陣列基板和顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和多條公共電極線，所述陣列基板還包括放電單元，至少一條所述數(shù)據(jù)線和至少一條所述公共電極線之間設(shè)置有所述放電單元，所述放電單元能夠?qū)⑴c該放電單元相連的數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通。本發(fā)明還提供一種包括所述陣列基板的顯示面板。在本發(fā)明中，所述放電單元可以將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)電容快速放電，減少殘像現(xiàn)象的發(fā)生。
【專利說明】陣列基板和顯不面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管顯示器(TFT-1XD)經(jīng)過最近幾十年的發(fā)展，由于其高品質(zhì)畫質(zhì)，低功率及低成本等優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛應(yīng)用。
[0003]在液晶顯示器的工作過程中，當(dāng)液晶顯示器進(jìn)行圖像顯示時(shí)，與像素電極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管打開，信號(hào)可通過數(shù)據(jù)線傳遞到像素電極上，即為像素電極和公共電極形成的存儲(chǔ)電容充電，當(dāng)液晶顯示器不顯示圖像時(shí)(即，顯示兩幀畫面之間時(shí))，像素電極和公共電極形成的存儲(chǔ)電容進(jìn)行放電。但隨著顯示器分辨率的提高，由于像素電極對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容放電速度有限，從而導(dǎo)致在兩幀畫面跳變的過程中出現(xiàn)殘像問題，降低了產(chǎn)品質(zhì)量。
[0004]因此，如何提高像素電極所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容放電的速度成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板和包括該陣列基板的顯示面板，所述陣列基板可以提高數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容的放電速度。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和多條公共電極線，所述陣列基板還包括放電單元，至少一條所述數(shù)據(jù)線和至少一條所述公共電極線之間設(shè)置有所述放電單元，所述放電單元能夠?qū)⑴c該放電單元相連的數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通。
[0007]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括驅(qū)動(dòng)電路，所述放電單元包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連，所述第一薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述公共電極線相連，所述驅(qū)動(dòng)電路能夠輸出使所述第一薄膜晶體管選擇性地開啟的控制信號(hào)。
[0008]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括連接在所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端的開關(guān)信號(hào)線，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線相連，以通過所述開關(guān)信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連。
[0009]優(yōu)選地，所述陣列基板包括多個(gè)所述放電單元，多條所述公共電極線中的一條與每條數(shù)據(jù)線之間均設(shè)置有一個(gè)所述放電單元。
[0010]優(yōu)選地，與所述放電單元相連的公共電極線為多條所述公共電極線中的第一行公共電極線。
[0011]優(yōu)選地，所述開關(guān)信號(hào)線與至少一條所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有靜電防護(hù)單元，所述數(shù)據(jù)線上的靜電能夠通過所述靜電防護(hù)單元釋放至所述開關(guān)信號(hào)線。
[0012]優(yōu)選地，所述靜電防護(hù)單元包括第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管為P型薄膜晶體管；或者，[0013]所述第二薄膜晶體管為P型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管為N型薄膜晶體管；
[0014]所述第二薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述開關(guān)信號(hào)線相連，另一者與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線相連，所述第三薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述開關(guān)信號(hào)線相連，所述第三薄膜晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線相連。
[0015]優(yōu)選地，每條所述數(shù)據(jù)線與所述開關(guān)信號(hào)線之間均設(shè)置有所述靜電防護(hù)單元。
[0016]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括與所述數(shù)據(jù)線相連的測試單元，該測試單元用于向所述數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)。
[0017]優(yōu)選地，所述測試單元包括測試線和至少一個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第四薄膜晶體管對(duì)應(yīng)一條數(shù)據(jù)線，每個(gè)第四薄膜晶體管均連接在相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線與所述測試線之間，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線連接，所述第四薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述測試線相連。
[0018]優(yōu)選地，所述陣列基板的像素區(qū)域中設(shè)置有紅色像素電極、綠色像素電極和藍(lán)色像素電極，所述紅色像素電極、所述綠色像素電極和所述藍(lán)色像素電極分別與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連，所述測試線包括為所述紅色像素電極提供測試信號(hào)的第一測試線、為所述綠色像素電極提供測試信號(hào)的第二測試線和為所述藍(lán)色像素電極提供測試信號(hào)的第三測試線。
[0019]優(yōu)選地，每條數(shù)據(jù)線和所述測試線之間均設(shè)置有一個(gè)所述第四薄膜晶體管。
[0020]優(yōu)選地，所述測試單元包括多個(gè)第四薄膜晶體管，位于相同所述像素區(qū)域的所述紅色像素電極、所述綠色像素電極和所述藍(lán)色像素電極分別對(duì)應(yīng)的所述第四薄膜晶體管的柵極相互連接。
[0021]相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括陣列基板，其中，所述陣列基板本發(fā)明所提供的陣列基板。
[0022]在本發(fā)明中，所述陣列基板包括放電單元，所述放電單元可以將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容快速放電，減少殘像現(xiàn)象的發(fā)生；另一方面，所述陣列基板還包括靜電防護(hù)單元和檢測單元，所述放電單元、所述靜電防護(hù)單元和所述檢測單元均與所述開關(guān)信號(hào)線相連，因而在實(shí)現(xiàn)減少數(shù)據(jù)線上的靜電和液晶屏檢測的同時(shí)簡化了所述陣列基板的結(jié)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0024]圖1所示的是本發(fā)明所提供的實(shí)施方式中放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2所示的是實(shí)施方式中同時(shí)設(shè)置放電單元和靜電防護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3所示的是實(shí)施方式中靜電防護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖4所示的是實(shí)施方式中測試單元和靜電防護(hù)單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5所示的是實(shí)施方式中測試單元和靜電防護(hù)單元的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]附圖標(biāo)記說明[0030]1:數(shù)據(jù)線；2、公共電極線；3:開關(guān)信號(hào)線；4:第一測試線；5:第二測試線；6:第三測試線；7:紅色像素電極；8:綠色像素電極；9:藍(lán)色像素電極；10:測試單元^:第一薄
膜晶體管；M2:第二薄膜晶體管；M3:第三薄膜晶體管；M4:第四薄膜晶體管。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0032]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線I和多條公共電極線，所述陣列基板還包括放電單元，至少一條數(shù)據(jù)線I和至少一條公共電極線2之間設(shè)置有所述放電單元，所述放電單元可以將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2選擇性地導(dǎo)通。
[0033]眾所周知的是，陣列面板包括與數(shù)據(jù)線I相連的像素電極和與該像素電極對(duì)應(yīng)的公共電極，所述像素電極與所述公共電極之間形成存儲(chǔ)電容。當(dāng)包括所述陣列基板的顯示面板顯示圖像時(shí)，像素電極與公共電極形成的存儲(chǔ)電容充滿電荷，以在像素電極與公共電極之間形成電場，控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度；在顯示面板顯示的兩幀圖像之間，顯示面板不顯示圖像，需要將充滿在像素電極和公共電極上的電荷釋放。
[0034]上文中所述的“選擇性地導(dǎo)通”是指，當(dāng)所述顯示面板不顯示圖像時(shí)(即，顯示兩幀畫面之間)，所述放電單元將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2導(dǎo)通(例如，可以由控制器產(chǎn)生與不顯示圖像相對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，使得放電單元將數(shù)據(jù)線I和公共電極線2導(dǎo)通 )，以將與數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容放電；當(dāng)所述顯示面板顯示圖像時(shí)，所述放電單元使得與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2之間的電連接斷開(例如，可以由控制器產(chǎn)生與顯示圖像相對(duì)應(yīng)的控制信號(hào)，使得放電單元將數(shù)據(jù)線I和公共電極線2斷開)，可以對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，并保持所述存儲(chǔ)電容的電荷量，利用所述存儲(chǔ)電容產(chǎn)生控制液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場。
[0035]在本發(fā)明中，當(dāng)放電單元將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2導(dǎo)通時(shí)，所述數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容的電荷可以經(jīng)過所述放電單元快速釋放至公共電極線2，從而實(shí)現(xiàn)所述存儲(chǔ)電容快速放電，進(jìn)而可以減少殘像現(xiàn)象的發(fā)生。
[0036]本發(fā)明對(duì)所述放電單元的個(gè)數(shù)和結(jié)構(gòu)不作具體限定，只要可以將與該放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2選擇性地導(dǎo)通即可。
[0037]本發(fā)明對(duì)上述選擇性地導(dǎo)通的方式不作具體限制，例如，所述放電單元可以包括控制器和由該控制器控制的開關(guān)，顯示圖像時(shí)，所述控制器控制開關(guān)斷開；不顯示圖像時(shí)，所述控制器控制開關(guān)導(dǎo)通。
[0038]作為本發(fā)明的一種【具體實(shí)施方式】，所述陣列基板還可以包括驅(qū)動(dòng)電路，如圖1和圖2所示，所述放電單元包括第一薄膜晶體管M1，第一薄膜晶體管M1的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連，第一薄膜晶體管M1的源極和漏極中的一者與數(shù)據(jù)線I相連，另一者與公共電極線2相連。所述驅(qū)動(dòng)電路可以在顯示兩幀圖像之間輸出控制信號(hào)，使得第一薄膜晶體管Ml開啟，從而將與第一薄膜晶體管Ml相連的數(shù)據(jù)線和公共電極線導(dǎo)通。
[0039]在本發(fā)明中，第一薄膜晶體管M1的柵極可以和所述驅(qū)動(dòng)電路直接相連，也可以和所述驅(qū)動(dòng)電路間接相連。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施方式，所述陣列基板還包括連接在所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端的開關(guān)信號(hào)線3，第一薄膜晶體管M1的柵極與開關(guān)信號(hào)線3相連，以通過開關(guān)信號(hào)線3與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端間接相連。第一薄膜晶體管M1可以為N型薄膜晶體管，也可以為P型薄膜晶體管。
[0040]在第一薄膜晶體管M1為N型薄膜晶體管的情況下，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示面板不顯示圖像時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)的高電平信號(hào)，第一薄膜晶體管M1開啟，與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2導(dǎo)通，以使得與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容放電；當(dāng)包括所述陣列基板的顯示面板顯示圖像時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)的低電平信號(hào)，第一薄膜晶體管M1關(guān)閉，與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2斷開，可以對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，并保持所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓。
[0041]相應(yīng)地，在第一薄膜晶體管M1為P型薄膜晶體管的情況下，當(dāng)包括所述陣列基板的顯示面板不顯示圖像時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)的低電平信號(hào)，第一薄膜晶體管M1開啟，與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和與所述放電單元相連的公共電極線2導(dǎo)通，以使得與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容放電；當(dāng)所述顯示面板顯示圖像時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出相應(yīng)的高電平信號(hào)，第一薄膜晶體管M1關(guān)閉，與所述放電單元相連的數(shù)據(jù)線I和所述放電單元相連的公共電極線2斷開，可以對(duì)所述存儲(chǔ)電容充電，并保持所述存儲(chǔ)電容兩端的電壓。
[0042]為了使多條數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容均可以快速放電，優(yōu)選地，如圖1所示，所述陣列基板可以包括多個(gè)所述放電單元，每條數(shù)據(jù)線I與多條公共電極線2中的一條之間均設(shè)置有一個(gè)所述放電單元(即，所述放電單元的數(shù)量與所述陣列基板中數(shù)據(jù)線的條數(shù)相等)，以使得每列像素電極對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容的電荷均可以通過所述放電單元釋放至公共電極線2，從而可以均勻地減少兩幀畫面之間的殘留影像。
[0043]更進(jìn)一步地，為了充分利用所述陣列基板的空間，與所述放電單元相連的公共電極線2可以為多條公共電極線2中的第一行公共電極線2，以減少所述放電單元所占用的空間，從而有利于窄邊框產(chǎn)品的制作。通常，陣列基板的面積大于對(duì)盒基板的面積，即，陣列基板的第一側(cè)突出于對(duì)盒基板，與所述第一側(cè)側(cè)相對(duì)的第二側(cè)與對(duì)盒基板對(duì)齊，所述“第一行”公共電極線是指從所述第二側(cè)開始排列的第一條公共電極線。
[0044]在陣列基板制作工藝(如，摩擦、高壓噴粉等)或使用過程中，數(shù)據(jù)線I上容易產(chǎn)生靜電。為了減少或去除數(shù)據(jù)線I上的靜電，開關(guān)信號(hào)線3與至少一條數(shù)據(jù)線I之間還可以設(shè)置有靜電防護(hù)單元，數(shù)據(jù)線I上的靜電可以通過所述靜電防護(hù)單元釋放至與開關(guān)信號(hào)線3相連的數(shù)據(jù)線上。例如，當(dāng)某一條數(shù)據(jù)線I上的靜電較大時(shí)，該數(shù)據(jù)線I上的靜電可以釋放至開關(guān)信號(hào)線3，從而通過開關(guān)信號(hào)線3釋放至其他數(shù)據(jù)線I上。在本發(fā)明中，所述靜電防護(hù)單元和所述放電單元與同一條開關(guān)信號(hào)線3相連，從而簡化了電路的結(jié)構(gòu)。
[0045]更進(jìn)一步地，如圖2和圖3所示，所述靜電防護(hù)單元可以包括第二薄膜晶體管仏和第三薄膜晶體管M3，第二薄膜晶體管M2為N型薄膜晶體管，和第三薄膜晶體管M3為P型薄膜晶體管；或者，第二薄膜 晶體管M2為P型薄膜晶體管，第三薄膜晶體管M3為N型薄膜晶體管。第二薄膜晶體管M2的源極和漏極中的一者與開關(guān)信號(hào)線3相連，另一者與數(shù)據(jù)線I相連，第二薄膜晶體管M2的柵極與開關(guān)信號(hào)線3相連，第三薄膜晶體管M3的源極和漏極中的一者與數(shù)據(jù)線I相連，另一者與開關(guān)信號(hào)線3相連，第三薄膜晶體管M3的柵極與數(shù)據(jù)線I相連。
[0046]例如，如圖3所示，第二薄膜晶體管M2為P型薄膜晶體管，第二薄膜晶體管M2的源極和柵極均與開關(guān)信號(hào)線3相連，漏極與數(shù)據(jù)線I相連；第三薄膜晶體管M3為N型薄膜晶體管，第三薄膜晶體管M3的源極與開關(guān)信號(hào)線3相連，漏極和柵極均與數(shù)據(jù)線I相連。當(dāng)數(shù)據(jù)線I上的靜電較高且為正值時(shí)，數(shù)據(jù)線I上的電壓與開關(guān)信號(hào)線3上的電壓相比，數(shù)據(jù)線I上的電壓相當(dāng)于高電平，開關(guān)信號(hào)線上的電壓相當(dāng)于低電平，此時(shí)，數(shù)據(jù)線I控制第三薄膜晶體管M3打開，數(shù)據(jù)線I上的靜電通過第三薄膜晶體管M3釋放至開關(guān)信號(hào)線3 ;當(dāng)數(shù)據(jù)線I上的靜電較高且為負(fù)值時(shí)，同樣地，數(shù)據(jù)線I上的電壓相當(dāng)于高電平，開關(guān)信號(hào)線3上的電壓相當(dāng)于低電平，此時(shí)，開關(guān)信號(hào)線3控制第二薄膜晶體管M2打開，數(shù)據(jù)線I上的靜電通過第二薄膜晶體管M2釋放至開關(guān)信號(hào)線3。
[0047]更進(jìn)一步地，為了對(duì)便于減少每條數(shù)據(jù)線I上的靜電，如圖3所示，每條數(shù)據(jù)線I與開關(guān)信號(hào)線3之間均可以設(shè)置有所述靜電防護(hù)單元。
[0048]為了檢測液晶屏在制作工藝過程中出現(xiàn)的各種不良(如，云紋、亮線等)，如圖4和圖5所示，所述陣列基板還可以包括與所述數(shù)據(jù)線相連的測試單元10，該測試單元10用于向所述數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)，從而對(duì)顯示面板中與所述數(shù)據(jù)線對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域進(jìn)行檢測。
[0049]更進(jìn)一步地，為了便于測試單元10為所述數(shù)據(jù)線選擇性地提供信號(hào)，即，在液晶屏測試過程中，向所述數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)；測試結(jié)束后，不再向所述數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)，如圖4和圖5所示，測試單元10可以包括測試線和至少一個(gè)第四薄膜晶體管M4,每個(gè)第四薄膜晶體管M4對(duì)應(yīng)一條數(shù)據(jù)線，每個(gè)第四薄膜晶體管均連接在相應(yīng)的數(shù)據(jù)線與所述測試線之間，第四薄膜晶體管M4的柵極與開關(guān)信號(hào)線3連接，第四薄膜晶體管M4的源極和漏極中的一者與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線I相連，另一者與測試線相連。
[0050]可以理解的是，所述測試線通常與測試電源連接，以將所述像素區(qū)域和測試電源選擇性地導(dǎo)通。例如，第四薄膜晶體管M4的柵極和與開關(guān)信號(hào)線3相連，源極極與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線I相連，漏極與所述測試線相連。以第四薄膜晶體管M4SN型薄膜晶體管為例，當(dāng)需要對(duì)液晶屏進(jìn)行測試時(shí)，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出高電平，通過開關(guān)信號(hào)線3將高電平輸入至第四薄膜晶體管M4的柵極，以打開第四薄膜晶體管M4，從而將所述像素電極和所述信號(hào)線導(dǎo)通；測試結(jié)束后，所述驅(qū)動(dòng)電路輸出低電平，通過開關(guān)信號(hào)線3將高電平輸入至第四薄膜晶體管M4的柵極，以關(guān)閉第四薄膜晶體管M4，從而將所述像素電極與所述測試線斷開。同時(shí)，所述檢測單元與開關(guān)信號(hào)線3相連，避免了單獨(dú)為所述檢測單元設(shè)置開關(guān)信號(hào)線，從而在進(jìn)行檢測的同時(shí)優(yōu)化了陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0051]更進(jìn)一步地，所述陣列基板的像素區(qū)域中設(shè)置有紅色像素電極7、綠色像素電極8和藍(lán)色像素電極9，紅色像素電極7、綠色像素電極8和藍(lán)色像素電極9分別于相應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連，為了準(zhǔn)確地判斷測試中各種不良產(chǎn)生的原因，所述測試線可以包括為紅色像素電極7提供測試信號(hào)的第一測試線4、為綠色像素電極8提供測試信號(hào)的第二測試線5和為藍(lán)色像素電極9提供測試信號(hào)的第三測試線6。
[0052]需要說明的是，所述紅色像素電極、綠色像素電極和藍(lán)色像素電極并不是指像素電極本身的顏色為紅色、綠色和藍(lán)色，而是指對(duì)應(yīng)的子像素的顏色，即，子像素對(duì)應(yīng)位置的彩膜的顏色為紅色、綠色和藍(lán)色。
[0053]更進(jìn)一步地，如圖4和圖5所示，每條數(shù)據(jù)線和所述測試線之間均可以設(shè)置有一個(gè)第四薄膜晶體管M4，以向每條數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)。
[0054]本發(fā)明對(duì)多個(gè)第四薄膜晶體管M4的柵極與開關(guān)信號(hào)線3的連接方式不作具體限定。
[0055]作為本發(fā)明的一種【具體實(shí)施方式】，如圖4所示，可以將多個(gè)第四薄膜晶體管仏的柵極成對(duì)連接后再與開關(guān)信號(hào)線3相連，即，第一個(gè)像素單元的紅色像素電極和綠色像素電極分別對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第四薄膜晶體管M4的柵極相連，再與開關(guān)信號(hào)線3連接。
[0056]作為本發(fā)明的另一種【具體實(shí)施方式】，如圖5所示，位于相同像素區(qū)域的紅色像素電極、綠色像素電極和藍(lán)色像素電極分別對(duì)應(yīng)的第四薄膜晶體管M4的柵極相互連接，即第一個(gè)像素區(qū)域的紅色像素電極、綠色像素電極和藍(lán)色像素電極分別對(duì)應(yīng)的第四薄膜晶體管M4的柵極相互連接后再與開關(guān)信號(hào)線3相連。
[0057]作為本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示面板，包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0058]在本發(fā)明中，所述陣列基板包括放電單元，所述放電單元可以將與該放電單元相連的所述數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容快速放電，減少殘像現(xiàn)象的發(fā)生；另一方面，所述陣列基板還包括靜電防護(hù)單元和檢測單元，所述放電單元、所述靜電防護(hù)單元和所述檢測單元均與開關(guān)信號(hào)線3相連，因而在實(shí)現(xiàn)減少所述數(shù)據(jù)線上的靜電和顯示面板檢測的同時(shí)簡化了所述陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0059]可以理解的是，以 上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括多條數(shù)據(jù)線和多條公共電極線，其特征在于，所述陣列基板還包括放電單元，至少一條所述數(shù)據(jù)線和至少一條所述公共電極線之間設(shè)置有所述放電單元，所述放電單元能夠?qū)⑴c該放電單元相連的數(shù)據(jù)線和與所述放電單元相連的所述公共電極線選擇性地導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括驅(qū)動(dòng)電路，所述放電單元包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連，所述第一薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述公共電極線相連，所述驅(qū)動(dòng)電路能夠輸出使所述第一薄膜晶體管選擇性地開啟的控制信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括連接在所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端的開關(guān)信號(hào)線，所述第一薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線相連，以通過所述開關(guān)信號(hào)線與所述驅(qū)動(dòng)電路的輸出端相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括多個(gè)所述放電單元，多條所述公共電極線中的一條與每條數(shù)據(jù)線之間均設(shè)置有一個(gè)所述放電單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，與所述放電單元相連的公共電極線為多條所述公共電極線中的第一行公共電極線。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述開關(guān)信號(hào)線與至少一條所述數(shù)據(jù)線之間設(shè)置有靜電防護(hù)單元，所述數(shù)據(jù)線上的靜電能夠通過所述靜電防護(hù)單元釋放至所述開關(guān)信號(hào)線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電防護(hù)單元包括第二薄膜晶體管和第三薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為N型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管為P型薄膜晶體管；或者， 所述第二薄膜晶體管為P型薄膜晶體管，所述第三薄膜晶體管為N型薄膜晶體管； 所述第二薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述開關(guān)信號(hào)線相連，另一者與所述數(shù)據(jù)線相連，所述第二薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線相連，所述第三薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述開關(guān)信號(hào)線相連，所述第三薄膜晶體管的柵極與所述數(shù)據(jù)線相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，每條所述數(shù)據(jù)線與所述開關(guān)信號(hào)線之間均設(shè)置有所述靜電防護(hù)單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括與所述數(shù)據(jù)線相連的測試單元，該測試單元用于向所述數(shù)據(jù)線提供測試信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，所述測試單元包括測試線和至少一個(gè)第四薄膜晶體管，每個(gè)第四薄膜晶體管對(duì)應(yīng)一條數(shù)據(jù)線，每個(gè)第四薄膜晶體管均連接在相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線與所述測試線之間，所述第四薄膜晶體管的柵極與所述開關(guān)信號(hào)線連接，所述第四薄膜晶體管的源極和漏極中的一者與相應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線相連，另一者與所述測試線相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的像素區(qū)域中設(shè)置有紅色像素電極、綠色像素電極和藍(lán)色像素電極，所述紅色像素電極、所述綠色像素電極和所述藍(lán)色像素電極分別與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線相連，所述測試線包括為所述紅色像素電極提供測試信號(hào)的第一測試線、為所述綠色像素電極提供測試信號(hào)的第二測試線和為所述藍(lán)色像素電極提供測試信號(hào)的第三測試線。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，每條數(shù)據(jù)線和所述測試線之間均設(shè)置有一個(gè)所述第四薄膜晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述測試單元包括多個(gè)第四薄膜晶體管，位于相同所述像素區(qū)域的所述紅色像素電極、所述綠色像素電極和所述藍(lán)色像素電極分別對(duì)應(yīng)的所述第四薄膜晶體管的柵極相互連接。
14.一種顯示面板，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至13中任意一項(xiàng)所述的陣 列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103995407SQ201410192766
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月8日
【發(fā)明者】魏向東, 郝學(xué)光, 李成, 安星俊, 柳奉烈 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司