顯示基板及制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種顯示基板及制備方法、顯示裝置，所述顯示基板包括設(shè)置于襯底基板上的多個(gè)像素，以及用于產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場的第一電極和第二電極，每個(gè)像素具有透光區(qū)，所述顯示基板還包括設(shè)置于襯底基板上的彩色濾光片和黑矩陣，所述彩色濾光片至少位于每個(gè)像素的透光區(qū)，所述黑矩陣與顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域重合設(shè)置。所述顯示基板可以避免與對盒基板對位、成盒時(shí)的誤差影響彩色濾光片與每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而可以避免由顯示基板和對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的漏光等不良。
【專利說明】 顯示基板及制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種顯示基板及其制備方法，以及包括上述顯示基板的顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimens1n Switch,以下簡稱為ADS)模式的顯示裝置通過設(shè)置在同一平面內(nèi)的狹縫電極邊緣產(chǎn)生的電場，以及狹縫電極層與板狀電極層之間形成的多維電場，使液晶層中位于狹縫電極之間、狹縫電極正上方的所有液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，提高了光線穿過液晶層的透過率，并獲得較寬的視角。
[0003]圖1為現(xiàn)有的ADS顯示裝置的顯示基板的示意圖；圖2為現(xiàn)有的ADS顯示裝置的彩膜基板的示意圖。如圖1所示，顯示基板I包括襯底基板10以及制備在襯底基板10上的薄膜晶體管、鈍化層17、第一電極12以及第二電極18 ;其中，第一電極12為板狀電極，第二電極18為狹縫電極；薄膜晶體管包括柵極11、柵極絕緣層13、有源層14、源極15和漏極16。如圖2所示，彩膜基板2包括襯底基板20以及制備在襯底基板20上的彩色濾光片21、黑矩陣22、平坦化層23和隔墊物24 ;其中，彩色濾光片21設(shè)在與第二電極18對應(yīng)的區(qū)域，用于使各像素顯示相應(yīng)的顏色；黑矩陣22設(shè)在與薄膜晶體管及柵極線、數(shù)據(jù)線等信號線對應(yīng)的區(qū)域，用于將上述區(qū)域遮蔽，從而形成非透光區(qū)。
[0004]在制備現(xiàn)有的ADS顯示裝置時(shí)，首先分別制備圖1所示的顯示基板I和圖2所示的彩膜基板2，而后將顯示基板I和彩膜基板2對位、成盒，并向顯示基板I和彩膜基板2之間填充一層液晶，從而制備出ADS顯示裝置的顯示面板。
[0005]在制備上述ADS顯示裝置的顯示面板的過程中，在將顯示基板I和彩膜基板2對位時(shí)可能存在一定的誤差，該誤差會使黑矩陣22偏離其應(yīng)遮蔽的區(qū)域，從而導(dǎo)致制備出的顯示面板容易出現(xiàn)漏光等不良。而為了避免漏光，就需要增加黑矩陣22的寬度，這樣則會降低顯示面板的透光率，在顯示面板的亮度不變的情況下，需要增加背光源射向顯示面板的亮度，從而導(dǎo)致ADS顯示裝置的功耗增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種顯示基板及制備方法、顯示裝置，所述顯示基板可以避免與對盒基板對位、成盒時(shí)的誤差影響彩色濾光片與每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而可以避免由顯示基板和對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的漏光等不良。
[0007]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種顯示基板，包括設(shè)置于襯底基板上的多個(gè)像素，以及用于產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場的第一電極和第二電極，每個(gè)像素具有透光區(qū)，所述顯示基板還包括設(shè)置于襯底基板上的彩色濾光片和黑矩陣，所述彩色濾光片至少位于每個(gè)像素的透光區(qū)，所述黑矩陣與顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域重合。
[0008]其中，所述顯示基板還包括制備在黑矩陣上方的隔墊物。
[0009]其中，所述第一電極位于所述第二電極與襯底基板之間；所述彩色濾光片位于所述第一電極和襯底基板之間。
[0010]其中，所述第一電極為板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。
[0011]其中，所述第一電極和第二電極均為狹縫電極，且所述第一電極和第二電極交錯(cuò)設(shè)置。
[0012]其中，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；或者所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
[0013]其中，所述顯示基板還包括薄膜晶體管和信號線，所述薄膜晶體管和信號線設(shè)置在所述顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域。
[0014]其中，所述襯底基板上還設(shè)置有制備在所述薄膜晶體管上方的鈍化層，所述黑矩陣制備在所述鈍化層上。
[0015]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板的制備方法，包括下述步驟:
[0016]步驟SI，在襯底基板上制備彩色濾光片；
[0017]步驟S2，在襯底基板上制備黑矩陣。
[0018]其中，所述制備方法還包括下述步驟:
[0019]步驟S3，在黑矩陣上方制備隔墊物。
[0020]其中，所述制備方法還包括在步驟SI之前進(jìn)行的:
[0021]步驟SO，在襯底基板上制備柵極；
[0022]以及，在步驟SI之后，步驟S2之前進(jìn)行的:
[0023]步驟SI I，在襯底基板上制備第一電極；
[0024]步驟S12，在襯底基板上制備柵極絕緣層；
[0025]步驟S13，在襯底基板上制備有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線；
[0026]步驟S14，在襯底基板上制備鈍化層；
[0027]步驟S15，在襯底基板上制備第二電極。
[0028]其中，所述步驟S13包括下述步驟:
[0029]步驟S130，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出有源層；
[0030]步驟S131，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0031]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明提供的上述顯示基板以及與所述顯示基板對盒的對盒基板。
[0032]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0033]本發(fā)明提供的顯示基板，其將彩色濾光片和黑矩陣制備在顯示基板上，即在制備顯示基板的過程中，控制彩色濾光片與每個(gè)像素的透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，以及黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而使顯示基板與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的顯示基板可以避免由顯示基板與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了顯示裝置的功耗。
[0034]本發(fā)明提供的顯示基板的制備方法，將彩色濾光片和黑矩陣制備在顯示基板上，從而可以在顯示基板的制備過程中，控制彩色濾光片與每個(gè)像素的透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，以及黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而使顯示基板與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的制備方法制備出的顯示基板可以避免由顯示基板與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了顯示裝置的功耗。
[0035]本發(fā)明提供的顯示裝置，其顯示面板采用本發(fā)明提供的上述顯示基板，可以使顯示基板與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，可以避免由顯示基板與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了功耗。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0037]圖1為現(xiàn)有的顯不基板的不意圖；
[0038]圖2為現(xiàn)有的ADS顯示裝置的彩膜基板的示意圖；
[0039]圖3為本發(fā)明提供的顯示基板的優(yōu)選實(shí)施方式的示意圖；
[0040]圖4為本發(fā)明提供的顯示基板的制備方法的流程圖；
[0041 ] 圖5為步驟S13的流程圖。
[0042]其中，附圖標(biāo)記:
[0043]1:顯不基板；2:彩I吳基板；10:襯底基板；11:棚極；12:第一電極；13:棚極絕緣層；14:有源層；15:源極；16:漏極；17:鈍化層；18:第二電極；20:襯底基板；21:彩色濾光片；22:黑矩陣；23:平坦化層；24:隔墊物。

【具體實(shí)施方式】
[0044]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0045]請參看圖3，圖3為本發(fā)明提供的顯示基板的優(yōu)選實(shí)施方式的示意圖。在本實(shí)施方式中，顯示基板I包括設(shè)置于襯底基板10上的多個(gè)像素，以及用于產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場的第一電極12和第二電極18，每個(gè)像素具有透光區(qū)；所述第一電極12和第二電極18制備在襯底基板10上。除第一電極12和第二電極18外，襯底基板10上還制備有薄膜晶體管、信號線，制備在薄膜晶體管上方的鈍化層17，以及彩色濾光片21和黑矩陣22。所述薄膜晶體管和信號線設(shè)置在顯示基板I的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域(即顯示基板I的非透光區(qū))；所述薄膜晶體管包括柵極11、柵極絕緣層13、有源層14、源極15和漏極16，所述信號線包括柵極線、數(shù)據(jù)線以及公共電極線等用于傳輸信號的導(dǎo)線；所述彩色濾光片21至少位于每個(gè)像素的透光區(qū)，所述黑矩陣22與顯示基板I的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域重合設(shè)置，優(yōu)選地，黑矩陣22制備在所述鈍化層17的上方。具體地，每個(gè)像素的透光區(qū)主要指該像素的像素電極(在本實(shí)施方式中，像素電極為第二電極18)對應(yīng)的區(qū)域，非透光區(qū)主要指薄膜晶體管和信號線所在區(qū)域。
[0046]在本實(shí)施方式中，將彩色濾光片21和黑矩陣22制備在顯示基板I上，即在制備顯示基板I的過程中，控制彩色濾光片21與每個(gè)像素的透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，以及黑矩陣22與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而使顯示基板I與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片21和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣22與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施方式中的顯示基板I可以避免由顯示基板I與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，在此情況下，也無需為避免漏光而增加黑矩陣22的寬度，也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了顯示裝置的功耗。
[0047]在本實(shí)施方式中，顯示基板I還包括制備在黑矩陣22上方的隔墊物24，隔墊物24用于在顯示基板I與對盒對位、成盒時(shí)保持其二者之間的間距，從而控制填充入二者之間的液晶層的厚度。
[0048]在本實(shí)施方式中，第一電極12位于第二電極18與襯底基板10之間；彩色濾光片21位于第一電極12和襯底基板10之間；也就是說,彩色濾光片21位于第一電極12和第二電極18的下方(以朝向襯底基板10的方向?yàn)橄?，而不是位于第一電極12和第二電極18之間，這樣設(shè)置可以避免增大第一電極12和第二電極18之間的距離，從而不會影響第一電極12和第二電極18之間產(chǎn)生的電場的強(qiáng)度。
[0049]在本實(shí)施方式中，第一電極12位于第二電極18的下方，在此情況下，第一電極12可以為板狀電極或狹縫電極，第二電極18為狹縫電極；并且，在第一電極12為狹縫電極時(shí)，第一電極12和第二電極18交錯(cuò)設(shè)置，以產(chǎn)生驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)的多維電場。同時(shí)，在本實(shí)施方式中，優(yōu)選地，第一電極12為公共電極，第二電極18為像素電極；但除此之外，第一電極12還可以為像素電極，第二電極18相應(yīng)地為公共電極。
[0050]本發(fā)明提供的顯示基板1，其將彩色濾光片21和黑矩陣22制備在顯示基板I上，即在制備顯示基板I的過程中，控制彩色濾光片21與每個(gè)像素的透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，以及黑矩陣22與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而使顯示基板I與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片21和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣22與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的顯示基板I可以避免由顯示基板I與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣22的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了顯示裝置的功耗。
[0051]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板的制備方法，圖4為本發(fā)明提供的顯示基板的制備方法的流程圖。如圖4所示，顯示基板的制備方法包括下述步驟:
[0052]步驟SI，在襯底基板上制備彩色濾光片。
[0053]在步驟SI中，所述彩色濾光片至少位于每個(gè)像素的透光區(qū)。所述彩色濾光片可以包括紅色色阻、綠色色阻和藍(lán)色色阻，在襯底基板上制備彩色濾光片時(shí)，每個(gè)色阻與一個(gè)像素相對應(yīng)。此外，需要說明的是，在本步驟以及以下步驟中，“在襯底基板上制備”并不一定表示制備的結(jié)構(gòu)位于襯底基板的表面上，該制備的結(jié)構(gòu)還可以位于襯底基板上已形成的圖案。
[0054]步驟S2，在襯底基板上制備黑矩陣。
[0055]在步驟S2中，黑矩陣與顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域重合設(shè)置，具體地，黑矩陣主要遮蔽薄膜晶體管以及信號線所在區(qū)域。
[0056]具體地，如圖4所示，所述制備方法還可以包括下述步驟:
[0057]步驟S3，在黑矩陣上制備隔墊物。
[0058]在步驟S3中，所述隔墊物用于在顯示基板與對盒基板對位、成盒時(shí)保持其二者之間的間距，從而控制填充入二者之間的液晶層的厚度。
[0059]進(jìn)一步地，如圖4所示，所述制備方法還可以包括在步驟SI之前進(jìn)行的:
[0060]步驟SO，在襯底基板上制備柵極。
[0061]在該步驟SO中，通過依次進(jìn)行沉積、涂膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝在襯底基板上獲得柵極以及柵極線。具體地，柵極及柵極線位于襯底基板的表面上。
[0062]以及，所述制備方法還可以包括在步驟SI之后，步驟S2之前進(jìn)行的:
[0063]步驟S11，在襯底基板上制備第一電極。
[0064]在該步驟Sll中，在襯底基板表面已形成的圖案上，通過依次進(jìn)行沉積、涂膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，獲得第一電極。
[0065]步驟S12，在襯底基板上制備柵極絕緣層。
[0066]在該步驟S12中，在襯底基板表面已形成的圖案上，通過沉積工藝，獲得柵極絕緣層。
[0067]步驟S13，在襯底基板上制備有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0068]在該步驟S13中，在襯底基板表面已形成的圖案上，通過依次進(jìn)行沉積、涂膠，以及兩次的曝光、顯影、刻蝕、剝離工藝，獲得有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0069]步驟S14，在襯底基板上制備鈍化層。
[0070]在該步驟S14中，在襯底基板表面已形成的圖案上，通過沉積、涂膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，獲得帶有過孔的鈍化層(PVX)。
[0071]步驟S15，在襯底基板上制備第二電極。
[0072]在該步驟S15中，在襯底基板表面已形成的圖案上，通過沉積、涂膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝，獲得第二電極。
[0073]優(yōu)選地，在步驟S13中，有源層和源極、漏極、數(shù)據(jù)線可以分別通過兩次構(gòu)圖工藝形成，即如圖5所示，步驟S13包括:
[0074]步驟S130，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出有源層；
[0075]步驟S131，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
[0076]本發(fā)明提供的顯示基板的制備方法，將彩色濾光片和黑矩陣制備在顯示基板上，從而可以在顯示基板的制備過程中，控制彩色濾光片與每個(gè)像素的透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，以及黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而使顯示基板與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的制備方法制備出的顯示基板可以避免由顯示基板與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了顯示裝置的功耗。
[0077]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括顯示面板，所述顯示面板包括本發(fā)明提供的上述顯示基板以及與所述顯示基板對盒的對盒基板。
[0078]本發(fā)明提供的顯示裝置，其顯示面板采用本發(fā)明提供的上述顯示基板，可以使顯示基板與對盒基板之間的對位誤差不會影響彩色濾光片和每個(gè)像素的透光區(qū)之間、黑矩陣與非透光區(qū)之間的相對位置關(guān)系，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，可以避免由顯示基板與對盒基板之間的對位誤差導(dǎo)致的顯示裝置的顯示面板的漏光等不良，相應(yīng)地，也無需為避免漏光而增加黑矩陣的寬度，同樣也就無需增加背光源射向顯示面板的亮度，從而相比現(xiàn)有技術(shù)，降低了功耗。
[0079]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，包括設(shè)置于襯底基板上的多個(gè)像素，以及用于產(chǎn)生使液晶分子偏轉(zhuǎn)的電場的第一電極和第二電極，每個(gè)像素具有透光區(qū)，其特征在于，所述顯示基板還包括設(shè)置于襯底基板上的彩色濾光片和黑矩陣，所述彩色濾光片至少位于每個(gè)像素的透光區(qū)，所述黑矩陣與顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域重合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括制備在黑矩陣上方的隔墊物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極位于所述第二電極與襯底基板之間； 所述彩色濾光片位于所述第一電極和襯底基板之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極為板狀電極，所述第二電極為狹縫電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述第一電極和第二電極均為狹縫電極，且所述第一電極和第二電極交錯(cuò)設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3?5中任意一項(xiàng)所述的顯示基板，其特征在于， 所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；或者 所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括薄膜晶體管和信號線，所述薄膜晶體管和信號線設(shè)置在所述顯示基板的各像素透光區(qū)之外的區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述襯底基板上還設(shè)置有制備在所述薄膜晶體管上方的鈍化層，所述黑矩陣制備在所述鈍化層上。
9.一種顯示基板的制備方法，其特征在于，包括下述步驟: 步驟SI，在襯底基板上制備彩色濾光片； 步驟S2，在襯底基板上制備黑矩陣。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括下述步驟: 步驟S3，在黑矩陣上方制備隔墊物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括在步驟SI之前進(jìn)行的: 步驟S0，在襯底基板上制備柵極； 以及，在步驟SI之后，步驟S2之前進(jìn)行的: 步驟SI I，在襯底基板上制備第一電極； 步驟S12，在襯底基板上制備柵極絕緣層； 步驟S13，在襯底基板上制備有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線； 步驟S14，在襯底基板上制備鈍化層； 步驟S15，在襯底基板上制備第二電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S13包括下述步驟: 步驟S130，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出有源層； 步驟S131，通過一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上制備出源極、漏極和數(shù)據(jù)線。
13.一種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權(quán)利要求1?8任意一項(xiàng)所述的顯示基板以及與所述顯示基板對盒的對盒基板。
【文檔編號】G02F1/1335GK104297995SQ201410613097
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年11月3日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月3日
【發(fā)明者】谷曉芳, 王國磊 申請人:合肥鑫晟光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司