光分解型配向膜的制備工藝及液晶顯示面板和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種光分解型配向膜的制備工藝，在對配向材料用紫外光照射后，采用外加電場的作用對光配向膜進(jìn)行清洗，將設(shè)置有光分解型配向膜的基板放入清洗槽內(nèi)；該基板上的工作電極與參比電極在清洗槽內(nèi)行放置，并連接至同一電源，利用外加電場的作用對光配向膜分解的小分子進(jìn)行清洗。本發(fā)明提供的光分解型配向膜的制備工藝制備的液晶顯示面板及裝置，能夠有效的防止光配向膜分解小分子對液晶分子的污染，從而能夠提高液晶顯示面板和裝置的對比度。
【專利說明】光分解型配向膜的制備工藝及液晶顯示面板和裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種光分解型配向膜的制備工藝，以及 采用光分解型配向膜的液晶顯示面板和裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示裝置具有輕薄、功耗低和低輻射等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。而液晶 取向技術(shù)涉及到取向?qū)硬牧系男再|(zhì)、取向?qū)颖砻娴奶幚矸椒?、界面處的相互作用。液晶取?層的性質(zhì)直接影響液晶分子在基板表面的排列，從而影響顯示器的均一性、色差、對比度、 閾值電壓、響應(yīng)時間和視角等特性。
[0003] 液晶取向技術(shù)是使電極界面處的液晶分子整齊排列，形成一定預(yù)傾角的技術(shù)，是 液晶器件正常工作的必要條件。通過選擇合適的取向材料和取向技術(shù)，優(yōu)化液晶表面排列 和預(yù)傾角，可以是液晶的響應(yīng)時間得到改善，并擴(kuò)展液晶顯示器件的視角。因此，取向材料 和取向技術(shù)在很大程度上影響液晶器件的性能。
[0004] 目前，工業(yè)上采用的取向技術(shù)包括傳統(tǒng)的摩擦取向技術(shù)和近年來發(fā)展起來的非摩 擦取向技術(shù)。摩擦取向技術(shù)工藝簡單，易于工業(yè)化生產(chǎn)。但是，同時也存在以下缺點(diǎn)：在摩擦 過程中產(chǎn)生大量的灰塵微粒，對取向膜和器件都會產(chǎn)生不良影響，并且需要后續(xù)工藝進(jìn)行 處理，增加了工藝時間和成本；在摩擦過程中產(chǎn)生靜電，對液晶的薄膜晶體管會造成擊穿； 應(yīng)用于大面積基板時，難以控制摩擦的均勻性等。目前常用的非摩擦取向技術(shù)主要是光控 取向技術(shù)。光控取向技術(shù)可以避免用于靜電、灰塵所造成的污染，并且可以改善顯示器件的 視角問題。
[0005] 光配向配向膜主要有三種類型：光異構(gòu)、光聚合和光降解型，其中光降解型的配向 膜，在經(jīng)過紫外光照射后，光分解型配向膜發(fā)生降解，降解后的小分子容易造成對液晶的污 染，使得屏的閃爍Flicker和殘影等特性變差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種光分解型配向膜的制備工藝，以及采用光分解 型配向膜的液晶顯示面板和裝置。
[0007] 為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，包 括：
[0008] 提供第一基板；
[0009] 在所述第一基板上形成第一導(dǎo)電材料；
[0010] 圖案化所述第一導(dǎo)電材料形成工作電極和第一連接襯墊；
[0011] 在所述工作電極上涂布配向材料；
[0012] 對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱；
[0013] 用紫外光照射所述第一基板上的配向材料，得到形成有光分解型配向膜的第一基 板；
[0014] 將所述形成有光分解型配向膜的第一基板放入清洗槽內(nèi)，所述清洗槽內(nèi)設(shè)置有電 極板；
[0015] 將所述形成有光分解型配向膜的第一基板與所述清洗槽內(nèi)的電極板平行放置，并 分別連接至同一電源的兩極。
[0016] 優(yōu)選地，所述對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱，包括對所述配向材料的 膜層進(jìn)行第一次加熱；及對經(jīng)過第一次加熱后的膜層進(jìn)行第二次加熱。
[0017] 優(yōu)選地，所述第一次加熱的溫度是130°c，加熱時間是120秒；所述第二次加熱的 溫度是230°C，加熱的時間是1500秒。
[0018] 優(yōu)選地，所述形成有光分解型配向膜的第一基板置于清洗槽內(nèi)的方式為堅直方式 或水平方式。
[0019] 優(yōu)選地，所述形成有光分解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陽極，陰極材料 為鉬或其它耐熱金屬，或者透明電極。
[0020] 優(yōu)選地，所述形成有光分解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陰極，陽極極材 料為鉬或其它耐熱金屬，或者透明電極。
[0021] 優(yōu)選地，所述清洗槽內(nèi)所加電流為直流電或交流電或脈沖電流，電壓為-60V-60V。
[0022] 優(yōu)選地，所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液是弱酸性溶液、弱堿性溶液或者中性溶液。
[0023] 優(yōu)選地，所述弱酸性溶液為碳酸溶液、醋酸溶液、磷酸溶液。
[0024] 優(yōu)選地，所述中性溶液為蒸餾水。
[0025] 優(yōu)選地，所述弱堿性溶液為氨水、二甲氨。
[0026] 優(yōu)選地，所述清洗槽內(nèi)的溫度為15_100°C。
[0027] 優(yōu)選地，所述清洗時間為1-100分鐘。
[0028] 本發(fā)明還提供一種采用上述的一種光分解型配向膜的制備工藝進(jìn)行制備的液晶 顯示面板。
[0029] 本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，采用上述述的液晶顯示面板。
[0030] 本發(fā)明提供的光分解型配向膜的制備工藝，以及液晶顯示面板和裝置，能夠使配 向膜進(jìn)行良好的配向，主要是將配向膜基板放入清洗溶液內(nèi)，并在配向膜基板的工作電極 和參比電極上加電流，因為，光分解后的小分子是極性分子，在外加電場作用會不穩(wěn)定，如 果采用正負(fù)電交替施加到工作電極和參比電極時，這些小分子會發(fā)生極化，隨著電壓的正 負(fù)交替，外加電場會對這些小分子產(chǎn)生一定的扭動作用，而使這些小分子從配向膜上脫離 下來，從而能夠除去光分解后的配向膜上的小分子。
[0031] 在采用該配向膜制備液晶顯示面板及裝置時，能夠有效的防止這些小分子對液晶 分子的污染，從而能夠提高液晶顯示面板和裝置的對比度。
[0032] 本發(fā)明提供的光分解型配向膜的制備方法及液晶顯示面板和裝置適用于垂直取 向（VA, Vertical Alignment)模式，平面轉(zhuǎn)換（IPS, In-Plane Switching)模式，邊緣場開關(guān) (FFS，F(xiàn)ringe Field Switching)模式等各類顯示裝置中。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0034] 圖1是本發(fā)明提供的光分解型配向膜的制備工藝的流程圖；
[0035] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例一中第一基板的俯視圖；
[0036] 圖3是圖2中沿A-A'截面的一種剖視圖；
[0037] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例一中清洗光分解型配向膜的一種示意圖；
[0038] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例一中清洗光分解型配向膜的另一種示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040] 實(shí)施例一
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例一提供一種光分解型配向膜的制備工藝，如圖1所示，包括以下步 驟：
[0042] 步驟1 :提供第一基板，在所述第一基板上形成第一導(dǎo)電材料；
[0043] 步驟2 :圖案化所述第一導(dǎo)電材料形成工作電極和第一連接襯墊；
[0044] 步驟3 :在所述工作電極上涂布配向材料；
[0045] 步驟4 :對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱；
[0046] 步驟5 :用紫外光照射所述第一基板上的配向材料，得到形成有光分解型配向膜 的第一基板；
[0047] 步驟6 :將所述形成有光分解型配向膜的第一基板放入清洗槽內(nèi)，所述清洗槽內(nèi) 設(shè)置有電極板；
[0048] 將所述設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板與所述清洗槽內(nèi)的電極板平行放置，并 分別連接至同一電源的兩極。
[0049] 具體的，在所述第一導(dǎo)電材料形成工作電極和第一連接襯墊的具體步驟為：在第 一基板上依次疊加涂布導(dǎo)電材質(zhì)和光阻，采用特定的光罩對依次涂布導(dǎo)電材質(zhì)和光阻后的 基板的特定區(qū)域照射紫外線，即對依次疊加涂布導(dǎo)電材質(zhì)和光阻后的基板進(jìn)行曝光過程， 將曝光后的基板進(jìn)行顯影，所述特定的光罩為根據(jù)光阻的特性在光罩的特定位置進(jìn)行開 口，若光阻為負(fù)性光阻，即特定開口區(qū)域內(nèi)的被紫外光照射的光阻將不會被顯影洗掉；若光 阻為正性光阻，即特定開口區(qū)域內(nèi)的被紫外線照射的光阻將會被顯影洗掉。
[0050] 具體地，在所述工作電極上涂布配向材料的具體方式為：可通過膠版（offset)印 刷法、旋涂法、輥涂機(jī)法、噴墨印刷法等涂布方法在第一基板上涂布配向材料。
[0051] 由該步驟1、2、3形成的設(shè)置有配向材料的第一基板的結(jié)構(gòu)如圖2所示，圖2是本 發(fā)明實(shí)施例一中第一基板的俯視圖，在本實(shí)施例中，該第一基板1是TFT基板，第一基板1 包括顯示區(qū)6和非顯示區(qū)7,以及位于非顯示區(qū)7的第一連接襯墊3,和位于顯示區(qū)6的工 作電極4,以及位于工作電極4上方的配向材料5。圖2中A-A'截面的一種剖視圖，如圖3 所示，所述第一基板1上面還包括，柵極線、數(shù)據(jù)線、TFT以及像素電極等電氣元件2,此時工 作電極4是公共電極，該公共電極可以是鏤空的或者非鏤空的結(jié)構(gòu)。所述第一基板可使用 浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃基板，所述透明導(dǎo)電膜的材料是氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、 氧化銦錫鋅（ITZO)、氧化銻錫（ΑΤΟ)等。在TFT基板制備過程中，對于還沒有切割的大玻 璃，也采用上述方法形成工作電極和連接襯墊。
[0052] 圖2和圖3中的第一連接襯墊，主要用于在對光分解型配向膜經(jīng)過光照后分解的 小分子進(jìn)行清洗時，要將第一基板上的工作電極與電源連接，來施加一個外加電場對小分 子進(jìn)行清理，即第一基板上的工作電極則通過該連接襯墊與電源相連接。
[0053] 以上只是本實(shí)施例的一種實(shí)施方式，本實(shí)施例的實(shí)施方式可以是，第一基板上的 工作電極是像素電極。
[0054] 以上只是本實(shí)施例的一種實(shí)施方式，本實(shí)施例的實(shí)施方式可以是，參考圖2和圖 3,所述第一基板1是彩膜基板，如圖3所示，所述第一基板1上面還包括，黑矩陣、色阻層等 元件2,此時工作電極4是透明電極，該公共電極可以是TN模式中的公共電極，也可以是額 外鋪的一層透明電極。所述第一基板可使用浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃基板，所述透明電極的 材料是氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化銦錫鋅（ΙΤΖ0)、氧化銻錫（ΑΤ0)等。
[0055] 步驟4 :對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱；
[0056] 具體地，對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱，包括對所述光分解型配向材 料的膜層進(jìn)行第一次加熱，也就是預(yù)固化；第一次加熱的溫度是130°C，加熱時間是120秒。 因為配向材料是具有一定粘稠度的液體，將配向材料涂布到玻第一基板上后，為了防止液 體狀的配向材料向四周流動，要對第一基板上的配向材料進(jìn)行第一次加熱，也就是預(yù)固化， 將配向材料里的溶劑去除，對涂布在第一基板上的配向材料進(jìn)行定型。
[0057] 在對第一基板進(jìn)行第一次加熱后，要對第一基板上的配向材料進(jìn)行第二次加熱， 也就是主固化，所述主固化的溫度是230°C，加熱的時間是1500秒。目的是使得配向膜材料 中的聚合物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，對聚合物中所存在的酰胺酸結(jié)構(gòu)進(jìn)行熱酰亞胺化，主固化后涂 膜的膜厚優(yōu)選800-1500 A。
[0058] 步驟5 :用紫外光照射所述第一基板上的配向材料，得到形成有光分解型配向膜 的第一基板；
[0059] 具體地，在本實(shí)施例中選擇的光源可以是直線偏光光源、部分偏光光源或者兩者 的結(jié)合；如果是非偏振光光源時，該非偏振光光源可以通過偏振器，例如偏光片，來得到線 性偏振光；還可以通過濾波器、衍射光柵等方式來獲得所需的波長。本實(shí)施例中使用的是波 長為254nm-365nm的紫外光。在對第一基板上的膜層進(jìn)行照射的時候，可以從垂直于基板 表面的方向進(jìn)行，也可以從傾斜方向進(jìn)行，或者兩種方式組合起來對基板進(jìn)行照射，不同的 照射方式所得到的配向膜的預(yù)傾角也不同。
[0060] 步驟6 :將所述形成有光分解型配向膜的第一基板放入清洗槽內(nèi)，所述清洗槽內(nèi) 設(shè)置有電極板；
[0061] 將所述設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板與所述清洗槽內(nèi)的電極板平行放置，并 分別連接至同一電源的兩極。
[0062] 具體地，將設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板放置于清洗槽內(nèi)，并且與清洗槽內(nèi) 的參比電極平行放置，并與參比電極連接至同一電源；所述設(shè)置有光分解型配向膜的第一 基板放置的方式可以是水平方式。如圖4所示，第一基板1與參比電極43以水平方式放置 在清洗槽42內(nèi)，并連接至同一電源41。
[0063] 所述清洗槽42可以直接采用電鍍槽。
[0064] 如圖4所示，將表面帶有光分解型配向膜的第一基板1放入清洗槽42內(nèi)，所述清 洗槽42內(nèi)放置有參比電極43,第一基板1與參比電極43平行放置，參比電極43置于清洗 槽42內(nèi)的載置臺上；然后，將第一基板1與參比電極43通過電源連接成電路。
[0065] 當(dāng)設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陽極時，如步驟1中所述的 透明電極通過連接襯墊連接到電源41上；參比電極則作為陰極，可以是一個金屬板，或者 是一個玻璃基板，該玻璃基板上的陰極材料為鉬或其它耐熱金屬，或者透明電極，所述透明 電極的材料為氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化銦錫鋅（ΙΤΖ0)、氧化銻錫（ΑΤ0)等。 [0066] 當(dāng)設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陰極時，如步驟1中所述的 透明電極通過連接襯墊連接到電源41上；參比電極則作為陽極，可以是一個金屬板，或者 是一個玻璃基板，該玻璃基板上的陽極材料為鉬或其它耐熱金屬，或者透明電極，所述透明 電極的材料為氧化銦錫（ΙΤ0)、氧化銦鋅（ΙΖ0)、氧化銦錫鋅（ΙΤΖ0)、氧化銻錫（ΑΤ0)等。
[0067] 所述清洗槽內(nèi)的電源，所加電流為直流電或交流電或脈沖電流，電壓為-60V? 60V。利用外加電場的作用，清洗所述形成有光分解型配向膜的第一基板上的光分解型配向 膜。
[0068] 所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液是弱酸性溶液，所述弱酸性溶液的ΡΗ值為4-6 ;例如碳 酸溶液、醋酸溶液、磷酸溶液或其他弱酸型溶液。
[0069] 所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液可以弱堿性溶液，所述弱堿性溶液的ΡΗ值為7. 4-9. 5 ; 例如氨水、二甲氨或其他弱堿性溶液。
[0070] 所述清洗槽內(nèi)的清洗溶液還可以是中性溶液；所述中性溶液的ΡΗ值為6-7. 4 ;例 如蒸餾水。
[0071] 在采用外加電場對光分解型配向膜分解的小分子進(jìn)行清理時，清洗槽內(nèi)的溫度為 15-KKTC，清洗時間為1-100分鐘。
[0072] 在采用外加電場對光分解型配向膜分解的小分子進(jìn)行清理時，因為，光分解后的 小分子是極性分子，在外加電場作用會不穩(wěn)定，如果采用正負(fù)電交替施加到工作電極和參 比電極時，這些小分子會發(fā)生極化，隨著電壓的正負(fù)交替，外加電場會對這些小分子產(chǎn)生一 定的扭動作用，而使這些小分子從配向膜上脫離下來，從而能夠除去光分解后的配向膜上 的小分子。
[0073] 而當(dāng)配向膜的膜厚小于1000 Α的時候，無論配向膜作為陰極或者陽極，在配向膜 的表面會發(fā)生電解反應(yīng)，具體如下：
[0074] 陰極和陽極會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)方程式如下：
[0075] 陰極反應(yīng)：4H++4e- = 2H2
[0076] 陽極反應(yīng)：2〇h-4e- = 02
[0077] 在外加電場的作用下，清洗溶液中的離子分別在工作電極和參比電極上面進(jìn)行電 荷交換，作為陰極時，其表面進(jìn)行的是還原反應(yīng)，析出氫氣；作為陽極時，其表面進(jìn)行的是 氧化反應(yīng)，析出氧氣，這些氣泡附著在配向膜的表面，對光分解后的小分子有一定剝離的作 用。不論第一基板上的工作電極作為陽極還是陰極，其表面上都有微氣泡析出。
[0078] 以上只是本實(shí)施例的一種實(shí)施方式，本實(shí)施例的實(shí)施方式可以是，將TFT基板和 彩膜基板作為陽極和陰極，來對二者表面的光配向膜在外加電場作用下進(jìn)行清洗。
[0079] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種采用如上所述的一種光分解型配向膜的制備工藝進(jìn)行 制備的液晶顯示面板。
[0080] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶顯示裝置，其特征在于，包括：上述的液晶顯示面 板。
[0081] 以上只是實(shí)施例的一種，所述設(shè)置有光分解型配向膜的第一基板放置的方式還可 以是堅直方式。如圖5所示，第一基板1與參比電極43以堅直方式放置，并連接至同一電 源41。所述清洗槽42可以直接采用電鍍槽。如圖5所示，將表面帶有光分解型配向膜的第 一基板1放入清洗槽42內(nèi)，所述清洗槽42內(nèi)放置有參比電極43,第一基板1與參比電極 43堅直放置；然后，將第一基板1與參比電極43通過電源連接成電路。
[0082] 在實(shí)施例一中選用的配向膜材料是光降解型光定向材料，這種材料是指在紫外 光（UV)的輻射下，發(fā)生光降解并伴隨有部分交聯(lián)反應(yīng)，由于在各個方向上的降解程度不均 勻，造成聚合物膜的各向異性，從而具有使液晶分子定向排列的能力，這類材料有聚酰亞 胺，聚苯乙烯類，通常使用環(huán)丁烷二酐型聚酰亞胺，或者其他含有芳香環(huán)結(jié)構(gòu)的聚酰亞胺 (Polyimide，PI)類材料。
[0083] 其中，芳香環(huán)結(jié)構(gòu)為下列分子式（1)?（34)中的任意一種：
[0084]

【權(quán)利要求】
1. 一種光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，包括： 提供第一基板； 在所述第一基板上形成第一導(dǎo)電材料； 圖案化所述第一導(dǎo)電材料形成工作電極和第一連接襯墊； 在所述工作電極上涂布配向材料； 對所述第一基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱； 用紫外光照射所述第一基板上的配向材料，得到形成有光分解型配向膜的基板； 將所述形成有光分解型配向膜的第一基板放入清洗槽內(nèi)，所述清洗槽內(nèi)設(shè)置有電極 板； 將所述形成有光分解型配向膜的第一基板與所述清洗槽內(nèi)的電極板平行放置，并分別 連接至同一電源的兩極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述對所述第一 基板上的配向材料進(jìn)行預(yù)加熱，包括對所述配向材料進(jìn)行第一次加熱；和對經(jīng)過第一次加 熱后的配向材料進(jìn)行第二次加熱。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述第一次加熱 的溫度是130°C，加熱時間是120秒；所述第二次加熱的溫度是230°C，加熱的時間是1500 秒。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述設(shè)置有光分 解型配向膜的第一基板置于清洗槽內(nèi)的方式為堅直方式或水平方式。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述形成有光分 解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陽極，陰極材料為鉬或其它耐熱金屬，或者透明電 極。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述形成有光分 解型配向膜的第一基板在清洗槽內(nèi)作為陰極，陽極極材料為鉬或其它耐熱金屬，或者透明 電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)所 加電流為直流電或交流電或脈沖電流，電壓為-60V-60V。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)的 清洗溶液是弱酸性溶液、弱堿性溶液或者中性溶液。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述弱酸性溶液 為碳酸溶液、醋酸溶液、磷酸溶液。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述中性溶液為 蒸餾水。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述弱堿性溶液 為氨水、二甲氨。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述清洗槽內(nèi)的 溫度為15-KKTC。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光分解型配向膜的制備工藝，其特征在于，所述清洗時間為 1-100分鐘。
14. 一種采用權(quán)利要求1-13所述的一種光分解型配向膜的制備工藝進(jìn)行制備的液晶 顯示面板。
15. -種液晶顯示裝置，其特征在于，包括：采用權(quán)利要求14所述的液晶顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1337GK104062812SQ201410308695
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】周波, 董倩, 辛勝 申請人:上海天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司