光阻剝離方法及光阻剝離裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光阻剝離方法及光阻剝離裝置，所述光阻剝離方法包括：步驟1、提供待去除光阻層的基板；步驟2、采用紫外光照射待去除的光阻層；步驟3、在剝離槽中用光阻剝離液剝離該基板表面上的光阻；步驟4、完成光阻剝離之后，在緩沖區(qū)用風(fēng)刀移除基板上的光阻剝離液；步驟5、風(fēng)刀吹過(guò)之后，在水洗槽清洗基板上殘留的光阻剝離液。本發(fā)明能最大限度的減少光阻剝離過(guò)程中鋁腐蝕及IGZO腐蝕的發(fā)生，提高平板顯示器的質(zhì)量。
【專利說(shuō)明】光阻剝離方法及光阻剝離裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示器加工領(lǐng)域，尤其涉及一種光阻剝離方法及光阻剝離裝置。【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技蓬勃發(fā)展，顯示器從早期的陰極射線管(Cathode Ray Tude, CRT)顯示器發(fā)展到現(xiàn)在的液晶顯示器(LiquidCrystal Display, IXD)與有機(jī)電激發(fā)光顯示器(organic light emitting display, OLED)。
[0003]液晶顯示器具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlightmodule) 0液晶面板的生產(chǎn)主要包括:“前段Array制程”、“中段Cell制程”、及“后段模組組裝”三個(gè)工藝。其中，前段Array制程是在玻璃基板上形成前期設(shè)計(jì)好的ITO(Indium tinoxide，銦錫氧化物)電極圖形；中段Cell制程是將TFT(薄膜晶體管)基板與CF(彩色濾光片)基板貼合，并在兩者之間注入液晶材料，形成液晶基板；后段模組組裝是將液晶基板的驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合。前段Array制程主要包括“成膜”、“光刻”、“蝕刻”及“光阻層剝離”四大步驟。其中，光阻層剝離步驟一般是使用專門的剝離設(shè)備及剝離液對(duì)蝕刻完畢后剩下的光阻層(光刻膠)進(jìn)行去除。
[0004]有機(jī)電激發(fā)光顯示器具有自發(fā)光、高亮度、高對(duì)比、寬視角、驅(qū)動(dòng)電壓低與高速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，為目前新世代顯示器中被寄予厚望的平板顯示器。常見的OLED結(jié)構(gòu)為:基板、置于基板上的ITO透明陽(yáng)極、置于ITO透明陽(yáng)極上的空穴注入層、置于空穴注入層上的空穴傳輸層(HTL)、置于空穴傳輸層上的發(fā)光層(EML)、置于發(fā)光層上的電子傳輸層(ETL)、置于電子傳輸層上的電子注入層(EIL)以及置于電子注入層上的陰極。在OLED的制程中，光阻剝離是在半導(dǎo)體或顯示器的黃光微影工藝的最后一個(gè)步驟，就是將上道蝕刻步驟中保護(hù)圖案的光阻去除，避免光阻殘留污染下一道黃光微影工藝，以獲得干凈的有線路圖案的基板。如果有光阻殘留于顯示面板表面，特別是在ITO陽(yáng)極發(fā)光區(qū)，會(huì)阻擋后續(xù)有機(jī)發(fā)光層與陰極材料的蒸鍍，使得顯示面板產(chǎn)生暗點(diǎn)，降低顯示品質(zhì)與工藝合格率。另外，由于后續(xù)工藝所蒸鍍的有機(jī)電子發(fā)光膜厚度非常薄，由于光阻殘留造成的厚度不均，易造成電場(chǎng)分布不均，甚至組件短路，進(jìn)而影響顯示器的壽命。由此可見，光阻剝離步驟的剝離效果對(duì)OLED的制程起著非常重要的影響。
[0005]當(dāng)用于液晶顯示器或OLED的基板設(shè)有鋁層或IGZO層時(shí)，影響其光阻剝離步驟的剝離效果的一個(gè)問(wèn)題是:在光阻剝離液與水接觸時(shí)反應(yīng)生成強(qiáng)堿物質(zhì)，會(huì)造成對(duì)鋁膜或IGZO(氧化銦鎵鋅)的腐蝕，使得生產(chǎn)的液晶顯示器與有機(jī)電激發(fā)光顯示器在點(diǎn)亮后產(chǎn)生肉眼可見斜條狀水紋Mura，影響平板顯示器的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種光阻剝離方法，可以減少鋁腐蝕及IGZO腐蝕狀況的發(fā)生，改善平板顯示器生產(chǎn)中的缺陷，提高平板顯示器的質(zhì)量。[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種光阻剝離裝置，通過(guò)增設(shè)一緩沖區(qū)，并在該增設(shè)的緩沖區(qū)中設(shè)置數(shù)個(gè)風(fēng)刀和一防藥液噴濺保護(hù)罩，從而在光阻剝離時(shí)可以最大限度的減少鋁腐蝕及IGZO腐蝕狀況的發(fā)生，提高平板顯示器的質(zhì)量。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種光阻剝離方法，包括以下步驟:
[0009]步驟1、提供待去除光阻層的基板；
[0010]步驟2、采用紫外光照射待去除的光阻層；
[0011]步驟3、在剝離槽中用光阻剝離液剝離該基板表面上的光阻；
[0012]步驟4、完成光阻剝離之后，在緩沖區(qū)用風(fēng)刀移除基板上的光阻剝離液；
[0013]步驟5、風(fēng)刀吹過(guò)之后，在水洗槽清洗基板上殘留的光阻剝離液。
[0014]所述光阻剝離液包括30wt% -70wt%單乙醇胺與70wt% -30wt%二甲基亞砜。
[0015]在完成光阻剝離之后，從剝離槽到水洗槽之間以10000mm/min以上的速度將基板運(yùn)送去清洗，且在運(yùn)送過(guò)程中，進(jìn)行步驟4。
[0016]所述步驟4采用數(shù)個(gè)風(fēng)刀；所述步驟5采用兩個(gè)水洗槽進(jìn)行兩次清洗。
[0017]在步驟4的緩沖區(qū)設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩以防止步驟3剝離槽的光阻剝離液侵入步驟5的水洗槽。
[0018]設(shè)置水洗槽的排氣壓力小于剝離槽的排氣壓力以防止光阻剝離液揮發(fā)至水洗槽。
[0019]所述水洗槽的水洗流量大于85L/min,水刀流量大于40L/min。
[0020]所述基板設(shè)有鋁層或IGZO層，用于液晶顯示裝置或0LED。
[0021]本發(fā)明還提供一種用于上述光阻剝離方法的光阻剝離裝置，包括依次放置設(shè)置的入口區(qū)、紫外線照射單元、第一緩沖區(qū)、剝離槽、第二緩沖區(qū)、第一水洗槽與第二水洗槽，還包括一傳輸單元，其用于運(yùn)送基板，從入口區(qū)依次經(jīng)過(guò)紫外線照射單元、第一緩沖區(qū)、剝離槽、第二緩沖區(qū)、及第一水洗槽，最后運(yùn)送到第二水洗槽。
[0022]所述第二緩沖區(qū)設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩及數(shù)個(gè)風(fēng)刀。
[0023]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的光阻剝離方法及光阻剝離裝置，通過(guò)在剝離槽與第一水洗槽之間設(shè)置第二緩沖區(qū)，在第二緩沖區(qū)中設(shè)置數(shù)個(gè)風(fēng)刀，以移除基板表面殘留的光阻剝離液，最大限度的減少在水洗槽中與水接觸的光阻剝離液量；在第二緩沖區(qū)中還設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩，防止剝離槽的光阻剝離液侵入第一水洗槽；同時(shí)通過(guò)提高傳輸單元對(duì)基板的傳送速度，可以使基板快速脫離堿性環(huán)境；通過(guò)調(diào)節(jié)排氣壓力使水洗槽的排氣壓力小于剝離槽的排氣壓力，可以防止光阻剝離液揮發(fā)至水洗槽導(dǎo)致生成強(qiáng)堿物質(zhì)；通過(guò)上述技術(shù)手段減少光阻剝離時(shí)鋁腐蝕及IGZO腐蝕的發(fā)生，提高平板顯示器的質(zhì)量，同時(shí)該光阻剝離方法工序簡(jiǎn)單，易于操作。所述光阻剝離裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，提高所生產(chǎn)的平板顯示器的質(zhì)量，降低了生產(chǎn)成本。
[0024]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0026]附圖中，[0027]圖1為本發(fā)明光阻剝離方法的流程圖；
[0028]圖2為本發(fā)明光阻剝離裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0030]請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種光阻剝離方法，包括以下步驟:
[0031]步驟1、提供待去除光阻層的基板；
[0032]步驟2、采用紫外光照射待去除的光阻層；
[0033]步驟3、在剝離槽中用光阻剝離液剝離該基板表面上的光阻；
[0034]步驟4、完成光阻剝離之后，在緩沖區(qū)用風(fēng)刀移除基板上的光阻剝離液；
[0035]步驟5、風(fēng)刀吹過(guò)之后，在水洗槽清洗基板上殘留的光阻剝離液。
[0036]所述基板設(shè)有鋁層或IGZO層，用于液晶顯示裝置或0LED。
[0037]所述光阻剝離液包括30wt%-70wt%單乙醇胺與70wt%-30wt%二甲基亞砜。由于單乙醇胺與二甲基亞砜均屬于有機(jī)物質(zhì)，當(dāng)遇到大量水時(shí)將會(huì)導(dǎo)致其中的氫氧根脫落，溶于水中，生成強(qiáng)堿類物質(zhì)，對(duì)IGZO或鋁造成腐蝕。
[0038]在完成光阻剝離之后，從剝離槽到水洗槽之間以10000mm/min以上的速度將基板運(yùn)送去清洗，以使基板快速脫離堿性環(huán)境，減少鋁腐蝕或IGZO腐蝕狀況的發(fā)生，且在運(yùn)送過(guò)程中，進(jìn)行步驟4。
[0039]所述步驟4采用數(shù)個(gè)風(fēng)刀，所述風(fēng)刀具有上下兩個(gè)金屬刀面，通入超純空氣后可產(chǎn)生均勻的出風(fēng)，對(duì)基板表面進(jìn)行液體去除的動(dòng)作，通過(guò)設(shè)置數(shù)個(gè)風(fēng)刀可使與水接觸的光阻剝離液最大限度的減少，從而減少?gòu)?qiáng)堿物質(zhì)的生成。
[0040]在步驟4的緩沖區(qū)設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩以防止步驟3剝離槽的光阻剝離液侵入步驟5的水洗槽。
[0041]所述步驟5采用兩個(gè)水洗槽進(jìn)行兩次清洗，以徹底去除基板上殘留的光阻剝離液。所述水洗槽中的清洗溶液為去離子水。
[0042]設(shè)置水洗槽的排氣壓力小于剝離槽的排氣壓力，以防止光阻剝離液揮發(fā)至水洗槽。
[0043]控制所述水洗槽的水洗流量大于85L/min，水刀流量大于40L/min，以提高清洗速度，減少基板與堿性物質(zhì)的接觸時(shí)間，進(jìn)而減少鋁腐蝕或IGZO腐蝕腐蝕的發(fā)生。
[0044]請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供一種用于上述光阻剝離方法的光阻剝離裝置，該光阻剝離裝置包括依次放置設(shè)置的入口區(qū)10、紫外線照射單元20、第一緩沖區(qū)30、剝離槽40、第二緩沖區(qū)50、第一水洗槽60與第二水洗槽70，還包括一傳輸單元80，其用于運(yùn)送基板(未圖示)，從入口區(qū)10依次經(jīng)過(guò)紫外線照射單元20、第一緩沖區(qū)30、剝離槽40、第二緩沖區(qū)50、及第一水洗槽60，最后運(yùn)送到第二水洗槽70。
[0045]所述第二緩沖區(qū)50設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩52及數(shù)個(gè)風(fēng)刀54。所述防藥液噴濺保護(hù)罩52可以防止剝離槽40中的光阻剝離液侵入第一與第二水洗槽60、70。
[0046]在第一水洗槽60與第二水洗槽70里，對(duì)著基板噴灑清洗溶液，所述清洗溶液的成分是去離子水。[0047]綜上所述，本發(fā)明的光阻剝離方法及光阻剝離裝置，利用紫外光曝光光阻層，再利用光阻剝離液對(duì)曝光后的光阻進(jìn)行剝離，并利用清洗溶液移除基板表面殘留的光阻剝離液，以達(dá)到去除光阻的目的；通過(guò)在剝離槽與第一水洗槽之間設(shè)置第二緩沖區(qū)，在第二緩沖區(qū)中設(shè)置數(shù)個(gè)風(fēng)刀，以移除基板表面殘留的光阻剝離液，最大限度的減少在水洗槽中與水接觸的光阻剝離液量；在第二緩沖區(qū)中還設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩，防止剝離槽的光阻剝離液侵入第一水洗槽；同時(shí)通過(guò)提高傳輸單元對(duì)基板的傳送速度，可以使基板快速脫離堿性環(huán)境；通過(guò)調(diào)節(jié)排氣壓力使水洗槽的排氣壓力小于剝離槽的排氣壓力，可以防止光阻剝離液揮發(fā)至水洗槽導(dǎo)致生成強(qiáng)堿物質(zhì)；通過(guò)上述技術(shù)手段減少光阻剝離時(shí)鋁腐蝕及IGZO腐蝕的發(fā)生，提高平板顯示器的質(zhì)量，同時(shí)該光阻剝離方法工序簡(jiǎn)單，易于操作。所述光阻剝離裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，提高所生產(chǎn)的平板顯示器的質(zhì)量，降低了生產(chǎn)成本。
[0048]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種光阻剝離方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供待去除光阻層的基板； 步驟2、采用紫外光照射待去除的光阻層； 步驟3、在剝離槽中用光阻剝離液剝離該基板表面上的光阻； 步驟4、完成光阻剝離之后，在緩沖區(qū)用風(fēng)刀移除基板上的光阻剝離液； 步驟5、風(fēng)刀吹過(guò)之后，在水洗槽清洗基板上殘留的光阻剝離液。
2.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，所述光阻剝離液包括30wt% -70wt%單乙醇胺與70wt% -30wt%二甲基亞諷。
3.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，在完成光阻剝離之后，從剝離槽到水洗槽之間以10000mm/min以上的速度將基板運(yùn)送去清洗，且在運(yùn)送過(guò)程中，進(jìn)行步驟4。
4.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，所述步驟4采用數(shù)個(gè)風(fēng)刀；所述步驟5采用兩個(gè)水洗槽進(jìn)行兩次清洗。
5.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，在步驟4的緩沖區(qū)設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩以防止步驟3剝離槽的光阻剝離液侵入步驟5的水洗槽。
6.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，水洗槽的排氣壓力小于剝離槽的排氣壓力以防止光阻剝離液揮發(fā)至水洗槽。
7.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，所述水洗槽的水洗流量大于85L/min,水刀流量大于40L/min。
8.如權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法，其特征在于，所述基板設(shè)有鋁層或IGZO層，用于液晶顯示裝置或OLED。
9.一種用于權(quán)利要求1所述的光阻剝離方法的光阻剝離裝置，其特征在于，包括依次放置設(shè)置的入口區(qū)、紫外線照射單元、第一緩沖區(qū)、剝離槽、第二緩沖區(qū)、第一水洗槽與第二水洗槽，還包括一傳輸單元，其用于運(yùn)送基板，從入口區(qū)依次經(jīng)過(guò)紫外線照射單元、第一緩沖區(qū)、剝離槽、第二緩沖區(qū)、及第一水洗槽，最后運(yùn)送到第二水洗槽。
10.如權(quán)利要求9所述的光阻剝離裝置，其特征在于，所述第二緩沖區(qū)設(shè)置一防藥液噴濺保護(hù)罩及數(shù)個(gè)風(fēng)刀。
【文檔編號(hào)】G03F7/42GK103995441SQ201410259441
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月11日
【發(fā)明者】張旭東 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司