掩模板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種掩模板，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠?qū)⑵毓忾g距保持一致，從而使曝光圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸。本實(shí)用新型所提供的掩模板包括不透光區(qū)域和透光區(qū)域，且在所述不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物。本實(shí)用新型可用于彩膜基板制作工藝。
【專利說(shuō)明】掩模板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種掩模板。

【背景技術(shù)】
[0002]在顯示面板如液晶顯示面板的制造過(guò)程中，一般都要經(jīng)過(guò)多次掩模以在彩膜基板上形成所需的圖形。掩模次數(shù)越多所需的制造成本越高，同時(shí)，掩模板曝光時(shí)還會(huì)帶來(lái)如尺寸不均、圖形形變等其他不良影響。
[0003]目前，現(xiàn)有技術(shù)常用的掩模板曝光工藝為接近式曝光和接觸式曝光。接近式曝光與接觸式曝光的區(qū)別在于曝光時(shí)掩模板與彩膜基板是分開(kāi)的還是貼緊的。其中，接觸式曝光的掩模板是壓在光刻膠的彩膜基板上，由于掩模板與彩膜基板直接接觸，使得掩模板易污染，所以相比接觸式曝光，接近式曝光更為常用。接近式曝光的掩模板位于彩膜基板上方一定范圍，掩模板與彩膜基板是不接觸的，但也正由于掩模板與彩膜基板是不接觸的，使得掩模板與彩膜基板之間難以保證一致的間距，即曝光時(shí)的曝光間距不一致，從而導(dǎo)致曝光后的曝光圖形形變量不一致、曝光圖形尺寸不均一。因此，提供一種能夠?qū)⑵毓忾g距保持一致，以使曝光后的曝光圖形能夠具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸的掩模板是本領(lǐng)域技術(shù)人員所要解決的重要課題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型提供了一種掩模板，能夠?qū)⑵毓忾g距保持一致，從而使曝光圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸。
[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]本實(shí)用新型提供一種掩模板，包括不透光區(qū)域和透光區(qū)域，且在所述不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物。
[0007]其中，所述隔墊物的高度為100-300 μπι。
[0008]所述隔墊物的邊緣距離所述不透光區(qū)域的邊緣3-10 μ mo
[0009]所述隔墊物位于所述不透光區(qū)域內(nèi)的中心區(qū)域。
[0010]所述隔墊物為連續(xù)型分布或離散型分布。
[0011]所述隔墊物的連續(xù)型分布的分布密度為每24個(gè)至每36個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物。
[0012]所述隔墊物的形狀為圓柱形、方柱型、棱柱形和球形中的任意一種。
[0013]本實(shí)用新型還提供另一種掩模板，包括有效顯示區(qū)域和無(wú)效顯示區(qū)域，所述無(wú)效顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物。
[0014]其中，所述隔墊物的高度為100-300 μπι。
[0015]所述隔墊物的連續(xù)型分布的分布密度為每20萬(wàn)100萬(wàn)個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物。
[0016]本實(shí)用新型提供了一種掩模板，在該掩膜板的不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物，利用該隔墊物將掩模板與彩膜基板進(jìn)行接觸，這樣在曝光處理時(shí)，由于隔墊物的高度一致，從而將整個(gè)掩模板與彩膜基板之間的間距保持一致，即能夠保持一致的曝光間距，從而使得掩模板曝光后所得到的曝光圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種掩模板示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種掩t吳板不意圖；
[0019]圖3為使用根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種掩模板的曝光處理方法示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0021]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0022]如圖1所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種掩模板10，包括不透光區(qū)域11和透光區(qū)域12，且在不透光區(qū)域11內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物13。
[0023]掩模板一般都包括有效顯示區(qū)域和無(wú)效顯示區(qū)域。有效顯示區(qū)域?yàn)檠谀０宓膱D形區(qū)，對(duì)應(yīng)基板上掩模板曝光處理后形成圖形所在的區(qū)域，無(wú)效顯示區(qū)域?yàn)橛行э@示區(qū)域的每一單元格之間間隔的區(qū)域，對(duì)應(yīng)基板上掩模板曝光處理后形成圖形所在的區(qū)域之間間隔的區(qū)域，是在后續(xù)中需要切割去除的區(qū)域。
[0024]有效顯示區(qū)域一般又分為不透光區(qū)域和透光區(qū)域。不透光區(qū)域一般為不透光鉻(Ge)層，用于在基板上形成與掩模對(duì)應(yīng)的圖形。隔墊物用于支撐掩模板，現(xiàn)有技術(shù)中已知的隔墊物均可以應(yīng)用到本實(shí)用新型中，本實(shí)用新型對(duì)其制作方法和材質(zhì)均不作限定。例如，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩模板可以通過(guò)現(xiàn)有技術(shù)常用的光刻膠工藝將高度一致的隔墊物設(shè)于掩模板的不透光區(qū)域內(nèi)。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種掩模板，在該掩膜板的不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物，利用該隔墊物將掩模板與彩膜基板進(jìn)行接觸，這樣在曝光處理時(shí)，由于隔墊物的高度一致，從而將整個(gè)掩模板與彩膜基板之間的間距保持一致，即能夠保持一致的曝光間距，從而使得掩模板曝光時(shí)所得到的曝光圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸。
[0026]在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，隔墊物13的高度可以為100-300 μπι。在本實(shí)施例中，將隔墊物13的高度設(shè)置在上述范圍內(nèi)，主要是因?yàn)?，現(xiàn)有技術(shù)中，接近式曝光出于安全考慮，曝光間距必須在一定安全范圍內(nèi)以防止掩模板和基板碰撞而污染掩模板，曝光間距大，曝光時(shí)光線發(fā)生的偏轉(zhuǎn)較大，從而會(huì)增加曝光圖形形變量和曝光圖形尺寸的偏差。由于該一定安全的范圍通常是較大的，所以現(xiàn)有技術(shù)中接近式曝光通常具有較大的曝光圖形形變量偏差和圖形尺寸偏差。本實(shí)用新型實(shí)施例中，隔墊物的高度即為掩模板曝光時(shí)掩模板與彩膜基板之間的間距，也就是曝光時(shí)的曝光間距，即掩模板曝光時(shí)曝光間距可以為100-300 μ m，該距離要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中“該一定安全的范圍”，這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)接近式曝光，掩模板10曝光時(shí)具有較小的曝光間距，從而具有較小的曝光圖形形變量偏差和曝光圖形尺寸偏差。具體地，隔墊物的高度可以是100 μ m、110 μ m、120 μ m、130 μ m、140 μ m、150 μ m、200 μ m、250 μ m、300 μ m。
[0027]隔墊物13的高度在理論上可以達(dá)到無(wú)限小，從而在理論上可以獲得無(wú)限小的曝光圖形形變量偏差和圖形尺寸偏差。可以理解的是，隨著工藝的開(kāi)發(fā)，高度小于ΙΟΟμπι的隔墊物也包括在本實(shí)用新型的構(gòu)思范圍內(nèi)，例如80 μ m、70 μ m、60 μ m、50 μ m、40 μ m、30 μ m、20μπι、10μπι、5μπι等?？梢岳斫獾氖牵瑢⒏魤|物13的高度設(shè)置的更小，可以對(duì)曝光圖形尺寸偏差具有更嚴(yán)格的控制，特別適用于窄線寬產(chǎn)品，隔墊物13高度越小，曝光間距越小，曝光時(shí)光線偏轉(zhuǎn)越小，從而可以將曝光圖形尺寸控制在更小的范圍內(nèi)，這樣，相鄰不透光區(qū)域曝光時(shí)互相之間的交叉影響就是越小的。
[0028]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，隔墊物13的邊緣可以距離不透光區(qū)域11的邊緣3-10 μ mo隔墊物13設(shè)于掩模板10的不透光區(qū)域11內(nèi)，且不超過(guò)不透光區(qū)域11，這樣在曝光時(shí)可保證隔墊物13不會(huì)影響掩模板10圖形的曝光效果。隔墊物的邊緣距離不透光區(qū)域的邊緣越小，表明隔墊物在不透光區(qū)域具有越大的接觸面，也就是隔墊物對(duì)掩模板具有越大的支撐面，這樣可以更好的避免掩模板具有不同的彎曲，從而使得掩模板通過(guò)隔墊物與彩膜基板接觸時(shí)可以更好保證掩模板與彩膜基板整體具有一致的間距。但應(yīng)注意的是，隔墊物的邊緣距離不透光區(qū)域的邊緣越小，在掩模板曝光時(shí)也容易發(fā)生隔墊物對(duì)掩模板圖形的影響。將隔墊物13的邊緣設(shè)置為距離不透光區(qū)域11的邊緣3-10 μm既有利于掩模板與彩膜基板之間具有一致的高度間距，具有一致的曝光間距，也有益于曝光時(shí)隔墊物不會(huì)影響掩模板的圖形化效果。例如，隔墊物的邊緣可以距離不透光區(qū)域4 μπ?、5 μπ?、6 μπ?、7 μπκ8 μ m、9 μ m、10 μ m。
[0029]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，隔墊物13在不透光區(qū)域11內(nèi)可以位于不透光區(qū)域11的中心區(qū)域。這樣，可使隔墊物均勻支撐不透光區(qū)域內(nèi)掩模板，保證整個(gè)掩模板平面的彎曲度是一致的，從而更有利于保證曝光間距是一致的。當(dāng)然，隔墊物也可以位于不透光區(qū)域11內(nèi)的非中心區(qū)域，在這種情況下，掩模板曝光時(shí)隔墊物也可以對(duì)掩模板起到支撐作用，以確保掩模板具有一致的彎曲度。
[0030]在本實(shí)用新型另一實(shí)施例中，隔墊物13在不透光區(qū)域11內(nèi)可以連續(xù)型分布或離散型分布。也就是，每個(gè)不透光區(qū)域內(nèi)可以設(shè)有一個(gè)或多個(gè)隔墊物，也可以每?jī)蓚€(gè)或多個(gè)不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有一個(gè)隔墊物。隔墊物在不透光區(qū)域內(nèi)連續(xù)分布有利于隔墊物均勻支撐掩模板，從而有利于掩模板具有一致的彎曲度，進(jìn)而有利于將曝光間距保持一致。
[0031]在本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例中，隔墊物13連續(xù)型分布的分布密度可以為每24個(gè)至每36個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物，即，以亞像素單位為基準(zhǔn)來(lái)說(shuō)，每間隔24個(gè)至36個(gè)亞像素單位設(shè)有一個(gè)隔墊物。密度越大，即隔墊物設(shè)置的越多，對(duì)掩模板具有越大且均勻的支撐率，就越有利于保證掩模板與彩膜基板的間距是一致的，從而保證曝光間距是一致的，但密度大，相應(yīng)地也提高了掩模板的制造成本，且過(guò)度密集的隔墊物之間會(huì)發(fā)生相互擠壓，擠壓造成隔墊物坍塌、變形等問(wèn)題而影響而引起掩模板與彩膜基板之間的間距不一致。所以，每24個(gè)至每36個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物，有益于進(jìn)一步提高曝光間距的一致性。例如，可以每24個(gè)、27個(gè)、30個(gè)、33個(gè)、36個(gè)亞像素單位設(shè)一個(gè)隔墊物。
[0032]在本實(shí)用新型另一實(shí)施例中，隔墊物13可以為圓柱形、方柱型、棱柱形和球形中的任意一種。這種形狀的隔墊物可以與掩模板在接觸時(shí)具有較大的接觸面，即隔墊物對(duì)掩模板具有相應(yīng)較大的支撐率，從而有利于確保掩模板具有一致的彎曲度，即有利于確保掩模板與彩膜基板二者間的間距一致。
[0033]如圖2所示，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供另一種掩模板20，包括有效顯示區(qū)域21和無(wú)效顯示區(qū)域22，在無(wú)效顯示區(qū)域22內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物23。
[0034]可以理解的是，隔墊物23與隔墊物13是等同的物質(zhì)，同樣用于支撐掩模板。適用于隔墊物13的材質(zhì)、制作工藝、高度、分布方式等設(shè)置同樣也適用于隔墊物23。
[0035]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了另一種掩模板，在該掩膜板的無(wú)效顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物，利用該隔墊物將掩模板與彩膜基板進(jìn)行接觸，這樣在曝光處理時(shí)，由于隔墊物的高度一致，從而將整個(gè)掩模板與彩膜基板之間的間距保持一致，即能夠保持一致的曝光間距，從而使掩模板曝光后所得到的曝光圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸。
[0036]在本實(shí)用新型一實(shí)施例中，隔墊物23的高度可以為100-300 μm。隔墊物的高度就是掩膜板曝光時(shí)的曝光間距，即掩模板曝光時(shí)曝光間距可以為100-300 μπι，例如，可以是100 μ m、110 μ m、120 μ m、130 μ m、140 μ m、150 μ m、200 μ m、250 μ m、300 μ m。這樣，相比現(xiàn)有技術(shù)接近式曝光，掩模板10曝光時(shí)具有較小的曝光間距，從而具有較小的曝光圖形形變量偏差和曝光圖形尺寸偏差。與隔墊物13相同地，隔墊物23的高度在理論上也可以無(wú)限小，這樣可以獲得更小的曝光間距。
[0037]在本實(shí)用新型另一實(shí)施例中，隔墊物23的連續(xù)型分布的分布密度為每20萬(wàn)100萬(wàn)個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物。密度越小，隔墊物對(duì)掩模板具有越小的支撐率，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例中，分布密度可以為每20萬(wàn)個(gè)、30萬(wàn)個(gè)、50萬(wàn)個(gè)、60萬(wàn)個(gè)、80萬(wàn)個(gè)、100萬(wàn)個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物，這樣，具有足夠的隔墊物可以對(duì)掩模板提供充足的支撐率，從而有利于掩膜板與基板之間的高度間距是一致的。
[0038]下面將結(jié)合圖1和圖2對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的兩種掩模板10、20作具體說(shuō)明。
[0039]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的兩種掩模板10、20，分別如圖1和圖2所示，掩模板10、20通過(guò)高度一致的掩模板與彩膜基板接觸，都能保證在曝光時(shí)曝光間距是一致的，從而使曝光后所得圖形具有一致的曝光圖形形變量和均一的曝光圖形尺寸，不同的是，隔墊物13、23分別設(shè)于掩模板的不同區(qū)域，隔墊物13位于掩模板10的有效顯示區(qū)域內(nèi)的不透光區(qū)域11內(nèi)，而隔墊物23位于掩模板20的無(wú)效顯示區(qū)域22內(nèi)，因而，掩膜板10更適用于有效顯示區(qū)域的透光區(qū)域較大時(shí)的情況，掩膜板20更適用于透光區(qū)域較小時(shí)的情況。
[0040]具體地，由于隔墊物23設(shè)于掩模板20的無(wú)效顯示區(qū)域22，因而，若依次進(jìn)行多層光刻工藝，每層工藝掩模板曝光時(shí)隔墊物接觸的是彩膜基板的同樣的無(wú)效顯示區(qū)域，因而完全不影響前序已完成的光刻圖形，而使用本實(shí)用新型提供的一種掩模板10，由于隔墊物13設(shè)于有效顯示區(qū)域，因而進(jìn)行后序工藝掩模板曝光時(shí)隔墊物會(huì)與前序已完成的光刻圖形接觸，會(huì)導(dǎo)致在前序已完成的光刻圖形上形成黑斑。
[0041]例如，以目前彩膜基板工藝的BM、R、G、B、ITO/OC、PS流程為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。前序工藝BM、R、G使用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩模板10，前序工藝BM、R、G中掩模板10的有效顯示區(qū)域包括的透光區(qū)域較大，因而不透光區(qū)域11相距松散，隔墊物設(shè)于不透光區(qū)域不會(huì)過(guò)于密集，通過(guò)設(shè)置適宜密度分布的隔墊物可以在曝光時(shí)隔墊物與彩膜基板的接觸區(qū)域可以不落在上一工藝已形成圖形區(qū)，從而既可以獲得一致的曝光圖形形變量和曝光圖形尺寸且不影響下一工藝的曝光效果；后序工藝B、ITO/OC、PS使用本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種掩模板20，隔墊物設(shè)于無(wú)效顯示區(qū)域，后序工藝B、ITO/OC、PS中其有效顯示區(qū)域的透光區(qū)域非常小，且由于經(jīng)過(guò)前序工藝，掩模板有效顯示區(qū)域的不透光區(qū)域已設(shè)有非常密集的隔墊物，因而若繼續(xù)將隔墊物設(shè)于不透光區(qū)域，易于發(fā)生隔墊物的擠壓，造成對(duì)基板的污染和像素?fù)p傷，且基板上已具有前序工藝所形成的圖形區(qū)，隔墊物設(shè)于有效顯示區(qū)域會(huì)導(dǎo)致曝光時(shí)隔墊物與下方已形成圖形區(qū)也有接觸，造成下方已形成圖形區(qū)具有黑斑。
[0042]如圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種掩模板曝光處理方法，進(jìn)一步描述如何使用本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的掩模板10、20，該曝光處理方法可以包括以下步驟:
[0043]I)將掩模板置于基板的上方，利用所述掩模板上設(shè)置的高度一致的所述隔墊物與所述基板相接觸；
[0044]2)對(duì)所述掩模板進(jìn)行曝光，以在所述基板上形成曝光圖形。
[0045]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的掩模板曝光處理方法，使用本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的掩模板，在曝光處理時(shí)掩模板通過(guò)高度一致的隔墊物與彩膜基板接觸，從而將掩模板與彩膜基板之間的高度間距保持一致，即曝光時(shí)保持一致的曝光間距，從而具有一致的曝光圖形形變量、均一的曝光圖形尺寸；此外，掩模板通過(guò)隔墊物與彩膜基板接觸避免了掩模板要像接觸式曝光工藝那樣將掩模板壓在光刻膠上，從而避免掩模板被污染，也無(wú)需借助真空吸附、氣缸加壓等方式以將掩模板置于基板上方，因而本實(shí)施例提供的掩模板曝光處理方法操作方便、簡(jiǎn)單。
[0046]顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型創(chuàng)造的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模板，包括不透光區(qū)域和透光區(qū)域，其特征在于，在所述不透光區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的高度為100-300μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的邊緣距離所述不透光區(qū)域的邊緣3-10 μ m。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物位于所述不透光區(qū)域內(nèi)的中心區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物為連續(xù)型分布或離散型分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的連續(xù)型分布的分布密度為每24個(gè)至每36個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的形狀為圓柱形、方柱型、棱柱形和球形中的任意一種。
8.一種掩模板，包括有效顯示區(qū)域和無(wú)效顯示區(qū)域，其特征在于，所述無(wú)效顯示區(qū)域內(nèi)設(shè)有高度一致的隔墊物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的高度為100-300μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述隔墊物的連續(xù)型分布的分布密度為每20萬(wàn)至100萬(wàn)個(gè)亞像素單位一個(gè)隔墊物。
【文檔編號(hào)】G03F1/38GK204178120SQ201420680210
【公開(kāi)日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月11日
【發(fā)明者】盧兵 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司