提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法及裝置制造方法
【專利摘要】一種鈮酸鋰高速光調(diào)制器，包括：光波導(dǎo)和行波電極，光波導(dǎo)中部和行波電極中部形成共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的互作用區(qū)；互作用區(qū)范圍以外的行波電極兩端分別形成輸入?yún)^(qū)和輸出區(qū)，其創(chuàng)新在于：延長互作用區(qū)和輸出區(qū)之間的行波電極長度，從而在互作用區(qū)和輸出區(qū)之間形成一電反射抑制區(qū)，電反射抑制區(qū)范圍內(nèi)的行波電極結(jié)構(gòu)參數(shù)與互作用區(qū)范圍內(nèi)的行波電極相同。本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：可對電反射微波信號的負(fù)面效果進(jìn)行有效抑制，提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器的工作頻率及帶寬，提高器件性能。
【專利說明】提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高速光調(diào)制器，尤其涉及一種提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，鈮酸鋰高速光調(diào)制器(也叫鈮酸鋰電光調(diào)制器)是工程領(lǐng)域中一種較為常用的光調(diào)制器件，目前的主流技術(shù)一般采用共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)(CPW，也叫共平面波導(dǎo)行波電極結(jié)構(gòu))來制作鈮酸鋰高速光調(diào)制器，其原理如圖1所示；基于現(xiàn)有理論，當(dāng)終端負(fù)載和行波電極的特征阻抗不同時(即阻抗失配)，將會在行波電極末端(輸出區(qū))激發(fā)出電反射微波信號(噪聲)，而電反射微波信號會反向傳輸至輸入?yún)^(qū)并與射頻輸入的信號形成諧振，這將導(dǎo)致鈮酸鋰高速光調(diào)制器的工作頻率及帶寬下降，因此，理論上，應(yīng)使終端負(fù)載和行波電極的特征阻抗完全相同；但在實際工藝中，由于工藝容差等因素，終端負(fù)載和行波電極的特征阻抗不可能完全一致，從而導(dǎo)致電反射微波信號必然存在。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對【背景技術(shù)】中的問題，本發(fā)明提出了一種提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法，包括鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載，所述鈮酸鋰高速光調(diào)制器內(nèi)設(shè)置有順次相連的輸入?yún)^(qū)、互作用區(qū)和輸出區(qū)，鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載之間通過輸出區(qū)相連，其創(chuàng)新在于:在互作用區(qū)和輸出區(qū)之間設(shè)置一電反射抑制區(qū)，電反射抑制區(qū)能對從終端負(fù)載處反射回的噪聲電反射信號起到衰減抑制作用，從而提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬。
[0004]本發(fā)明的原理是:由于工藝原因，終端負(fù)載和行波電極的阻抗失配幾乎不可避免，因此，本發(fā)明從降低負(fù)面效果的思路出發(fā)，考慮如何來抑制電反射微波信號的負(fù)面作用；基于現(xiàn)有的電學(xué)理論，我們知道，當(dāng)電信號在電介質(zhì)中傳輸時，電介質(zhì)損耗的大小與電介質(zhì)的長度呈正相關(guān)性，即由電介質(zhì)所形成的傳輸路徑的長度越大，則電介質(zhì)損耗也越大，因此，發(fā)明人在互作用區(qū)和輸出區(qū)之間設(shè)置了一電反射抑制區(qū)，電反射抑制區(qū)的作用是延長互作用區(qū)和輸出區(qū)之間的行波電極長度，也即延長了信號傳輸路徑的長度，從而使互作用區(qū)和輸出區(qū)之間的電介質(zhì)損耗得到增加，當(dāng)電反射微波信號在電反射抑制區(qū)內(nèi)傳輸時就會被大幅衰減，從而抑制電反射微波噪聲信號進(jìn)入互作用區(qū)對器件帶寬造成的負(fù)面影響。
[0005]基于前述方案，本發(fā)明還提出了一種可具體實現(xiàn)前述方案的器件，即一種鈮酸鋰高速光調(diào)制器，包括:光波導(dǎo)和行波電極，光波導(dǎo)中部和行波電極中部形成共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的互作用區(qū)；互作用區(qū)范圍以外的行波電極兩端分別形成輸入?yún)^(qū)和輸出區(qū)，其創(chuàng)新在于:延長互作用區(qū)和輸出區(qū)之間的行波電極長度，從而在互作用區(qū)和輸出區(qū)之間形成一電反射抑制區(qū)，電反射抑制區(qū)范圍內(nèi)的行波電極結(jié)構(gòu)參數(shù)與互作用區(qū)范圍內(nèi)的行波電極相同。該鈮酸鋰高速光調(diào)制器可對電反射微波信號的負(fù)面效果進(jìn)行有效抑制，提高器件的工作頻率及帶寬。[0006]為了避免因設(shè)置電反射抑制區(qū)而導(dǎo)致器件尺寸增大，本發(fā)明還提出了如下的優(yōu)選結(jié)構(gòu)方式:電反射抑制區(qū)范圍內(nèi)的行波電極和互作用區(qū)范圍內(nèi)的行波電極成U形方式分布，從而最大限度地利用器件已有空間。
[0007]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:可對電反射微波信號的負(fù)面效果進(jìn)行有效抑制，提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器的工作頻率及帶寬，提高器件性能。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1、現(xiàn)有的鈮酸鋰高速光調(diào)制器原理示意圖；
圖2、本發(fā)明的鈮酸鋰高速光調(diào)制器原理示意圖；
圖中各個標(biāo)記所對應(yīng)的名稱分別為:光波導(dǎo)1、行波電極2、輸入光纖3、輸出光纖4、鈮酸鋰襯底5、終端負(fù)載6、輸入?yún)^(qū)A、互作用區(qū)B、輸出區(qū)C。
【具體實施方式】
[0009]一種鈮酸鋰高速光調(diào)制器，包括:光波導(dǎo)I和行波電極2，光波導(dǎo)I中部和行波電極2中部形成共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的互作用區(qū)B ;互作用區(qū)B范圍以外的行波電極2兩端分別形成輸入?yún)^(qū)A和輸出區(qū)C，其結(jié)構(gòu)為:延長互作用區(qū)B和輸出區(qū)C之間的行波電極2長度，從而在互作用區(qū)B和輸出區(qū)C之間形成一電反射抑制區(qū)D，電反射抑制區(qū)D范圍內(nèi)的行波電極2結(jié)構(gòu)參數(shù)與互作用區(qū)B范圍內(nèi)的行波電極2相同。
[0010]進(jìn)一步地，電反射抑制區(qū)D范圍內(nèi)的行波電極2和互作用區(qū)B范圍內(nèi)的行波電極2成U形方式分布。
[0011]一種提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法，包括鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載，所述鈮酸鋰高速光調(diào)制器內(nèi)設(shè)置有順次相連的輸入?yún)^(qū)A、互作用區(qū)B和輸出區(qū)C，鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載之間通過輸出區(qū)C相連，其創(chuàng)新在于:在互作用區(qū)B和輸出區(qū)C之間設(shè)置一電反射抑制區(qū)D，電反射抑制區(qū)D能對從終端負(fù)載處反射回的噪聲電反射信號起到衰減抑制作用，從而提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬。
【權(quán)利要求】
1.一種鈮酸鋰高速光調(diào)制器，包括:光波導(dǎo)(I)和行波電極(2)，光波導(dǎo)(I)中部和行波電極(2)中部形成共面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的互作用區(qū)(B);互作用區(qū)(B)范圍以外的行波電極(2)兩端分別形成輸入?yún)^(qū)(A)和輸出區(qū)(C)，其特征在于:延長互作用區(qū)(B)和輸出區(qū)(C)之間的行波電極(2)長度，從而在互作用區(qū)(B)和輸出區(qū)(C)之間形成一電反射抑制區(qū)(D)，電反射抑制區(qū)(D)范圍內(nèi)的行波電極(2)結(jié)構(gòu)參數(shù)與互作用區(qū)(B)范圍內(nèi)的行波電極(2)相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈮酸鋰高速光調(diào)制器，其特征在于:電反射抑制區(qū)(D)范圍內(nèi)的行波電極(2)和互作用區(qū)(B)范圍內(nèi)的行波電極(2)成U形方式分布。
3.一種提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬的方法，包括鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載，所述鈮酸鋰高速光調(diào)制器內(nèi)設(shè)置有順次相連的輸入?yún)^(qū)(A)、互作用區(qū)(B)和輸出區(qū)(C)，鈮酸鋰高速光調(diào)制器和終端負(fù)載之間通過輸出區(qū)(C)相連，其特征在于:在互作用區(qū)(B)和輸出區(qū)(C)之間設(shè)置一電反射抑制區(qū)(D)，電反射抑制區(qū)(D)能對從終端負(fù)載處反射回的噪聲電反射信號起到衰減抑制作用，從而提高鈮酸鋰高速光調(diào)制器工作頻率及帶寬。
【文檔編號】G02F1/035GK103777378SQ201410081444
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年3月7日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月7日
【發(fā)明者】舒平, 華勇, 胡紅坤, 李薇, 左敏 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所