液晶顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及液晶顯示設(shè)備。第一基板包括沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線，沿第二方向延伸的第一源線和第二源線，以及與所述柵線和所述源線電連接的切換元件。像素電極包括與切換元件接觸并且沿所述第一方向延伸的接觸部分以及與所述接觸部分接觸并且沿所述第二方向延伸的主像素電極。所述切換元件包括布置在所述源線之間的漏極。所述漏極包括位于所述接觸部分下方的第一電極部分，位于所述主像素電極下方并且與所述第一電極部分連接的第二電極部分，與所述第二電極部分連接的沿著所述第一柵線的第三電極部分，和與所述第二電極部分連接并且沿著所述第二柵線延伸的第四電極部分。
【專利說明】液晶顯示設(shè)備
[0001]本申請(qǐng)以2013年I月15日遞交的在先日本專利申請(qǐng)N0.2013-4414為基礎(chǔ)并且要求享有該在先申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，這里以引用的方式結(jié)合其全部內(nèi)容。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本文描述的實(shí)施例通常涉及液晶顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]近年來，平板顯示設(shè)備迅速發(fā)展。特別地，液晶顯示設(shè)備由于諸如重量輕、形狀薄和功耗低等優(yōu)勢(shì)而得到廣泛關(guān)注。在每一個(gè)像素中都配備有切換元件的有源矩陣型液晶顯示設(shè)備中，使用諸如IPS (共平面切換)模式和FFS (邊緣場(chǎng)切換)模式的橫向電場(chǎng)的結(jié)構(gòu)引起關(guān)注。使用橫向電場(chǎng)模式的液晶顯示設(shè)備配備有分別形成在陣列基板中的像素電極和公共電極。通過基本上與陣列基板的主平面平行的橫向電場(chǎng)來切換液晶分子。
[0004]另一方面，還提出另一技術(shù)，其中使用位于形成在陣列基板中的像素電極和形成在相對(duì)基板中的公共電極之間的橫向電場(chǎng)或斜向電場(chǎng)來切換液晶分子。
[0005]作為一個(gè)示例，提出一種通過在柵線上布置諸如像素電極的一部分的子電極來控制由于來自該柵線的到液晶層的不期望的偏置的影響導(dǎo)致的顯示缺陷的生成的技術(shù)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]結(jié)合在說明書中并且構(gòu)成該說明書的一部分的附圖，說明了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同上文給出的概括描述和下文給出的對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述，用于解釋本發(fā)明的原理。
[0007]圖1是示意性地表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)和等效電路的圖。
[0008]圖2是示意性地表示根據(jù)所述實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0009]圖3是示意性地表示形成圖2所示的陣列基板的主層結(jié)構(gòu)的分解圖；
[0010]圖4A是示意性地表示在圖1所示的相對(duì)基板中的一個(gè)像素PX的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0011]圖4B和4C是表示配向軸的圖；
[0012]圖5是示意性地表示沿圖2所示的線A-B截取的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0013]圖6是示意性地表示沿圖4所示的線C-D截取的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0014]圖7是示意性地表示根據(jù)第二實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0015]圖8是示意性地表示根據(jù)第三實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0016]圖9是示意性表示根據(jù)第四實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖；
[0017]圖10是示意性地表示根據(jù)第五實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。【具體實(shí)施方式】
[0018]現(xiàn)在將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備，其中，在幾幅圖中，相同或相似的附圖標(biāo)記指代相同或相應(yīng)的部分。
[0019]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例,一種液晶顯不設(shè)備包括:第一基板，該第一基板包括:沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線，沿與第一方向正交的第二方向延伸的第一源線和第二源線，與所述第一柵線和所述第一源線電連接的切換元件，由所述第一柵線和所述第二柵線以及所述第一源線和所述第二源線圍繞的像素電極，所述像素電極包括與所述切換元件接觸并且沿所述第一方向延伸的接觸部分，以及與所述接觸部分接觸并且沿所述第二方向延伸的主像素電極，布置在所述第一柵線和所述第二柵線上并且沿所述第一方向延伸的柵屏蔽電極，和與柵屏蔽電極連接并且布置在所述第一源線和所述第二源線上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽電極；第二基板，gia第二基板提供有被設(shè)置為與所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極具有相同電勢(shì)的公共電極，所述公共電極包括；布置在所述柵屏蔽電極上方并且沿所述第一方向延伸的子公共電極，以及與所述子公共電極連接并且布置在所述源屏蔽電極上方以便沿所述第二方向延伸的主公共電極；保持在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層；其中，所述切換元件包括布置在所述第一源線和所述第二源線之間的漏極，并且所述漏極包括，位于所述接觸部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一電極部分，位于所述主像素電極下方并且與所述第一電極部分連接以便沿所述第二方向延伸的第二電極部分，與所述第二電極部分連接并且沿著所述第一柵線沿所述第一方向延伸的第三電極部分，和與所述第二電極部分連接并且沿著所述第二柵線沿所述第一方向延伸的第四電極部分。
[0020]根據(jù)其它實(shí)施例，一種液晶顯不設(shè)備包括:第一基板，該第一基板包括:沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線，沿與所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源線和第二源線，與所述第一柵線和所述第一源線電連接的切換元件，由所述第一柵線和所述第二柵線以及所述第一源線和所述第二源線圍繞并且提供有與切換元件接觸的沿所述第一方向延伸的接觸部分的像素電極，所述像素電極包括與所述接觸部分連接并且沿所述第二方向延伸的第一主像素電極和第二主像素電極，布置在所述第一柵線和所述第二柵線上并且沿所述第一方向延伸的柵屏蔽電極，以及與所述柵屏蔽電極連接并且布置在所述第一源線和所述第二源線上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽電極，第二基板，該第二基板提供有設(shè)置為與所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極具有相同電勢(shì)的公共電極，所述公共電極包括布置在所述柵屏蔽電極上方并且沿所述第一方向延伸的子公共電極，與所述子公共電極連接并且布置在所述源屏蔽電極上方以便沿所述第二方向延伸的第一主公共電極，和與所述子公共電極連接并且布置在所述第一主像素電極和所述第二主像素電極之間以便沿所述第二方向延伸的第二主公共電極；以及保持在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層；其中，所述切換元件包括布置在所述第一源線和所述第二源線之間的漏極，并且所述漏極包括，位于所述接觸部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一電極部分，與所述第一電極部分連接并且位于所述第一主像素電極下方以便沿所述第二方向延伸的第二電極部分，與所述第一電極部分連接并且位于所述第二主像素電極部分下方以便沿所述第二方向延伸的第三電極部分，與所述第二電極部分和所述第三電極部分連接并且沿著所述第一柵線沿所述第一方向延伸的第四電極部分，和與所述第二電極部分和所述第三電極部分連接并且沿著所述第二柵線沿所述第一方向延伸的第五電極部分。
[0021]圖1是示意性地表示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的結(jié)構(gòu)和等效電路的圖。
[0022]液晶顯示設(shè)備包括有源矩陣型液晶顯示面板LPN。液晶顯示面板LPN配備有作為第一基板的陣列基板AR，作為與陣列基板相對(duì)布置的第二基板的相對(duì)基板CT，以及保持在陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間的液晶層LQ。液晶顯不面板LPN包括顯不圖像的有源區(qū)域ACT。有源區(qū)域ACT由多個(gè)像素PX形成。
[0023]液晶顯示面板LPN在有源區(qū)域ACT中配備有“η”條柵線G (Gl_Gn)、“n”條輔助電容線C (Cl-Cn)和“m”條源線S (Sl-Sm)等等。柵線G和輔助電容線C分別沿第一方向X線性延伸。沿與第一方向X垂直交叉的第二方向Y輪流地布置柵線G和輔助電容C。源線S與柵線G以及電容線C交叉。源線S分別沿第二方向Y線性延伸。柵線G、輔助電容線C和源線S可以不必線性延伸，并且可以部分地彎曲或?qū)λ鼈兊囊徊糠诌M(jìn)行加寬。
[0024]將每條柵線G拉出到有源區(qū)域ACT的外側(cè)，并且連接到柵驅(qū)動(dòng)器⑶。將每條源線G拉出到有源區(qū)域ACT的外側(cè)，并且連接到源驅(qū)動(dòng)器SD。盡管柵驅(qū)動(dòng)器⑶和源驅(qū)動(dòng)器SD與提供在陣列基板AR中的驅(qū)動(dòng)器IC芯片2連接，但是可以將它們實(shí)現(xiàn)在驅(qū)動(dòng)器IC芯片2中。
[0025]每一個(gè)像素PX包括切換元件SW，像素電極PE，公共電極CE等等。例如，在輔助電容線C和像素電極PE (或者與像素電極具有相同電勢(shì)的漏極)之間形成保持電容Cs。輔助電容線C與向其施加輔助電容電壓的電壓施加部分VCS電連接。
[0026]在液晶顯示面板LPN中，盡管像素電極PE形成在陣列基板AR中，但是公共電極CE的至少一部分形成在相對(duì)基板CT中。液晶層LQ的液晶分子主要使用形成在像素電極PE和公共電極CE之間的電場(chǎng)進(jìn)行切換。在像素電極PE和公共電極CE之間形成的電場(chǎng)是關(guān)于沿第一方向X和第二方向Y指定的X-Y平面稍微傾斜的斜向電場(chǎng)(或水平電場(chǎng))。
[0027]切換元件SW例如由“η”溝道型薄膜晶體管形成。切換元件SW與柵線G和源線S電連接。像素電極PE與切換元件SW電連接。經(jīng)過液晶層LQ與多個(gè)像素PX的像素電極PE共同地布置公共電極CE。盡管像素電極PE和公共電極CE由例如以氧化銦錫(ITO)和氧化銦鋅(IZO)為例的透明導(dǎo)電材料形成，但是這些電極可以由諸如鋁(Al)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鑰(Mo)、鎢(W)和鉻(Cr)的不透明布線材料形成。
[0028]陣列基板AR配備有用于向公共電極CE施加電壓的電源部分VS。電源部分VS例如形成在有源區(qū)域ACT的外側(cè)中。將相對(duì)基板CT中的公共電極CE拉出到有源區(qū)域ACT的外側(cè)，并且經(jīng)過沒有說明的導(dǎo)電部件與電源部分VS電連接。
[0029]圖2是示意性地表示根據(jù)所述實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板AR時(shí)位于X-Y平面中的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0030]陣列基板AR配備有柵線G1，柵線G2，輔助電容線Cl，源線SI，源線S2，切換元件SW，像素電極ΡΕ，柵屏蔽電極GS，源屏蔽電極SS和第一配向膜等等。
[0031]在這一實(shí)施例中，像素PX具有矩形的細(xì)長形狀，其沿第一方向X的長度短于沿第二方向Y的長度，如虛線所示。柵線Gl和柵線G2分別沿第一方向X延伸。輔助電容線Cl位于柵線Gl和柵線G2之間，并且沿第一方向X延伸。源線SI和源線S2分別沿第二方向Y延伸。[0032]在說明的像素PX中，柵線Gl布置在上端部分，柵線G2布置在下端部分。嚴(yán)格來說，柵線Gl布置為跨越位于說明的像素PX和鄰接其上部的像素PX之間的邊界。柵線G2布置為跨越位于說明的像素PX和鄰接其底部的像素PX之間的邊界。即，像素PX沿第二方向Y的長度與鄰接的柵線Gl和柵線G2之間沿第二方向Yl的第一節(jié)距相對(duì)應(yīng)。源線SI布置在左手側(cè)端，并且源線S2布置在右手側(cè)端。嚴(yán)格來講，源線SI布置為跨越位于說明的像素PX和鄰接其左手側(cè)的像素之間的邊界，并且源線S2布置為跨越位于說明的像素PX和鄰接其右手側(cè)的像素之間的邊界。S卩，像素PX沿第一方向X的長度與鄰接的源線SI和源線S2之間沿第一方向X的第二節(jié)距相對(duì)應(yīng)。第二節(jié)距小于第一節(jié)距。輔助電容線Cl位于柵線G2和柵線Gl之間。即，輔助電容線Cl和柵線Gl沿第二方向Y的間隔與輔助電容線Cl和柵線G2沿第二方向Y的間隔相同。
[0033]在這一實(shí)施例中，切換元件SW與柵線Gl和源線SI電連接。切換元件SW包括作為柵線G2的一部分的柵極WG，由非晶硅形成并且位于柵極WG上的半導(dǎo)體層SC，與源線SI連接并且與半導(dǎo)體層SC接觸的源極WS，以及與半導(dǎo)體層SC接觸的漏極WD。
[0034]漏極WD位于源線SI和源線S2之間，并且與源線SI和源線S2分離。漏極配備有第一電極部分Dl，第二電極部分D2，第三電極部分D3，第四電極部分D4和第五電極部分D5。第一電極部分到第五電極部分中的每一個(gè)都形成為線性條帶的形狀。第一電極部分Dl,第四電極部分D4和第五電極部分D5沿第一方向X延伸。第一電極部分Dl位于第四電極部分D4和第五電極部分D5之間。第二電極部分D2和第三電極部分D3沿第二方向Y延伸。第一電極部分Dl,第二電極部分D2,第三電極部分D3,第四電極部分D4和第五電極部分D5整體地或連續(xù)地形成，并且共同地電連接。上述漏極WD大致形成為“8”的形狀。
[0035]第一電極部分Dl位于輔助電容線Cl上方，基本上位于像素PX的中心部分中。而且，第一電極部分Dl位于下面將提及的像素電極PE的接觸部分PC下方。
[0036]第二電極部分D2和第三電極部分D3分別與第一電極部分Dl連接。第二電極部分D2而非第三電極部分D3位于源線SI側(cè)上，并且分別從第一電極部分Dl朝向柵線Gl和柵線G2延伸。此外，第二電極部分D2的頂端部分以基本上直角彎曲，并且與半導(dǎo)體層SC接觸。第二電極部分D2中以直線形狀沿第二方向Y延伸的部分位于下面將提及的像素電極PE的主像素電極PAl下方，并且與主像素電極PAl平行地延伸。第三電極部分D3位于源線S2側(cè)上而非第二電極部分D2側(cè)上，并且分別從第一電極部分Dl朝向柵線Gl和柵線G2延伸。第三電極部分D3位于下面將提及的像素電極PE的主像素電極PA2下方，并且與主像素電極PA2平行地延伸。第二電極部分D2和第三電極部分D3分別延伸到附近的柵線Gl和柵線G2。
[0037]第四電極部分D4和第五電極部分D5分別與第二電極部分D2和第三電極部分D3連接。第四電極部分D4與第二電極部分D2和第三電極部分D3的接近柵線Gl的每一個(gè)端部部分連接，并且沿著柵線Gl沿第一方向延伸。盡管第四電極部分D4的一個(gè)端部部分D41朝向源線SI而非第二電極部分D2沿第一方向X延伸，但是該一個(gè)端部部分D41與源線SI分離。盡管第四電極部分D4的另一個(gè)端部部分D42沿第一方向X朝向源線S2而非第三電極部分D3延伸，但是該另一個(gè)端部部分D42與源線S2分離。第五電極部分D5在接近柵線G2的側(cè)上與第二電極部分D2和第三電極部分D3連接，并且沿第一方向X沿著柵線G2延伸。盡管第五電極部分D5的一個(gè)端部部分D51沿第一方向X朝向源線SI而非第二電極部分D2延伸，但是該一個(gè)端部部分D51與源線SI分離。盡管第五電極部分D5的另一個(gè)端部部分D52沿第一方向X朝向源線S2而非第三電極部分D3延伸，但是該另一個(gè)端部部分D52與源線S2分尚。
[0038]此外，第四電極部分D4和第五電極部分D5與柵線Gl和柵線G2形成在不同的傳導(dǎo)層中。因此，由于在第四電極部分D4和柵線Gl之間并且在第五電極部分D5和柵線G2之間布置有絕緣膜，因此在X-Y平面中，第四電極部分D4和第五電極部分D5的各自部分可以與柵線Gl和柵線G2重疊。
[0039]像素電極PE位于由源線SI和源線S2以及柵線Gl和柵線G2圍繞的內(nèi)側(cè)中。像素電極PE配備有主像素電極PAl，主像素電極PA2和接觸部分PC。主像素電極PAl，主像素電極PA2和接觸部分PC整體地或連續(xù)地形成，并且共同地電連接。
[0040]接觸部分PC與切換元件SW接觸。接觸部分PC基本上位于像素PX的中心部分中，并且沿第一方向延伸。接觸部分PC位于漏極WD的正上方。接觸部分PC經(jīng)過接觸孔CHl和接觸孔CH2與漏極WD的第一電極部分Dl電連接。此外，形成接觸孔CH2以使得接觸孔CH2與接觸孔CHl相比變?yōu)楦蟮某叽纭?br>
[0041 ] 主像素電極PAl和主像素電極PA2分別與接觸部分PC連接，并且從接觸部分PC沿第二方向Y朝向柵線Gl和柵線G2延伸。主像素電極PAl位于源線SI側(cè)上而非與漏極WD的接觸位置上，并且位于第二電極部分D2上方。主像素電極PA2位于源線S2側(cè)上而非與漏極WD的接觸位置上，并且位于第三電極部分D3上方。上述像素電極PE具有基本上“H”形狀。
[0042]在這一實(shí)施例中，第一電極部分Dl和接觸部分PC分別形成為沿第二方向Y具有恒定寬度的條帶形狀，并且接觸部分PC形成為具有比第一電極部分Dl更大的寬度的條帶狀狀。第二電極部分D2和主像素電極PAl分別形成為沿第一方向X具有恒定寬度的條帶狀狀，并且主像素電極PAl形成為具有比第二電極部分D2更大的寬度。第三電極部分D3和主像素電極PA2分別形成為沿第一方向X具有恒定寬度的條帶形狀，并且主像素電極PA2形成為具有比第三電極部分D3更大的寬度。即，在X-Y平面中，漏極WD的第一電極部分D1，第二電極部分D2和第三電極部分D3覆蓋有接觸部分PC，像素電極PE的主像素電極PAl和主像素電極PA2，并且不從像素電極PE突出。
[0043]柵屏蔽電極GS位于柵線Gl和柵線G2上方，即，柵屏蔽電極GS分別位于柵線Gl和柵線G2的正上方。柵屏蔽電極GS、柵線Gl和柵線G2分別形成為沿第二方向Y具有恒定寬度的條帶形狀。柵屏蔽電極GS比柵線Gl和柵線G2形成得更寬。在X-Y平面中，柵線Gl和柵線G2覆蓋有柵屏蔽電極GS，并且不從柵屏蔽電極GS突出。將柵屏蔽電極GS拉出到有源區(qū)域ACT的外側(cè)，并且例如與電源部分VS電連接。
[0044]源屏蔽電極SS位于源線SI和源線S2上方，即，源屏蔽電極SS位于源線SI和源線S2的正上方。源屏蔽電極SS沿第二方向Y延伸，并且形成為條帶形狀。源屏蔽電極SS，源線SI和源線S2分別形成為沿第一方向X具有基本上恒定的寬度的條帶形狀，并且源屏蔽電極SS比源線SI和源線S2形成得更寬。在X-Y平面中，源線SI和源線S2覆蓋有源屏蔽電極SS，并且不從源屏蔽電極SS突出。源屏蔽電極SS與柵屏蔽電極GS連接。S卩，柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS整體地或連續(xù)地形成，并且形成為點(diǎn)陣形狀。此外，柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS的寬度不必恒定。[0045]第一配向膜ALl覆蓋像素電極PE，柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS。為了初始配向液晶層LQ的液晶分子，沿第一配向處理方向PDl對(duì)第一配向膜ALl進(jìn)行初始配向處理。第一配向處理方向PDl例如與第二方向Y平行。
[0046]圖3是示意性地表示形成圖2所示的陣列基板AR的主層結(jié)構(gòu)的分解圖。此外，這里說明了陣列基板AR中的主導(dǎo)電層。
[0047]第一絕緣膜11布置在第一層LI和半導(dǎo)體層SC之間。第二絕緣膜12和第三絕緣層13布置在半導(dǎo)體層SC (第二層L2)和第三層L3之間。
[0048]在第一層LI中，布置有輔助電容線Cl，柵線Gl和柵線G2。輔助電容線Cl，柵線Gl和柵線G2例如由相同的布線材料形成。柵線G2的位于半導(dǎo)體層SC下方的區(qū)域與切換元件SW的柵極WG相對(duì)應(yīng)。半導(dǎo)體層SC由非晶硅形成，并且例如在柵線上形成為島形狀。
[0049]半導(dǎo)體層SC，源線SI，源線S2和漏極WD布置在第二層L2中。源線SI，源線S2和漏極WD例如由相同的布線材料形成。源線SI的一部分朝向半導(dǎo)體層SC延伸。源線SI的與半導(dǎo)體層SC接觸的區(qū)域與切換元件SW的源極WS相對(duì)應(yīng)。漏極WD的一部分與半導(dǎo)體層SC接觸。第一電極部分Dl與輔助電容線Cl相對(duì)。源線SI和源線S2經(jīng)過第一絕緣膜11與輔助電容線Cl，柵線Gl和柵線G2交叉。
[0050]柵屏蔽電極GS，源屏蔽電極SS和像素電極PE布置在第三層L3中。由于柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS與像素電極PE形成在相同的層中，即，在第三絕緣層13的上表面上，因此它們能夠由與像素電極PE相同的導(dǎo)電材料(ΙΤ0等)形成。第三絕緣膜13層疊在覆蓋切換元件SW的第二絕緣層12上。第三絕緣膜13用作柵屏蔽電極GS，源屏蔽電極SS和像素電極PE的地。即，第二絕緣膜12和第三絕緣層13的層疊層覆蓋切換元件SW，并且與用作像素電極PE，柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS的地的層間絕緣膜相對(duì)應(yīng)。
[0051]柵屏蔽電極GS與柵線Gl和柵線G2相對(duì)。第一絕緣膜11，第二絕緣膜12和第三絕緣膜13布置在柵屏蔽電極GS與柵線Gl和G2之間。源屏蔽電極SS與源線SI和源線S2相對(duì)。在源屏蔽電極SS與源線SI和S2之間布置有第二絕緣膜12和第三絕緣膜13。
[0052]接觸部分PC經(jīng)過第二絕緣膜12和第三絕緣膜13與第一電極部分Dl相對(duì)。主像素電極PAl經(jīng)過第二絕緣膜12和第三絕緣膜13與第二電極部分D2相對(duì)。主像素電極PA2經(jīng)過已經(jīng)被經(jīng)過的第二絕緣膜12和第三絕緣膜13與第三電極部分D3相對(duì)。
[0053]基本上在像素PX的中心部分中，第一電極部分Dl位于接觸部分PC和輔助電容線Cl之間。與像素電極PE具有相同電勢(shì)的漏極WD的第一電極部分Dl經(jīng)過第一絕緣膜11與輔助電容線Cl相對(duì)，并且形成像素PX中的圖像顯示所要求的電容。
[0054]此外，可以形成像素電極PE以使像素電極PE分別覆蓋漏極WD的第四電極部分D4和第五電極部分D5。然而，有必要將像素電極PE布置為與柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS分離。因此，在與高清顯示需求相對(duì)應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選的是，像素電極PE暴露第四電極部分D4和第五電極部分D5以便確保位于像素電極PE和柵屏蔽電極GS及源屏蔽電極SS之間的邊緣。
[0055]圖4A是示意性地示出圖1所示的相對(duì)基板CT中的一個(gè)像素PX的結(jié)構(gòu)的平面圖。這里，顯示了X-Y平面中的平面圖。此外，僅說明了解釋所需的結(jié)構(gòu)。以虛線示出了在陣列基板上形成的像素電極PE，柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS等等。
[0056]相對(duì)基板CT配備有公共電極CE和第二配向膜AL2等等。[0057]公共電極CE配備有多個(gè)主公共電極CA和子公共電極CB。主公共電極CA和子公共電極CB整體地或連續(xù)地形成，并且共同地電連接。然而，可以省去子公共電極CB。在這一實(shí)施例中，公共電極CE配備有主公共電極CAL，主公共電極CAR，主公共電極CAC，子公共電極CBU和子公共電極CBL。如上所述，公共電極CE與電源VS電連接，并且還與柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS電連接。將公共電極CE設(shè)置為與柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS具有相同的電勢(shì)。
[0058]在說明的像素PX中，主公共電極CAL布置在像素PX的左手側(cè)端部，主公共電極CAR布置在像素PX的右手側(cè)端部，并且主公共電極CAC布置在像素PX的中心部分中。嚴(yán)格來說，主公共電極CAL布置為跨越所說明的像素PX和鄰接其左手側(cè)的像素之間的邊界，主公共電極CAR布置為跨越所說明的像素PX和鄰接其右手側(cè)的像素之間的邊界，并且主公共電極CAC布置在位于主公共電極CAL和主公共電極CAR之間的中部中。子公共電極CBU布置在上端部分，并且子公共電極CBL布置在底端部分。嚴(yán)格來說，子公共電極CBU布置為跨越所說明的像素和鄰接其上部的像素之間的邊界，并且子公共電極CBL布置為跨越所說明的像素和鄰接其底部的像素之間的邊界。
[0059]即，三個(gè)主公共電極CA布置為在每一個(gè)像素中沿第一方向X具有相同的節(jié)距。主公共電極CA形成為沿著第一方向X具有大致恒定寬度的條帶形狀，并且沿著第二方向Y線性延伸。而且，兩個(gè)子公共電極CB布置在每一個(gè)像素PX中。子公共電極CB形成為沿著第二方向Y具有基本上恒定寬度的條帶形狀，并且沿著第一方向X線性延伸。
[0060]主公共電極CAL位于與源線SI面對(duì)的源屏蔽電極SS上方。主公共電極CAR位于與源線S2面對(duì)的源屏蔽電極SS上方。主公共電極CAC位于主像素電極PAl和主像素電極PA2之間，在接觸孔CHl和CH2上方經(jīng)過。
[0061]在X-Y平面中，主公共電極CAL和主公共電極CAC位于夾有主像素電極PAl的兩個(gè)側(cè)上。主公共電極CAC和主公共電極CAR位于夾有主像素電極PA2的兩個(gè)側(cè)上。主像素電極PAl和主像素電極PA2位于夾有主公共電極CAC的兩個(gè)側(cè)上。
[0062]即，在X-Y平面中，主公共電極CA和主像素電極PA沿著第一方向X交替定位。在這一實(shí)施例中，主公共電極CAL，主像素電極PAl，主公共電極CAC，主像素電極PA2和主公共電極CAR按照這一順序進(jìn)行定位。沿第一方向X，主像素電極PAl和主公共電極CAC之間的電極間距離與主公共電極CAC和主像素電極PA2之間的距離相同。沿第一方向X，主公共電極CAL和主像素電極PAl之間的電極間距離基本上與主像素電極PA2和主公共電極CAR之間的電極間距離相同。此外，主公共電極CAL和主像素電極PAl之間的電極間距離，主像素電極PAl和主公共電極CAC之間的電極間距離，主公共電極CAC和主像素電極PA2之間的電極間距離，以及主像素電極PA2和主公共電極CAR之間的電極間距離，可以基本上相同。
[0063]子公共電極CBU位于與柵線Gl面對(duì)的柵屏蔽電極GS上方。子公共電極CBL位于與柵線G2面對(duì)的柵屏蔽電極GS上方。在X-Y平面中，子公共電極CBU和子公共電極CBL位于夾有像素電極PE的兩個(gè)側(cè)上。主公共電極CA和子公共電極CB共同地連接，并且形成點(diǎn)陣形狀。
[0064]第二配向膜AL2覆蓋公共電極CE。為了初始配向液晶層LQ的液晶分子，沿第二配向處理方向PD2對(duì)第二配向膜AL2執(zhí)行配向處理。所述第二配向處理方向PD2與第一配向處理方向PDl彼此平行，并且與第一配向處理方向PDl相同或相反。在所說明的實(shí)施例中，第二配向處理方向PD2與第二方向Y平行，并且與第一配向處理方向PDl相同。
[0065]圖5是示意性地表示沿圖2所示的線A-B截取的液晶顯示面板LPN的結(jié)構(gòu)的截面圖；
[0066]陣列基板AR使用第一透明絕緣基板10形成。陣列基板AR在第一絕緣基板10上配備有切換元件SW，輔助電容線Cl，像素電極PE，第一絕緣膜11，第二絕緣膜12，第三絕緣膜13和第一配向膜ALl等等。
[0067]柵極WG是柵線G2的一部分，并且形成在第一絕緣基板10的內(nèi)側(cè)表面IOA上。輔助電容線Cl相似地形成在內(nèi)側(cè)表面IOA上。與柵線G2 —體形成的柵極WG和與柵線G2 —體形成的輔助電容線Cl由第一絕緣膜11覆蓋。第一絕緣膜11也布置在內(nèi)側(cè)表面IOA上。
[0068]半導(dǎo)體層SC形成在第一絕緣膜11上，并且位于柵極WG的正上方。源線SI，源極WS和漏極WD形成在第一絕緣膜11上。源極WS與半導(dǎo)體層SC接觸。漏極WD中的第二電極部分D2的一部分與半導(dǎo)體層SC接觸。第二電極部分D2與第五電極部分D5交叉，朝向輔助電容線Cl延伸，并且與位于輔助電容線Cl正上方的第一電極部分Dl連接。第五電極部分D5沿著柵線G2延伸。在這一實(shí)施例中，第五電極部分D5與第二電極部分D2和第三電極部分D3連接。
[0069]半導(dǎo)體層SC，與源線SI 一體形成的源極WS以及漏極WD由第二絕緣膜12覆蓋。第二絕緣膜12也形成在第一絕緣膜11上。貫穿漏極WD的接觸孔CHl形成在第二絕緣膜12中。第一絕緣膜11和第二絕緣膜12由例如以氧化硅(SiO)和氮化硅(SiN)為例的無機(jī)系統(tǒng)材料形成。
[0070]第三絕緣膜13布置在第二絕緣膜12上。第三絕緣膜13使用例如透明樹脂的有機(jī)系統(tǒng)材料形成，并且具有平滑的表面。而且，第三絕緣膜13具有比第一絕緣膜11和第二絕緣么12更大的厚度。接觸孔CH2形成在第三絕緣膜13中。接觸孔CH2的尺寸比接觸孔CHl的要大，并且貫穿漏極WD，也同時(shí)貫穿接觸孔CHl周圍的第二絕緣膜12。
[0071]所說明的柵屏蔽電極GS與柵線G2相對(duì)。在說明的像素電極PE中，主像素電極PAl經(jīng)過第二絕緣膜12和第三絕緣膜13與第二電極部分D2相對(duì)。接觸部分PC經(jīng)過第二絕緣膜12和第三絕緣膜13與第一電極部分Dl相對(duì)，并且經(jīng)過接觸孔CHl和接觸孔CH2與漏極WD接觸。
[0072]第一配向膜ALl覆蓋像素電極PE，柵屏蔽電極GS等等，并且也布置在第三絕緣膜13上。第一配向膜ALl由顯示水平配向膜特性的材料形成。
[0073]圖6是示意性地表示沿著圖4所示的線C-D截取的液晶顯示面板LPN的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0074]在說明的示例中，背光4布置在形成液晶顯示面板LPN的陣列基板AR的后側(cè)上?？梢允褂酶鞣N類型的背光4。例如，發(fā)光二極管(LED)或者冷陰極熒光燈(CCFL)等等能夠用作背光4的光源，并且省去關(guān)于其詳細(xì)結(jié)構(gòu)的解釋。
[0075]在陣列基板AR中，第一絕緣膜11形成在與相對(duì)基板CT面對(duì)的第一絕緣基板10的內(nèi)側(cè)表面IOA中。源線SI和源線S2形成在第一絕緣膜11上，并且由第二絕緣膜12覆蓋。漏極WD的第二電極部分D2和第三電極部分D3形成在第一絕緣膜11上，并且由第二絕緣膜12覆蓋。S卩，漏極WD與源線SI和源線S2形成在相同的層中，也就是說，形成在第一絕緣膜11的上表面上。漏極WD位于源線SI和源線S2之間，并且與源線SI和源線S2分離。像素電極PE和源屏蔽電極SS形成在第三絕緣膜13上，并且由第一配向膜ALl覆蓋。主像素電極PAl和主像素電極PA2位于像素的內(nèi)側(cè)上而非源線SI和源線S2正上方的位置上。主像素電極PAl位于第二電極部分D2上方，并且主像素電極PA2位于第三電極部分D3上方。源屏蔽電極SS分別位于源線SI和源線S2上方。第一配向膜ALl布置在與相對(duì)基板CT面對(duì)的陣列基板AR上，并且延伸到整個(gè)有源區(qū)域ACT。
[0076]相對(duì)基板CT使用第二透明絕緣基板20形成。相對(duì)基板CT在與陣列基板AR面對(duì)的第二絕緣基板20的內(nèi)側(cè)表面上包括彩色濾光片CF，涂覆層0C，公共電極CE和第二配向膜AL2等等。此外，可以在與陣列基板AR面對(duì)的內(nèi)表面20A上布置用于定義每一個(gè)像素的黑色矩陣。實(shí)際上，黑色矩陣布置在諸如柵線，源線和切換元件的布線部分上。
[0077]與每一個(gè)像素PX相對(duì)應(yīng)地布置彩色濾光片CF。即，彩色濾光片CF布置在內(nèi)側(cè)表面20A上。布置在沿第一方向X鄰接的像素PX中的彩色濾光片的顏色相互不同。例如，彩色濾光片CF由紅、藍(lán)和綠三個(gè)主色著色的樹脂材料形成。涂覆層OC覆蓋彩色濾光片CF。涂覆層OC例如由諸如透明樹脂的有機(jī)系統(tǒng)材料形成，并且使彩色濾光片CF的表面平滑。
[0078]公共電極CE形成在與陣列基板AR面對(duì)的涂覆層OC上并且由第二配向膜AL2覆蓋。所說明的主公共電極CAL位于源線SI或源屏蔽電極SS上方。主公共電極CAR位于源線S2或源屏蔽電極SS上方。主公共電極CAC位于主公共電極CAL和主公共電極CAR之間的中心或主像素電極PAl和主像素電極PA2之間的中心中。
[0079]像素電極PE和公共電極CE之間的區(qū)域，即，主公共電極CAL和主像素電極PAl之間的區(qū)域,主公共電極CAC和主像素電極PAl之間的區(qū)域，主公共電極CAC和主像素電極PA2之間的區(qū)域，以及主公共電極CAR和主像素電極PA2之間的區(qū)域，與背光能夠貫穿其中的貫穿區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0080]第二配向膜AL2布置在與陣列基板AR面對(duì)的相對(duì)基板CT上，并且延伸到基本上整個(gè)有源區(qū)域。第二配向膜AL2由顯示水平配向膜特性的材料形成。
[0081]布置上述的陣列基板AR和相對(duì)基板CT以使第一配向膜ALl和第二配向膜AL2彼此面對(duì)。在這一情況下，在陣列基板AR上的第一配向膜ALl和相對(duì)基板CT上的第二配向膜AL2之間，通過樹脂材料與所述基板中的一個(gè)一體地形成柱形間隔體。從而，例如形成預(yù)定的間隙，例如2-7毫米的盒間隙。通過未說明的布置在有源區(qū)域的外圍中的密封材料將陣列基板AR和相對(duì)基板CT粘結(jié)到一起，同時(shí)例如形成預(yù)定的盒間隙。
[0082]液晶層LQ保持在陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間形成的盒間隙中，即，在第一配向膜ALl和第二配向膜AL2之間。液晶層LQ包含液晶分子LM。例如，液晶層LQ由其介電異性為正(正型)的液晶材料形成。
[0083]此外，主像素電極PA和主公共電極CA之間沿第一方向的電極間隔大于液晶層LQ的厚度，并且具有大于兩倍于液晶層LQ的厚度的厚度。
[0084]通過粘合劑等等將第一光學(xué)元件ODl附接到陣列基板AR的外表面IOB上，S卩，形成陣列基板AR的第一絕緣基板10的外表面上。第一光學(xué)兀件ODl位于與液晶顯不面板LPN的背光4面對(duì)的側(cè)上，并且控制從背光4進(jìn)入液晶顯示面板LPN的入射光的偏振狀態(tài)。第一光學(xué)兀件ODl包括具有第一偏振軸AXl的第一偏振板PLl。諸如遲滯膜的其它光學(xué)兀件可以布置在第一偏振板PLl和第一絕緣基板10之間。
[0085]通過粘合劑等等將第二光學(xué)元件0D2附接到相對(duì)基板CT的外表面20B上，S卩，形成相對(duì)基板CT的第二絕緣基板20的外表面上。第二光學(xué)兀件OD2位于液晶顯不面板LPN的顯示表面?zhèn)壬希⑶铱刂苼碜砸壕э@示面板LPN的發(fā)射光的偏振狀態(tài)。第二光學(xué)元件OD2包括具有第二偏振軸AX2的第二偏振板PL2。諸如遲滯膜的其它光學(xué)元件可以布置在第二偏振板PL2和第二絕緣基板20之間。
[0086]第一偏振板PLl的第一偏振軸AXl和第二偏振板PL2的第二偏振軸AX2布置為具有正交尼科耳關(guān)系，在此關(guān)系中它們基本上垂直地交叉。此時(shí)，布置一個(gè)偏振板以使其偏振軸布置為基本上與主像素電極PA的延伸方向平行或正交。在圖4B中，布置第一偏振板PLl以使其第一偏振軸AXl變?yōu)榕c第二方向Y正交。布置第二偏振板PL2以使其第二偏振軸AX2變?yōu)榕c第二方向Y平行。而且，在圖4C中，布置第二偏振板PL2以使其第二偏振軸AX2變?yōu)榕c第二方向Y正交。布置第一偏振板PLl以使其第一偏振軸AXl變?yōu)榕c第二方向Y平行。
[0087]接下來，解釋具有上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板LPN的操作。
[0088]在非電場(chǎng)狀態(tài)(關(guān)閉)的時(shí)刻，8卩，當(dāng)沒有在像素電極PE和公共電極CE之間形成電勢(shì)差(即，電場(chǎng))時(shí)，液晶層LQ的液晶分子LM被配向以使它們的長軸配向?yàn)榕c第一配向膜ALl的第一配向處理方向PDl和第二配向膜AL2的第二配向處理方向PD2平行的方向。在這一狀態(tài)下，關(guān)閉的時(shí)刻與初始配向狀態(tài)相對(duì)應(yīng)，并且液晶分子LM的配向方向與初始配向方向相對(duì)應(yīng)。這里，第一配向方向PDl和第二配向方向PD2基本上與第二方向Y平行并且彼此同向。在關(guān)閉的時(shí)刻，液晶分子LM被配向以使它們的長軸配向?yàn)樵赬-Y平面中與第二方向Y平行。
[0089]在關(guān)閉的時(shí)刻，來自背光4的一部分背光貫穿第一偏振板PL1，并且進(jìn)入液晶顯示面板LPN。進(jìn)入液晶顯示面板LPN的背光是與第一偏振板PLl的第一偏振軸AXl垂直交叉的線性偏振光。在關(guān)閉的時(shí)刻，當(dāng)背光經(jīng)過液晶層LQ時(shí)，線性偏振光的偏振狀態(tài)幾乎不改變。由于這一原因，貫穿液晶顯示面板LPN的線性偏振光被布置為與第一偏振板PLl具有正交尼科耳位置關(guān)系的第二偏振板PL2吸收(黑顯示)。
[0090]另一方面，在像素電極PE和公共電極CE之間形成電勢(shì)差(或電場(chǎng))，的情況下，SP，在打開的時(shí)刻，形成與像素電極PE和公共電極CE之間的基板平行的橫向電場(chǎng)(或斜向電場(chǎng))。液晶分子LM受像素電極PE和公共電極CE之間的電場(chǎng)影響，并且配向狀態(tài)改變。SP，液晶分子LM的配向方向被劃分為在與主像素電極PA或主公共電極CA重疊的位置上鄰接的多個(gè)方向，并且形成與每一個(gè)配向方向相對(duì)應(yīng)的域。即，在一個(gè)PX中形成多個(gè)域。
[0091]在打開的時(shí)刻，當(dāng)背光經(jīng)過保持在主像素電極PA和主公共電極CA之間的液晶層LQ時(shí)，進(jìn)入液晶面板LPN中的線性偏振背光的偏振狀態(tài)根據(jù)液晶分子LM的配向狀態(tài)而改變。從而，經(jīng)過液晶層LQ的背光的至少一部分的偏振狀態(tài)變?yōu)榕c第二方向Y平行的線性偏振光。由于這一原因，在打開的時(shí)刻，經(jīng)過液晶層LQ的背光的至少一部分貫穿第二偏振板PL2 (白顯示)。然而，在與像素電極或者公共電極重疊的位置中，由于液晶分子維持初始配向狀態(tài)，因此它變?yōu)榕c關(guān)閉的時(shí)刻類似的黑顯示。
[0092]根據(jù)這一實(shí)施例，與像素電極PE連接的切換元件SW的漏極WD的一部分位于主像素電極PA下方并且與陣列基板中除了像素電極PE的主像素電極PA以外的主像素電極PA平行地延伸。即，在陣列基板AR中，像素電極形成為基本上具有兩層，這兩層分別具有相同的電勢(shì)。因此，在打開的時(shí)刻，當(dāng)在具有像素電勢(shì)的像素電極PE和具有普通電勢(shì)的公共電極CE之間形成電場(chǎng)時(shí)，沿陣列基板AR的主表面的法線方向的電勢(shì)被增強(qiáng)，并且變得可能難于受像素電極PE和其它電極之間的電場(chǎng)影響。因此，能夠抑制液晶分子的配向缺陷的生成，即，能夠控制顯示效果的降級(jí)。
[0093]而且，由于陣列基板AR配備有與源線S面對(duì)的源屏蔽電極SS，因此能夠屏蔽來自源線S的不期望的電場(chǎng)。由于這一原因，能夠控制從源線施加到液晶層LQ的不期望的偏置，并且也能夠控制諸如串?dāng)_的顯示效果的降級(jí)。
[0094]而且，陣列基板AR配備有與柵線G面對(duì)的柵屏蔽電極GS。漏極WD的電極部分的一部分沿著柵線G與柵線G平行地延伸。由于這一原因，能夠屏蔽來自柵線G的不期望的電場(chǎng)并且能夠防止施加不期望的偏置。從而，能夠控制諸如打印顯示的顯示效果的降級(jí)，并且能夠控制在黑顯示的情況下在來自柵線G的電場(chǎng)泄露的影響下由液晶分子的配向缺陷導(dǎo)致的光泄露的生成。因此，能夠控制對(duì)比度的下降。
[0095]而且，由于柵屏蔽電極GS和源屏蔽電極SS在陣列基板AR中電連接，并且主公共電極CA和子公共電極CB在相對(duì)基板CT中共同電連接，因此能夠提高冗余度。即，即使在柵屏蔽電極GS，源屏蔽電極SS，主公共電極CA和子公共電極CB的一部分中發(fā)生斷開，也能夠向每一個(gè)像素PX平穩(wěn)地供應(yīng)公共電勢(shì)，并且能夠控制顯示效果的降級(jí)。
[0096]進(jìn)而，由于漏極WD的電極部分通過彼此連接而形成為“8”的形狀，因此能夠提高冗余度。即，即使在來自漏極WD的一些電極部分中發(fā)生斷開，也能夠向每一個(gè)像素PX平穩(wěn)地提供像素電勢(shì)，并且能夠控制顯示效果的降級(jí)。
[0097]而且，根據(jù)這一實(shí)施例，在與公共電極CE重疊的區(qū)域中，透射率充分下降。這是因?yàn)闆]有生成從相對(duì)基板CE的與柵線G和源線S面對(duì)的位置泄露到像素PX的外側(cè)的電場(chǎng)，并且沒有在鄰接的像素之間生成不期望的電場(chǎng)。因此，與公共電極CE重疊的該區(qū)域的液晶分子LM在黑顯示時(shí)維持初始配向狀態(tài)。而且，即使在陣列基板AR和相對(duì)基板CT之間發(fā)生裝配移位，也能夠控制不期望的電場(chǎng)到鄰接像素的泄露。即，當(dāng)在X-Y平面上觀察到一個(gè)像素PX時(shí)，像素電極PE布置在由形成在相對(duì)基板上并且與柵線G和源線S (或布置在陣列基板AR中的柵屏蔽電極和源屏蔽電極)面對(duì)的公共電極CE圍繞的像素內(nèi)。從而，電力線在一個(gè)像素內(nèi)具有起點(diǎn)和終點(diǎn)，并且電力線不泄露到鄰接像素。由于這一原因，即使是彩色濾光片CF的顏色在鄰接像素之間不同的情況，也能夠控制混合顏色的生成，并且也能夠控制色彩再現(xiàn)本質(zhì)和對(duì)比度的下降。因此，能夠控制顯示效果的降級(jí)。
[0098]此外，盡管在上述實(shí)施例中將初始配向方向設(shè)置為與第二方向Y平行，但是可以將所述初始配向方向設(shè)置為與第一方向X和第二方向Y交叉的傾斜方向。
[0099]而且，上述實(shí)施例解釋了液晶層LQ由具有正(正型)介電常數(shù)各向異性的液晶材料形成的情況。然而，可以使用具有負(fù)(負(fù)型)介電常數(shù)各向異性的液晶材料。
[0100]而且，盡管上述實(shí)施例解釋了像素電極PE包括兩個(gè)主像素電極PA的情況，但是該結(jié)構(gòu)并不局限于這一實(shí)施例。當(dāng)將每一個(gè)像素電極PE配備的主像素電極PA的數(shù)量設(shè)置為“a”時(shí)，布置在每一個(gè)像素PX中的主公共電極CA的數(shù)量變?yōu)?a+Ι)。一個(gè)主像素電極PA布置在鄰接的主公共電極CA之間(這里“a”等于I或更大的正數(shù))。
[0101]此外，像素PX的結(jié)構(gòu)并不局限于這一實(shí)施例中的上述示例。
[0102]圖7是示意性地表示根據(jù)第二實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板AR時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。[0103]圖7所示的實(shí)施例與圖2所示的實(shí)施例的不同之處在于省去了漏極WD的第四電極部分和四五電極部分。即，漏極WD由位于輔助電容線Cl和接觸部分PC之間的第一電極部分Dl，位于主像素電極PAl下方并且與主像素電極PAl平行地延伸的第二電極部分D2，以及位于主像素電極PA2下方并且與主像素電極PA2平行地延伸的第三電極部分D3形成為“H”的形狀。第二電極部分D2和第三電極部分D3分別延伸到柵線Gl和柵線G2附近。
[0104]能夠?qū)⑴鋫溆袌D4所示的公共電極CE的相對(duì)基板CT與配備有上述漏極W)的陣列基板AR進(jìn)行組合。
[0105]根據(jù)該第二實(shí)施例，由于與第一實(shí)施例相比省去了沿著柵線G的第四電極部分和第五電極部分，因此抵抗來自柵線G的泄露的電場(chǎng)的屏蔽效果稍有下降。然而，能夠增強(qiáng)陣列基板AR中的像素電勢(shì)，并且能夠與第一實(shí)施例類似地控制顯示效果的降級(jí)。
[0106]圖8是示意性地表示根據(jù)第三實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板AR時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0107]圖8所示的第三實(shí)施例與圖7所示的第二實(shí)施例的不同之處在于省去了漏極WD的第三電極部分，并且第二電極部分D2從與半導(dǎo)體層SC接觸的位置縮短到第一電極部分Dl0即，漏極WD由位于輔助電容線Cl和接觸部分PC之間的第一電極部分Dl以及在主像素電極PAl下方位于半導(dǎo)體層SC和第一電極部分Dl之間以便與主像素電極PAl平行地延伸的第二電極部分D2形成為“L”的形狀。
[0108]能夠?qū)⑴鋫溆袌D4所示的公共電極CE的相對(duì)基板CT與配備有根據(jù)該第三實(shí)施例的所述漏極WD的陣列基板AR進(jìn)行組合。
[0109]圖9是示意性地表示根據(jù)第四實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0110]圖9所示的結(jié)構(gòu)與圖2所示的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的不同之處在于像素電極PE形成為配備有一個(gè)主像素電極PA和接觸部分PC的交叉形狀，并且形成在主像素電極PA下方沿第二方向Y延伸的漏極WD的一個(gè)第二電極部分。
[0111]即，主像素電極PA位于源線SI和源線S2之間的大致中心中，并且形成為沿第二方向Y線性延伸的條帶形狀。即，主像素電極PA與沿第一方向X延伸的接觸部分PC交叉，并且形成交叉形狀。漏極WD包括位于輔助電容線Cl和接觸部分PC之間以便沿第一方向X延伸的第一電極部分Dl，與在主像素電極PA下方延伸的第一電極部分Dl連接的第二電極部分D2，與第二電極部分D2連接并且沿第一方向X沿著柵線Gl延伸的第四電極部分D4以及與第二電極部分D2連接并且沿第一方向X沿著柵線G2延伸的第五電極部分D5。
[0112]公共電極CE的主公共電極CAL位于與源線SI面對(duì)的源屏蔽電極SS上方。主公共電極CAR位于與源線S2面對(duì)的源屏蔽電極SS上方。子公共電極CBU位于與柵線Gl面對(duì)的柵屏蔽電極GS上方。子公共電極CBL位于與柵線G2面對(duì)的柵屏蔽電極GS上方。
[0113]同樣在根據(jù)這一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)中，獲得與其它實(shí)施例相同的效果。特別地，上述結(jié)構(gòu)適合于用于高清顯示的像素，這些像素PX沿第一方向X的長度較短。
[0114]圖10是示意性地表示根據(jù)第五實(shí)施例當(dāng)從相對(duì)基板側(cè)觀察圖1所示的陣列基板AR時(shí)一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。
[0115]該第五實(shí)施例適用于使用IPS模式的液晶顯示設(shè)備。公共電極CE布置在陣列基板AR上而非相對(duì)基板CT上。在陣列基板AR中，第一主公共電極CAL經(jīng)過絕緣膜布置在第一源線SI上，并且第二主公共電極CAR經(jīng)過絕緣膜布置在第二源線S2上。類似地，第一子公共電極CBU布置在柵線Gl上，并且第二子公共電極布置在柵線G2上。其它結(jié)構(gòu)與圖9所示的第四實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)相同。
[0116]如上面解釋的，根據(jù)所述實(shí)施例，能夠提供能夠控制顯示效果的降級(jí)的液晶顯示設(shè)備。
[0117]盡管描述了某些實(shí)施例，但是僅通過示例的方式呈現(xiàn)了這些實(shí)施例，并且并不意在限制本發(fā)明的范圍。實(shí)際中，在不偏離本發(fā)明的精神的情況下，可以修改結(jié)構(gòu)和方法要素。通過適當(dāng)?shù)亟M合在所述實(shí)施例中公開的結(jié)構(gòu)和方法要素，能夠?qū)崿F(xiàn)多種實(shí)施例。例如，可以從所述實(shí)施例中公開的全部結(jié)構(gòu)和方法要素中省去一些結(jié)構(gòu)和方法要素。而且，可以適當(dāng)?shù)亟M合不同實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)和方法要素。所附權(quán)利要求及其等同物意在涵蓋落入本發(fā)明范圍的這樣的形式或修改。
【權(quán)利要求】
1.一種液晶顯示設(shè)備,包括: 第一基板，該第一基板包括: 沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線， 沿與所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源線和第二源線， 與所述第一柵線和所述第一源線電連接的切換元件， 由所述第一柵線和所述第二柵線以及所述第一源線和所述第二源線圍繞的像素電極，所述像素電極包括與所述切換元件接觸并且沿所述第一方向延伸的接觸部分，以及與所述接觸部分接觸并且沿所述第二方向延伸的主像素電極， 布置在所述第一柵線和所述第二柵線上并且沿所述第一方向延伸的柵屏蔽電極，和與所述柵屏蔽電極連接并且布置在所述第一源線和所述第二源線上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽電極， 第二基板，該第二基板提供有被設(shè)置為與所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極具有相同電勢(shì)的公共電極，所述公共電極包括: 布置在所述柵屏蔽電極上方并且沿所述第一方向延伸的子公共電極，和與所述子公共電極連接 并且布置在所述源屏蔽電極上方以便沿所述第二方向延伸的主公共電極； 保持在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層； 其中，所述切換元件包括布置在所述第一源線和所述第二源線之間的漏極，并且所述漏極包括: 位于所述接觸部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一電極部分， 位于所述主像素電極下方并且與所述第一電極部分連接以便沿所述第二方向延伸的第二電極部分， 與所述第二電極部分連接并且沿著所述第一柵線沿所述第一方向延伸的第三電極部分，和 與所述第二電極部分連接并且沿著所述第二柵線沿所述第一方向延伸的第四電極部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第三電極部分和所述第四電極部分朝向所述第一源線和所述第二源線沿所述第一方向延伸并且布置為分別與所述第一源線和所述第二源線分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一柵線和所述第二柵線布置有位于其間的沿所述第二方向的第一節(jié)距，并且所述第一源線和所述第二源線布置有位于其間的沿所述第一方向的比所述第一節(jié)距小的第二節(jié)距。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一基板包括位于所述接觸部分下方的位于所述第一柵線和所述第二柵線之間的輔助電容線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一基板進(jìn)一步包括覆蓋所述切換元件并且用作所述像素電極、所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極的接地層的層間絕緣膜，以及覆蓋所述像素電極、所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極的第一配向膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極由與所述像素電極相同的材料形成。
7.—種液晶顯示設(shè)備,包括: 第一基板，該第一基板包括: 沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線， 沿與所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源線和第二源線， 與所述第一柵線和所述第一源線電連接的切換元件， 由所述第一柵線和所述第二柵線以及所述第一源線和所述第二源線圍繞并且提供有與所述切換元件接觸并且沿第 一方向延伸的接觸部分的像素電極，所述像素電極包括與所述接觸部分連接以便沿所述第二方向延伸的第一主像素電極和第二主像素電極， 布置在所述第一柵線和所述第二柵線上并且沿所述第一方向延伸的柵屏蔽電極，和與所述柵屏蔽電極連接并且布置在所述第一源線和所述第二源線上以便沿所述第二方向延伸的源屏蔽電極， 第二基板，該第二基板提供有被設(shè)置為與所述柵屏蔽電極和所述源屏蔽電極具有相同電勢(shì)的公共電極，所述公共電極包括布置在所述柵屏蔽電極上方并且沿所述第一方向延伸的子公共電極，與所述子公共電極連接并且布置在所述源屏蔽電極上方以便沿所述第二方向延伸的第一主公共電極，以及與所述子公共電極連接并且布置在所述第一主像素電極和所述第二主像素電極之間以便沿所述第二方向延伸的第二主公共電極；以及保持在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層； 其中，所述切換元件包括布置在所述第一源線和所述第二源線之間的漏極，并且所述漏極包括: 位于所述接觸部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一電極部分， 與所述第一電極部分連接并且位于所述第一主像素電極下方以便沿所述第二方向延伸的第二電極部分， 與所述第一電極部分連接并且位于所述第二主像素電極部分下方以便沿所述第二方向延伸的第三電極部分， 與所述第二電極部分和所述第三電極部分連接并且沿著所述第一柵線沿所述第一方向延伸的第四電極部分，和 與所述第二電極部分和所述第三電極部分連接并且沿著所述第二柵線沿所述第一方向延伸的第五電極部分。
8.—種液晶顯示設(shè)備,包括: 第一基板，該第一基板包括: 沿第一方向延伸的第一柵線和第二柵線， 沿與所述第一方向正交的第二方向延伸的第一源線和第二源線， 與所述第一柵線和所述第一源線電連接的切換元件， 由所述第一柵線和所述第二柵線以及所述第一源線和所述第二源線圍繞的像素電極，所述像素電極包括與所述切換元件接觸并且沿所述第一方向延伸的接觸部分，以及與所述接觸部分接觸并且沿所述第二方向延伸的主像素電極， 布置在所述第一柵線和所述第二柵線上方并且沿所述第一方向延伸的子公共電極，和與所述子公共電極連接并且布置在所述第一源線和所述第二源線上方以便沿所述第二方向延伸的主公共電極；與所述第一基板面對(duì)的第二基板；以及 保持在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶層； 其中，所述切換元件包括布置在所述第一源線和所述第二源線之間的漏極，并且所述漏極包括， 位于所述接觸部分下方并且沿所述第一方向延伸的第一電極部分， 位于所述主像素電極下方并且與所述第一電極部分連接以便沿所述第二方向延伸的第二電極部分， 與所述第二電極部分連接并且沿著所述第一柵線沿所述第一方向延伸的第三電極部分，和 與所述第二電極部分連接并且沿著所述第二柵線沿所述第一方向延伸的第四電極部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第三電極部分和所述第四電極部分朝向所述第一源線和所述第二源線沿所述第一方向延伸，并且布置為分別與所述第一源線和所述第二源線分離。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一柵線和所述第二柵線布置有位于其間的沿所述第二方向的第一節(jié)距，并且所述第一源線和所述第二源線布置有位于其間的沿所述第一方向的小于所述第一節(jié)距的第二節(jié)距。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一基板包括位于所述接觸部分下方的，位于所述第一 柵線和所述第二柵線之間的輔助電容線。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103926758SQ201410017424
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月15日
【發(fā)明者】化生正人, 廣澤仁 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日本顯示器