一種制備電潤濕顯示支撐板的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制備電潤濕顯示支撐板的方法，包括：在一支撐板上設(shè)置像元壁，其中所述像元壁由親水材料制成；在所述支撐板和像元壁上施加一疏水材料層；在疏水材料層上設(shè)置至少一層保護(hù)層，其在處于液態(tài)時(shí)流入像元壁所包圍的凹槽中并完全覆蓋凹槽中的疏水層部分；經(jīng)由蝕刻工藝或光刻工藝除掉像元壁上部的疏水層；清洗保護(hù)層。本發(fā)明還公開了利用所述方法制造的電潤濕顯示支撐板。根據(jù)本法發(fā)明的方法，疏水層表層完全不需要經(jīng)過降低疏水性的處理，也不受到溶解的損傷，清洗遮擋層的溶液不對疏水層造成損傷，所以完全保留了疏水層表面的最佳的疏水性及平整性?？梢院芎玫慕鉀Q回流問題。
【專利說明】一種制備電潤濕顯示支撐板的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種制備顯示支撐板的方法，尤其涉及一種制備電潤濕顯示支撐板的 方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 諸如國際專利申請W02003/071346中描述的電潤濕顯示裝置包括兩個(gè)支撐板。在 其中一個(gè)支撐板上設(shè)置有壁圖案(像元壁)，該圖案限定顯示裝置的圖像元素。圖像元素(可 以是像素或亞像素)的壁之間的區(qū)域被稱作顯示區(qū)，在該顯示區(qū)上產(chǎn)生顯示效果。電潤濕顯 示裝置的像素顯示區(qū)中的支撐板的區(qū)域在很大范圍上必須疏水，以用于圖像元素的適當(dāng)操 作。在制造期間，支撐板中圖像元素所處的區(qū)域由疏水層覆蓋，而圖像元素的壁則由親水材 料制成。通過在疏水層上沉積壁材料層并且使用（例如）光刻法來圖案化該壁材料層，從而 在疏水層上制造壁。
[0003] 壁材料層與疏水層之間的附著力相對較弱，導(dǎo)致壁材料層易于從疏水層剝離。已 知在涂覆壁材料層之前降低疏水層的疏水性，例如通過反應(yīng)離子蝕刻。形成壁之后，將疏水 層熱處理，以便恢復(fù)其疏水性。然而，使用該方法制造的顯示裝置的質(zhì)量并不令人滿意。
[0004] 其他方法是使用光刻步驟，通過在暴露區(qū)域應(yīng)用（例如）反應(yīng)離子蝕刻、等離子體 或UV臭氧處理而僅僅降低預(yù)定區(qū)域中的疏水性。缺點(diǎn)在于需要額外的光刻步驟以及伴隨 著增加的分層風(fēng)險(xiǎn)難以對均勻疏水面應(yīng)用光刻處理。（摘自專利CN102792207A)
[0005] 也有另一種辦法：設(shè)置具有疏水層的支撐板；在疏水層上布置親水材料的圖案； 以及通過溶劑去除疏水層的表面層。（專利CN102804023的方法)但溶劑去除疏水層表面層 難以控制，以及影響親水材料對疏水層的粘附力。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置質(zhì)量不令人滿意的一個(gè)主要原因是由于在顯示裝置的延伸 操作之后在關(guān)閉電場時(shí)像元中的油類緩慢回流或者不回流。將親水材料布置在疏水層上， 需要降低疏水層的疏水性，這種處理被認(rèn)為影響疏水層而導(dǎo)致了所述回流問題。已知的熱 處理疏水層以恢復(fù)它的疏水性的處理步驟不能充分地解決該回流問題。而溶解疏水層表面 的方法也存在難以控制溶解速率及平整度的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種先進(jìn)的制備電潤濕顯示支撐板 的方法。
[0008] 為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下的技術(shù)方案：
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提出了一種制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于， 包括以下步驟：
[0010] 1)在一支撐板上設(shè)置像元壁，其中所述像元壁由親水材料制成并具有一高度；
[0011] 2)在所述支撐板和像元壁上施加一疏水材料層；
[0012] 3 )在疏水材料層上設(shè)置至少一層保護(hù)層，其在處于液態(tài)時(shí)流入像元壁所包圍的凹 槽中并完全覆蓋凹槽中的疏水層部分；
[0013] 4)去除像元壁上部的疏水材料層；
[0014] 5)清洗掉保護(hù)層。
[0015] 優(yōu)選地，在步驟3)中，像元壁上部的整個(gè)疏水層裸露未被保護(hù)層覆蓋，或像元壁上 部的疏水層至少部分被一較薄保護(hù)層覆蓋，其中且該較薄保護(hù)層的厚度小于所述凹槽中的 保護(hù)層厚度；在步驟4)中，所述去除處理包括蝕刻處理，且控制所述蝕刻處理使像元壁上 部的較薄保護(hù)層和像元壁上部的疏水層被蝕刻掉，而所述凹槽中的保護(hù)層不被蝕刻至裸露 出疏水層。
[0016] 優(yōu)選地，在步驟3)中，像元壁上部的疏水層至少部分被保護(hù)層覆蓋；在步驟4)中， 經(jīng)由光刻工藝選擇性地去除像元壁上部的保護(hù)層和像元壁上部的疏水材料層。
[0017] 優(yōu)選地，在步驟1)中，所述像元壁的高度為不小于2 μ m。
[0018] 優(yōu)選地，所述疏水層的厚度為100nm-2000nm。
[0019] 優(yōu)選地，所述保護(hù)層包括適用于光刻或蝕刻工藝的可清洗掉的材料。
[0020] 優(yōu)選地，所述保護(hù)層設(shè)置為，在步驟4)中，被保護(hù)層覆蓋的凹槽中的疏水層部分不 被蝕刻，且控制蝕刻處理使蝕刻后的像元壁的高度為2-20 μ m。
[0021] 優(yōu)選地，控制蝕刻處理使蝕刻后的像元壁的高度為3-12 μ m。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了一種電潤濕顯示支撐板，其利用上述的制備電潤 濕顯示支撐板的方法制造。
[0023] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)和有益效果：
[0024] 根據(jù)本法發(fā)明的方法，疏水層表層完全不需要經(jīng)過降低疏水性的處理，也不受到 溶解的損傷，清洗遮擋層的溶液不對疏水層造成損傷，所以完全保留了疏水層表面的最佳 的疏水性及平整性。可以很好的解決回流問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] 以下結(jié)合附圖，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述：
[0026] 圖la為基于現(xiàn)有電濕潤顯示技術(shù)的一像元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0027] 圖lb為所述像元結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0028] 圖lc為根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的像元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖；
[0029] 圖2a_2e為根據(jù)本發(fā)明的一具體實(shí)施例的制備電潤濕顯示支撐板的方法的示意 圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030] 圖la為基于現(xiàn)有電濕潤顯示技術(shù)的一像元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，圖lc為根據(jù)本發(fā)明的 一具體實(shí)施例的像元結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖，根據(jù)本發(fā)明的方法，可制造與現(xiàn)有技術(shù)相近的電濕潤 顯示結(jié)構(gòu)，其相對于現(xiàn)有技術(shù)的一個(gè)最主要的改進(jìn)是，如圖lc所示，其中像元壁20設(shè)置在 第一支撐板5上，更具體地為設(shè)置在電介質(zhì)層16或第一電極17之上，而不是在疏水層15 上。圖lb所示的為所述像元結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0031] 以下參照圖la-lc，對根據(jù)本發(fā)明的電濕潤像元結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述，其中該像元結(jié) 構(gòu)是構(gòu)成一電濕潤像素單元的基礎(chǔ)。參照圖lc，作為根據(jù)本發(fā)明的一示范性的實(shí)施例，電潤 濕顯示裝置1示出了其局部橫截面。顯示裝置1可包括多個(gè)像元2,在圖中為便于說明僅示 出了其中的一個(gè)。像元的橫向范圍在圖中由兩條虛線3、4表示。像元包括第一支撐板5和 第二支撐板6。這些支撐板可以是每個(gè)像元的分離的部件，但是優(yōu)選地，這些支撐板被多個(gè) 像元共有。第一支撐板5可以包括玻璃或聚合物基板7,以及第二支撐板6可以包括玻璃或 聚合物基板，并且其可以是剛性的或柔性的。
[0032] 顯示裝置1具有觀看面8和背面9,可以觀看由電潤濕顯示裝置1在觀看面8上形 成的圖像或顯示。在圖中，第一支撐板5面向背面9 ;第二支撐板6面向觀看面；可選地，第 一支撐板5可以面向觀看面。顯示裝置1可以是反射型、透射型或透射反射型。顯示裝置 1可以是分段顯示型的，在其中圖像可以由段組成，每一段包括幾個(gè)像元2。顯示裝置1可 以是有源陣列驅(qū)動(dòng)顯示型的，或者是無源驅(qū)動(dòng)顯示裝置。多個(gè)像元2可以是單色的。對于 彩色的顯示裝置1，像元2可以分組，每組包括不同顏色的像元2,例如基于RGB或CYMK模 式的分色；可選地，單獨(dú)的像元2也能夠顯示不同的顏色。
[0033] 第一、而支撐板5、6之間的空間10填充有兩種流體：第一流體11和第二流體12。 第二流體12與第一流體11不混溶。第二流體12為導(dǎo)電性的或電極性的，可以是水或諸如 氯化鉀水溶液的鹽溶液。優(yōu)選地，第二流體12是透明的，但也可以是彩色的、白色的、吸收 的或反射的。第一流體11是非導(dǎo)電性的，例如可以是如同十六烷或(硅樹脂）油的烷烴。
[0034] 第一流體11吸收至少一部分光譜，第一流體11對于一部分光譜可以是透射的，形 成顏色過濾器。為了這個(gè)目的，第一流體11可以通過添加顏料微?；蛉玖弦员蝗旧？?選地，第一流體11可以是黑色，即充分地吸收光譜的所有部分；或者反射，反射層可以反射 整個(gè)可見光譜，使該層呈現(xiàn)為白色，或設(shè)置為反射光譜的一部分，以使其顯示白色以外的顏 色。
[0035] 第一支撐板5包括絕緣層13。絕緣層13可以是透明的或反射的，絕緣層13可以 僅在像元壁20之間的區(qū)域延伸。然而，為避免在第二流體12和布置在絕緣層13下的電極 之間發(fā)生短路，優(yōu)選地，如圖la和圖lc所示，絕緣層13或絕緣層13的至少一部分厚度(例 如下述的電介質(zhì)層16)是在多個(gè)像元2上延伸的連續(xù)層。優(yōu)選地，絕緣層13的厚度少于 2 μ m，更優(yōu)選地，少于1 μ m。
[0036] 絕緣層13可以全部由疏水層15構(gòu)成；可選地，它可以包括疏水層15和電介質(zhì) 層16,疏水層15面向空間10,如圖中所示。例如，疏水層可以是DuPont公司提供的諸如 AF1600或AF1601的非晶體含氟聚合物，或者含氟聚合物（cytop)，或者全氟烷氧基樹脂 (hyflon)，或者特氟龍（teflon)，或者任何其他低表面能聚合物。優(yōu)選地，疏水層15的厚度 在100nm和2000nm之間。電介質(zhì)層16可以是氧化娃層或氮化娃層，具有例如200nm的厚 度。
[0037] 疏水層15的表面14的疏水特性使得第一流體11優(yōu)先粘附至絕緣層13,因?yàn)榈谝?流體11具有比第二流體12高的相對于絕緣層13的表面潤濕性。潤濕性涉及流體對固體 表面的相對親和性。
[0038] 每個(gè)像元2包括作為第一支撐板5的一部分的第一電極17。第一電極17通過絕 緣層13與流體分離；鄰近像元2的第一電極17被非導(dǎo)電層分離。其他層可以設(shè)置在絕緣 層13和第一電極17之間。第一電極17可以是任何期望的形狀或形式。在圖中僅作為示 意性地示出，通過第一信號(hào)線18向像元2的第一電極17提供電壓信號(hào)。第二信號(hào)線19被 連接至導(dǎo)電的第二流體12,或與第二流體12接觸的第二電極。當(dāng)所有的像元2被第二流體 12流動(dòng)地互相連接并且共享第二流體12而不被像元壁20阻斷時(shí)，第二電極由所有像元2 共用。像元2可以由施加在信號(hào)線18和19間的電壓V控制?；?上的第一電極17被 耦合連接至一顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。在具有以陣列形式設(shè)置的像元2的顯示裝置1中，在基板7 上的第一電極17可以被耦合連接至一控制線陣列。
[0039] 如圖lb的俯視圖所示，以及圖la、lc的像元2的橫截面所示，第一流體11被沿著 每一像元2的像元壁20限制在像元2內(nèi)。像元2的橫截面可以具有任意形狀。當(dāng)像元2以 陣列形式排列時(shí)，該橫截面通常是正方形或長方形。雖然像元壁20被示為從絕緣層13突 出的結(jié)構(gòu)，但它們也可以是支撐板的排斥（repel)第一流體11的表面層，例如親水層或弱 疏水層。像元壁20可以從第一支撐板5向第二支撐板6延伸，但是也可以如圖la、lb所示 從第一支撐板5向第二支撐板6部分地延伸，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，優(yōu)選地其從第一支撐板 5的電介質(zhì)層16上延伸。由虛線3和4表示的像元2的范圍，由像元壁20的中心線限定。 由虛線21和22表示的像元的像元壁20之間的區(qū)域被稱為顯示區(qū)域23,其上產(chǎn)生顯示效 果。
[0040] 圖lb示出第一支撐板5的疏水層15的平面圖中的正方形像元2的陣列。圖lb 中，中心像元2的范圍（與圖la、lc中的虛線3和虛線4對應(yīng)）由虛線25表示。線26表示 像元壁20的內(nèi)邊界，該線也是顯示區(qū)域23的邊。像元壁20的圖案覆蓋第一區(qū)域27。
[0041] 當(dāng)沒有電壓施加在電極間時(shí)，第一流體11在像元壁20之間形成一層流體，完全覆 蓋疏水層15,如圖la、lc所示。施加電壓會(huì)使第一流體11收縮（contract),例如靠著像元 壁20,如圖la、lc中虛線形狀24所示。第一流體11的可控形狀用于作為光閥操作像元2， 在顯示區(qū)域23提供顯示效果。
[0042] 在顯示裝置1的制造過程中，包括第一電極17的電極結(jié)構(gòu)設(shè)置在基板7上。接 著為防止短路可布置一層電介質(zhì)層16,電介質(zhì)層16可以是氧化硅層或氮化硅層，具有例如 200nm的厚度。（也可以不布置電介質(zhì)層16,直接用疏水層15當(dāng)做電介質(zhì)層16)。
[0043] 如圖2a_2e所示，根據(jù)本發(fā)明的一示范性實(shí)施例，制造如顯示裝置1的電濕潤顯示 支撐板的方法包括以下步驟：
[0044] 1)布置像元壁20。與現(xiàn)有技術(shù)不同的是，像元壁20可以用已知方法設(shè)置在圖lb 的第一區(qū)域27中的第一支撐板5的電介質(zhì)層16的表面上，已知方法的處理步驟可包括在 表面上旋涂像元壁材料(例如，SU-8)預(yù)烘干該層像元壁材料，使用光刻圖案化該層，以及從 顯示區(qū)域23去除像元壁材料。其中，像元壁材料為親水材料。
[0045] 2)在有像元壁20圖案的第一支撐板5上布置疏水層15。例如，疏水層15可以是 DuPont公司提供的諸如AF1600或AF1601的非晶體含氟聚合物，或者含氟聚合物，或者全 氟烷氧基樹脂，或者特氟龍，或者任何其他低表面能聚合物，可以設(shè)置在第一支撐板5的電 介質(zhì)層16的表面上。優(yōu)選地，疏水層15的厚度在100nm和2000nm之間?？梢缘幌抻谟?旋涂、涂布、絲網(wǎng)印刷等方法涂布。
[0046] 特別地，針對已知工藝中先在支撐板上布置疏水層15,再布置像元壁20的親水材 料會(huì)存在附著力弱的問題。根據(jù)本發(fā)明的方法是先布置帶圖案的親水材料(如像元壁20)， 再在親水材料上布置疏水材料(如疏水層15)，完全不存在附著力弱的問題。像元壁20高度 可設(shè)為4 μ m以上，本實(shí)施例中，像元壁20高度優(yōu)選為不少于2 μ m。
[0047] 3)制造的下一個(gè)步驟是布置保護(hù)層30。保護(hù)層30所用的材料可以是光刻膠，也 可以是其他適用于光刻或蝕刻工藝的可以清洗掉的物質(zhì)。厚度需要控制在：最低要覆蓋所 有像元壁20之間的凹槽31。保護(hù)層30可以為一層，也可以為兩層或多層，示例性地，可以 選用光刻膠作為第一層保護(hù)層30材料，然后在光刻膠的上面布置第二或更多層保護(hù)層30 材料。該材料能夠用光刻和蝕刻的方法成像，但該材料對RIE有更高的抵抗力。其中，光刻 工藝一般包括布置光刻膠、對準(zhǔn)曝光、顯影、蝕刻、等關(guān)鍵工序。
[0048] 雖然基本光滑的疏水層15和保護(hù)層30存在粘附性問題，但由于疏水層15存在凹 凸區(qū)別的區(qū)域(如像元壁20所包圍的凹槽31，即顯示區(qū)域23)，保護(hù)層30材料在液態(tài)時(shí)會(huì) 進(jìn)入所述凹槽31，完全覆蓋疏水層15的位于顯示區(qū)域23內(nèi)的部分，且不覆蓋或僅部分覆蓋 疏水層15的位于像元壁20上部的部分。然后，再烘干保護(hù)層30,保護(hù)層30保護(hù)了凹下部 分，即顯示區(qū)域23內(nèi)的疏水層15將不受蝕刻損傷。
[0049] 制造保護(hù)層30的方法可以是但不限于旋涂、刮涂、涂布、淋涂、絲網(wǎng)印刷等。
[0050] 4)制造的下一個(gè)步驟是蝕刻像元壁20上未被保護(hù)層30覆蓋的疏水層15。為了使 疏水層被蝕刻完全，可以增加蝕刻程度以蝕刻位于未被保護(hù)層30覆蓋的疏水層15下面的 像元壁20的部分親水材料。蝕刻后像元壁20的高度可控制在2-20 μ m，優(yōu)選地在3-12 μ m， 更優(yōu)選地在3-10 μ m。允許蝕刻部分保護(hù)層30材料，但不允許保護(hù)層30下的疏水層15暴 露被蝕刻。蝕刻可選用但不限于反應(yīng)離子蝕刻（RIE),感應(yīng)耦合等離子體蝕刻（ICP)。
[0051] 步驟3)和4)中，可能出現(xiàn)幾種情況：
[0052] 像元壁20上部的整個(gè)疏水層15裸露未被保護(hù)層30覆蓋，或像元壁20上部的疏 水層15至少部分被一較薄保護(hù)層覆蓋，其中且該較薄保護(hù)層的厚度小于所述凹槽31中的 保護(hù)層30厚度。在步驟4)中，控制所述蝕刻處理使像元壁20上部的較薄保護(hù)層和像元壁 20上部的疏水層15被蝕刻掉，而所述凹槽31中的保護(hù)層30不被蝕刻至裸露出疏水層15。
[0053] 像元壁20上部的疏水層至少部分被一較厚保護(hù)層覆蓋。在步驟4)中，可選地，經(jīng) 由光刻工藝及其蝕刻工序選擇性地去除像元壁20上部的較厚保護(hù)層和像元壁20上部的疏 水層15。
[0054] 5)制造的下一個(gè)步驟是清洗保護(hù)層30。保護(hù)層清洗劑的選擇采用可以有效去除 保護(hù)層30但不損傷被保護(hù)的疏水層的溶液。用保護(hù)層清洗劑清洗掉保護(hù)層30。當(dāng)保護(hù)層 30選用光刻膠(也可以使用可去除的其他材料，保護(hù)層30可以為一層，也可以是多層）時(shí)， 用光刻膠的顯影液或去膠液(也可以用其他材料對應(yīng)的清洗劑）進(jìn)行清洗，清洗劑可以是有 機(jī)溶液也可以是無機(jī)溶液。優(yōu)選無機(jī)溶液，避免有機(jī)溶劑有殘余物遺留于疏水層15表面影 響其疏水性能。之后可以用純水和(或）其他的物理和化學(xué)方法清洗。
[0055] 清洗保護(hù)層30后，為避免有機(jī)物殘留，可選用UV臭氧清洗表面，此步驟也可省略。
[0056] 根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，在上述步驟5)后，還可包括熱處理支撐板的步驟(也可 以不包括)，從而對疏水層15及其表面進(jìn)行干燥。根據(jù)本發(fā)明的對非晶體氟聚合物的熱處 理步驟可以在低于220攝氏度的溫度執(zhí)行，或者優(yōu)選地在低于160攝氏度的溫度執(zhí)行。該 較低的溫度不影響親水材料的親水性。
[0057] 雖然本發(fā)明參考上述電潤濕顯示裝置進(jìn)行了闡明，但本發(fā)明適用于親水材料布置 于疏水層上的任何電潤濕裝置。其他電潤濕裝置的實(shí)例是諸如電潤濕光圈和快門的電潤濕 光學(xué)兀件，以及芯片實(shí)驗(yàn)室（lab-〇n-a-chip)裝置。
[0058] 以上所述，只是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，只要 其以相同的手段達(dá)到本發(fā)明的技術(shù)效果，都應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。在本發(fā)明的保護(hù)范 圍內(nèi)其技術(shù)方案和/或?qū)嵤┓绞娇梢杂懈鞣N不同的修改和變化。即使個(gè)別的技術(shù)特征在不 同的權(quán)利要求中引用，本發(fā)明還可包含共有這些特征的實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1. 一種制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，包括以下步驟： 1) 在一支撐板上設(shè)置像元壁，其中所述像元壁由親水材料制成并具有一高度； 2) 在所述支撐板和像元壁上施加一疏水材料層； 3) 在疏水材料層上設(shè)置至少一層保護(hù)層，其在處于液態(tài)時(shí)流入像元壁所包圍的凹槽中 并完全覆蓋凹槽中的疏水層部分； 4) 去除像元壁上部的疏水材料層； 5) 清洗掉保護(hù)層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，在步驟3)中，像 元壁上部的整個(gè)疏水層裸露未被保護(hù)層覆蓋，或像元壁上部的疏水層至少部分被一較薄保 護(hù)層覆蓋，其中且該較薄保護(hù)層的厚度小于所述凹槽中的保護(hù)層厚度；在步驟4)中，所述 去除處理包括蝕刻處理，且控制所述蝕刻處理使像元壁上部的較薄保護(hù)層和像元壁上部的 疏水層被蝕刻掉，而所述凹槽中的保護(hù)層不被蝕刻至裸露出疏水層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，在步驟3)中，像 元壁上部的疏水層至少部分被保護(hù)層覆蓋；在步驟4)中，經(jīng)由光刻工藝選擇性地去除像元 壁上部的保護(hù)層和像元壁上部的疏水材料層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，在步驟1)中，所 述像元壁的高度為不小于2 μ m。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，所述疏水層的 厚度為 l〇〇nm-2000nm。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，所述保護(hù)層包 括適用于光刻或蝕刻工藝的可清洗掉的材料。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，所述保護(hù)層設(shè) 置為，在步驟4)中，被保護(hù)層覆蓋的凹槽中的疏水層部分不被蝕刻，且控制蝕刻處理使蝕刻 后的像元壁的高度為2-20 μ m。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備電潤濕顯示支撐板的方法，其特征在于，控制蝕刻處理 使蝕刻后的像元壁的高度為3-12 μ m。
9. 一種電潤濕顯示支撐板，其特征在于，利用如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的制備電 潤濕顯示支撐板的方法制造。
【文檔編號(hào)】G02B26/00GK104090360SQ201410159289
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月20日
【發(fā)明者】周國富, 吳昊, 羅伯特·安德魯·海耶斯, 李發(fā)宏 申請人:華南師范大學(xué), 深圳市國華光電科技有限公司, 深圳市國華光電研究所