一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，屬于聲表面波器件【技術(shù)領(lǐng)域】，所述方法包括：將烘箱的溫度穩(wěn)定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤；烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持1小時；將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。本發(fā)明通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度，使光刻膠達到流變狀態(tài)，達到最大限度的保護線條作用，減緩側(cè)向腐蝕的速度，實現(xiàn)厚膜細(xì)線條的目的，從而降低干刻或剝離的工藝復(fù)雜度，同時也降低了工藝成本。
【專利說明】一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法,屬于聲表面波器件【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，傳統(tǒng)的聲表面波器件的工藝有三種，一是濕法工藝，二是干刻工藝，三是剝離工藝。濕法工藝成本較低，但主要用于寬線條產(chǎn)品。當(dāng)用于細(xì)線條產(chǎn)品時，由于側(cè)向腐蝕較為嚴(yán)重，工藝很難實現(xiàn)，必須采用干刻或剝離工藝，造成成本很大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，以解決現(xiàn)有的濕法工藝存在的當(dāng)用于細(xì)線條產(chǎn)品時側(cè)向腐蝕較嚴(yán)重，增加干刻或剝離后工藝較復(fù)雜、成本較高的問題，為此本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案:
[0004]—種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，包括:
[0005]將烘箱的溫度穩(wěn)定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤；
[0006]烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持I小時；
[0007]將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。
[0008]本發(fā)明實施方式提供的技術(shù)方案通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度，使光刻膠達到流變狀態(tài)，達到最大限度的保護線條作用，減緩側(cè)向腐蝕的速度，實現(xiàn)厚膜細(xì)線條的目的，從而降低干刻或剝離的工藝復(fù)雜度，同時也降低了工藝成本。

【具體實施方式】
[0009]下面將對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0010]本【具體實施方式】提供了一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，包括:
[0011]將烘箱的溫度穩(wěn)定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤；
[0012]烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持I小時；
[0013]將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。
[0014]取出的晶片自然降至室溫后，即可開始進行腐蝕。
[0015]采用本【具體實施方式】提供的技術(shù)方案，通過將晶片的烘烤溫度控制在150攝氏度至160攝氏度，使光刻膠達到流變狀態(tài)，達到最大限度的保護線條作用，減緩側(cè)向腐蝕的速度，實現(xiàn)厚膜細(xì)線條的目的，從而降低干刻或剝離的工藝復(fù)雜度，同時也降低了工藝成本。
[0016]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明實施例揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種聲表面波器件在光刻過程中的前烘方法，其特征在于，包括: 將烘箱的溫度穩(wěn)定在160攝氏度，晶片將晶片放入所述烘箱中烘烤； 烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至155攝氏度，再烘烤10分鐘之后將所述烘箱的溫度降至150攝氏度，恒溫保持1小時； 將所述烘箱的溫度降至120攝氏度，溫度恒定10分鐘后取出所述晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 將取出的所述晶片自然降至室溫后，再開始進行腐蝕。
【文檔編號】G03F7/38GK104317171SQ201410407221
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年8月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月18日
【發(fā)明者】董啟明, 張敬鈞 申請人:北京中訊四方科技股份有限公司