯不面板、MVA (Mult1-Domain Vertical Alignment,多疇垂直配向)型顯示面板等)，其TFT陣列基板的具體結(jié)構(gòu)不同，因此遮光導(dǎo)電層可根據(jù)TFT陣列基板的不同結(jié)構(gòu)位于不同的膜層位置。
[0043]第一公共電極線303和/或第二公共電極線304優(yōu)選的可通過過孔與公共電極209電連接；在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，第一公共電極線303和第二公共電極線304所形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)還可利用其它方式與公共電極209電連接。
[0044]本實(shí)施例中，在TFT陣列基板20的多個(gè)像素之間的間隙中具有多條柵極線和多條數(shù)據(jù)線，該多條柵極線沿第三方向延伸，多條數(shù)據(jù)線沿第四方向延伸，多條柵極線與多條數(shù)據(jù)線交錯呈網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，遮光導(dǎo)電層201的多條第一公共電極線303在垂直于該TFT陣列基板20方向上的投影可與該多條柵極線交疊，多條第二公共電極線304在垂直于TFT陣列基板20方向上的投影可與該多條數(shù)據(jù)線交疊，即第一方向與第三方向平行，第二方向與第四方向平行；或者，遮光導(dǎo)電層201的多條第一公共電極線303在垂直于該TFT陣列基板20方向上的投影可與該多條數(shù)據(jù)線交疊，多條第二公共電極線304在垂直于TFT陣列基板20方向上的投影可與該多條柵極線交疊，即第一方向與第四方向平行，第二方向與第三方向平行。
[0045]需要說明的是，本實(shí)施例所提供的遮光導(dǎo)電層201中的第一公共電極線303和第二公共電極線304所形成的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)具有降低公共電極電阻的功能，遮光導(dǎo)電層201的遮光元件有遮擋TFT的溝道的功能。具體的，可使TFT的溝道在垂直于TFT陣列基板20的方向上的投影完全位于第一公共電極線303或第二公共電極線304所在的區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)對TFT溝道的遮擋。另外，所述遮光元件(圖中未示出)可與位于同層的第一公共電極線303和第二公共電極線304電連接，也可電性絕緣，本實(shí)施例中，所述遮光元件優(yōu)選的與第一公共電極線303和第二公共電極線304電性絕緣，從而可以避免對TFT溝道可能造成的調(diào)制作用。
[0046]本實(shí)施例所提供的TFT陣列基板20除上述結(jié)構(gòu)外，還可進(jìn)一步包括:
[0047]位于遮光導(dǎo)電層201背離基板200 —面上的第一絕緣層202 ；
[0048]位于第一絕緣層202背離基板200 —面上的有源層203 ；
[0049]位于有源層203背離基板200 —面上的第二絕緣層204 ；
[0050]位于第二絕緣層204背離基板200 —面上的柵極線層205，所述TFT陣列基板中TFT的柵極也可以位于這一層；
[0051]位于柵極線層205背離基板200 —面上的第三絕緣層206 ；
[0052]位于第三絕緣層206背離基板200 —面上的數(shù)據(jù)線、所述TFT的源極和漏極所在的膜層207 ；
[0053]位于數(shù)據(jù)線、源極和漏極所在的膜層207背離基板200 —面上的第四絕緣層208 ；
[0054]位于第四絕緣層208背離基板200 —面上的公共電極層209 (即公共電極209)；
[0055]位于公共電極層209背離基板200 —面上的第五絕緣層210 ；
[0056]位于第五絕緣層210背離基板200 —面上的像素電極層211 ；
[0057]位于像素電極層211背離基板200 —面上的第六絕緣層212。
[0058]需要指出的是，附圖中所示出的各膜層僅為TFT陣列基板上各個(gè)元件之間的膜層位置關(guān)系，并不代表各個(gè)元件的實(shí)際形狀和結(jié)構(gòu)，不應(yīng)以此限定本發(fā)明實(shí)施例。
[0059]另外，上述結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板為FFS型顯示面板的陣列基板，本實(shí)施僅以該結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板為例進(jìn)行展開說明，這并不能使本實(shí)施例所提出的將遮光層延伸成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并與公共電極電連接，以改善串?dāng)_和畫面閃爍問題的技術(shù)方案的適用范圍限定于此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以結(jié)合相關(guān)技術(shù)對非本發(fā)明重點(diǎn)做結(jié)構(gòu)上等效替換。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，上述技術(shù)方案還可適用于其它類型或結(jié)構(gòu)的TFT陣列基板。
[0060]實(shí)施例二
[0061]基于上述實(shí)施例一，本實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板，該陣列基板在改善畫面串?dāng)_和閃爍問題的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步改善了顯示畫面的大視角色偏問題。
[0062]具體的，如圖5所示，該陣列基板上的多個(gè)像素包括紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B，第一公共電極線303在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與所述柵極線交疊，第二公共電極線304在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線交疊，則紅色像素R和藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304具有第一寬度W1，紅色像素R和綠色像素G之間的第二公共電極線304具有第二寬度w2，綠色像素G和藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304具有第三寬度w3。本實(shí)施例中，使第二寬度W2大于第一寬度W1，且第二寬度大于數(shù)據(jù)線的寬度，能夠改善顯示面板的大視角色偏。
[0063]其原理如圖6所示，光線從TFT陣列基板601入射，穿透與TFT陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板602出射，若TFT陣列基板601的像素之間不存在第二公共電極線304，則TFT陣列基板上像素之間能夠遮擋光線的元件為位于像素之間的數(shù)據(jù)線。如果顯示面板要顯示紅色，一部分垂直入射的光線會經(jīng)過紅色像素R，從彩膜基板602上的紅色色阻R’穿出，則從A1方向正視觀察顯示畫面呈紅色；但是，當(dāng)從A2方向觀察顯示面板時(shí)，會有一部分光線(即L1范圍內(nèi)的光線)從藍(lán)色像素B與紅色像素R之間的數(shù)據(jù)線右側(cè)到達(dá)彩膜基板602上的藍(lán)色色阻B’并穿出，即人眼接收的光線除經(jīng)過了紅色色阻R’的紅光外，還包括經(jīng)過了藍(lán)色色阻B’的藍(lán)光，使得從A2方向觀察顯示畫面偏藍(lán)或偏紫；當(dāng)從A3方向觀察顯示面板時(shí)，會有一部分光線(即L2范圍內(nèi)的光線)從綠色像素G與紅色像素R之間的數(shù)據(jù)線右側(cè)到達(dá)綠色色阻G’，即人眼接收的光線除經(jīng)過了紅色色阻R’的紅光外，還包括經(jīng)過了綠色色阻G’的綠光，使得從A3方向觀察顯示畫面偏黃，這就會引起大視角色偏現(xiàn)象。由于綠色像素的亮度的穿透率較高，因此A3方向觀察顯示畫面的色偏現(xiàn)象(即畫面偏黃)尤其明顯。
[0064]本實(shí)施例中，可通過使第一寬度W1、第二寬度W2和第三寬度W3中的至少一個(gè)大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善相鄰不同顏色像素的混色，達(dá)到減輕混色引起的色偏現(xiàn)象。
[0065]由于第二公共電極線304與數(shù)據(jù)線交疊，第二寬度W2 (即綠色像素G與紅色像素R之間的第二公共電極線304的寬度)大于數(shù)據(jù)線的寬度，從而使第二公共電極線304成為遮擋紅色像素R與綠色像素G之間的光線的元件，減少了從紅色像素R進(jìn)入綠色像素G的光線，改善了畫面偏黃這一色偏問題。
[0066]同樣的道理，為了減少藍(lán)色像素B與綠色像素G的交界處的混色，優(yōu)選的可使第三寬度W3 (即藍(lán)色像素B與綠色像素G之間的第二公共電極線的寬度)大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善色偏；為了減少藍(lán)色像素B與紅色像素R的交界處的混色，優(yōu)選的可使第一寬度W1 (BP藍(lán)色像素B與紅色像素R之間的第二公共電極線的寬度)大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善色偏。
[0067]由于綠色像素G的亮度大于紅色像素R的亮度，紅色像素R的亮度大于藍(lán)色像素B的亮度，因此，不同顏色像素交界處混色引起的色偏問題中，紅綠混色引起色偏嚴(yán)重程度大于藍(lán)綠混色，藍(lán)綠混色引起色偏嚴(yán)重程度大于紅藍(lán)混色?；谏鲜霈F(xiàn)象，本實(shí)施例中優(yōu)選的可首先使第二寬度W2大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善紅綠混色引起的色偏。在此基礎(chǔ)上，還可使第三寬度W3大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善藍(lán)綠混色引起的色偏；或者在此基礎(chǔ)上，還可進(jìn)一步使第一寬度W1大于數(shù)據(jù)線的寬度，以改善紅藍(lán)混色引起的色偏。
[0068]若僅使第二寬度W2大于數(shù)據(jù)線的寬度，則第二寬度W2 >第三寬度《3，且第二寬度W2 >第一寬度W1，可對第三寬度W3和第一寬度W1的大小關(guān)系不限定；若進(jìn)一步使第二寬度W2和第三寬度W3均大于數(shù)據(jù)線的寬度，第一寬度W1小于數(shù)據(jù)線的寬度，則第二寬度W2 >第一寬度W1，且第三寬度W3 >第一寬度W1，根據(jù)不同顏色像素引起色偏的嚴(yán)重程度不同，優(yōu)選的可使第二寬度W2 >第三寬度W3 ;若使第二寬度W2、第一寬度W1和第三寬度W3均大于數(shù)據(jù)線的寬度，根據(jù)不同顏色像素引起色偏的嚴(yán)重程度不同，優(yōu)選的可使第二寬度W2 >第三寬度界3 >弟一覽度W1U
[0069]若僅使第三寬度W3大于數(shù)據(jù)線的寬度，則第三寬度W3 >第二寬度w2，且第三寬度W3 >第一寬度W1,可對第二寬度W2和第一寬度W1的大小關(guān)系不限定；若僅使第一寬度W1大于數(shù)據(jù)線的寬度，則第一寬度W1 >第二寬度W2，且第一寬度W1 >第三寬度W3，可對第二寬度W2和第三寬度W3的大小關(guān)系不限定；若使第三寬度W3和第一寬度W1均大于數(shù)據(jù)線的寬度，第二寬度W2小于數(shù)據(jù)線的寬度，則第三寬度W3 >第二寬度《2，且第一寬度W1 >第二寬度《2，根據(jù)不同顏色像素引起色偏的嚴(yán)重程度不同，優(yōu)選的可使第三寬度W3 >第一寬度& ;若使第二寬度W2和第一寬度W1均大于數(shù)據(jù)線的寬度，第三寬度W3小于數(shù)據(jù)線的寬度，則第二寬度W2 >第三寬度W3，且第一寬度W1 >第三寬度W3，根據(jù)不同顏色像素引起色偏的嚴(yán)重程度不同，優(yōu)選的可使第二寬度W2 >第一寬度Wp
[0070]需要說明的是，本實(shí)施例僅以不同顏色像素之間設(shè)有第二公共電極線，且第二公共電極線與數(shù)據(jù)線交疊的結(jié)構(gòu)為例對所提供的TFT陣列基板改善大視角色偏的效果進(jìn)行說明，基于本實(shí)施例中的增大特定像素之間的第二公共電極線的寬度，以使其能夠遮擋從一種像素進(jìn)入相鄰的另一種像素的光線，進(jìn)而改善相鄰不同顏色像素之間混色引起的色偏的技術(shù)方案，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，上述技術(shù)方案同樣適用于不同顏色像素之間的公共電極線為第二公共電極線，且第二公共電極線與柵極線交疊的結(jié)構(gòu)，或者不同顏色像素之間的公共電極線為第一公共電極線，且第一公共電極線與數(shù)據(jù)線交疊的結(jié)構(gòu)，或者不同顏色像素之間的公共電極線為第一公共電極線，且第一公共電極線與柵極線交疊的結(jié)構(gòu)。
[0071]實(shí)施例三
[0072]基于實(shí)施例一，本實(shí)施例提供了一種TFT陣列基板，如圖7所示，沿透光方向依次包括:遮光導(dǎo)電層701、第一絕緣層702、有源層703、第二絕緣層704、柵極線層705、第三絕緣層706、源漏極及數(shù)據(jù)線層707、第四絕緣層708、公共電極層709、第五絕緣層710和像素電極層711，所述TFT陣列基板還包括:位于柵極線層705的第一電極(圖7中未示出)，該第一電極與遮光導(dǎo)電層701電連接，以與位于像素電極層711的像素電極形成存儲電容。
[0073]由實(shí)施例一可知，遮光導(dǎo)電層701中的第一公共電極線和第二公共電極線與公共電極層709 (即公共電極)電連接，因此，遮光導(dǎo)電層701可以與像素電極層711的像素電極形成一存儲電容，這相對于現(xiàn)有技術(shù)只有公共電極與像素電極形成的存儲電容來說，相當(dāng)于進(jìn)一步增加了所述公共電極與所述像素電極之間的存儲電容，提升了對像素電位的控制能力，從而改善面板的串?dāng)_和畫面閃爍現(xiàn)象。
[0074]本實(shí)施例中，在上述基礎(chǔ)上，通過在柵極線層705中設(shè)置一第一電極，并使其與遮光導(dǎo)電層701電連接，由于遮光導(dǎo)電層701中的第一公共電極線和第二公共電極線與公共電極層709電連接，因此，所述第一電極、遮光導(dǎo)電層701和公共電極層709處于同一電位，所述第一電極和遮光導(dǎo)電層701均能夠與像素電極層711形成存儲電容,這在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，又進(jìn)一步的增加了所述公共電極與所述像素電極之間的存儲電容，從而進(jìn)一步提升了對像素電位的控制能力，改善了面板的串?dāng)_和畫面閃爍現(xiàn)象。
[0075]其中，遮光導(dǎo)電層701、第一電極705和公共電極層709處于同一電位V.,有源層703、數(shù)據(jù)線707和像素電極層711由于所述TFT的源漏極導(dǎo)通的關(guān)系，可以處于同一電位Vpiirel，該6個(gè)膜層交叉分布，在公共電極層709與像素電極層711之間分別形成存儲電容Q、C2、C3、CjP C5，各存儲電容并聯(lián)，其等效電路圖如圖8所示，這比單純僅有公共電極層709與像素電極層711之間具有存儲電容來說，相當(dāng)于增加了形成所述存儲電容的公共電極與像素電極的極板面積，從而增大了存儲電容，對改善畫面串?dāng)_和閃爍具有有益的效果。
[0076]所述第一電極的材料優(yōu)選為金屬，當(dāng)?shù)谝浑姌O705與柵極線處于同一膜層時(shí),其與柵極線可在同一步驟下形成，二者的材料相同。
[0077]需要說明的是，以上所介紹的具體結(jié)構(gòu)僅為本實(shí)施例所提供的技術(shù)方案的一個(gè)應(yīng)用場景，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所增設(shè)的第一電極還可與其它元件(如:數(shù)據(jù)線)處于同一膜層中；并且，本實(shí)施例所提供的通過設(shè)置第一電極，并使之與公共電極的電位相同，以增大公共電極與像素電極之間的存儲電容的技術(shù)方案不僅可適用于FFS型的TFT陣列基板，還適用于IPS型、MVA型等其它類型的陣列基板。
[0078]實(shí)施例四
[0079]基于上述實(shí)施例一，本實(shí)施例優(yōu)選的提供了一種顯示面板，如圖9所示，該顯示面板包括:TFT陣列基板20、彩膜基板40和液晶層50，其中，TFT陣列基板20與彩膜基板40相對設(shè)置，液晶層50夾雜在TFT陣列基板20和彩膜基板40之間。
[0080]TFT陣列基板20包括:基板200,位于基板200上的紅色像素R、綠色像素G和藍(lán)色像素B，相鄰像素之間具有第一公共電極線303或第二公共電極線304 ;仍以不同顏色像素之間的公共電極線為第二公共電極線304為例，紅色像素R和藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線的寬度為W1，紅色像素R和綠色像素G之間的第二公共電極線的寬度為W2，綠色像素G和藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線的寬度為w3，如圖5所示。
[0081]彩膜基板40包括:透明基板400，位于透明基板400上的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)的黑矩陣401和填充于黑矩陣401的網(wǎng)格內(nèi)的色阻層402，色阻層402包括紅色色阻R’、綠色色阻G’和藍(lán)色色阻B’，紅色像素R與紅色色阻R’相對應(yīng)，綠色像素G和綠色色阻G’相對應(yīng)，藍(lán)色像素B和藍(lán)色色阻B’相對應(yīng)；紅色色阻R’、綠色色阻G’、藍(lán)色色阻B’之間具有黑矩陣，紅色色阻R’和藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度為w/，紅色色阻R’和綠色色阻G’之間的黑矩陣的寬度為％’，綠色色阻G’和藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度為《3’。
[0082]常規(guī)的顯示面板其彩膜基板上的黑矩陣為網(wǎng)格狀，每個(gè)黑矩陣網(wǎng)格內(nèi)填充有不同顏色的色阻，利用黑矩陣網(wǎng)格的尺寸決定顯示面板的開口率，由于每個(gè)黑矩陣網(wǎng)格的開口率相同，而綠色色阻G’的光穿透率高于紅色色阻R’的光穿透率，紅色色阻R’的光穿透率高于藍(lán)色色阻B’的穿透率，造成在相同的光強(qiáng)下，綠色像素的亮度大于紅色像素和藍(lán)色像素的亮度，表征在顯示畫面上會有白點(diǎn)偏黃的現(xiàn)象。
[0083]本實(shí)施例中，通過TFT陣列基板20上的第一公共電極線303和第二公共電極線304交錯形成的網(wǎng)格，配合彩膜基板40上的黑矩陣401網(wǎng)格決定顯示面板每個(gè)像素單元的開口率，在保證三種顏色像素的亮度趨同、不會受影響的情況下，使本實(shí)施例所得綠色像素對應(yīng)的開口率小于現(xiàn)有技術(shù)中綠色像素對應(yīng)的開口率，從而實(shí)現(xiàn)改善白點(diǎn)偏黃的目的。
[0084]具體的，當(dāng)沿?cái)?shù)據(jù)線方向的黑矩陣的寬度一致，即Wl’ =w/ =w3’時(shí)，使沿柵極線方向延伸的第一公共電極線303的寬度小于或等于沿柵極線方向的黑矩陣的寬度，并使紅色色阻R’與綠色色阻G’之間的黑矩陣的寬度w2’小于紅色像素R與綠色像素G之間的第二公共電極線304的寬度w2，紅色色阻R’與藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度w/大于或等于紅色像素R與藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304的寬度Wl，綠色色阻G’與藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度w3’大于或等于綠色像素G與藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304的寬度W3，即兩2’ < W2, w/ ^ W1, w3’ ^ W3,從而使本實(shí)施例中綠色像素和紅色像素各自對應(yīng)的開口率相對于現(xiàn)有技術(shù)中均減小，使綠色、紅色和藍(lán)色的亮度相等或趨于一致，改善了顯示畫面白點(diǎn)偏黃。
[0085]為進(jìn)一步改善白點(diǎn)偏黃現(xiàn)象，根據(jù)相同光強(qiáng)下，綠色色阻G’的穿透率高于紅色色阻R’的穿透率，紅色色阻R’的穿透率高于藍(lán)色色阻B’的穿透率，本實(shí)施中，優(yōu)選的可保持沿?cái)?shù)據(jù)線方向的黑矩陣的寬度一致，即w/ =w/ =w3’，使沿柵極線方向延伸的第一公共電極線303的寬度小于或等于沿柵極線方向的黑矩陣的寬度，并使紅色色阻R’與綠色色阻G’之間的黑矩陣的寬度w2’小于紅色像素R與綠色像素G之間的第二公共電極線304的寬度W2,綠色色阻G’與藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度w3’小于綠色像素G與藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304的寬度W3，紅色色阻R’與藍(lán)色色阻B’之間的黑矩陣的寬度w/大于或等于紅色像素R與藍(lán)色像素B之間的第二公共電極線304的寬度Wl，即w2’ < w2, W3,< w3，W1 ’ ^ W1，從而可使本實(shí)施例中綠色像素、紅色像素和藍(lán)色像素各自對應(yīng)的開口率均小于現(xiàn)有技術(shù)，且綠色像素對應(yīng)的開口率最小，達(dá)到實(shí)現(xiàn)改善白點(diǎn)偏黃的目的；此時(shí)，如果同時(shí)使W2 > W3，則可得到本實(shí)施例中綠色像素對應(yīng)的開口率小于紅色像素對應(yīng)的開口率，紅色像素對應(yīng)的開口率小于藍(lán)色像素對應(yīng)的開口率，使綠色、紅色和藍(lán)色三種像素的亮度相等或更加趨于一致，進(jìn)一步改善了顯示畫面白點(diǎn)偏黃。
[0086]需要說明的是，本實(shí)施例僅以不同顏色像素之間設(shè)有第二公共電極線為例進(jìn)行說明，在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，不同顏色的像素單元之間還可為第一公共電極線，即圖5中所示的第一公共電極線303與第二公共電極線304互換位置。
[0087]另外，在本實(shí)施例所提供的通過第一公共電極線和第二公共電極線形成的網(wǎng)格與黑矩陣網(wǎng)格相配合來改變不同顏色像素單元的開口率，使綠色像素單元的開口率相對于現(xiàn)有技術(shù)減小，在不影響整個(gè)顯示屏幕光透過率的前提下，改善白點(diǎn)偏黃的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可以通過單獨(dú)調(diào)整第二公共電極線的寬度，或者單獨(dú)調(diào)整特定色阻之間的黑矩陣(沿?cái)?shù)據(jù)線方向)的寬度，或者同時(shí)調(diào)整公共電極線和黑矩陣的寬度等技術(shù)手段，達(dá)到改變不同顏色像素單元開口率的目的，進(jìn)而改善顯示畫面白點(diǎn)偏黃現(xiàn)象。
[0088]實(shí)施例五
[0089]基于以上實(shí)施例，本實(shí)施例提供了一種顯示面板，包括以上任意一種實(shí)施例所述的TFT陣列基板。
[0090]本實(shí)施例還可以 包括實(shí)施例四所述的顯示面板,進(jìn)一步的,參閱圖2,所述顯示面板可包括:與所述TFT陣列基板20相對設(shè)置的彩膜基板40，該彩膜基板40可包括:基板400，位于基板400朝向TFT陣列基板20的一側(cè)表面上的黑矩陣401，填充于黑矩陣401所具有的網(wǎng)格內(nèi)的色阻層402，覆蓋在色阻層402表面的絕緣層403.[0091]所述顯示面板還可包括:位于TFT陣列基板20 —側(cè)表面上的第一配向?qū)?1 ;位于彩膜基板40朝向TFT陣列基板20 —側(cè)表面上的第二配向?qū)?1 ;填充于TFT陣列基板20與彩膜基板40之間的液晶層50夾在第一配向?qū)?1和第二配向?qū)?1之間。
[0092]需要說明的是，本實(shí)施例所提供的顯示面板并不僅限定于液晶顯示面板，還可為OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示面板等其它類型的顯示面板。
[0093]本實(shí)施例所提供的顯示面板，通過將TFT陣列基板上的所述遮光導(dǎo)電層延伸成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，并使其與所述公共電極電連接，改善了串?dāng)_和畫面閃爍問題。
[0094]進(jìn)一步的，通過增大所述遮光導(dǎo)電層的第二公共電極線的寬度，以使其能夠遮擋從一種像素進(jìn)入相鄰的另一種像素的光線，改善了相鄰像素之間混色引起的色偏現(xiàn)象。
[0095]進(jìn)一步的，通過在所述TFT陣列基板上設(shè)置第一電極，并使之與公共電極的電位相同，從而增大了所述公共電極與所述像素電極之間的存儲電容，進(jìn)一步改善了串?dāng)_和畫面閃爍問題。
[0096]與本實(shí)施例和實(shí)施例四所提供的顯示面板相對應(yīng)的，本實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本實(shí)施例和實(shí)施例四所述的顯示面板。[0097]由于本實(shí)施例和實(shí)施例四所述的顯示面板串?dāng)_、畫面閃爍和色偏現(xiàn)象均較現(xiàn)有技術(shù)得到顯著改善，因此，本實(shí)施例所提供的顯示裝置的顯示畫面質(zhì)量較高。
[0098]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT陣列基板,包括:基板、位于所述基板上的遮光導(dǎo)電層和位于所述遮光導(dǎo)電層上方的公共電極，其中，所述陣列基板包括多個(gè)像素，所述遮光導(dǎo)電層包含遮光元件，用于遮擋每個(gè)所述像素內(nèi)的TFT的溝道，其特征在于，所述遮光導(dǎo)電層還包括: 多條沿第一方向延伸的第一公共電極線和多條沿第二方向延伸的第二公共電極線； 多條所述第一公共電極線和多條所述第二公共電極線中的至少一條與所述公共電極電連接，多條所述第一公共電極線與多條所述第二公共電極線交錯形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述第一公共電極線和所述第二公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影覆蓋所述多個(gè)像素之間的間隙區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述遮光導(dǎo)電層的材料為金屬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線和/或所述第二公共電極線通過過孔與所述公共電極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與所述TFT陣列基板的柵極線交疊，且所述第二公共電極線在垂直于所述TFT陣列基板方向上的投影與所述TFT陣列基板的數(shù)據(jù)線交疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上的多個(gè)像素包括紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素，所述紅色像素和所述藍(lán)色像素之間的所述第二公共電極線具有第一寬度，所述紅色像素和所述綠色像素之間的所述第二公共電極線具有第二寬度，所述綠色像素和所述藍(lán)色像素之間的所述第二公共電極線具有第三寬度，所述第一寬度、第二寬度和第三寬度中的至少一個(gè)大于所述數(shù)據(jù)線的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二寬度大于所述第一寬度和/或所述第三寬度大于所述第一寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述第二寬度大于所述第三寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，所述TFT陣列基板沿透光方向依次包括:所述遮光導(dǎo)電層、第一絕緣層、有源層、第二絕緣層、柵極線層、第三絕緣層、源漏極及數(shù)據(jù)線層、第四絕緣層、公共電極層、第五絕緣層和像素電極層，其特征在于，所述TFT陣列基板還包括:位于所述柵極線層的第一電極，所述第一電極與所述遮光導(dǎo)電層電連接，以與位于所述像素電極層的像素電極形成存儲電容。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的TFT陣列基板。
10.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求4所述的TFT陣列基板、與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及夾雜在所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶層； 所述彩膜基板包括與所述TFT陣列基板上紅色像素對應(yīng)的紅色色阻、與所述TFT陣列基板上綠色像素對應(yīng)的綠色色阻、以及與所述TFT陣列基板上藍(lán)色像素對應(yīng)的藍(lán)色色阻，所述紅色色阻、綠色色阻、藍(lán)色色阻之間具有黑矩陣； 所述第一公共電極線的寬度小于或等于彩膜基板上相鄰色阻之間的黑矩陣的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述紅色色阻與綠色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述紅色像素與綠色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述紅色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣 的寬度大于或等于所述紅色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述綠色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度大于或等于綠色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其特征在于，所述紅色色阻與綠色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述紅色像素與綠色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述綠色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度小于所述綠色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度，所述紅色色阻與藍(lán)色色阻之間的黑矩陣的寬度大于或等于所述紅色像素與藍(lán)色像素之間的第二公共電極線的寬度。
13.一種顯示裝 置，其特征在于，包括權(quán)利要求9~12任一項(xiàng)所述的顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1343GK103926757SQ201410012013
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月10日
【發(fā)明者】周秀峰 申請人:廈門天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司