一種抗彎曲多模光纖的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種抗彎曲多模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于芯層折射率剖面呈拋物線形，α為1.9～2.2，芯層的半徑R1為23~27μm，最大相對折射率差Δ1max為0.9%~1.2%，所述的包層由內(nèi)到外依次為內(nèi)包層、下陷包層以及外包層，所述的內(nèi)包層寬度單邊（R2-R1）為1~3μm，相對折射率差Δ2為-0.05%~0.1%，所述的下陷包層寬度單邊（R3-R2）為2~5μm，相對折射率差Δ3為-1%~-0.3%，所述的芯層為鍺氟Ge/F共摻的二氧化硅玻璃層，其中芯層中心位F摻雜的貢獻量ΔF1min小于等于0%，芯層邊緣位F摻雜的貢獻量ΔF1max大于等于-0.45%，所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。本發(fā)明的材料組成和結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，具有抗彎曲、高帶寬等優(yōu)點，可廣泛用于接入網(wǎng)及小型化光器件中。
【專利說明】一種抗彎曲多模光纖

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種具有優(yōu)異抗彎曲性能的多模光纖，屬于光通信【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著科學技術(shù)的不斷發(fā)展，中國已經(jīng)進入了光纖寬帶和多業(yè)務(wù)融合的信息高速發(fā) 展時代。融合后的電信網(wǎng)、廣電網(wǎng)和互聯(lián)網(wǎng)都可以承載多種信息化業(yè)務(wù)，都可以為用戶提供 打電話、上網(wǎng)和看電視等多種服務(wù)。這必將對運營商和企業(yè)數(shù)據(jù)中心機房的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施 的高帶寬和靈活性提出了更高的要求，以便能夠支持高性能連接，存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN)、網(wǎng) 絡(luò)附加存儲（NAS)和高性能計算（比如云計算)等應(yīng)用。因此，未來幾年，數(shù)據(jù)中心將逐步成 為40G乃至100G以太網(wǎng)的天下。尤其是近年來云計算和物聯(lián)網(wǎng)等概念的提出，以及VCSEL 激光器在多模光纖通信網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用，在數(shù)據(jù)中心和中心機房中多模光纖提出更多苛刻的要 求，其中光纖帶寬的要求以及光纖的抗彎曲特性是最重要的兩項參數(shù)。
[0003] 2010年6月17日，IEEE 802. 3ba標準，目卩40/100G以太網(wǎng)標準獲批，該標準支持 40Gb/s和100Gb/s速率下150米多模光纖傳輸和40公里單模光纖傳輸。該標準的正式發(fā) 布，必將加速40G和100G以太網(wǎng)的建設(shè)步伐。
[0004] 0M3和0M4光纖為50 ii m芯徑漸變折射率多模光纖，數(shù)值孔徑為0. 200±0. 015。 0M3和0M4光纖的最小有效模式帶寬EMB (Effective Mode Bandwidth)分別為2000MHz. km和4700MHz. km。0M3/0M4多模光纖在10Gb/s，40Gb/s和100Gb/s系統(tǒng)中的傳輸距離如表 1所示?？梢钥闯觯谥卸叹嚯x的高速網(wǎng)絡(luò)中，多模光纖能夠很好的勝任。
[0005] 表I : 0M3/0M4多模光纖在10Gb/s，40Gb/s和100Gb/s系統(tǒng)中的傳輸距離

【權(quán)利要求】
1. 一種抗彎曲多模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于芯層折射率剖面呈拋物線形， a為1. 9?2. 2,芯層的半徑R1為23?27 ii m，最大相對折射率差A(yù) lmax為0. 99T1. 2%，所述 的包層由內(nèi)到外依次為內(nèi)包層、下陷包層以及外包層，所述的內(nèi)包層單邊寬度（R2-R1)為 1?3iim，相對折射率差A(yù)2為-0.059T0. 1%，所述的下陷包層單邊寬度（R3-R2)為2?5iim， 相對折射率差A(yù) 3為-19T-0. 3%，所述的芯層為鍺氟Ge/F共摻的二氧化硅玻璃層，其中芯 層中心位F摻雜的貢獻量AFlmiI^、于等于0%，芯層邊緣位F摻雜的貢獻量AF1_大于等 于-0. 45%，所述的外包層為純二氧化硅玻璃層。
2. 按權(quán)利要求1所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于由芯層中心位到芯層邊緣位，F(xiàn)摻 雜貢獻量呈遞增狀，增加趨勢呈線性或近似拋物線。
3. 按權(quán)利要求1或2所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于內(nèi)包層為Ge/F共摻的二氧化 硅玻璃層，其中F摻雜的貢獻量A F2大于或等于-0. 45%。
4. 按權(quán)利要求3所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于下陷包層為Ge/F共摻的二氧化娃 玻璃層，或純摻F的二氧化硅玻璃層，其中F摻雜的貢獻量A F3為-19T-0. 3%。
5. 按權(quán)利要求4所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于光纖芯、包層F摻雜的貢獻量滿足 AFlmin>AF2> AFlmax>AF3。
6. 按權(quán)利要求1或2所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于本發(fā)明光纖的DMD Inner Mask (5-18 u m)和 DMD Outer Mask (0-23 u m)均小于等于 0? 33 ps/m ;DMD Interval Mask 小于等于0.25 ps/m。
7. 按權(quán)利要求1或2所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于光纖在850nm波長具有3500 MHz-km或3500 MHz-km以上帶寬，在1300nm波長具有500 MHz-km或500MHz-km以上帶寬。
8. 按權(quán)利要求1或2所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于光纖的數(shù)值孔徑為 0? 185 ?0? 215。
9. 按權(quán)利要求1或2所述的抗彎曲多模光纖，其特征在于光纖在850nm波長處，以7. 5 毫米彎曲半徑繞2圈導(dǎo)致的彎曲附加損耗小于0. 2dB ;在1300nm波長處，以7. 5毫米彎曲 半徑繞2圈導(dǎo)致的彎曲附加損耗小于0. 5dB。
【文檔編號】G02B6/028GK104391351SQ201410684893
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年11月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月25日
【發(fā)明者】王潤涵, 李德武, 黃榮, 陳剛, 雷高清, 王瑞春, 龍勝亞 申請人:長飛光纖光纜股份有限公司