一種液晶盒晶體管電性測試方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種液晶盒晶體管電性測試方法，其包括以下步驟：將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的源極對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線的一端作為源極測試端；將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的柵極對應(yīng)連接的掃描線的一端作為柵極測試端；將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側(cè)電極的像素電極與作為待測晶體管存儲電容另一側(cè)電極的電極線的重疊區(qū)域短接，并將所述電極線的一端作為漏極測試端；通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。利用本發(fā)明提出的測試方法，可以在不破壞液晶盒的情況下對封裝好的液晶盒中的晶體管進行檢測。
【專利說明】一種液晶盒晶體管電性測試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示面板檢測技術(shù)，尤其是關(guān)于一種液晶盒晶體管電性測試方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示器技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示面板以其卓越的性能已經(jīng)成為當(dāng)前市場的 主流產(chǎn)品。一個液晶顯示面板通常由晶體管陣列基板、彩色濾光基板和液晶層組成。其中， 晶體管陣列基板上以陣列的形式排布有多個像素單元，每一個像素單元包括至少一個晶體 管，以及與晶體管對應(yīng)配置的像素電極。圖1和圖2是目前常見的兩種像素單元結(jié)構(gòu)的等 效電路圖。其中，圖1顯示的像素單元的晶體管TFT作為啟動像素單元工作的開關(guān)元件，其 柵極和源極分別與掃描線Scan Line和數(shù)據(jù)線Data Line對應(yīng)連接，其漏極與像素電極連 接。像素電極一方面與陣列基板上對應(yīng)的公共電極線Array Com耦合形成存儲電容Cs，另 一方面與彩色濾光基板上對應(yīng)的公共電極線CF Com耦合形成液晶電容這種像素結(jié)構(gòu) 也稱Cs on common。與圖1不同的是，圖2顯示的像素單元的像素電極與下一行像素單元 所連接的柵極線耦合形成存儲電容Cs。這種像素結(jié)構(gòu)也稱Cs on gate。
[0003] -般而言，生產(chǎn)廠商在制作完成陣列基板后，會隨機抽選幾個像素單元的晶體管， 測試晶體管的開關(guān)電流、閾值電壓等工作特性，判斷晶體管能否正常工作。具體的測試方法 是：利用測試設(shè)備的探針分別向與待測像素單元連接的掃描線和數(shù)據(jù)線輸入測試信號，同 時將另一探針與待測像素單元的像素電極連接，由于像素電極與晶體管的漏極連接，因此 可以通過從像素電極處獲得的信號分析晶體管的工作特性，判斷晶體管能否正常工作。
[0004] 然而隨著晶體管技術(shù)的不斷發(fā)展，行業(yè)內(nèi)出現(xiàn)了一種H_ADS(High aperture ADS， 高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)）模式的液晶顯示面板。如圖3所示，在這種液晶顯示面板 的陣列基板上，像素電極位于中間層（位于柵極絕緣層3和鈍化層7之間），晶體管的漏極 也位于中間層（位于有源層4和鈍化層7之間），因此測試設(shè)備的探針無法與待測像素單元 的像素電極以及待測像素單元的晶體管的漏極連接。也就無法通過上述傳統(tǒng)的測試方法對 晶體管進行檢測。
[0005] 此外，由于液晶顯示面板是由晶體管陣列基板與彩色濾光基板對盒組裝，然后灌 注液晶材料制作而成（也稱液晶盒），晶體管在液晶盒內(nèi)工作的情況才真實完整地反映成 品的性能，因此對液晶盒內(nèi)晶體管進行檢測往往也是需求之一。
[0006] 為此，本發(fā)明的發(fā)明人基于從事液晶顯示面板設(shè)計制造的實務(wù)經(jīng)驗和相關(guān)的專業(yè) 知識，提出一種更加簡單合理的測試方法，能夠在不破壞液晶盒的情況下對液晶盒內(nèi)的晶 體管進行檢測。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 針對上述問題，本發(fā)明提出了一種簡單合理的液晶盒晶體管電性測試方法。
[0008] -種液晶盒晶體管電性測試方法，包括以下步驟：
[0009] 將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的源極對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線的一端作為源極測 試端；
[0010] 將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的柵極對應(yīng)連接的掃描線的一端作為柵極測 試端；
[0011] 將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側(cè)電極的像素電極與作為待測晶體管 存儲電容另一側(cè)電極的電極線的重疊區(qū)域短接，并將所述電極線的一端作為漏極測試端；
[0012] 通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的實施例一，上述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在公共電極線 上形成，所述電極線為相應(yīng)的公共電極線。
[0014] 根據(jù)本發(fā)明的實施例二，上述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在柵極線上形 成，所述電極線為相應(yīng)的柵極線。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，在所述陣列基板上，像素電極位于柵極絕緣層和鈍化層之 間。
[0016] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，在所述陣列基板上，像素電極位于鈍化層之上。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，在所述陣列基板上，晶體管的漏極位于有源層和鈍化層之 間。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以利用激光照射使所述像素電極與電極線熔融短接。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，上述激光的錯射功率大于5mj/pulse。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的實施例，在上述陣列基板上，從晶體管側(cè)進行激光鐳射操作。
[0021] 此外，檢測后將所述待測晶體管所在的像素單元暗化。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的晶體管測試方法，通過將陣列基板上待測像素單 元的像素電極與其對應(yīng)的公共電極短接，能夠直接對封裝好的液晶盒中的晶體管進行檢 測。
[0023] 本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且部分地從說明書中變得 顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要 求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實 施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：
[0025] 圖1是現(xiàn)有的采用Cs on common結(jié)構(gòu)的像素單元的等效電路圖；
[0026] 圖2是現(xiàn)有的采用Cs on gate結(jié)構(gòu)的像素單元的等效電路圖；
[0027] 圖3是現(xiàn)有的H_ADS液晶顯示面板的晶體管陣列基板的剖視圖；
[0028] 圖4是圖1所示像素單元中像素電極與公共電極熔接的俯視圖。

【具體實施方式】
[0029] 為了進一步說明本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和技術(shù)效果，下面#H_ADS液晶顯示面 板為例，詳細(xì)地說明采用本發(fā)明檢測液晶盒內(nèi)晶體管的工作原理及實施方式，以及與現(xiàn)有 技術(shù)相比更好的技術(shù)效果。需要說明的是，雖然本發(fā)明是針對H_ADS液晶顯示面板的像素 單元結(jié)構(gòu)進行說明，但是不應(yīng)局限于此。不同廠商設(shè)計的像素單元其結(jié)構(gòu)不盡相同，會有多 種變化形式，因此任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神 的前提下，在技術(shù)方案實施的形式上和細(xì)節(jié)上做出任何的修改與變化均在本發(fā)明要求保護 的范圍內(nèi)。
[0030] 實施例一
[0031] 圖4顯示了采用Cs on common結(jié)構(gòu)的像素單元的俯視圖。在此像素單元中，晶體 管41的柵極和源極分別連接相應(yīng)的掃描線42和數(shù)據(jù)線43,晶體管的漏極44連接像素電 極45。像素電極45的部分區(qū)域配置在公共電極線46的上方，從而耦合形成存儲電容Cs。 對此，在制作陣列基板時，基板1上需要依次沉積柵極金屬層2、柵極絕緣層3、有源層4、源 極-漏極金屬層5、像素電極6、鈍化層7和公共電極8。
[0032] 具體地，首先采用濺射法在基板1上沉積一層金屬膜，然后通過光刻工藝使其圖 案化，形成包括柵極2a和掃描線的柵極金屬層2。接著采用化學(xué)氣相沉積法在基板1上覆 蓋一層例如氮化硅的絕緣膜，構(gòu)成柵極絕緣層3。然后采用化學(xué)氣相沉積法沉積一層非晶 硅，對其進行干法刻蝕以在柵極上方形成相應(yīng)的有源層4。接著再沉積一層金屬膜，同樣地 通過光刻工藝使其圖案化，形成包括源極5a、漏極5b和數(shù)據(jù)線的源極-漏極金屬層5,且源 極5a和漏極5b分別位于有源層4的兩側(cè)。然后再通過化學(xué)氣相沉積法沉積一層透明導(dǎo)電 膜，通過光刻工藝形成圖案化的像素電極6。最后采用化學(xué)氣相沉積法在基板上覆蓋一層例 如氮化硅的鈍化層7。此后，還在基板上繼續(xù)沉積一層金屬膜，通過光刻工藝形成圖案化的 公共電極8。
[0033] 由于像素電極6和漏極5b均位于鈍化層7下方，使得測試設(shè)備的探針無法與像素 電極6或漏極5b連接，因此不能采用傳統(tǒng)的測試方法檢測晶體管。為了盡可能地控制成 本，在不改變制作工藝的前提下，本發(fā)明的發(fā)明人提出一種新的晶體管電性測試方法，該方 法包括以下步驟：
[0034] 將陣列基板上與待測像素單元的晶體管源極對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線的一端作為源極 測試端；
[0035] 將陣列基板上與待測像素單元的晶體管柵極對應(yīng)連接的掃描線的一端作為柵極 測試端；
[0036] 將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側(cè)電極的像素電極與作為待測晶體管 存儲電容另一側(cè)電極的公共電極線短接，并將公共電極線的一端作為漏極測試端；
[0037] 然后通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。
[0038] 在具體實施時，可以采用鐳射功率大于5mj/pulse的激光照射圖4中像素電極與 公共電極的重疊區(qū)域47,使其熔融短接。
[0039] 由于漏極與像素電極電連接，而像素電極已與公共電極熔接，因此漏極上的電信 號可以通過像素電極傳輸?shù)焦搽姌O上。實際應(yīng)用時，只需將測試設(shè)備的一根探針與相應(yīng) 的掃描線相連（當(dāng)然也可以與掃描驅(qū)動單元的電路引腳相連），一根探針與相應(yīng)的數(shù)據(jù)線 相連（當(dāng)然也可以與數(shù)據(jù)驅(qū)動單元的電路引腳相連），并分別向掃描線和數(shù)據(jù)線輸入測試 信號，同時一根探針與公共電極線相連，檢測公共電機線上的電信號，就可以獲得待測晶體 管的溝道性能，進而判斷晶體管的工作狀態(tài)是否正常。而且由于公共電極線的尺寸相對于 晶體管的尺寸大得多，因此測量時探針能夠更加容易地采集漏極信號。
[0040] 此外，從圖1所示的等效電路圖可知，當(dāng)像素單元采用Cs on Common結(jié)構(gòu)時，還 可以將像素電極與彩色濾光基板的公共電極線的重疊區(qū)域熔接，也可以實現(xiàn)相同的技術(shù)效 果。但是需要說明的是，對于這種情況，作為漏極測試端的端子（圖中未示出）位于彩色濾 光基板上，相應(yīng)地，本發(fā)明提出的方法只能用于檢測封裝好的液晶盒中的晶體管。
[0041] 實施例二
[0042] 對于圖2所示的采用Cs on gate結(jié)構(gòu)的像素單元而言，存儲電容Cs是由像素電 極與下一行像素單元所連接的柵極線耦合形成。對于這種情況，晶體管電性測試方法需要 將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側(cè)電極的像素電極與作為待測晶體管存儲電容 另一側(cè)電極的柵極線熔接，并將柵極線的一端作為漏極測試端，其余與實施例一相同，此處 不再復(fù)述。
[0043] 應(yīng)當(dāng)理解的是，上述兩個實施例中，像素電極位于柵極絕緣層和鈍化層之間，但是 不限于此。例如，像素電極也可以位于鈍化層之上。
[0044] 此外，在具體操作時，在陣列基板上，優(yōu)選從晶體管側(cè)進行激光鐳射操作。檢測后 還將待測晶體管所在的像素單元暗化。
[〇〇45] 雖然本發(fā)明所披露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采 用的實施方式，并非用于限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，在實施的形式上及細(xì)節(jié)上所作的任何修改與變化，都 應(yīng)該在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種液晶盒晶體管電性測試方法，包括以下步驟： 將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的源極對應(yīng)連接的數(shù)據(jù)線的一端作為源極測試 端； 將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的柵極對應(yīng)連接的掃描線的一端作為柵極測試 端； 將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側(cè)電極的像素電極與作為待測晶體管存儲 電容另一側(cè)電極的電極線的重疊區(qū)域短接，并將所述電極線的一端作為漏極測試端； 通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 所述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在公共電極線上形成，所述電極線為相應(yīng)的 公共電極線。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 所述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在柵極線上形成，所述電極線為相應(yīng)的柵極 線。
4. 如權(quán)利要求1?3任意一項所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 在所述陣列基板上，像素電極位于柵極絕緣層和鈍化層之間。
5. 如權(quán)利要求1?3任意一項所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 在所述陣列基板上，像素電極位于鈍化層之上。
6. 如權(quán)利要求1?3任意一項所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 在所述陣列基板上，晶體管的漏極位于有源層和鈍化層之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 通過激光照射使得所述像素電極與電極線熔融短接。
8. 如權(quán)利要求7所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 所述激光的錯射功率大于5mj/pulse。
9. 如權(quán)利要求7或8所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于： 在所述陣列基板上，從晶體管側(cè)進行激光鐳射操作。
10. 如權(quán)利要求1?3任意一項所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于，還包 括： 檢測后將所述待測晶體管所在的像素單元暗化。
【文檔編號】G02F1/13GK104090393SQ201410318631
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月4日
【發(fā)明者】付延峰 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司