顯示基板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種顯示基板及顯示裝置。該顯示基板襯底基板和形成于所述襯底基板上方的多個柵線、多個數(shù)據(jù)線和多個公共電極線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉形成像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管電連接的像素電極，所述顯示基板還包括位于所述襯底基板上方的連接電極，所述連接電極將相鄰的所述公共電極線連接。本實用新型提供的顯示基板及顯示裝置的技術(shù)方案中，連接電極將相鄰的公共電極線連接，實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，降低了公共電極線上的電阻，從而降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而提高了顯示的均勻性。
【專利說明】顯示基板及顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示基板及顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示技術(shù)廣泛應(yīng)用于電視、手機以及公共信息顯示等領(lǐng)域，是目前使用最為廣泛的顯示技術(shù)。液晶顯示的畫面質(zhì)量是上述產(chǎn)品成功的重要條件。液晶顯示裝置是目前常用的平板顯示器，而薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，簡稱TFT-1XD)是液晶顯示裝置中的主流產(chǎn)品。
[0003]其中，陣列基板是液晶顯示裝置的重要部件。現(xiàn)有技術(shù)中，通常陣列基板中設(shè)置有公共電極線，公共電極線可提供液晶顯示需要的公共電壓。
[0004]但是，公共電極線的電阻較高，因此公共電極線上的壓降也較高，從而降低了顯示的均勻性。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型提供一種顯示基板及顯示裝置，用于提高顯示的均勻性。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種顯示基板，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上方的多個柵線、多個數(shù)據(jù)線和多個公共電極線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉形成像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管電連接的像素電極，所述顯示基板還包括位于所述襯底基板上方的連接電極，所述連接電極將相鄰的所述公共電極線連接。
[0007]可選地，所述連接電極和所述公共電極線同層設(shè)置。
[0008]可選地，所述公共電極線和所述柵線同層設(shè)置。
[0009]可選地，每兩個相鄰的柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個所述像素單元，每兩個相鄰的所述柵線之間設(shè)置兩個所述公共電極線。
[0010]可選地，每行所述像素單元對應(yīng)于一個公共電極線，所述公共電極線在所述襯底基板上的投影和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極在所述襯底基板上的投影部分重合，且所述公共電極線和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極之間形成存儲電容。
[0011]可選地，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0012]可選地，所述顯示基板還包括形成于所述襯底基板上方的多個輔助公共電極線，所述輔助公共電極線位于所述相鄰的兩條公共電極線之間，所述連接電極包括第一連接子電極和第二連接子電極，所述第一連接子電極將所述輔助公共電極線與相鄰的一條公共電極線連接，所述第二連接子電極將所述輔助公共電極線與相鄰的另一條公共電極線連接。
[0013]可選地，所述輔助公共電極線和所述公共電極線同層設(shè)置。
[0014]可選地，每兩個相鄰的所述柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個所述像素單元，所述輔助公共電極線位于兩個所述像素單元中的像素電極之間的區(qū)域，且所述輔助公共電極線在所述襯底基板上的投影與兩個所述像素單元中的像素電極在所述襯底基板上的投影部分重合或者不重合。
[0015]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種顯示裝置，包括:上述顯示基板。
[0016]本實用新型具有以下有益效果:
[0017]本實用新型提供的顯示基板及顯示裝置的技術(shù)方案中，連接電極將相鄰的公共電極線連接，實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，降低了公共電極線上的電阻，從而降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而提高了顯示的均勻性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型實施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為圖1中A-A向剖視圖；
[0020]圖3為本實用新型實施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為圖3中B-B向剖視圖。

【具體實施方式】
[0022]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對本實用新型提供的顯示基板及顯示裝置進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0023]圖1為本實用新型實施例一提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中A-A向剖視圖，如圖1和圖2所示，該顯示基板包括襯底基板I和形成于襯底基板I上方的多個柵線、多個數(shù)據(jù)線和多個公共電極線，柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素單元，像素單元包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管電連接的像素電極，顯示基板還包括位于襯底基板I上方的連接電極2，連接電極2將相鄰的公共電極線連接。
[0024]本實施例中的顯示基板可以為陣列基板。
[0025]多個柵線平行設(shè)置，圖1中以柵線隊、隊+1和Ni+2為例進(jìn)行描述；多個數(shù)據(jù)線平行設(shè)置，圖1中以數(shù)據(jù)線MpMp1和％+2為例進(jìn)行描述；多個公共電極線平行設(shè)置，圖1中以公共電極線com(i)、com(i+1)、com(i+2)和com(i+3)以例進(jìn)行描述。本實施例中，每兩個相鄰的柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個像素單元，例如:相鄰的柵線Ni+1、Ni+2和相鄰的數(shù)據(jù)線MpMJ+1限定出像素單元P(i+1，j)和P(i+2，」)。像素單元P(i+1，j)包括薄膜晶體管Tl和像素電極3，薄膜晶體管Tl位于柵線Ni+1和數(shù)據(jù)線的交叉點附近，薄膜晶體管Tl包括柵極11、有源層12、源極13和漏極14，有源層12位于柵極11的上方，源極13和漏極14位于有源層12之上，像素電極3和漏極14電連接。柵極11和柵線Ni+1連接，優(yōu)選地，柵極11和柵線Ni+1同層設(shè)置且一體成型。源極13和數(shù)據(jù)線連接，優(yōu)選地，源極13和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且一體成型。柵極11之上形成有柵絕緣層4，源極13和漏極14之上形成有鈍化層5，則源極13的一端位于有源層12之上，源極13的另一端位于柵絕緣層4之上，漏極14的一端位于有源層12之上，漏極14的另一端位于柵絕緣層4之上，鈍化層5上設(shè)置有過孔6，過孔6位于漏極14的上方且暴露出漏極14，像素電極3填充于過孔6以實現(xiàn)與漏極14電連接。像素單元P(i+2，」)包括薄膜晶體管T2和像素電極7，薄膜晶體管T2位于柵線Ni+2和數(shù)據(jù)線Mj的交叉點附近，薄膜晶體管T2包括柵極21、有源層22、源極23和漏極24，有源層22位于柵極21的上方，源極23和漏極24位于有源層22之上，像素電極7和漏極24電連接。柵極21和柵線Ni+2連接，優(yōu)選地，柵極21和柵線Ni+2同層設(shè)置且一體成型。源極23和數(shù)據(jù)線Mj連接，優(yōu)選地，源極23和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置且一體成型。柵絕緣層4位于柵極21之上，鈍化層5位于源極23和漏極24之上，則源極23的一端位于有源層22之上，源極23的另一端位于柵絕緣層4之上，漏極24的一端位于有源層22之上，漏極24的另一端位于柵絕緣層4之上，鈍化層5上設(shè)置有過孔8，過孔8位于漏極24的上方且暴露出漏極24，像素電極7填充于過孔8以實現(xiàn)與漏極24電連接。
[0026]連接電極2和公共電極線同層設(shè)置。如圖1和圖2所示，連接電極2和公共電極線com(i+1)、com(i+2)同層設(shè)置,且連接電極2和公共電極線com(i+1)、com(i+2) —體成型。連接電極2將相鄰的兩個公共電極線com(i+1)、com(i+2)連接。具體地，連接電極2的一端與公共電極線com(i+1)連接,連接電極2的另一端與公共電極線com(i+2)連接,從而實現(xiàn)了連接電極2將相鄰的兩個公共電極線com(i+1)、com(i+2)連接。本實施例中，連接電極2將相鄰的公共電極線連接，通過連接電極實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，從而降低了公共電極線上的電阻。
[0027]公共電極線和柵線同層設(shè)置。公共電極線和柵線平行設(shè)置，且柵絕緣層4位于公共電極線之上。本實施例中，每兩個相鄰的柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個像素單元，則每兩個相鄰的柵線之間設(shè)置兩個公共電極線，例如:相鄰的柵線Ni+1和Ni+2之間設(shè)置公共電極線com(i+1)、Com(i+2)。在實際應(yīng)用中，兩個相鄰的柵線之間還可以設(shè)置其它數(shù)量個公共電極線，此處不再一一列舉。
[0028]每行像素單元對應(yīng)于一個公共電極線，例如--第i+Ι行像素單元對應(yīng)于公共電極線Com(i+1)，第i+2行像素單元對應(yīng)于公共電極線Com(i+2)，則像素單元Ρ(?+1，」)對應(yīng)于公共電極線Com(i+1)，像素單元Ρ(?+2，」)對應(yīng)于公共電極線Com(i+2)。本實施例中，公共電極線可位于薄膜晶體管的漏極的下方，例如:公共電極線com(i+1)可位于薄膜晶體管Tl的漏極14的下方，公共電極線com(i+2)可位于薄膜晶體管T2的漏極24的下方。公共電極線在襯底基板I上的投影和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極在襯底基板I上的投影部分重合，例如:公共電極線com(i+1)在襯底基板I上的投影和與其對應(yīng)的像素單元P(i+1j中的薄膜晶體管Tl的漏極14在襯底基板I上的投影部分重合，公共電極線com(i+2)在襯底基板I上的投影和與其對應(yīng)的像素單元P(i+2」.)中的薄膜晶體管T2的漏極24在襯底基板I上的投影部分重合。公共電極線和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極之間形成存儲電容，例如:公共電極線com(i+1)和與其對應(yīng)的像素單元P(i+1j中的薄膜晶體管Tl的漏極14之間形成存儲電容Cl，公共電極線com(i+2)和與其對應(yīng)的像素單元P(i+2」_)中的薄膜晶體管T2的漏極24之間形成存儲電容C2。
[0029]本實施例中，柵線、公共電極線和數(shù)據(jù)線的材料均可以為金屬,例如，該金屬可以包括Cu、Al、Mo、T1、Cr或者W ;或者，柵線、公共電極線和數(shù)據(jù)線的材料均可以為金屬合金，例如，該金屬合金可以為上述金屬Cu、Al、Mo、T1、Cr、W的合金。
[0030]本實施例中，柵線、公共電極線和數(shù)據(jù)線可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。例如，多層結(jié)構(gòu)可以為 Mo\Al\Mo、Ti\Cu\Ti 或者 MoTi\Cu。
[0031]本實施例中，柵絕緣層4的材料可以包括氮化硅或氧化硅。柵絕緣層4的材料可以為單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。例如，多層結(jié)構(gòu)可以為氧化硅\氮化硅。
[0032]本實施例中，有源層的材料可包括非晶硅或者氧化物半導(dǎo)體。
[0033]本實施例中，鈍化層5的材料可以為無機物，例如:氧化氮。
[0034]本實施例中，像素電極的材料可以為ΙΤ0、IZO或者透明金屬氧化物。
[0035]在實際應(yīng)用中，可選地，公共電極線還可以和數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。此時，公共電極線和數(shù)據(jù)線平行設(shè)置。此種情況不再具體畫出。
[0036]本實施例中的薄膜晶體管均為底柵型薄膜晶體管。在實際應(yīng)用中，該薄膜晶體管還可以為頂柵型薄膜晶體管，此種情況不再具體畫出。
[0037]本實施例提供的顯示基板的技術(shù)方案中，連接電極將相鄰的公共電極線連接，實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，降低了公共電極線上的電阻，從而降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而提高了顯示的均勻性。
[0038]圖3為本實用新型實施例二提供的一種顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為圖3中B-B向剖視圖，如圖3和圖4所示，本實施例與上述實施例一的區(qū)別在于，本實施例中，顯示基板還包括形成于襯底基板I上方的多個輔助公共電極線comassit，輔助公共電極線Comassit位于相鄰的兩條公共電極線之間，連接電極2包括第一連接子電極25和第二連接子電極26，第一連接子電極25將輔助公共電極線Comassit與相鄰的一條公共電極線連接,第二連接子電極26將輔助公共電極線Comassit與相鄰的另一條公共電極線連接。
[0039]圖3中以一條輔助公共電極線Comassit為例進(jìn)行描述。輔助公共電極線Comassit位于相鄰的公共電極線com(i+1)、com(i+2)之間，第一連接子電極25將輔助公共電極線Comassit與相鄰的一條公共電極線com(i+1)連接,第二連接子電極26將輔助公共電極線Comassit與相鄰的另一條公共電極線com(i+2)連接。第一連接子電極25、第二連接子電極26、輔助公共電極線Comassit與公共電極線com(i+1)、com(i+2) 一體成型。本實施例中，第一連接子電極25和第二連接子電極26將分別與相鄰的公共電極線com(i+1)和公共電極線com(i+2)連接,通過第一連接子電極和第二連接子電極實現(xiàn)了輔助公共電極線和相鄰的公共電極線的并聯(lián)，從而進(jìn)一步降低了公共電極線上的電阻。
[0040]輔助公共電極線Comassit和公共電極線同層設(shè)置。輔助公共電極線Comassit與公共電極線平行設(shè)置，且柵絕緣層4位于輔助公共電極線Comassit之上。
[0041]本實施例中，每兩個相鄰的柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個像素單元，輔助公共電極線位于兩個像素單元中的像素電極之間的區(qū)域，例如:輔助公共電極線Comassit位于像素單元P(i+u)中的像素電極3和像素單元P(i+2j中的像素電極7之間的區(qū)域。且輔助公共電極線在襯底基板上的投影與兩個像素單元中的像素電極在襯底基板上的投影部分重合，例如:輔助公共電極線Comassit在襯底基板I上的投影與像素單元P(i+1，j)中的像素電極3和像素單元P(i+2，j)中的像素電極7在襯底基板I上的投影部分重合。在實際應(yīng)用中，可選地，輔助公共電極線在襯底基板上的投影與兩個像素單元中的像素電極在襯底基板上的投影不重合，此種情況不再具體畫出。
[0042]本實施例中對顯示基板中其余結(jié)構(gòu)的描述可參見實施例一，此處不再贅述。
[0043]本實施例提供的顯示基板的技術(shù)方案中，襯底基板上增設(shè)了輔助公共電極線，并通過第一連接子電極和第二連接子電極將輔助公共電極線分別與相鄰的兩個公共電極線連接，實現(xiàn)了輔助公共電極線和相鄰的公共電極線的并聯(lián)，進(jìn)一步降低了公共電極線上的電阻，從而進(jìn)一步降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而進(jìn)一步提高了顯示的均勻性。
[0044]本實用新型實施例三提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括:上述實施例一或者實施例二提供的顯示基板，對顯示基板的具體描述可參見上述實施例一或者實施例二，此處不再贅述。
[0045]本實施例提供的顯示裝置的技術(shù)方案中，連接電極將相鄰的公共電極線連接，實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，降低了公共電極線上的電阻，從而降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而提高了顯示的均勻性。襯底基板上增設(shè)了輔助公共電極線，并通過第一連接子電極和第二連接子電極將輔助公共電極線分別與相鄰的兩個公共電極線連接，實現(xiàn)了輔助公共電極線和相鄰的公共電極線的并聯(lián)，進(jìn)一步降低了公共電極線上的電阻，從而進(jìn)一步降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而進(jìn)一步提高了顯示的均勻性。
[0046]本實用新型實施例四提供了一種顯示基板的制造方法，該方法包括:
[0047]步驟101、在襯底基板上形成柵線、柵極、公共電極線和連接電極。
[0048]具體地，在襯底基板上濺射(sputter)柵極材料層，對柵極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成柵線、柵極、公共電極線和連接電極。
[0049]進(jìn)一步地，若顯示基板還包括輔助公共電極線，則步驟101中在形成柵線、柵極、公共電極線和連接電極的同時，還形成輔助公共電極線。
[0050]步驟102、在完成步驟101的襯底基板上形成柵絕緣層。
[0051 ] 具體地，在襯底基板上通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhancedChemical Vapor Deposit1n,簡稱:PECVD)工藝沉積柵絕緣層。該柵絕緣層位于柵線、柵極、公共電極線和連接電極之上。
[0052]步驟103、在柵絕緣層之上形成有源層。
[0053]具體地，可通過濺射工藝或者PECVD工藝在柵絕緣層之上形成有源材料層，對有源材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成有源層。
[0054]步驟104、在完成步驟103的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
[0055]具體地，可通過濺射工藝在襯底基板上沉積源漏極材料層，對源漏極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
[0056]步驟105、在完成步驟104的襯底基板上形成鈍化層。
[0057]具體地，可通過PECVD工藝在襯底基板上沉積鈍化層。該鈍化層位于數(shù)據(jù)線、源極和漏極之上。
[0058]步驟106、在鈍化層上形成過孔。
[0059]具體地，對鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成過孔，該過孔暴露出漏極。
[0060]步驟107、在完成步驟106的襯底基板上形成像素電極，該像素電極填充于過孔以實現(xiàn)與漏極電連接。
[0061]具體地，通過濺射工藝在襯底基板上沉積像素電極材料層，對像素電極材料層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成像素電極。
[0062]本實施例中，構(gòu)圖工藝可包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝。
[0063]本實施例提供的顯示基板的制造方法可用于制造上述實施例一或者實施例二提供的顯示基板，對顯示基板的具體描述可參見上述實施例一或者實施例二，此處不再贅述。
[0064]本實施例提供的顯示基板的制造方法制造出的顯示基板的技術(shù)方案中，連接電極將相鄰的公共電極線連接，實現(xiàn)了相鄰的公共電極線的并聯(lián)，降低了公共電極線上的電阻，從而降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而提高了顯示的均勻性。襯底基板上增設(shè)了輔助公共電極線，并通過第一連接子電極和第二連接子電極將輔助公共電極線分別與相鄰的兩個公共電極線連接，實現(xiàn)了輔助公共電極線和相鄰的公共電極線的并聯(lián)，進(jìn)一步降低了公共電極線上的電阻，從而進(jìn)一步降低了公共電極線上的壓降，進(jìn)而進(jìn)一步提高了顯示的均勻性。
[0065]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示基板，包括襯底基板和形成于所述襯底基板上方的多個柵線、多個數(shù)據(jù)線和多個公共電極線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉形成像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管和與所述薄膜晶體管電連接的像素電極，其特征在于，所述顯示基板還包括位于所述襯底基板上方的連接電極，所述連接電極將相鄰的所述公共電極線連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述連接電極和所述公共電極線同層設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述公共電極線和所述柵線同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板，其特征在于，每兩個相鄰的柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個所述像素單元，每兩個相鄰的所述柵線之間設(shè)置兩個所述公共電極線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，每行所述像素單元對應(yīng)于一個公共電極線，所述公共電極線在所述襯底基板上的投影和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極在所述襯底基板上的投影部分重合，且所述公共電極線和與其對應(yīng)的像素單元中的薄膜晶體管的漏極之間形成存儲電容。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述公共電極線和所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括形成于所述襯底基板上方的多個輔助公共電極線，所述輔助公共電極線位于所述相鄰的兩條公共電極線之間，所述連接電極包括第一連接子電極和第二連接子電極，所述第一連接子電極將所述輔助公共電極線與相鄰的一條公共電極線連接，所述第二連接子電極將所述輔助公共電極線與相鄰的另一條公共電極線連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述輔助公共電極線和所述公共電極線同層設(shè)置。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示基板，其特征在于，每兩個相鄰的所述柵線和每兩個相鄰的數(shù)據(jù)線限定出兩個所述像素單元，所述輔助公共電極線位于兩個所述像素單元中的像素電極之間的區(qū)域，且所述輔助公共電極線在所述襯底基板上的投影與兩個所述像素單元中的像素電極在所述襯底基板上的投影部分重合或者不重合。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括:上述權(quán)利要求1至9任一所述的顯示基板。
【文檔編號】G02F1/1343GK204028524SQ201420336953
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年6月23日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月23日
【發(fā)明者】程鴻飛, 先建波, 喬勇, 李文波, 李盼 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司