像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及其制造方法，其中像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層，金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，金屬數(shù)據(jù)線與黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，第一電極層與第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于黑矩陣與金屬數(shù)據(jù)線，靠近金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法，能夠降低像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場，在黑矩陣有偏移的情況下，不容易發(fā)生混色。
【專利說明】像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)按照顯示模式主要分為扭轉(zhuǎn)向列(TwistNematic, TN),垂直配向(Vertical Align, VA)，平面轉(zhuǎn)動(dòng)(In Plane Switch, IPS)模式，其中后兩者為目前主流的寬視角技術(shù)，基本解決了 TN模式視角較窄和灰階反轉(zhuǎn)嚴(yán)重的問題。
[0003]高級超維場轉(zhuǎn)換(ADSDS,ADvanced Super Dimension Switch,簡稱 ADS)技術(shù)通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(PushMura)等優(yōu)點(diǎn)。
[0004]隨著產(chǎn)品分辨率的不斷提高，像素的尺寸越來越小，對于像素開口率要求也不斷提高，所以黑矩陣寬度盡可能減??；同時(shí)由于ADS產(chǎn)品的公共電極一般為銦錫氧化物(ITO)制作，其中ITO電阻較高，為了減小電阻電容(RC)延遲并增加存儲(chǔ)電容，在設(shè)計(jì)公共電極時(shí)會(huì)盡可能增加公共電極的面積，一般的ITO和數(shù)據(jù)線會(huì)完全重疊設(shè)計(jì)。
[0005]如圖1所示，為現(xiàn)有高分辨率的ADS像素結(jié)構(gòu)俯視圖，該俯視圖僅僅作為示意圖，在一個(gè)平面上示意各個(gè)部分之間的相對位置關(guān)系，其中，16表示第二電極層為像素電極，12表示金屬數(shù)據(jù)線，22表示位于金屬數(shù)據(jù)線12上方的黑矩陣。
[0006]如圖2所示，為現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)沿A-B的截面示意圖:其中11為入射背光；12為金屬數(shù)據(jù)線；13為有機(jī)平坦層，一般采用樹脂材料制作；14為第一電極層，可以設(shè)置為公共電極；15為絕緣層，一般采用氮化硅材料制作；16為第二電極層，可以設(shè)置為像素電極。其中21為通過彩膜基板彩色濾光片的出射光；22為彩膜基板黑矩陣，一般采用樹脂材料制作，高分辨率產(chǎn)品黑矩陣寬度一般小于6.0um ；23為彩膜基板彩色濾光片(例如紅/綠/藍(lán)像素)，一般地采用樹脂材料制作；24為彩膜基板平坦層，一般采用樹脂材料制作。其中31為陣列基板和彩膜基板中間的液晶層，液晶分子長軸會(huì)沿平行電場方向轉(zhuǎn)動(dòng)；32為像素電極和公共電極產(chǎn)生的邊緣電場，在電場作用區(qū)域內(nèi)，液晶分子會(huì)發(fā)生偏轉(zhuǎn)，有出射光，無電場作用時(shí)，液晶分子無偏轉(zhuǎn)，無出射光。
[0007]如圖3所示，由于高分辨率產(chǎn)品黑矩陣寬度一般都小于6.0um，黑矩陣22和金屬數(shù)據(jù)線12的重疊寬度較小。如果彩膜基板和陣列基板對盒向一側(cè)發(fā)生輕微偏移時(shí)，像素電極和公共電極形成的邊緣電場范圍會(huì)接近甚至超出黑矩陣另一側(cè)，即液晶層偏轉(zhuǎn)的范圍會(huì)接近甚至超出黑矩陣另一側(cè)。當(dāng)IXD單獨(dú)顯示紅、綠、藍(lán)畫面，即一個(gè)亞像素加載數(shù)據(jù)電壓，相鄰亞像素不加載電壓。第一個(gè)像素的出射光21以外，在靠近相鄰像素的黑矩陣22—側(cè)會(huì)有較輕微的出射光25，因此會(huì)導(dǎo)致第一個(gè)像素的單色出射光(如紅)與相鄰像素的出射單色光(如綠)發(fā)生混色(如黃色)，該問題在側(cè)視角情況下會(huì)更加嚴(yán)重。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008](一)要解決的技術(shù)問題
[0009]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:提出一種高級超維場顯示模式的像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法，能夠降低像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場，在黑矩陣有偏移的情況下，不容易發(fā)生混色。
[0010](二)技術(shù)方案
[0011]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層，所述金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數(shù)據(jù)線與所述黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，所述第一電極層為板狀電極，所述第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于所述黑矩陣與所述金屬數(shù)據(jù)線，其特征在于，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。
[0012]其中，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙。
[0013]其中，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0?2.0um。
[0014]其中，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極。
[0015]其中，所述像素電極和所述公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0?4.0um。
[0016]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板及夾設(shè)于其間的液晶層，所述顯示裝置包括上述任意一種像素結(jié)構(gòu)，所述金屬數(shù)據(jù)線、第一電極層和第二電極層依次設(shè)置在陣列基板內(nèi)，所述黑矩陣設(shè)置在所述彩膜基板內(nèi)。
[0017]本發(fā)明還提出了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:形成金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層的步驟；
[0018]其中，所述金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數(shù)據(jù)線與黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于所述黑矩陣與所述金屬數(shù)據(jù)線，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。
[0019]其中，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙。
[0020]其中，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0?2.0um。
[0021]其中，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極，所述像素電極和所述公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0?4.0um。
[0022](三)有益效果
[0023]根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)、顯示裝置及制造方法，能夠降低像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場，因此液晶分子偏轉(zhuǎn)范圍距離黑矩陣另一側(cè)有一定距離，在黑矩陣有偏移的情況下，不容易發(fā)生混色。
【專利附圖】

【附圖說明】[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些示例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中高分辨率ADS的像素結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0026]圖2是圖1中的結(jié)構(gòu)沿A-B方向的截面示意圖；
[0027]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中聞分辨率ADS的電場分布不意圖；
[0028]圖4是本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0029]圖5是本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)沿C-D方向的截面示意圖。
[0030]上述圖中的附圖標(biāo)記說明如下:
[0031]11:入射背光；12:金屬數(shù)據(jù)線；13:有機(jī)平坦層；14:第一電極層；15:絕緣層；16:第二電極層；17:空隙；21:出射光；22:黑矩陣；23:像素；24:彩膜基板平坦層；25:出射光；31:液晶；32、33:邊緣電場。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0033]本發(fā)明的實(shí)施例中提出了一種像素結(jié)構(gòu)，該像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層，金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在黑矩陣中，金屬數(shù)據(jù)線與黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，第一電極層與第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于黑矩陣與金屬數(shù)據(jù)線，靠金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。通過該像素結(jié)構(gòu)，能夠降低第一電極層和第二電極層靠近對面的邊緣電場，因此液晶分子偏轉(zhuǎn)范圍距離黑矩陣另一側(cè)有一定距離，在黑矩陣有偏移的情況下，不容易發(fā)生混色。
[0034]像素結(jié)構(gòu)中，靠近金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙，其中每條空隙的開口寬度為1.0?2.0um0通過兩條空隙及開口寬度的設(shè)置，能夠進(jìn)一步降低第一電極層和第二電極層靠近對面的邊緣電場，獲得更優(yōu)的視覺效果。需要說明的是，本發(fā)明中可以在對應(yīng)于黑矩陣一個(gè)邊緣處的位置設(shè)置有至少一條空隙，在此不作限制，只要可以通過在對應(yīng)于黑矩陣的邊緣處設(shè)置間隙能實(shí)現(xiàn)降低邊緣電場即可。
[0035]像素結(jié)構(gòu)中，第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極，像素電極和公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0?4.0um。通過公共電極、像素電極非重疊區(qū)域?qū)挾鹊脑O(shè)置，以及與空隙開口寬度之間的尺寸關(guān)系，能確保像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場獲得充分的降低。
[0036]本發(fā)明的實(shí)施例中還提出了一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板及夾設(shè)于其間的液晶層，顯示裝置包括上述任意一種像素結(jié)構(gòu)，金屬數(shù)據(jù)線、第一電極層和第二電極層依次設(shè)置在陣列基板內(nèi)，黑矩陣設(shè)置在彩膜基板內(nèi)。[0037]本發(fā)明的實(shí)施例中還提出了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:形成金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層的步驟；
[0038]其中，金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在黑矩陣中，金屬數(shù)據(jù)線與黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，第一電極層與第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于黑矩陣與金屬數(shù)據(jù)線，靠近金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。
[0039]在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法中，靠近金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0~2.0um，其中，第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極，像素電極和公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0~4.0um0通過兩條空隙及開口寬度的設(shè)置，能夠進(jìn)一步降低像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場，獲得更優(yōu)的視覺效果，同時(shí)能確保像素電極和公共電極靠近對面的邊緣電場獲得充分的降低。
[0040]如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的俯視圖，該俯視圖僅僅作為示意圖，在一個(gè)平面上示意各個(gè)部分之間的相對位置關(guān)系，其中，在所述像素結(jié)構(gòu)中，具有第一電極層14，可以設(shè)置為板狀電極，以及第二電極層16，可以設(shè)置為狹縫狀電極，第一電極層14與第二電極層16絕緣設(shè)置。該像素結(jié)構(gòu)還包括金屬數(shù)據(jù)線12以及位于金屬數(shù)據(jù)線12上方的黑矩陣22，其中第一電極層14在對應(yīng)于黑矩陣22的區(qū)域具有空隙17。第一電極層14和第二電極層16設(shè)置為公共電極和像素電極，當(dāng)?shù)谝浑姌O層14為公共電極時(shí)，第二電極層16為像素電極；當(dāng)?shù)谝浑姌O層14為像素電極時(shí)，第二電極層16為公共電極。 [0041]如圖5所示，為圖4中像素結(jié)構(gòu)沿C-D方向的截面示意圖，其中具有金屬數(shù)據(jù)線12，一般采用鑰金屬制作，厚度為2200人；平坦層13，一般采用樹脂材料制作，厚度為2.0um;第一電極層14，厚度為700 A，可以采用銦錫氧化物(ITO)制作；絕緣層15，一般采用氮化硅材料制作，厚度為2000 A ;第二電極層16，厚度為500 A，可以采用銦錫氧化物(Ι--)制作；位于陣列基板和彩膜基板中間的液晶層31，液晶分子長軸會(huì)沿平行電場方向轉(zhuǎn)動(dòng)；彩膜基板黑矩陣22，一般采用樹脂材料制作，高分辨率產(chǎn)品黑矩陣寬度一般小于
6.0um ;彩膜基板紅/綠/藍(lán)像素23，采用樹脂材料制作；彩膜基板平坦層24，一般地采用樹脂材料制作；其中第一電極層14在黑矩陣22下方的邊緣處開有空隙，優(yōu)選為兩條空隙，優(yōu)選空隙寬度為1.0~2.0um,第一電極層14和第二電極層16非重疊部分寬度為2~4.0um。
[0042]從圖5中可以看出，金屬數(shù)據(jù)線12的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣22中，第一電極層14與第二電極層16的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于黑矩陣22與金屬數(shù)據(jù)線12。
[0043]如圖5所示，其中入射背光11沿所示方向入射，通過面板的彩膜基板彩色濾光片一側(cè)出射形成出射光21。在像素結(jié)構(gòu)工作時(shí)，第一電極層14與第二電極層16產(chǎn)生邊緣電場32、33，該電場的作用范圍為第一電極層14邊緣，通過第一電極層14上的空隙屏蔽了第二電極層16與第一電極層14形成的一部分電場,減小了第一電極層14和第二電極層16在像素長邊方向上的ADS電場強(qiáng)度，在邊緣電場32、33范圍內(nèi)液晶分子長軸主要沿平面偏轉(zhuǎn)。電場32和電場33在一定范圍內(nèi)有疊加作用，需要說明的是電場33的強(qiáng)度遠(yuǎn)小于電場32的強(qiáng)度。
[0044]由于空隙的存在，降低了第二電極層16與第一電極層14靠近對面的邊緣電場，因此液晶分子偏轉(zhuǎn)范圍距離黑矩陣22另一側(cè)邊緣有一定距離1.0-2.0um，在黑矩陣22有偏移的情況下，不容易發(fā)生混色。
[0045]像素結(jié)構(gòu)的陣列基板的制造方法是，在襯底基板上形成金屬數(shù)據(jù)線12，一般地采用鑰金屬制作，厚度為2200人,隨后在其上沉積平坦層13，采用樹脂材料制作，厚度為
2.0um;在平坦層13上沉積第一電極層14，厚度為700 A，然后通過構(gòu)圖在第一電極層14上形成空隙，優(yōu)選為兩條空隙，優(yōu)選的空隙寬度為1.0?2.0um，隨后在第一電極層14上形成絕緣層15，絕緣層15可以使用氮化硅材料制作，厚度為2000 A |這后在絕緣層15形成
第二電極層16，厚度為500 A。之后，形成彩膜基板。
[0046]將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行對盒，應(yīng)當(dāng)注意，金屬數(shù)據(jù)線12的正投影完全覆蓋在黑矩陣22中，第一電極層14與第二電極層16的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于黑矩陣22與金屬數(shù)據(jù)線12。
[0047]本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法還可以用于顯示裝置以及該顯示裝置的制造方法中。
[0048]以上實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，而非對本發(fā)明的限制。盡管參照實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行各種組合、修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求和范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，所述像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置有金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層，所述金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數(shù)據(jù)線與所述黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，所述第一電極層為板狀電極，所述第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于所述黑矩陣與所述金屬數(shù)據(jù)線，其特征在于，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中所述每條空隙的開口寬度為.1.0 ?2.0um.
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0?4.0um。
6.一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板及夾設(shè)于其間的液晶層，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1-5任一所述的像素結(jié)構(gòu)，所述金屬數(shù)據(jù)線、第一電極層和第二電極層依次設(shè)置在陣列基板內(nèi)，所述黑矩陣設(shè)置在所述彩膜基板內(nèi)。
7.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:形成金屬數(shù)據(jù)線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層的步驟； 其中，所述金屬數(shù)據(jù)線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數(shù)據(jù)線與黑矩陣之間依次設(shè)置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區(qū)域?qū)?yīng)于所述黑矩陣與所述金屬數(shù)據(jù)線，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣邊緣處的位置設(shè)置有空隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，靠近所述金屬數(shù)據(jù)線設(shè)置的所述第一電極層中對應(yīng)于黑矩陣兩個(gè)邊緣處的位置各設(shè)置有一條空隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0?2.0um。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極，所述像素電極和所述公共電極非重疊區(qū)域?qū)挾葹?.0?.4.0um.
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK104007588SQ201410228190
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年5月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月27日
【發(fā)明者】王姮若, 樊浩原, 莫再隆 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司