陣列基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板及顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，解決了現(xiàn)有的in-cell技術(shù)中，陣列基板的制造過程過于復雜的技術(shù)問題。該陣列基板包括多個像素單元、多條公共電極和多條尋址線，每個所述像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管；所述尋址線由第一金屬線和第二金屬線連接形成，所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極位于同一圖層，所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源極、漏極位于同一圖層。本發(fā)明可用于手機、平板電腦等電子設(shè)備。
【專利說明】陣列基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說，涉及一種陣列基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。
[0003]另一方面，隨著智能電子產(chǎn)品的普及，電容式觸控屏也被廣泛的應(yīng)用于手機、平板電腦等各種電子產(chǎn)品中。目前較為多見的電容式觸控屏有OGS(One glass solut1n)、on-cell和in-cell三種技術(shù)。其中，in-cell技術(shù)由于其制作工藝上的優(yōu)勢，相比OGS技術(shù)和on-cell技術(shù)，具有更加輕薄、透光性更好、結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定等優(yōu)點。
[0004]本發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下技術(shù)問題:采用in-cell技術(shù)的液晶顯示器中，至少需要增設(shè)尋址線及相應(yīng)的絕緣層等結(jié)構(gòu)。在陣列基板的制造過程中，需要增加至少一次構(gòu)圖工藝(Photo Engraving Process，簡稱PEP)，因此現(xiàn)有技術(shù)存在陣列基板的制造過程過于復雜的技術(shù)問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及顯示裝置，以解決現(xiàn)有的in-cell技術(shù)中，陣列基板的制造過程過于復雜的技術(shù)問題。
[0006]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括多個像素單元，每個所述像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱 TFT)；
[0007]所述陣列基板還包括多條公共電極和多條尋址線，每條尋址線與相應(yīng)的公共電極連接；
[0008]所述公共電極用于為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，也用于產(chǎn)生觸控信號；
[0009]所述尋址線由第一金屬線和第二金屬線連接形成，所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極位于同一圖層，所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源極、漏極位于同一圖層。
[0010]優(yōu)選的是，該陣列基板還包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線；
[0011]所述第一金屬線位于所述數(shù)據(jù)線的正下方。
[0012]在一種實現(xiàn)方式中，所述第一金屬線與所述第二金屬線之間通過連接部件相連，所述第一金屬線和所述第二金屬線分別通過過孔與所述連接部件相連。
[0013]優(yōu)選的是，所述連接部件與所述薄膜晶體管中的低溫多晶娃(Low TemperaturePoly-Silicon，簡稱LTPS)位于同一圖層。
[0014]進一步的是，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
[0015]進一步的是，所述薄膜晶體管中的LTPS及所述連接部件的下方設(shè)置有遮光層。
[0016]在另一種實現(xiàn)方式中，所述第一金屬線與所述第二金屬線之間通過過孔直接相連。
[0017]優(yōu)選的是，一個所述公共電極對應(yīng)一個或多個所述像素單元。
[0018]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括彩膜基板和上述的陣列基板。
[0019]優(yōu)選的是，所述顯示裝置為邊緣場開關(guān)型(Fringe Field Switching，簡稱FFS)液晶顯示器。
[0020]本發(fā)明帶來了以下有益效果:本發(fā)明提供的陣列基板中，利用第一金屬線和第二金屬線相互連接而形成尋址線，用于傳輸觸控信號。并且，將第一金屬線和第二金屬線進行跨接，可以避開原有的掃描線和數(shù)據(jù)線，因此不會影響掃描線和數(shù)據(jù)線的線路設(shè)計。
[0021]在陣列基板的制造過程中，第一金屬線、掃描線、薄膜晶體管的柵極可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，第二金屬線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極、漏極也可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，從而不需要單獨為了形成尋址線增加構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡化了陣列基板的制造過程。
[0022]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0024]圖1是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的平面示意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實施例一提供的陣列基板的截面示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的平面示意圖；
[0027]圖4是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的截面示意圖。

【具體實施方式】
[0028]以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0029]實施例一:
[0030]如圖1和圖2所示，本發(fā)明實施例提供一種陣列基板，該陣列基板中包括多個像素單元，每個像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管I及像素電極2。
[0031]本實施例中的薄膜晶體管I為頂柵型薄膜晶體管。作為一個優(yōu)選方案，本實施例中采用LTPS形成薄膜晶體管I的溝道。相比于傳統(tǒng)的非晶硅(α-Si)，LTPS具有更高的載流子迀移率，因此實現(xiàn)更高的分辨率和更低的功耗，而且在陣列基板上器件的集成度也更尚O
[0032]本實施例中，柵極101位于LTPS 102上方，且柵極101與LTPS 102之間設(shè)置有絕緣層32。柵極101上方設(shè)置有絕緣層33，源極103和漏極104設(shè)置于絕緣層33上，并且源極103和漏極104通過過孔41與LTPS 102連接。像素電極2與漏極104之間通過貫穿絕緣層34、35的過孔42連接。
[0033]本發(fā)明實施例提供的陣列基板中還包括多條公共電極6和多條尋址線5，每條尋址線5與相應(yīng)的公共電極6連接。其中，尋址線5由第一金屬線51和第二金屬線52連接形成，第一金屬線51與薄膜晶體管I的柵極101位于同一圖層，第二金屬線52與薄膜晶體管I的源極103、漏極104位于同一圖層。
[0034]該陣列基板在應(yīng)用中可采用顯示與觸控分時掃描:在顯示圖像時，公共電極6為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，使公共電極6與像素電極2之間形成電場；在觸控掃描時，公共電極6作為觸控傳感器，用于產(chǎn)生觸控信號。應(yīng)當說明的是，一個公共電極6可以對應(yīng)一個或多個像素單元，并且公共電極6的形狀通常為矩形，但也可以根據(jù)實際情況設(shè)置為其它形狀。
[0035]本發(fā)明實施例提供的陣列基板中還包括多條掃描線7和多條數(shù)據(jù)線8。作為一個優(yōu)選方案，第一金屬線51位于數(shù)據(jù)線8的正下方。此外，第一金屬線51的端部向側(cè)面延伸出數(shù)據(jù)線8之外，而第二金屬線52在該延伸處與第一金屬線51連接，并跨過掃描線7。
[0036]以此種方式將第一金屬線51和第二金屬線52進行跨接，可以避開原有的掃描線7和數(shù)據(jù)線8，因此不會影響掃描線7和數(shù)據(jù)線8的線路設(shè)計。并且，本實施例中第一金屬線51位于數(shù)據(jù)線8的正下方，使第一金屬線51的正投影與數(shù)據(jù)線8基本重合，則第一金屬線51和數(shù)據(jù)線8能夠被彩膜基板上的同一條黑矩陣遮擋。當然，第一金屬線51與數(shù)據(jù)線8的寬度可以稍有不同。
[0037]因為尋址線5的絕大部分都是由第一金屬線51構(gòu)成，只在跨過掃描線7處，才會采用第二金屬線52，所以第一金屬線51和數(shù)據(jù)線8被同一條黑矩陣遮擋，也就能夠使尋址線5的絕大部分都被原有的黑矩陣遮擋住，從而幾乎不會因為尋址線5影響液晶顯示器整體的開口率。
[0038]本實施例中，第一金屬線51與第二金屬線52之間通過連接部件53相連。作為一個優(yōu)選方案連接部件53為LTPS，并且連接部件與薄膜晶體管I中的LTPS102位于同一圖層。第一金屬線51與連接部件53之間通過貫穿絕緣層32的過孔43連接，第二金屬線52與連接部件53之間通過貫穿絕緣層32、33的過孔44連接。公共電極6通過貫穿絕緣層34的過孔45與尋址線5的第二金屬線52連接。
[0039]進一步的是，薄膜晶體管中的LTPS及連接部件的下方設(shè)置有絕緣層31和遮光層9，遮光層9優(yōu)選采用金屬材料形成。遮光層9能夠防止薄膜晶體管I的溝道區(qū)域及連接部件53，在受到背光源的光照情況下出現(xiàn)光生電流，而導致薄膜晶體管I或?qū)ぶ肪€5產(chǎn)生干擾信號的問題。
[0040]在本發(fā)明實施例提供的陣列基板的制造過程中，第一金屬線51、掃描線7、薄膜晶體管I的柵極101可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，第二金屬線52、數(shù)據(jù)線8、薄膜晶體管I的源極103、漏極104可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成，連接部件53和薄膜晶體管I的LTPS 102也可以在同一次構(gòu)圖工藝中同步形成。因此，不需要單獨為了形成尋址線增加構(gòu)圖工藝的次數(shù)，簡化了陣列基板的制造過程，并且也不會因為尋址線而增加陣列基板的厚度。
[0041]實施例二:
[0042]如圖3和圖4所示，本實施例與實施例一基本相同，其不同點在于，本實施例中，第一金屬線51與第二金屬線52之間通過貫穿絕緣層33的過孔46直接相連。
[0043]相比于實施例一，本實施例中可以省去連接部件以及連接部件下方的遮光層。此夕卜，本實施例中的尋址線5完全由第一金屬線51和第二金屬線52連接而成，即尋址線5完全由金屬材料形成，所以尋址線5中所傳輸?shù)挠|控信號也更加穩(wěn)定、可靠。
[0044]實施例三:
[0045]本發(fā)明實施例提供一種顯示裝置，可以是手機、平板電腦等具有觸控功能的顯示裝置，并且采用in-cell技術(shù)實現(xiàn)觸控電路。該顯示裝置包括彩膜基板和上述實施例一或?qū)嵤├峁┑年嚵谢濉?br> [0046]該顯示裝置優(yōu)選為邊緣場開關(guān)型(Fringe Field Switching，簡稱FFS)液晶顯示器。其核心技術(shù)特性為:通過同一平面內(nèi)狹縫狀像素電極電極邊緣所產(chǎn)生的電場，使狹縫狀電極間以及電極正上方的所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生平面旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶層的透光效率。FFS技術(shù)可以提高液晶顯示器的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0047]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置與上述本發(fā)明實施例一或?qū)嵤├峁┑年嚵谢澹哂邢嗤募夹g(shù)特征，所以也能解決相同的技術(shù)問題，達到相同的技術(shù)效果。
[0048]雖然本發(fā)明所公開的實施方式如上，但所述的內(nèi)容只是為了便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所公開的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括多個像素單元，每個所述像素單元中設(shè)置有薄膜晶體管； 所述陣列基板還包括多條公共電極和多條尋址線，每條尋址線與相應(yīng)的公共電極連接; 所述公共電極用于為相應(yīng)的像素單元提供公共電壓，也用于產(chǎn)生觸控信號； 所述尋址線由第一金屬線和第二金屬線連接形成，所述第一金屬線與所述薄膜晶體管的柵極位于同一圖層，所述第二金屬線與所述薄膜晶體管的源極、漏極位于同一圖層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線； 所述第一金屬線位于所述數(shù)據(jù)線的正下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬線與所述第二金屬線之間通過連接部件相連，所述第一金屬線和所述第二金屬線分別通過過孔與所述連接部件相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述連接部件與所述薄膜晶體管中的低溫多晶硅位于同一圖層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管中的低溫多晶硅及所述連接部件的下方設(shè)置有遮光層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一金屬線與所述第二金屬線之間通過過孔直接相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，一個所述公共電極對應(yīng)一個或多個所述像素單元。
9.一種顯示裝置，包括彩膜基板和如權(quán)利要求1至8任一項所述的陣列基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置為邊緣場開關(guān)型液晶顯示器。
【文檔編號】G02F1/1362GK104503172SQ201410804969
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月19日
【發(fā)明者】明星, 申智淵 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司