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      一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法

      文檔序號:2710691閱讀:314來源:國知局
      一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法,包括去除光纖涂覆層、抗彎曲光纖與常規(guī)光纖的接續(xù)、熔融拉錐及固定于基板、一次封裝和二次封裝等步驟。一種抗彎曲光纖耦合器,其包括兩根光纖,每根光纖包括設(shè)置在中間的長度為10~15mm的常規(guī)光纖,還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖,兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起,形成兩頭大中間小的耦合錐體,再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi)。本發(fā)明的一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法,能大幅度地縮小光纖耦合器模塊的尺寸。
      【專利說明】一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明專利涉及光通訊、光傳感及測試應(yīng)用的光無源器件,尤其是一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在光纖耦合器的組裝工藝中,其模塊盒的尺寸取決于光纖耦合器大小和光纖的彎曲直徑,而光纖I禹合器的常規(guī)大小為45?54mm,若以腐蝕方式或小火頭方式來縮短拉錐長度,其所做成的器件大小約為30?40mm左右,但仍受到常規(guī)光纖彎曲半徑太大的限制,其模塊盒長度大小也只能減少15_左右,而本發(fā)明所做成的抗彎曲光纖耦合器,其器件長度雖維持不變,但因采用了抗彎曲的光纖,其彎曲半徑可大幅縮小,可由常規(guī)光纖的彎曲半徑60mm降至5?15_,視所采用的抗彎曲光纖種類而定,如此所制造出的抗彎曲光纖耦合器,可組裝在60x40x10mm的模塊盒內(nèi),比組裝常規(guī)光纖稱合器所需模塊盒100x80x10mm小許多,大大提高通信機(jī)房空間的利用率。
      [0003]在過去一直未克服抗彎曲光纖在拉錐時額外損耗大的問題,所以很難制造出抗彎曲光纖耦合器,本發(fā)明采用一小段常規(guī)光纖來代替抗彎曲光纖,其間以熔接機(jī)做接續(xù),由于抗彎曲光纖的模場直徑能跟常規(guī)光纖兼容,所以其跟常規(guī)光纖的接續(xù)損耗很小,經(jīng)專業(yè)的技術(shù)員調(diào)整熔接參數(shù)之后,每一接點的損耗可小于0.05dB,因此可具體實現(xiàn)本發(fā)明。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種抗彎曲光纖耦合器及其制造方法,能大幅度地縮小光纖耦合器模塊的尺寸。
      [0005]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的:一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法,包括以下步驟:
      [0006]步驟1.去除光纖涂覆層:分別去除抗彎曲光纖涂覆層和一小段待耦合區(qū)域的常規(guī)光纖涂覆層,并擦拭干凈;
      [0007]步驟2.做接續(xù):在一小段常規(guī)光纖的兩端分別與抗彎曲光纖做接續(xù),然后將接續(xù)好的光纖線取出并保持干凈;
      [0008]步驟3.熔融拉錐及固定于基板:將兩根經(jīng)步驟2接續(xù)好的光纖線進(jìn)行打絞或平行緊靠,使常規(guī)光纖的待耦合區(qū)域相互緊靠,并固定在拉錐夾具上,再加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸,使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起,形成兩頭大中間小的耦合錐體,再用防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi);
      [0009]步驟4.一次封裝:用玻璃管或熱縮管套住石英基板并熱縮,然后于兩端以另一種防水膠封口,以完成一次封裝的半成品;
      [0010]步驟5.二次封裝:將所完成一次封裝半成品放入一金屬管內(nèi),在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間,以及一次封裝半成品的左右兩邊填充硅膠,使一次封裝半成品完全密封于整個金屬管內(nèi),如此完成一抗彎曲光纖耦合器。[0011]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657A2/B2的抗彎曲光纖。
      [0012]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657B3的抗彎曲光纖。
      [0013]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟2中是采用一小段常規(guī)光纖來代替抗彎曲光纖做熔融拉錐,其長度為10?15mm。
      [0014]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述步驟4中接續(xù)點是封裝在石英基板內(nèi),以膠固定確保其機(jī)械強(qiáng)度。
      [0015]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),步驟2中在一小段常規(guī)光纖的兩端分別以熔接機(jī)跟抗彎曲光纖做接續(xù)。
      [0016]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),步驟3中,用火焰或加熱器加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸,使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起。
      [0017]—種抗彎曲光纖稱合器,其包括兩根光纖,每根光纖包括設(shè)置在中間的長度為10?15mm的常規(guī)光纖,還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖,兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起,形成兩頭大中間小的耦合錐體,再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi);
      [0018]由玻璃管或熱縮管套住石英基板,然后于兩端以另一種防水膠封口,以完成一次封裝的半成品,一次封裝半成品設(shè)置在一金屬管內(nèi),在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間,以及一次封裝半成品的左右兩邊設(shè)置硅膠,使一次封裝半成品完全密封于整個金屬管內(nèi)。
      [0019]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D和ITU-TG.657A2/B2的抗彎曲光纖。
      [0020]作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D和ITU-TG.657B3的抗彎曲光纖。
      [0021]本發(fā)明的有益效果是:
      [0022]本發(fā)明采用一小段常規(guī)光纖來代替抗彎曲光纖,其間以熔接機(jī)做接續(xù),以克服抗彎曲光纖本身在拉錐時不易耦合、額外損耗大的問題,如此所制造出的抗彎曲光纖耦合器,可組裝在60x40x10mm的模塊盒內(nèi),比組裝常規(guī)光纖稱合器所需模塊盒100x80x10mm小許多,大大提高通信機(jī)房空間的利用率。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0023]圖1為常規(guī)光纖耦合器結(jié)構(gòu)的示意圖;
      [0024]圖2為本發(fā)明抗彎曲光纖耦合器結(jié)構(gòu)的示意圖;
      [0025]圖3為完成溶融拉維及固定基板之半成品說明圖;
      [0026]圖4為完成一次封裝半成品說明圖;
      [0027]圖5為完成二次封裝成品說明圖。
      [0028]圖中各部件名稱如下:
      [0029]la, lb, lc, Id 是指同時滿足 ITU-T G652D 和 ITU-T G.657A2/B2 (例 Corning LBLFiber)或ITU-T G.657B3 (這三個帶有英文的簡稱是國際光纖的標(biāo)準(zhǔn)名稱)的抗彎曲光纖(例 Corning ZBL Fiber)。[0030]
      【權(quán)利要求】
      1.一種抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟1.去除光纖涂覆層:分別去除抗彎曲光纖涂覆層和一小段待耦合區(qū)域的常規(guī)光纖涂覆層,并擦拭干凈; 步驟2.做接續(xù):在一小段常規(guī)光纖的兩端分別與抗彎曲光纖做接續(xù),然后將接續(xù)好的光纖線取出并保持干凈; 步驟3.熔融拉錐及固定于基板:將兩根經(jīng)步驟2接續(xù)好的光纖線進(jìn)行打絞或平行緊靠,使常規(guī)光纖的待耦合區(qū)域相互緊靠,并固定在拉錐夾具上,再加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸,使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起,形成兩頭大中間小的耦合錐體,再用防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi); 步驟4.一次封裝:用玻璃管或熱縮管套住石英基板并熱縮,然后于兩端以另一種防水膠封口,以完成一次封裝的半成品; 步驟5.二次封裝:將所完成一次封裝半成品放入一金屬管內(nèi),在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間,以及一次封裝半成品的左右兩邊填充硅膠,使一次封裝半成品完全密封于整個金屬管內(nèi),如此完成一抗彎曲光纖耦合器。
      2.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D和ITU-T G.657 A2/B2的抗彎曲光纖。
      3.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:所述步驟I中抗彎曲光纖是指同時滿 足ITU-T G652D和ITU-T G.657 B3的抗彎曲光纖。
      4.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:所述步驟2中是采用一小段常規(guī)光纖來代替抗彎曲光纖做熔融拉錐,其長度為l(Tl5mm。
      5.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:所述步驟4中接續(xù)點是封裝在石英基板內(nèi),以膠固定確保其機(jī)械強(qiáng)度。
      6.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:步驟2中在一小段常規(guī)光纖的兩端分別以熔接機(jī)跟抗彎曲光纖做接續(xù)。
      7.如權(quán)利要求1所述的抗彎曲光纖耦合器的制造方法,其特征在于:步驟3中,用火焰或加熱器加熱熔融待耦合區(qū)域并向兩端拉伸,使兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起。
      8.一種抗彎曲光纖稱合器,其特征在于:其包括兩根光纖,每根光纖包括設(shè)置在中間的長度為10-15_的常規(guī)光纖,還包括設(shè)置在該常規(guī)光纖兩端的抗彎曲光纖,兩根常規(guī)光纖相互熔融在一起,形成兩頭大中間小的耦合錐體,再由防水膠將所述耦合錐體固定于石英基板內(nèi); 由玻璃管或熱縮管套住石英基板,然后于兩端以另一種防水膠封口,以完成一次封裝的半成品,一次封裝半成品設(shè)置在一金屬管內(nèi),在一次封裝半成品與金屬管內(nèi)壁之間,以及一次封裝半成品的左右兩邊設(shè)置硅膠,使一次封裝半成品完全密封于整個金屬管內(nèi)。
      9.如權(quán)利要求8所述的抗彎曲光纖耦合器,其特征在于:抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D 和 ITU-T G.657 Α2/Β2 的抗彎曲光纖。
      10.如權(quán)利要求8所述的抗彎曲光纖耦合器,其特征在于:抗彎曲光纖是指同時滿足ITU-T G652D 和 ITU-T G.657 Β3 的抗彎曲光纖。
      【文檔編號】G02B6/255GK103792620SQ201410060448
      【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月21日
      【發(fā)明者】郭文基, 檀立法 申請人:嘉隆科技(深圳)有限公司
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